JP2901128B2 - 分布増幅器 - Google Patents

分布増幅器

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JP2901128B2
JP2901128B2 JP1604994A JP1604994A JP2901128B2 JP 2901128 B2 JP2901128 B2 JP 2901128B2 JP 1604994 A JP1604994 A JP 1604994A JP 1604994 A JP1604994 A JP 1604994A JP 2901128 B2 JP2901128 B2 JP 2901128B2
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transistor
distributed amplifier
cascode
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gate
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俊二 木村
祐記 今井
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、カスコード接続トラン
ジスタを用いた分布増幅器に係り、特にその高周波特性
の改善技術に関する。
【0002】
【従来の技術】図2は、従来の典型的なソース接地トラ
ンジスタを用いた分布増幅器の構成である。図中の記号
は、1、2はインダクタもしくは伝送線路、3はソース
接地トランジスタ、4、5は終端回路、6は電源(電気
的接地)、7は電気的接地を示す。図3は、電界効果ト
ランジスタ(FET)の簡略化した等価回路を示す。一
般に、ソース接地トランジスタを用いた分布増幅器で
は、図2の1、2のインダクタもしくは伝送線路と、図
3に示すトランジスタの寄生容量Cgs、Cdsにより、非
常にカットオフ周波数の高いフィルタ回路を入出力部に
構成する。この構成により、トランジスタがもつ寄生容
量の影響を少なくし広帯域な特性を得ることができるた
め、広帯域増幅器の代表的構成として広く利用されてい
る。しかしながら、この分布増幅器の入出力フィルタ回
路は理想的な無損失フィルタではなく、主にトランジス
タの抵抗成分Ri、Rdsによって減衰を生じる。このた
め、分布増幅器の透過特性は入出力フィルタ回路のカッ
トオフ周波数よりも低い周波数で劣化し、理想的広帯域
特性を実現できないという問題点があった。
【0003】このような問題点を解決する有効な回路構
成として、従来はカスコード接続トランジスタを用いた
分布増幅器が用いられてきた。図4は、従来の典型的な
カスコード接続トランジスタを用いた分布増幅器の構成
である。図中の記号は、1〜7は図2と同様のものを示
し、さらに8のゲート接地トランジスタが付加されてい
る。図5は、図4における9(9はカスコード接続トラ
ンジスタ)の部分を、図3に示した記号を用いて等価回
路に置き換えたものである。図中ソース接地トランジス
タのインピーダンスには1を、ゲート接地トランジスタ
のインピーダンスには2を記号の最後に付加し区別し
た。ここで、Riは充分小さいとして無視すると、カス
コード接続トランジスタの出力インピーダンスは、一般
に数1で表わされる。
【0004】ここで、数1の第1式第2項の(gm2
ds2)/jωCgs2の実部は、Zds≒Rds(Rds≪(1
/ωCds)すなわちω≪(1/Cdsds))となるよう
な低周波ではほぼ0であるが、Rds≒(1/ωCds
(すなわちω≒(1/Cdsds))となるような高周波
帯では
【0005】となるので負性抵抗として作用する。一般
に、CgsはCdsと比べて十分大きいため、このような高
周波帯(Rds≒(1/ωCds)≫(1/ωCgs))では
|Zds1|≫(1/ωCgs2)という近似が成り立つ。こ
のため、数1の第1式第2項の係数をZds1/((1/
jωCgs2)+Zds1)≒1と理想的に近似できるので、
out(ω)の実部、すなわち、Zout(ω)=Rout(ω)
+(1/jωCout(ω))としたときの、抵抗成分R
out(ω)(図6参照、図6の20は実部に対応する抵
抗Rout(ω)、30は虚部に対応する容量Cout(ω)
である。)は、高周波帯では数3のように表わされる。
【0006】通常のソース接地トランジスタの出力イン
ピーダンスの実部は
【0007】であり、数3の第1項に等しい。すなわち
このような高周波帯においては、数3の第2項の負性抵
抗成分により抵抗成分Rout(ω)が低下することがわか
る。その結果、従来のソース接地トランジスタを用いた
分布増幅器よりも、出力側フィルタの損失を低減するこ
とができる。図7に、Rout(ω)の高周波特性の比較図
を示す。図中の記号の、 1は、従来のソース接地トランジスタのRout(ω) 2は、カスコード接続トランジスタ(短ゲート長)のR
out(ω) を示す。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、一般
に、ゲート長の短いトランジスタを用いた場合、短チャ
ネル効果によりCgs(数3の第2項の分母)が減少し負
性抵抗成分が増大するため、この効果は高周波帯でさら
に顕著になる。しかし一方、このCgsの減少によりCgs
≒Cdsとなった場合、数1の第1式の第2項の係数項Z
ds1/((1/jωCgs2)+Zds1)の分母の1/jω
gs2はZds1に比べて無視できなくなる。このため、こ
の係数項の影響により、高周波帯においても負性抵抗増
大効果が十分に得られないという問題点があった。
【0009】本発明の目的は、従来のカスコード接続ト
ランジスタを用いた分布増幅器において、負性抵抗によ
るフィルタ回路損失低減効果が、カスコード接続トラン
ジスタを構成するゲート接地トランジスタのゲートとソ
ース間の容量の影響によって低減するという欠点を改善
し、良好な高周波特性を得る分布増幅器を提供すること
にある。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明では、カスコード接続トランジスタを複数個
用いた分布増幅器において、カスコード接続トランジス
タを構成するゲート接地トランジスタのゲート端子と電
源もしくは電気的接地との間を各々別個に接続する複数
のインダクタンスもしくは伝送線路を設ける。
【0011】
【作用】本発明の構成によれば、ゲート接地トランジス
タのゲート端子と電源もしくは電気的接地との間に挿入
したインダクタもしくは伝送線路のインダクタンスによ
るインピーダンスが、ゲートとソース間の容量のインピ
ーダンスを相殺することになる。このため、前記の負性
抵抗によるフィルタ損失低減効果を増大し、分布増幅器
の高周波特性を改善することが可能になる。
【0012】
【実施例】図1に本発明の実施例の回路構成を示す。図
示のものは、図4の分布増幅器における端子A−B間の
回路構成のみを示したものである。本発明の第1の実施
例を図1(a)に示す。図中の記号6、8は図2と同一
のものを示しさらに10で示したインダクタもしくは伝
送線路を付加している。これにより数1は、
【0013】となる。ここでLcgが、ゲート接地トラン
ジスタのゲート端子と接地(もしくは電源)の間に挿入
されたインダクタもしくは伝送線路のインダクタンス成
分を示す。係数項Zds1/((1/jωCgs2)+
ds1)の分母は、jωLcgの付加により1/jωCgs2
とjωLcgのインピーダンスが相殺し、負性抵抗効果を
増大することができる。本発明の回路のRout(ω)の高
周波特性を、図7中に記号3で示す曲線で示した。この
図から、本発明第1の実施例のRout(ω)は、2で示し
たカスコード接続トランジスタ(短ゲート長)のR
out(ω)よりも低い値を示すことがわかる。図1(b)
は本発明の第2の実施例を示す。これは、10で示した
インダクタもしくは伝送線路を電源とは別の独立した電
気的接地(高周波的接地は図中7で示した)に対して付
加したもので、11で示す抵抗により、6の電源端子に
寄生するインピーダンスの回路特性に与える影響を低減
することができる。図中の12は容量(高周波的短絡)
を示す。図1(c)は、本発明の第3の実施例で、ゲー
ト接地トランジスタのゲートバイアスを自己バイアス回
路によって付加した場合である。この構成は、ゲート接
地トランジスタのゲートバイアス用電源端子が存在しな
いため、電源数を減らすことができる。図中の13、1
4は抵抗もしくはダイオードを示す。
【0014】図8に他の実施例の回路構成を示す。図8
(a)〜図8(c)は、図4における9のカスコード接
続トランジスタの回路構成のみを示したもので、図中の
端子A−B間には、図1(a)〜図1(c)のいずれか
の回路構成が適用される。図8(a)は本発明第4の実
施例で、ここではさらに、カスコード接続トランジスタ
のトランジスタ間に15のインダクタもしくは伝送線路
を挿入しており、数1の第2項の係数項Zds1/((1
/jωCgs2)+Zds1)のZds1(ソース接地トランジ
スタのドレインとソース間のインピーダンス)を調整可
能としたものである。図8(b)は本発明第5の実施例
であり、同様の理由からソース接地トランジスタのソー
ス端子に16のインダクタもしくは伝送線路を挿入した
ものである。図8(c)は本発明第6の実施例であり、
15、16を併用したものを示した。
【0015】図9は、本発明第7の実施例であり、出力
側フィルタ回路に17のインダクタもしくは伝送線路を
付加し、誘導M型構成にしたものである。ただし図中の
9のカスコード接続トランジスタの構成は、本発明第1
〜第3の実施例のいずれかを図4の端子A−B間に適用
したカスコード接続トランジスタの構成か、第4〜第6
のいずれかの実施例が適用される。
【0016】なお図2、図4および図9は便宜上、単位
回路構成4区間によって構成されたものを示したが、本
発明は任意の区間数に対し有効であり、また図中のFE
T(電界効果型トランジスタ)は、全てバイポーラトラ
ンジスタに置換することが可能である。
【0017】図10は、従来の構成と本発明の第1の実
施例の分布増幅器の、透過特性S21の比較結果を示した
ものである。18は本発明の分布増幅器の透過特性であ
り、19は従来の分布増幅器の透過特性である。この結
果から、本発明の実施例の分布増幅器では従来に比べ、
高周波領域まで動作が可能であることがわかる。
【0018】
【発明の効果】以上説明したように、本発明により、カ
スコード接続トランジスタの負性抵抗効果を減少させる
ゲート接地トランジスタのゲート−ソース間容量の影響
を低減し、フィルタ回路損失の低減効果を増大すること
ができるため、高周波領域まで動作可能な広帯域分布増
幅器を実現できる利点をもつ。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例の回路構成図。
【図2】従来のソース接地トランジスタを用いた分布増
幅器の回路構成図。
【図3】電界効果トランジスタの等価回路図。
【図4】従来のカスコード接続トランジスタを用いた分
布増幅器の回路構成図。
【図5】カスコード接続トランジスタの等価回路図。
【図6】カスコード接続トランジスタを用いた分布増幅
器の出力側フィルタ回路の等価回路図。
【図7】出力インピーダンスの実部の高周波特性比較
図。
【図8】本発明の他の実施例の回路構成図。
【図9】本発明の別の実施例の回路構成図。
【図10】本発明の実施例と従来例との透過特性比較例
図。
【符号の説明】
1、2、10、15、16、17…インダクタもしくは
伝送線路 3…ソース接地トランジスタ 4、5…終端回路 6…電源(電気的接地) 7…電気的接地 8…ゲート接地トランジスタ 9…カスコード
接続トランジスタ 11…抵抗 12…容量(高
周波的短絡) 13、14…抵抗もしくはダイオード 20…カスコード接続トランジスタの出力インピーダン
スの実部 30…カスコード接続トランジスタの出力インピーダン
スの虚部

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】カスコード接続トランジスタを複数個用い
    た分布増幅器において、カスコード接続トランジスタを
    構成するゲート接地トランジスタのゲート端子と電源も
    しくは電気的接地との間を各々別個に接続する複数の
    ンダクタンスもしくは伝送線路を有することを特徴とす
    る分布増幅器。
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