JP2897406B2 - 半導体素子の剥離方法 - Google Patents
半導体素子の剥離方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体素子の剥離方法に関する。
〔従来の技術〕 従来、半導体装置の再生方法は、第２図に示されるよ
うな方法で行なわれていた。第２図において１は基板、
２は半導体素子であり、10は刃状治具である。さらに具
体的に記述するため、第２図のＡ−Ａ′断面を第３図に
示す。第３図において、２の半導体素子上に形成された
電極６上に形成された金属突起４は、それに相対するよ
うに１の基板上に形成された配線パターンと、５の絶縁
樹脂によって電気的な接続が得られている。この接続工
程がうまくいかなかった場合、10に示されるような刃状
治具を２の半導体素子と、１の基板との間にむりやり、
さし込むことで、基板１と、半導体素子２とを引きはが
し、もう一度、基板１と半導体素子２の接続を行ってい
た。４の金属突起をハンダ、５の配線パターンをニッケ
ルで形成し、共晶で各々の接続を行っている場合も同様
の方法で再生が行われていた。
うな方法で行なわれていた。第２図において１は基板、
２は半導体素子であり、10は刃状治具である。さらに具
体的に記述するため、第２図のＡ−Ａ′断面を第３図に
示す。第３図において、２の半導体素子上に形成された
電極６上に形成された金属突起４は、それに相対するよ
うに１の基板上に形成された配線パターンと、５の絶縁
樹脂によって電気的な接続が得られている。この接続工
程がうまくいかなかった場合、10に示されるような刃状
治具を２の半導体素子と、１の基板との間にむりやり、
さし込むことで、基板１と、半導体素子２とを引きはが
し、もう一度、基板１と半導体素子２の接続を行ってい
た。４の金属突起をハンダ、５の配線パターンをニッケ
ルで形成し、共晶で各々の接続を行っている場合も同様
の方法で再生が行われていた。
しかし、従来の技術では、むりやり刃状治具を半導体
素子と基板の間にさし込むため、半導体素子や基板の破
壊が起こり、装置の再生という本来の目的を達成するこ
とは困難であるという問題点を有していた。
素子と基板の間にさし込むため、半導体素子や基板の破
壊が起こり、装置の再生という本来の目的を達成するこ
とは困難であるという問題点を有していた。
そこで、本発明の半導体装置の再生方法では、半導体
素子も、基板も破壊が起こらず、完全に再生が行える方
法を提供することを目的とする。
素子も、基板も破壊が起こらず、完全に再生が行える方
法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明の半導体素子の剥離
方法は、接着剤によって、基板上に接着して載置されて
いる半導体素子を前記基板から剥離する方法であって、
前記接着剤を加熱しながら、前記半導体素子が接着され
た前記基板の面と平行な方向の力を、前記半導体素子と
前記基板との間に加えることによって、前記基板から前
記半導体素子を剥離し、しかる後に前記基板上に残った
前記接着剤を溶剤等を用いて剥離することを特徴とす
る。
方法は、接着剤によって、基板上に接着して載置されて
いる半導体素子を前記基板から剥離する方法であって、
前記接着剤を加熱しながら、前記半導体素子が接着され
た前記基板の面と平行な方向の力を、前記半導体素子と
前記基板との間に加えることによって、前記基板から前
記半導体素子を剥離し、しかる後に前記基板上に残った
前記接着剤を溶剤等を用いて剥離することを特徴とす
る。
前記半導体素子が接着された前記基板の面と平行な直
線方向の力を加えることによって、前記基板から前記半
導体素子を剥離し、しかる後に前記基板上に残った前記
接着剤を溶剤等を用いて剥離することを特徴とする。
線方向の力を加えることによって、前記基板から前記半
導体素子を剥離し、しかる後に前記基板上に残った前記
接着剤を溶剤等を用いて剥離することを特徴とする。
接着剤によって、基板上に接着して載置されている半
導体素子を前記基板から剥離する方法であって、前記接
着剤を前記半導体素子側及び前記基板側の両方から加熱
しながら、前記半導体素子が接着された前記基板の面が
前記半導体素子を回転させる平面と平行となるような回
転方向の力を、前記半導体素子と前記基板との間に加え
ることによって、前記基板から前記半導体素子を剥離す
ることを特徴とする。
導体素子を前記基板から剥離する方法であって、前記接
着剤を前記半導体素子側及び前記基板側の両方から加熱
しながら、前記半導体素子が接着された前記基板の面が
前記半導体素子を回転させる平面と平行となるような回
転方向の力を、前記半導体素子と前記基板との間に加え
ることによって、前記基板から前記半導体素子を剥離す
ることを特徴とする。
本発明では、半導体素子載置部を加熱するので、半導
体素子と基板との挟持部材、例えば、接着剤、ハンダ等
が常温よりもやわらかくなる。接着剤であれば、接着力
が低下し、ハンダであれば、剪断強度が低下する。さら
に本発明によると、半導体素子の側面から半導体素子
と、基板との間に剪断力を加えるので、半導体素子や基
板にダメージを全く与えず、両者を分離することができ
るのである。
体素子と基板との挟持部材、例えば、接着剤、ハンダ等
が常温よりもやわらかくなる。接着剤であれば、接着力
が低下し、ハンダであれば、剪断強度が低下する。さら
に本発明によると、半導体素子の側面から半導体素子
と、基板との間に剪断力を加えるので、半導体素子や基
板にダメージを全く与えず、両者を分離することができ
るのである。
以下に、本発明の実施例を、図を用いて詳細に説明す
る。第１図は、本発明による半導体装置の再生方法を示
した斜視図である。１は基板であり、少くとも表面が絶
縁物で形成されており、ガラス、セラミクス、ホウロ
ウ、ガラスエポキシ等であることが多い。その上に、３
の配線パターンが形成されている。配線パターンは、
金、銀、クロム、ニッケル等の金属か、ITO等の金属酸
化物を、蒸着、スパッタ、メッキ等で形成し、フォト工
程で目的のパターンにパターニングされていることが多
い。２は半導体素子であり、能動面は基板側と対向して
載置されている。半導体素子２と基板１は絶縁樹脂で形
成される接着剤、ハンダ等で保持されている。ここで、
半導体素子２と配線パターン３との接続に失敗した場合
について考える。失敗する例としては、接続時に、配線
パターンと半導体素子の位置にずれが生じた場合や、半
導体素子、配線パターン、基板に不良が存在した場合、
あるいは接続に用する時間が短かすぎる等の理由で接続
が不完全である場合等が考えられる。その場合、半導体
素子２を基板１から一旦取り去り、もう一度半導体素子
２を基板１に接続し直す必要が生ずるがこれは一般的に
再生と言われている。この半導体素子２を基板１から取
る時に、第２図に示すように、11の剪断力発生治具を、
半導体素子２の側面に当て、12の熱風供給口から熱風を
供給しながら、矢印の方向に剪断力を発生させ、半導体
素子２を基板１から取り去る。この時の様子をより詳し
く、第４図を用いて説明する。第４図は、第１図のＢ−
Ｂ′断面であり、本発明による半導体装置の再生方法を
示す断面図である。１の基板上に形成されている配線パ
ターン３は、半導体素子２の能動素子形成面にCr、Ti−
Pd等で形成されている電極６上に形成されている金属突
起４を用いて、半導体素子２との電気的導通がはかられ
ている。金属突起４はハンダ等で形成され、配線パター
ン３と共晶で機械的、電気的な保持が行われる場合と、
金、パラジウム、ニッケル等で形成され、５の絶縁樹脂
で接着されることで、機械的、電気的な保持が行われて
いる場合が多い。５の絶縁樹脂は、光硬化、熱硬化樹脂
であることが多く、必要に応じて導電性を有する粒子が
金属突起４と配線パターン３の間に存在していることも
ある。また、金属突起は半導体素子側でなく配線パター
ン側に形成されていることもあるし、金属突起のかわり
に、導電性を有する粒子が、半導体素子上の電極と配線
パターンとの間の電気的導通を保持する場合もある。い
ずれの方法で、半導体素子と基板の接続を行ってもかま
わないが、半導体素子を絶縁樹脂で基板に接着してある
場合、これを、剥離する場合の手順を述べる。まず、12
の熱風供給口から熱風を半導体素子２及び基板１に供給
する。すると、５の絶縁樹脂が加熱され、やわらかくな
る。一般に樹脂は加熱されると、やわらかくなり、接着
剤の場合は接着力が低下する。この状態で、11の剪断力
発生用治具を、半導体素子２の側面に押し当て、図中矢
印の方向に力を加えると、半導体素子２は基板１から取
りはずせる。次に、基板１上に残った絶縁樹脂５を溶剤
等を用いて剥離し、再度、絶縁樹脂５を基板１上に載置
し、剥離した半導体素子２を位置合わせし、絶縁樹脂５
を硬化させれば再生作業は終了する。基板か、半導体素
子に不良が存在するならば、それを取り変えた後、再生
作業を行えば良い。加熱の方向は、基板側から行っても
よく、やわらかくしなければならない部分を加熱できれ
ば良い。また、熱風を用いた加熱でなく、他のエネルギ
ー源、例えば赤外線を用いても良く、ホットプレート上
に載せて、再生作業を行ってもかまわない。金属突起
に、ハンダ等を用いている場合、導電粒子で半導体素子
上の電極と配線パターンとの接続を取っている場合も全
く同様であって、接続に寄与している部分を加熱し、取
りやすくして剪断力を与えて半導体素子を基板から取り
はずしても良い。又、加熱方法として、剪断力発生用治
具中にヒーターを組み込み、これを熱源としても良い。
る。第１図は、本発明による半導体装置の再生方法を示
した斜視図である。１は基板であり、少くとも表面が絶
縁物で形成されており、ガラス、セラミクス、ホウロ
ウ、ガラスエポキシ等であることが多い。その上に、３
の配線パターンが形成されている。配線パターンは、
金、銀、クロム、ニッケル等の金属か、ITO等の金属酸
化物を、蒸着、スパッタ、メッキ等で形成し、フォト工
程で目的のパターンにパターニングされていることが多
い。２は半導体素子であり、能動面は基板側と対向して
載置されている。半導体素子２と基板１は絶縁樹脂で形
成される接着剤、ハンダ等で保持されている。ここで、
半導体素子２と配線パターン３との接続に失敗した場合
について考える。失敗する例としては、接続時に、配線
パターンと半導体素子の位置にずれが生じた場合や、半
導体素子、配線パターン、基板に不良が存在した場合、
あるいは接続に用する時間が短かすぎる等の理由で接続
が不完全である場合等が考えられる。その場合、半導体
素子２を基板１から一旦取り去り、もう一度半導体素子
２を基板１に接続し直す必要が生ずるがこれは一般的に
再生と言われている。この半導体素子２を基板１から取
る時に、第２図に示すように、11の剪断力発生治具を、
半導体素子２の側面に当て、12の熱風供給口から熱風を
供給しながら、矢印の方向に剪断力を発生させ、半導体
素子２を基板１から取り去る。この時の様子をより詳し
く、第４図を用いて説明する。第４図は、第１図のＢ−
Ｂ′断面であり、本発明による半導体装置の再生方法を
示す断面図である。１の基板上に形成されている配線パ
ターン３は、半導体素子２の能動素子形成面にCr、Ti−
Pd等で形成されている電極６上に形成されている金属突
起４を用いて、半導体素子２との電気的導通がはかられ
ている。金属突起４はハンダ等で形成され、配線パター
ン３と共晶で機械的、電気的な保持が行われる場合と、
金、パラジウム、ニッケル等で形成され、５の絶縁樹脂
で接着されることで、機械的、電気的な保持が行われて
いる場合が多い。５の絶縁樹脂は、光硬化、熱硬化樹脂
であることが多く、必要に応じて導電性を有する粒子が
金属突起４と配線パターン３の間に存在していることも
ある。また、金属突起は半導体素子側でなく配線パター
ン側に形成されていることもあるし、金属突起のかわり
に、導電性を有する粒子が、半導体素子上の電極と配線
パターンとの間の電気的導通を保持する場合もある。い
ずれの方法で、半導体素子と基板の接続を行ってもかま
わないが、半導体素子を絶縁樹脂で基板に接着してある
場合、これを、剥離する場合の手順を述べる。まず、12
の熱風供給口から熱風を半導体素子２及び基板１に供給
する。すると、５の絶縁樹脂が加熱され、やわらかくな
る。一般に樹脂は加熱されると、やわらかくなり、接着
剤の場合は接着力が低下する。この状態で、11の剪断力
発生用治具を、半導体素子２の側面に押し当て、図中矢
印の方向に力を加えると、半導体素子２は基板１から取
りはずせる。次に、基板１上に残った絶縁樹脂５を溶剤
等を用いて剥離し、再度、絶縁樹脂５を基板１上に載置
し、剥離した半導体素子２を位置合わせし、絶縁樹脂５
を硬化させれば再生作業は終了する。基板か、半導体素
子に不良が存在するならば、それを取り変えた後、再生
作業を行えば良い。加熱の方向は、基板側から行っても
よく、やわらかくしなければならない部分を加熱できれ
ば良い。また、熱風を用いた加熱でなく、他のエネルギ
ー源、例えば赤外線を用いても良く、ホットプレート上
に載せて、再生作業を行ってもかまわない。金属突起
に、ハンダ等を用いている場合、導電粒子で半導体素子
上の電極と配線パターンとの接続を取っている場合も全
く同様であって、接続に寄与している部分を加熱し、取
りやすくして剪断力を与えて半導体素子を基板から取り
はずしても良い。又、加熱方法として、剪断力発生用治
具中にヒーターを組み込み、これを熱源としても良い。
第５図に、他の実施例を示す。第５図は、本発明によ
る他の半導体装置の再生方法を示す断面図である。13
は、回転剪断力を半導体素子２と基板１に与えるための
回路剪断力発生用治具であり、15は基板１を固定する固
定板であり、16の位置決めピンで基板が固定板に固定さ
れている。半導体装置は、第４図で示した構造と同一で
ある。13の回転剪断力発生用治具は半導体素子２の側面
をはさみ込むようにさらに加工が施されており、これを
回転させることで、半導体素子２と基板１の間に回転剪
断力を発生させ、半導体素子を基板から取りはずすので
ある。この時、回転剪断力発生治具に組み込まれたロッ
ドヒーター14及び固定板15中に組み込まれたロッドヒー
ター14によって絶縁樹脂５は加熱され、やわらかくなっ
ている。ロッドヒーター14は、その必要に応じてどちら
か一方でも良く、前述の他の加熱手段で加熱または併用
して加熱しても良い。回転剪断力発生用治具と半導体素
子の間には、半導体素子のチッピングを防止するため
に、シート状のものが挟まれることもある。また、回転
剪断力を発生させるために、半導体素子の側面をチャッ
キングする治具を用いる場合もある。
る他の半導体装置の再生方法を示す断面図である。13
は、回転剪断力を半導体素子２と基板１に与えるための
回路剪断力発生用治具であり、15は基板１を固定する固
定板であり、16の位置決めピンで基板が固定板に固定さ
れている。半導体装置は、第４図で示した構造と同一で
ある。13の回転剪断力発生用治具は半導体素子２の側面
をはさみ込むようにさらに加工が施されており、これを
回転させることで、半導体素子２と基板１の間に回転剪
断力を発生させ、半導体素子を基板から取りはずすので
ある。この時、回転剪断力発生治具に組み込まれたロッ
ドヒーター14及び固定板15中に組み込まれたロッドヒー
ター14によって絶縁樹脂５は加熱され、やわらかくなっ
ている。ロッドヒーター14は、その必要に応じてどちら
か一方でも良く、前述の他の加熱手段で加熱または併用
して加熱しても良い。回転剪断力発生用治具と半導体素
子の間には、半導体素子のチッピングを防止するため
に、シート状のものが挟まれることもある。また、回転
剪断力を発生させるために、半導体素子の側面をチャッ
キングする治具を用いる場合もある。
また、半導体素子２に直接当る治具の部分は、テフロ
ン等の樹脂を載置またはコーティングし、半導体素子の
チッピングを防止する構造の治具を用いる方法としても
良い。
ン等の樹脂を載置またはコーティングし、半導体素子の
チッピングを防止する構造の治具を用いる方法としても
良い。
以上、説明したように、本発明の半導体素子の再生方
法では、加熱しながら半導体素子の側面に、半導体素子
と基板との間に直線方向又は回転方向の剪断力を発生さ
せる方法としたので、半導体素子や基板に対して限界応
力以上の応力が発生せずに、半導体素子を基板から剥離
することができ、半導体素子や基板を破壊しないので、
不要なコストは発生せずに、半導体装置を再生すること
が可能になるという大きな効果を有する。又、破壊した
半導体素子や基板が相手側に残ることもなくなったの
で、良品の半導体素子や基板を捨てなくとも良くなり、
より安価に半導体装置を生産できるという効果も有す
る。
法では、加熱しながら半導体素子の側面に、半導体素子
と基板との間に直線方向又は回転方向の剪断力を発生さ
せる方法としたので、半導体素子や基板に対して限界応
力以上の応力が発生せずに、半導体素子を基板から剥離
することができ、半導体素子や基板を破壊しないので、
不要なコストは発生せずに、半導体装置を再生すること
が可能になるという大きな効果を有する。又、破壊した
半導体素子や基板が相手側に残ることもなくなったの
で、良品の半導体素子や基板を捨てなくとも良くなり、
より安価に半導体装置を生産できるという効果も有す
る。
また、剪断力発生治具又は、固定板に加熱手段を入れ
ることによって、発熱手段を準備、固定する手間が不必
要となり、煩雑さがなくなるという効果も有する。
ることによって、発熱手段を準備、固定する手間が不必
要となり、煩雑さがなくなるという効果も有する。
第１図は、本発明による半導体装置の再生方法を示す斜
視図であり、第２図は従来の半導体装置の再生方法を示
す斜視図、第３図は従来の半導体装置の再生方法を示す
断面図である。第４図は、本発明による半導体装置の再
生方法を示す断面図であり、第５図は本発明による他の
半導体装置の再生方法を示す断面図である。 １……基板 ２……半導体素子 ３……配線パターン ４……金属突起 ５……絶縁樹脂 ６……電極 10……刃状治具 11……剪断力発生用治具 12……熱風供給口 13……回転剪断力発生用治具 14……ロッドヒーター 15……固定板 16……位置決めピン
視図であり、第２図は従来の半導体装置の再生方法を示
す斜視図、第３図は従来の半導体装置の再生方法を示す
断面図である。第４図は、本発明による半導体装置の再
生方法を示す断面図であり、第５図は本発明による他の
半導体装置の再生方法を示す断面図である。 １……基板 ２……半導体素子 ３……配線パターン ４……金属突起 ５……絶縁樹脂 ６……電極 10……刃状治具 11……剪断力発生用治具 12……熱風供給口 13……回転剪断力発生用治具 14……ロッドヒーター 15……固定板 16……位置決めピン
Claims (3)
- 【請求項１】接着剤によって、基板上に接着して載置さ
れている半導体素子を前記基板から剥離する方法であっ
て、 前記接着剤を加熱しながら、前記半導体素子が接着され
た前記基板の面と平行な方向の力を、前記半導体素子と
前記基板との間に加えることによって、 前記基板から前記半導体素子を剥離し、しかる後に前記
基板上に残った前記接着剤を溶剤等を用いて剥離するこ
とを特徴とする半導体素子の剥離方法。 - 【請求項２】請求項１に記載の半導体素子の剥離方法で
あって、 前記半導体素子が接着された前記基板の面と平行な直線
方向の力を加えることによって、前記基板から前記半導
体素子を剥離し、しかる後に前記基板上に残った前記接
着剤を溶剤等を用いて剥離することを特徴とする半導体
素子の剥離方法。 - 【請求項３】接着剤によって、基板上に接着して載置さ
れている半導体素子を前記基板から剥離する方法であっ
て、 前記接着剤を前記半導体素子側及び前記基板側の両方か
ら加熱しながら、前記半導体素子が接着された前記基板
の面が前記半導体素子を回転させる平面と平行となるよ
うな回転方向の力を、前記半導体素子と前記基板との間
に加えることによって、前記基板から前記半導体素子を
剥離することを特徴とする半導体素子の剥離方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30088890A JP2897406B2 (ja) | 1990-11-06 | 1990-11-06 | 半導体素子の剥離方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30088890A JP2897406B2 (ja) | 1990-11-06 | 1990-11-06 | 半導体素子の剥離方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04171954A JPH04171954A (ja) | 1992-06-19 |
| JP2897406B2 true JP2897406B2 (ja) | 1999-05-31 |
Family
ID=17890332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30088890A Expired - Lifetime JP2897406B2 (ja) | 1990-11-06 | 1990-11-06 | 半導体素子の剥離方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2897406B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH10233576A (ja) * | 1997-02-19 | 1998-09-02 | Alps Electric Co Ltd | 電気部品の剥離装置、及びその電気部品の剥離方法 |
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-
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- 1990-11-06 JP JP30088890A patent/JP2897406B2/ja not_active Expired - Lifetime
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|---|---|
| JPH04171954A (ja) | 1992-06-19 |
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