JP2895988B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP2895988B2 JP2895988B2 JP16052691A JP16052691A JP2895988B2 JP 2895988 B2 JP2895988 B2 JP 2895988B2 JP 16052691 A JP16052691 A JP 16052691A JP 16052691 A JP16052691 A JP 16052691A JP 2895988 B2 JP2895988 B2 JP 2895988B2
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- Japan
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- cavity
- center
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ガードリングと共に樹
脂封止を行う半導体装置の製造方法に関する。
脂封止を行う半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】近年、半導体装置の高集積化、多ピン化が
進み、パッケージにおいても多様かしてきており、ガー
ドリングを有する半導体装置がある。このような半導体
装置を樹脂封止する場合、樹脂注入の経路が長いことか
ら、封止不良を防ぐ必要がある。
進み、パッケージにおいても多様かしてきており、ガー
ドリングを有する半導体装置がある。このような半導体
装置を樹脂封止する場合、樹脂注入の経路が長いことか
ら、封止不良を防ぐ必要がある。
【０００３】
【従来の技術】図６に、ガードリングを有する半導体装
置の斜視図を示す。図６において、半導体装置１におけ
るセンターパッケージ２をガードリング３により取り囲
む形状に形成される。そして、センターパッケージ２よ
り延出するリード２ａが、センターパッケージ２とガー
ドリング３により形成される開口部４の底部の配線基板
５上に取り付けられ、その信号ラインの端子６が該ガー
ドリング３の側面に表出する。
置の斜視図を示す。図６において、半導体装置１におけ
るセンターパッケージ２をガードリング３により取り囲
む形状に形成される。そして、センターパッケージ２よ
り延出するリード２ａが、センターパッケージ２とガー
ドリング３により形成される開口部４の底部の配線基板
５上に取り付けられ、その信号ラインの端子６が該ガー
ドリング３の側面に表出する。
【０００４】このような半導体装置１におけるガードリ
ング３は、該半導体装置１の温度特性等の試験のために
形成されるもので、試験終了後は分離される。
ング３は、該半導体装置１の温度特性等の試験のために
形成されるもので、試験終了後は分離される。
【０００５】ところで、パッケージを樹脂封止する場
合、センターパッケージとガードリングを別工程で行う
と、熱収縮の関係から、リード２ａが変形する虞れがあ
り、同時に封止する必要がある。
合、センターパッケージとガードリングを別工程で行う
と、熱収縮の関係から、リード２ａが変形する虞れがあ
り、同時に封止する必要がある。
【０００６】ここで、図７に、従来の樹脂封止を行う金
型の概念図を示す。図７（Ａ）は上金型を示しており、
図７（Ｂ）は下金型を示している。図７（Ａ）の上金型
１０には、中央部分にポット（スプルー）１１が設けら
れており、センターキャビティ１３ａ1 の周囲にリング
部キャビティ１２ｂ1 が形成されたキャビティ１２1 が
所定数配列される。また、図７（Ｂ）の下金型１３に
は、上金型１０のキャビティ１２1 に対応したキャビテ
ィ１２2 （センターキャビティ１２ａ2 、リング部キャ
ビティ１２ｂ2 ）が形成され、カル部１４から４本のラ
ンナ１５が形成されてそれぞれのキャビティ１２2 に連
通する。なお、キャビティ１２2 のセンターキャビティ
１２ａ2 とリング部キャビティ１２ｂ2 間には、連通す
るランナ１６が形成される。
型の概念図を示す。図７（Ａ）は上金型を示しており、
図７（Ｂ）は下金型を示している。図７（Ａ）の上金型
１０には、中央部分にポット（スプルー）１１が設けら
れており、センターキャビティ１３ａ1 の周囲にリング
部キャビティ１２ｂ1 が形成されたキャビティ１２1 が
所定数配列される。また、図７（Ｂ）の下金型１３に
は、上金型１０のキャビティ１２1 に対応したキャビテ
ィ１２2 （センターキャビティ１２ａ2 、リング部キャ
ビティ１２ｂ2 ）が形成され、カル部１４から４本のラ
ンナ１５が形成されてそれぞれのキャビティ１２2 に連
通する。なお、キャビティ１２2 のセンターキャビティ
１２ａ2 とリング部キャビティ１２ｂ2 間には、連通す
るランナ１６が形成される。
【０００７】このような金型１０，１３で樹脂封止を行
う場合、ポット１１内にタブレット状の樹脂を挿入し、
溶解させた後にカル部１４からプランジャ（図示せず）
の押圧でランナ１５，１６を介してキャビティ１２1 ，
１２2 に注入するものである。この場合、まず外側のガ
ードリング３に樹脂が注入された後に、センターパッケ
ージ２へ樹脂が注入されるという経路をとる。
う場合、ポット１１内にタブレット状の樹脂を挿入し、
溶解させた後にカル部１４からプランジャ（図示せず）
の押圧でランナ１５，１６を介してキャビティ１２1 ，
１２2 に注入するものである。この場合、まず外側のガ
ードリング３に樹脂が注入された後に、センターパッケ
ージ２へ樹脂が注入されるという経路をとる。
【０００８】また、図８に、従来のマルチポット方式の
金型を説明するための図を示す。図８（Ａ）は斜視図で
あり、図８（Ｂ）は断面図である。図８（Ａ）は、下金
型２０にはセンターキャビティ２１ａ1 及びその周囲に
リング部キャビティ２１ｂ1 で形成されたキャビティ２
１1 が複数個形成され、それぞれのリング部キャビティ
２１ｂ1 にゲート２２を介してカル部２３が形成され
る。
金型を説明するための図を示す。図８（Ａ）は斜視図で
あり、図８（Ｂ）は断面図である。図８（Ａ）は、下金
型２０にはセンターキャビティ２１ａ1 及びその周囲に
リング部キャビティ２１ｂ1 で形成されたキャビティ２
１1 が複数個形成され、それぞれのリング部キャビティ
２１ｂ1 にゲート２２を介してカル部２３が形成され
る。
【０００９】一方、上金型２４は、下金型２０のキャビ
ティ２１1 に対応したキャビティ２１2 （センタキャビ
ティ２１ａ2 、リング部キャビティ２１ｂ2 ）がそれぞ
れ形成される。また、各カル部２３の上方にポット２５
が形成され、該各ポット２５内をプランジャ２６が摺動
する。
ティ２１1 に対応したキャビティ２１2 （センタキャビ
ティ２１ａ2 、リング部キャビティ２１ｂ2 ）がそれぞ
れ形成される。また、各カル部２３の上方にポット２５
が形成され、該各ポット２５内をプランジャ２６が摺動
する。
【００１０】このようなマルチポット方式の金型２０，
２５は、まずポット２５内にタブレット状の樹脂を挿入
し、溶解させた後にプランジャ２６の押圧力により、カ
ル部２３からゲート２２を介してリング部キャビティ２
１ｂ1 ，２１ｂ2 に注入する。そして、リング部キャビ
ティ２１ｂ1 ，２１ｂ2 が充満した後にセンターキャビ
ティ２１ａ1 ，２１ａ2 に注入されて樹脂封止が行われ
るものである。この場合、マルチポット方式は、樹脂の
粘度が高く、短時間で樹脂封止を行うものに適用され
る。
２５は、まずポット２５内にタブレット状の樹脂を挿入
し、溶解させた後にプランジャ２６の押圧力により、カ
ル部２３からゲート２２を介してリング部キャビティ２
１ｂ1 ，２１ｂ2 に注入する。そして、リング部キャビ
ティ２１ｂ1 ，２１ｂ2 が充満した後にセンターキャビ
ティ２１ａ1 ，２１ａ2 に注入されて樹脂封止が行われ
るものである。この場合、マルチポット方式は、樹脂の
粘度が高く、短時間で樹脂封止を行うものに適用され
る。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図７及び図８
に示す樹脂封止は、溶解した樹脂がリング部キャビティ
２１ｂ1 ，１２ｂ2 ，２１ｂ1 ，２１ｂ2 を充填させた
後にセンターキャビティ１２ａ1 ，１２ａ2 ，２１
ａ1 ，２１ａ2 に注入されることから、樹脂の時間等を
厳格に管理して封止しなければならない。すなわち、セ
ンターキャビティ１２ａ1 ，１２ａ2 ，２１ａ1 ，２１
ａ2 に樹脂が注入されるころには、該樹脂が硬化してし
まい、センターパッケージ２（図６）にボイド（気泡）
や未充填等を生じさせるという問題がある。
に示す樹脂封止は、溶解した樹脂がリング部キャビティ
２１ｂ1 ，１２ｂ2 ，２１ｂ1 ，２１ｂ2 を充填させた
後にセンターキャビティ１２ａ1 ，１２ａ2 ，２１
ａ1 ，２１ａ2 に注入されることから、樹脂の時間等を
厳格に管理して封止しなければならない。すなわち、セ
ンターキャビティ１２ａ1 ，１２ａ2 ，２１ａ1 ，２１
ａ2 に樹脂が注入されるころには、該樹脂が硬化してし
まい、センターパッケージ２（図６）にボイド（気泡）
や未充填等を生じさせるという問題がある。
【００１２】そこで、本発明は上記課題に鑑みなされた
もので、センターパッケージに生じるボイドや未充填等
を防止する半導体装置を提供することを目的とする。
もので、センターパッケージに生じるボイドや未充填等
を防止する半導体装置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】図１に、本発明の原理説
明図を示す。図１において、本発明は、金型の上金型及
び下金型で形成れるセンターキャビティ及びリング部キ
ャビティの、該センターキャビティにデバイスを位置さ
せて樹脂を注入し、ガードリングを形成させて樹脂モー
ルドを行うものであって、第１の工程では、前記上金型
または下金型の何れかに形成された前記センターキャビ
ティに連通するポット部に、固形状の樹脂を挿入して溶
解させる。第２の工程では、該溶解した樹脂を押圧して
該センターキャビティに充填する。そして、第３の工程
では、該センターキャビティの充填後に、前記リング部
キャビティに該溶解した樹脂を充填するものである。
明図を示す。図１において、本発明は、金型の上金型及
び下金型で形成れるセンターキャビティ及びリング部キ
ャビティの、該センターキャビティにデバイスを位置さ
せて樹脂を注入し、ガードリングを形成させて樹脂モー
ルドを行うものであって、第１の工程では、前記上金型
または下金型の何れかに形成された前記センターキャビ
ティに連通するポット部に、固形状の樹脂を挿入して溶
解させる。第２の工程では、該溶解した樹脂を押圧して
該センターキャビティに充填する。そして、第３の工程
では、該センターキャビティの充填後に、前記リング部
キャビティに該溶解した樹脂を充填するものである。
【００１４】
【作用】図１に示すように、本発明では、上金型または
下金型の何れかに、センターキャビティに連通するポッ
ト部を形成させている。このポット部に樹脂を挿入して
溶解させ、センターキャビティに充填したセンターパッ
ケージを形成し、その後にリング部キャビティに充填し
てガードリングを形成させる。
下金型の何れかに、センターキャビティに連通するポッ
ト部を形成させている。このポット部に樹脂を挿入して
溶解させ、センターキャビティに充填したセンターパッ
ケージを形成し、その後にリング部キャビティに充填し
てガードリングを形成させる。
【００１５】すなわち、センターキャビティに樹脂を充
填させて先にデバイスの樹脂モールドすることから、セ
ンターパッケージのモールド樹脂にボイドや未充填を生
じることを防止することが可能となる。そして、信頼性
を余り必要としないガードリング部にボイドや未充填等
の発生を追い出すものである。これにより、ガードリン
グを有する半導体装置の信頼性を向上させることが可能
となる。
填させて先にデバイスの樹脂モールドすることから、セ
ンターパッケージのモールド樹脂にボイドや未充填を生
じることを防止することが可能となる。そして、信頼性
を余り必要としないガードリング部にボイドや未充填等
の発生を追い出すものである。これにより、ガードリン
グを有する半導体装置の信頼性を向上させることが可能
となる。
【００１６】
【実施例】図２に、本発明の第１の実施例の構成断面図
を示す。図２（Ａ）において、上金型３０ａ及び下金型
３０ｂにより構成される金型３０の、該上金型３０ａと
下金型３０ｂでセンターキャビティ３１及びその周囲に
ゲート３２ａを介してリング部キャビティ３２が形成さ
れる。また、下金型３０ｂのセンターキャビティ３１の
下部に連通するポット部３３が形成され、該ポット部３
３内をプランジャ３４が摺動する。なお、金型３０は、
図示しないが加熱手段により所定温度に加熱される。
を示す。図２（Ａ）において、上金型３０ａ及び下金型
３０ｂにより構成される金型３０の、該上金型３０ａと
下金型３０ｂでセンターキャビティ３１及びその周囲に
ゲート３２ａを介してリング部キャビティ３２が形成さ
れる。また、下金型３０ｂのセンターキャビティ３１の
下部に連通するポット部３３が形成され、該ポット部３
３内をプランジャ３４が摺動する。なお、金型３０は、
図示しないが加熱手段により所定温度に加熱される。
【００１７】一方、図２（Ｂ）は、上金型３０ａのセン
ターキャビティ３１上に連通するポット部３３を設けた
もので、ポット部３３内をプランジャ３４が摺動する。
ターキャビティ３１上に連通するポット部３３を設けた
もので、ポット部３３内をプランジャ３４が摺動する。
【００１８】いま、図２（Ａ），（Ｂ）において、リー
ドフレーム３５ａにチップ３５ｂが搭載されてワイヤボ
ンディングされたデバイス３５が下金型３０ｂのセンタ
ーキャビティ３１内に位置するように載置される。この
場合、リードフレーム３５ａのチップ３５ｂを搭載する
ダイパッドの底面がポット部３３に向くように配置され
（反対向きでも良い）、リードフレーム３５ａの延出す
るリードがリング部キャビティ３２を通って載置され
る。この状態で、ポット部３３内に封止用の固形状（タ
ブレット状）の樹脂が挿入され、金型３０の熱により溶
解される。
ドフレーム３５ａにチップ３５ｂが搭載されてワイヤボ
ンディングされたデバイス３５が下金型３０ｂのセンタ
ーキャビティ３１内に位置するように載置される。この
場合、リードフレーム３５ａのチップ３５ｂを搭載する
ダイパッドの底面がポット部３３に向くように配置され
（反対向きでも良い）、リードフレーム３５ａの延出す
るリードがリング部キャビティ３２を通って載置され
る。この状態で、ポット部３３内に封止用の固形状（タ
ブレット状）の樹脂が挿入され、金型３０の熱により溶
解される。
【００１９】溶解した樹脂をプランジャ３４により押圧
して、先にセンターキャビティ３１内に充填し、センタ
ーパッケージ２（図６）を形成する。センターキャビテ
ィ３１の充填が終了すると、ゲート３２ａを介して樹脂
はリング部キャビティ３２に注入されてガードリング３
（図６）を形成するものである。
して、先にセンターキャビティ３１内に充填し、センタ
ーパッケージ２（図６）を形成する。センターキャビテ
ィ３１の充填が終了すると、ゲート３２ａを介して樹脂
はリング部キャビティ３２に注入されてガードリング３
（図６）を形成するものである。
【００２０】このように、溶解した樹脂３６はセンター
キャビティ３１から注入されることから、形成されるセ
ンターパッケージ２にはボイドや未充填上端の発生を防
止することができる。この場合、リング部キャビティ３
２に廻り込む樹脂は、ある程度の時間が経過しているこ
とから硬化が起こり始めてガードリング３にボイドや未
充填状態を生じる場合がある。ガードリング３は前述の
ように半導体装置の試験用のためだけのものであって後
に分離するものであることから、ボイドや未充填を生じ
ていても該半導体装置の性能に影響を及ぼすものではな
い。従って、ガードリングを有する半導体装置の不良を
減少させ、信頼性を向上させることができる。
キャビティ３１から注入されることから、形成されるセ
ンターパッケージ２にはボイドや未充填上端の発生を防
止することができる。この場合、リング部キャビティ３
２に廻り込む樹脂は、ある程度の時間が経過しているこ
とから硬化が起こり始めてガードリング３にボイドや未
充填状態を生じる場合がある。ガードリング３は前述の
ように半導体装置の試験用のためだけのものであって後
に分離するものであることから、ボイドや未充填を生じ
ていても該半導体装置の性能に影響を及ぼすものではな
い。従って、ガードリングを有する半導体装置の不良を
減少させ、信頼性を向上させることができる。
【００２１】なお、図２に示す金型３０は、一つのセン
ターキャビティ３１に対する一つのポット部３３を形成
させたもので前述のマルチポット方式を採用したもので
ある。
ターキャビティ３１に対する一つのポット部３３を形成
させたもので前述のマルチポット方式を採用したもので
ある。
【００２２】次に、図３に、本発明の第２の実施例の構
成図を示す。図３（Ａ）は下金型の一部斜視図であり、
図３（Ｂ）は金型の断面図である。図３（Ａ），（Ｂ）
は、センターキャビティ３１にそれぞれポット部を形成
するマルチポット方式で樹脂モールドを行い、それぞれ
のリング部キャビティ３２には単一のポット部（図示せ
ず）によりランナ３７及びゲート３８を介して樹脂モー
ルドを行うものである。この場合、リング部キャビティ
３２に注入する樹脂を信頼性より成形性を重視した低粘
度の樹脂を用いてもよい。また、ポット部３３は上金型
３０ａに形成してもよい。また、該単一のポット部は上
金型３０ａ及び下金型３０ｂの何れに形成してもよい。
成図を示す。図３（Ａ）は下金型の一部斜視図であり、
図３（Ｂ）は金型の断面図である。図３（Ａ），（Ｂ）
は、センターキャビティ３１にそれぞれポット部を形成
するマルチポット方式で樹脂モールドを行い、それぞれ
のリング部キャビティ３２には単一のポット部（図示せ
ず）によりランナ３７及びゲート３８を介して樹脂モー
ルドを行うものである。この場合、リング部キャビティ
３２に注入する樹脂を信頼性より成形性を重視した低粘
度の樹脂を用いてもよい。また、ポット部３３は上金型
３０ａに形成してもよい。また、該単一のポット部は上
金型３０ａ及び下金型３０ｂの何れに形成してもよい。
【００２３】これにより、センターパッケージ２に限ら
ずガードリング３においてもボイドや未充填の発生を防
止することができる。
ずガードリング３においてもボイドや未充填の発生を防
止することができる。
【００２４】続いて、図４に、本発明の第３の実施例を
構成断面図を示す。図４は、センターキャビティ３１と
リング部キャビティ３２をそれぞれ別にマルチポット方
式で樹脂モールドを行う場合を示している。図４におい
て、下金型３０ｂにセンターキャビティ用のポット部３
３の他にリング部キャビティ用のポット部３９を形成
し、ポット部３９内をプランジャ４０が摺動可能に設け
られている。そして、ポット部３９上方にカル部４１を
形成し、カル部４１よりゲート４２を介してリング部キ
ャビティ３２に連通させている。そして、ポット部３９
内に固形状の樹脂４３を挿入し、溶解させてプランジャ
４０によりリング部キャビティ３２に注入するものであ
る。
構成断面図を示す。図４は、センターキャビティ３１と
リング部キャビティ３２をそれぞれ別にマルチポット方
式で樹脂モールドを行う場合を示している。図４におい
て、下金型３０ｂにセンターキャビティ用のポット部３
３の他にリング部キャビティ用のポット部３９を形成
し、ポット部３９内をプランジャ４０が摺動可能に設け
られている。そして、ポット部３９上方にカル部４１を
形成し、カル部４１よりゲート４２を介してリング部キ
ャビティ３２に連通させている。そして、ポット部３９
内に固形状の樹脂４３を挿入し、溶解させてプランジャ
４０によりリング部キャビティ３２に注入するものであ
る。
【００２５】なお、この場合においてもポット部３３，
３９を上金型３０ａに形成してもよく、また、注入する
樹脂４３を、樹脂３６と異なる性質のものを用いてもよ
い。ここで、図５に、本発明の他の実施例の構成断面図
を示す。図５は、センターキャビティのみを示してお
り、リング部キャビティは省略している。図５におい
て、上金型３０ａのセンターキャビティ３２上方にポッ
ト部３３が形成されるのは図１以下と同様である（下金
型３０ｂに設けてもよい）。そして、下金型３０ｂ（上
金型３０ａでもよい）にポット部４４を形成し、ポット
部４４内をプランジャ４５が摺動可能に設けられる。ま
た、ポット部４４の上方には上金型３０ａによるカル部
４６が形成され、ゲート４７を介してセンターキャビテ
ィ３１に連通されて溶解され、プランジャ４５によりゲ
ート４７を介してセンターキャビティ３１に注入され
る。
３９を上金型３０ａに形成してもよく、また、注入する
樹脂４３を、樹脂３６と異なる性質のものを用いてもよ
い。ここで、図５に、本発明の他の実施例の構成断面図
を示す。図５は、センターキャビティのみを示してお
り、リング部キャビティは省略している。図５におい
て、上金型３０ａのセンターキャビティ３２上方にポッ
ト部３３が形成されるのは図１以下と同様である（下金
型３０ｂに設けてもよい）。そして、下金型３０ｂ（上
金型３０ａでもよい）にポット部４４を形成し、ポット
部４４内をプランジャ４５が摺動可能に設けられる。ま
た、ポット部４４の上方には上金型３０ａによるカル部
４６が形成され、ゲート４７を介してセンターキャビテ
ィ３１に連通されて溶解され、プランジャ４５によりゲ
ート４７を介してセンターキャビティ３１に注入され
る。
【００２６】これによる樹脂モールドは、まず、樹脂３
６に超低応力樹脂を用い、ポット部３３内で溶解させて
プランジャ３４で軽く押して注入しチップ３５ｂ、ワイ
ヤの周辺を固めておく。そして、樹脂４８に成形性の良
好な樹脂を用いてポット部４４よりセンターキャビティ
３１に注入させるものである。
６に超低応力樹脂を用い、ポット部３３内で溶解させて
プランジャ３４で軽く押して注入しチップ３５ｂ、ワイ
ヤの周辺を固めておく。そして、樹脂４８に成形性の良
好な樹脂を用いてポット部４４よりセンターキャビティ
３１に注入させるものである。
【００２７】これにより、封止工程での半導体装置の信
頼性、成形性を飛躍的に向上させることができる。
頼性、成形性を飛躍的に向上させることができる。
【００２８】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、センター
キャビティに連通するポット部を形成し、ポット部内で
溶解させた樹脂をセンターキャビティに充填した後にリ
ング部キャビティに充填することにより、センターキャ
ビティで形成されるセンターパッケージにボイドや未充
填状態が生じることを防止することができ、半導体装置
の信頼性、成形性を向上させることができる。
キャビティに連通するポット部を形成し、ポット部内で
溶解させた樹脂をセンターキャビティに充填した後にリ
ング部キャビティに充填することにより、センターキャ
ビティで形成されるセンターパッケージにボイドや未充
填状態が生じることを防止することができ、半導体装置
の信頼性、成形性を向上させることができる。
【図１】本発明の原理説明図である。
【図２】本発明の第１の実施例の構成断面図である。
【図３】本発明の第２の実施例の構成図である。
【図４】本発明の第３の実施例の構成断面図である。
【図５】本発明の他の実施例の構成断面図である。
【図６】ガードリングを有する半導体装置の斜視図であ
る。
る。
【図７】従来の樹脂封止を行う金型の概念図である。
【図８】従来のマルチポット方式の金型を説明するため
の図である。
の図である。
３０ 金型 ３０ａ 上金型 ３０ｂ 下金型 ３１ センターキャビティ ３２ リング部キャビティ ３３ ポット部 ３４ プランジャ ３５ デバイス ３５ａ リードフレーム ３５ｂ チップ ３６ 樹脂
フロントページの続き (72)発明者 小林 均 宮城県柴田郡村田町大字村田字西ケ丘１ 番地の１ 株式会社富士通宮城エレクト ロニクス内 (56)参考文献 特開 平４−102363（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−30343（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/56 H01L 23/28 - 23/30
Claims (4)
- 【請求項１】 金型（３０）の上金型（３０ａ）及び下
金型（３０ｂ）で形成れるセンターキャビティ（３１）
及びリング部キャビティ（３２）の、該センターキャビ
ティ（３１）にデバイス（３５）を位置させて樹脂を注
入し、ガードリングを形成させて樹脂モールドを行う半
導体装置の製造方法において、 前記上金型（３０ａ）または下金型（３０ｂ）の何れか
に形成された前記センターキャビティ（３１）に連通す
るポット部（３３）に、樹脂（３６）を挿入して溶解さ
せる工程と、 該溶解した樹脂（３６）を押圧して該センターキャビテ
ィ（３１）に充填する工程と、 該センターキャビティ（３１）の充填後に、前記リング
部キャビティ（３２）に該溶解した樹脂（３６）を充填
する工程と、 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 金型（３０）の上金型（３０ａ）及び下
金型（３０ｂ）で形成れる複数のセンターキャビティ
（３１）及びリング部キャビティ（３２）の、該センタ
ーキャビティ（３１）にデバイス（３５）を位置させて
樹脂を注入し、ガードリングを形成させて樹脂モールド
を行う半導体装置の製造方法において、 前記上金型（３０ａ）または下金型（３０ｂ）の何れか
に形成された複数の前記センターキャビティ（３１）の
それぞれに連通するポット部（３３）に、樹脂（３６）
を挿入して溶解させる工程と、 該溶解した樹脂（３６）を押圧して該センターキャビテ
ィ（３１）に充填する工程と、 該上金型（３０ａ）または下金型（３０ｂ）の何れかに
形成され、複数の前記リング部キャビティ（３２）に連
通する該ポット部（３３）と異なる単一のポット部に、
樹脂を挿入して溶解させる工程と、 該単一のポット部内で溶解した樹脂を押圧して該複数の
リング部キャビティ（３２）内に充填する工程と、 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 金型（３０）の上金型（３０ａ）及び下
金型（３０ｂ）で形成れる複数のセンターキャビティ
（３１）及びリング部キャビティ（３２）の、該センタ
ーキャビティ（３１）にデバイス（３５）を位置させて
樹脂を注入し、ガードリングを形成させて樹脂モールド
を行う半導体装置の製造方法において、 前記上金型（３０ａ）または下金型（３０ｂ）の何れか
に形成された複数の前記センターキャビティ（３１）の
それぞれに連通するポット部（３３）に、樹脂（３６）
を挿入して溶解させる工程と、 該溶解した樹脂（３６）を押圧して該センターキャビテ
ィ（３１）に充填する工程と、 前記上金型（３０ａ）または下金型（３０ｂ）の何れか
に形成された複数の前記リング部キャビティ（３２）の
それぞれに連通するポット部（３９）に、樹脂（４３）
を挿入して溶解させる工程と、 該ポット部（３９）内で溶解した樹脂（４３）を押圧し
て該リング部キャビティ（３２）に充填する工程と、 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記樹脂（３６）に超低応力樹脂を用い
て、前記センターキャビティ（３１）のデバイス（３
５）の周辺部のみに充填して硬化させると共に、 該センターキャビティ（３１）に連通する他のポット部
（４４）より成形性良好な樹脂（４８）により、該セン
ターキャビティ（３１）に充填することを特徴とする請
求項１，２または３記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16052691A JP2895988B2 (ja) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16052691A JP2895988B2 (ja) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0513487A JPH0513487A (ja) | 1993-01-22 |
| JP2895988B2 true JP2895988B2 (ja) | 1999-05-31 |
Family
ID=15716872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16052691A Expired - Lifetime JP2895988B2 (ja) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2895988B2 (ja) |
-
1991
- 1991-07-01 JP JP16052691A patent/JP2895988B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0513487A (ja) | 1993-01-22 |
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