JP3304181B2 - 絶縁型樹脂封止半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

絶縁型樹脂封止半導体装置およびその製造方法

Info

Publication number
JP3304181B2
JP3304181B2 JP737194A JP737194A JP3304181B2 JP 3304181 B2 JP3304181 B2 JP 3304181B2 JP 737194 A JP737194 A JP 737194A JP 737194 A JP737194 A JP 737194A JP 3304181 B2 JP3304181 B2 JP 3304181B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
lead frame
guide pin
semiconductor device
mold
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP737194A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH07214589A (ja
Inventor
政和 中尾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Panasonic Corp
Priority to JP737194A priority Critical patent/JP3304181B2/ja
Publication of JPH07214589A publication Critical patent/JPH07214589A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3304181B2 publication Critical patent/JP3304181B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は大電力分野で用いられ
る絶縁型樹脂封止半導体装置およびその製造方法に関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】近年、大電力分野で利用される絶縁型樹
脂封止半導体装置として、高い絶縁性と高信頼性を得る
ために端子リード部を除いてリードフレームを完全に樹
脂封止する絶縁型樹脂封止半導体装置が利用されるよう
になってきた。以下、従来例として「特開平2−168
637号公報」に示されている絶縁型樹脂封止半導体装
置の製造方法について説明する。
【0003】図6は従来の絶縁型樹脂封止半導体装置の
樹脂封止工程における樹脂注入前の金型およびリードフ
レームの断面図であり、1は上金型、2は下金型、3は
リードフレーム、4はリードフレーム3を固定するため
の可動式のガイドピン、5は半導体素子、6は樹脂注入
口である。以上のように構成された絶縁型樹脂封止半導
体装置の製造方法は、樹脂封止工程において、樹脂注入
時にリードフレーム3の移動を防ぐために可動式のガイ
ドピン4を使用する。まず、このガイドピン4および上
下金型1,2を利用してリードフレーム3を所定の位置
に固定する。このとき、リードフレーム3とガイドピン
4は密着している。つぎに、樹脂注入口6より樹脂を注
入し、樹脂の硬化が始まる前にガイドピン4を上に引い
て、ガイドピン4をリードフレーム3から離し、樹脂を
ガイドピン4の底部とリードフレーム3との間に導入す
る。最後に樹脂を硬化させる。
【0004】図7は上記従来の製造方法で製造された絶
縁型樹脂封止半導体装置の断面図であり、7は樹脂部、
8は可動ピン穴、9はガイドピン挿入部の樹脂厚であ
る。図7に示すように、従来の方法で製造された絶縁型
樹脂封止半導体装置は可動ピン穴8が形成されるため、
ガイドピン挿入部の樹脂厚9が薄くなる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の構成では、
リードフレーム3の位置と、ガイドピン挿入部の樹脂厚
9とをガイドピン4の可動量で決定しているため、リー
ドフレーム3の正確な位置と安定した樹脂厚9を確保す
ることが困難である。すなわち、絶縁耐量を上げるため
にはガイドピン4の可動量を大きくして樹脂厚9を厚く
する必要があるが、この場合、樹脂注入時にリードフレ
ーム3が移動してリードフレーム3の固定位置の変動が
大きくなり、リードフレーム3の下の樹脂厚A′,B′
のバラツキおよび差が大きくなる。
【0006】この発明は、上記従来の問題点を解決する
もので、リードフレームの正確な位置と安定した樹脂厚
を確保することができる絶縁型樹脂封止半導体装置およ
びその製造方法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の絶縁型樹
脂封止半導体装置は、樹脂封止時にリードフレームに当
接した樹脂製のガイドピンを、リードフレームに当接し
た状態で樹脂部内に埋設したことを特徴とする。請求項
2記載の絶縁型樹脂封止半導体装置の製造方法は、リ
ドフレームの一端を金型で挟持するとともに、金型の外
部より樹脂製のガイドピンを挿入してリードフレームの
他端に当接することにより、リードフレームを支持する
工程と、ガイドピンをリードフレームに当接した状態
、金型の樹脂注入口より樹脂を注入するとともに硬化
させて樹脂部を形成する工程と、ガイドピンを切断する
ことによりガイドピンの一部を樹脂部内に残存させる工
程とを含むことを特徴とする。
【0008】請求項3記載の絶縁型樹脂封止半導体装置
の製造方法は、請求項2記載の絶縁型樹脂封止半導体装
置の製造方法において、ガイドピンの長さを、ガイドピ
ンの周囲に形成される樹脂部の樹脂厚以下とし、ガイド
ピンを切断する処理を省いたものである。請求項4記載
の絶縁型樹脂封止半導体装置の製造方法は、請求項2ま
たは3記載の絶縁型樹脂封止半導体装置の製造方法にお
いて、ガイドピンは樹脂部を形成する樹脂よりも耐熱性
の高い樹脂からなるものである。
【0009】
【作用】この発明の構成によって、樹脂封止工程におい
て、樹脂製のガイドピンが常にリードフレームに当接し
ているため、樹脂注入時のリードフレームの移動を防止
し、リードフレームの正確な固定が可能となるととも
に、樹脂製のガイドピンが封止樹脂の一部として残るた
め、ガイドピン挿入部の樹脂厚が薄くなることはなく、
絶縁耐量を高めることができる。また、ガイドピンの長
さを、ガイドピンの周囲に形成される樹脂部の樹脂厚以
下とすることにより、ガイドピンが樹脂部より突出しな
いため、ガイドピンの切断工程を省略することができ、
量産性を向上させることができる。さらに、樹脂部を形
成する樹脂よりも耐熱性の高い樹脂からなるガイドピン
を用いることにより、樹脂注入時にガイドピンが溶融す
ることなく、リードフレームの固定位置の精度をより向
上することができる。
【0010】
【実施例】以下、この発明の一実施例について、図面を
参照しながら説明する。図1はこの発明の一実施例の絶
縁型樹脂封止半導体装置の樹脂封止工程における樹脂注
入前の金型およびリードフレームの断面図、図2は完成
した絶縁型樹脂封止半導体装置の断面図である。図1,
図2において、10は樹脂部7と同一の樹脂で形成され
たガイドピン、11はガイドピン切断部、12はガイド
ピン跡である。なお、1は上金型、2は下金型、3はリ
ードフレーム、5は半導体素子、6は樹脂注入口であ
り、これらは従来例の構成と同じである。
【0011】この実施例の絶縁型半導体装置の製造方法
における樹脂封止工程は、最初に、上金型1および下金
型2によりリードフレーム3の一端を挟持するととも
に、リードフレーム3に対して垂直方向よりガイドピン
10を挿入してリードフレーム3の他端に当接すること
により、リードフレーム3を固定する。つぎに、樹脂注
入口6より金型内へ樹脂を注入し、樹脂を硬化させて樹
脂部7を形成する。樹脂硬化後、上下金型1,2を取り
外し、ガイドピン切断部11でガイドピン10を切断す
ると、図2に示す絶縁型樹脂封止半導体装置が得られ
る。
【0012】図3はこの実施例におけるリードフレーム
3の下の樹脂厚A,Bのバラツキと、従来例におけるリ
ードフレーム3の下の樹脂厚A′,B′(図2参照)の
バラツキとを比較した図であり、(a)には実施例の樹
脂厚Aと従来例の樹脂厚A′を示し、(b)には実施例
の樹脂厚Bと従来例の樹脂厚B′を示す。なお、実施例
は〇、従来例は●で示し、どちらも400μmを基準値
とし、サンプル数は15とした。図3より、従来例に比
べて実施例の方がリードフレーム3の下の樹脂厚のバラ
ツキは小さく、かつ2箇所の差も小さいことがわかる。
【0013】以上のようにこの実施例によれば、樹脂注
入時から硬化させるまで、樹脂で形成されたガイドピン
10が常にリードフレーム3に密着しているため、樹脂
注入時のリードフレーム3の移動を防止し、リードフレ
ーム3の位置を正確に確保することができる。また、図
2のように半導体装置完成後にガイドピン10は封止樹
脂の一部となるため、ガイドピン挿入部の樹脂厚が薄く
なることはなく、絶縁耐量を高めることができる。
【0014】なお、この実施例では、リードフレーム3
に対して垂直方向よりガイドピン10を挿入したが、図
4に示すように、ガイドピン10をリードフレーム3に
対して水平方向から挿入するようにすれば、上金型1を
上方へ引き上げることにより、ガイドピン10の切断を
容易に行える。この場合、金型の取外し工程とガイドピ
ン切断工程を同時に行うことができ、量産性を向上させ
ることができる。
【0015】また、この実施例では、樹脂硬化後、ガイ
ドピン10を切断したが、図5に示すように、ガイドピ
ン10の周囲に形成される樹脂部7(図2参照)の樹脂
厚以下に長さを調節したガイドピン10を使用すること
により、ガイドピンの切断工程を省略することができ、
量産性を向上させることができる。この場合、長さを調
節したガイドピン10をバキュームピックアップ13で
固定して、金型内へ挿入する。そして、樹脂を注入し、
硬化後、ガイドピン10の固定を解除し、バキュームピ
ックアップ13を引き抜くようにする。
【0016】なお、上記実施例では、樹脂部7と同一の
樹脂からなるガイドピン10を使用したが、樹脂部7を
形成する樹脂よりも耐熱性(軟化点)の高い樹脂で形成
されたガイドピンを使用することにより、樹脂注入時に
ガイドピン10が溶融することなく、リードフレーム3
の固定位置の精度をより向上することができる。
【0017】
【発明の効果】この発明によれば、樹脂封止工程におい
て、樹脂製のガイドピンが常にリードフレームに当接し
ているため、樹脂注入時のリードフレームの移動を防止
し、リードフレームの正確な固定が可能となるととも
に、樹脂製のガイドピンが封止樹脂の一部として残るた
め、ガイドピン挿入部の樹脂厚が薄くなることはなく、
絶縁耐量を高めることができる。また、ガイドピンの長
さを、ガイドピンの周囲に形成される樹脂部の樹脂厚以
下とすることにより、ガイドピンが樹脂部より突出しな
いため、ガイドピンの切断工程を省略することができ、
量産性を向上させることができる。さらに、樹脂部を形
成する樹脂よりも耐熱性の高い樹脂からなるガイドピン
を用いることにより、樹脂注入時にガイドピンが溶融す
ることなく、リードフレームの固定位置の精度をより向
上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例の絶縁型樹脂封止半導体装
置の樹脂封止工程における金型およびリードフレームの
断面図。
【図2】この発明の一実施例の絶縁型樹脂封止半導体装
置の断面図。
【図3】同実施例および従来例におけるリードフレーム
の下の樹脂厚のバラツキを比較した図。
【図4】この発明の実施例においてガイドピンをリード
フレームに対して水平方向から挿入した場合の樹脂注入
前の金型およびリードフレームの断面図。
【図5】この発明の実施例においてガイドピンの長さを
樹脂部の樹脂厚以下にした場合の樹脂注入前の金型およ
びリードフレームの断面図。
【図6】従来の絶縁型樹脂封止半導体装置の樹脂封止工
程における金型およびリードフレームの断面図。
【図7】従来の絶縁型樹脂封止半導体装置の断面図。
【符号の説明】
1 上金型 2 下金型 3 リードフレーム 5 半導体素子 6 樹脂注入口 7 樹脂部 10 樹脂製のガイドピン
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平7−169786(JP,A) 特開 平4−152586(JP,A) 特開 平1−262115(JP,A) 特開 平6−37130(JP,A) 特開 昭58−141533(JP,A) 特開 平2−168637(JP,A) 特開 平6−190858(JP,A) 特開 平6−45383(JP,A) 特開 昭60−130129(JP,A) 特開 昭63−62239(JP,A) 実開 平2−8034(JP,U) 実開 昭61−177445(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) B29C 45/02 B29C 45/14 B29C 45/26 H01L 21/56

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 リードフレーム上に載置した半導体素子
    を樹脂部で封止した絶縁型樹脂封止半導体装置であっ
    て、 樹脂封止時に前記リードフレームに当接した樹脂製のガ
    イドピンを、前記リードフレームに当接した状態で前記
    樹脂部内に埋設したことを特徴とする絶縁型樹脂封止半
    導体装置。
  2. 【請求項2】 リードフレーム上に載置した半導体素子
    を樹脂部で封止する絶縁型樹脂封止半導体装置の製造方
    法であって、 前記リードフレームの一端を金型で挟持するとともに、
    前記金型の外部より樹脂製のガイドピンを挿入して前記
    リードフレームの他端に当接することにより、前記リー
    ドフレームを支持する工程と、 前記ガイドピンを前記リードフレームに当接した状態
    で、前記金型の樹脂注入口より樹脂を注入するとともに
    硬化させて前記樹脂部を形成する工程と 前記ガイドピンを切断することにより前記ガイドピンの
    一部を前記樹脂部内に残存させる工程と を含むことを特
    徴とする絶縁型樹脂封止半導体装置の製造方法。
  3. 【請求項3】 ガイドピンの長さを、前記ガイドピンの
    周囲に形成される樹脂部の樹脂厚以下とし、前記ガイド
    ピンを切断する処理を省いた請求項2記載の絶縁型樹脂
    封止半導体装置の製造方法。
  4. 【請求項4】 ガイドピンは樹脂部を形成する樹脂より
    も耐熱性の高い樹脂からなる請求項2または3記載の絶
    縁型樹脂封止半導体装置の製造方法。
JP737194A 1994-01-27 1994-01-27 絶縁型樹脂封止半導体装置およびその製造方法 Expired - Fee Related JP3304181B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP737194A JP3304181B2 (ja) 1994-01-27 1994-01-27 絶縁型樹脂封止半導体装置およびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP737194A JP3304181B2 (ja) 1994-01-27 1994-01-27 絶縁型樹脂封止半導体装置およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07214589A JPH07214589A (ja) 1995-08-15
JP3304181B2 true JP3304181B2 (ja) 2002-07-22

Family

ID=11664118

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP737194A Expired - Fee Related JP3304181B2 (ja) 1994-01-27 1994-01-27 絶縁型樹脂封止半導体装置およびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3304181B2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH07214589A (ja) 1995-08-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8497158B2 (en) Leadframe strip and mold apparatus for an electronic component and method of encapsulating an electronic component
KR100309406B1 (ko) 옵토컴포넌트상의캡슐화재료의사출방법및장치
US4043027A (en) Process for encapsulating electronic components in plastic
EP0817261B1 (en) Method for manufacturing plastic package for electronic device having a fully insulated dissipator
US5038468A (en) Method of insert molding with web placed in the mold
US20020005773A1 (en) Moulded coil and production method thereof
US5508232A (en) Method of manufacturing a semiconductor device
JP3304181B2 (ja) 絶縁型樹脂封止半導体装置およびその製造方法
US5672550A (en) Method of encapsulating semiconductor devices using a lead frame with resin tablets arranged on lead frame
KR950003337B1 (ko) 내연기관용 점화장치의 제조방법
JPH05226546A (ja) 半導体装置およびその製法
US20030134452A1 (en) Method for manufacturing semiconductor device packages
JP3733341B2 (ja) 電力半導体装置の製造方法
JP2000025069A (ja) インサート樹脂成形回路基板の製造方法
US20060043640A1 (en) Method and system for multi-stage injection in a transfer molding system
JPH02184040A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2001338940A (ja) 半導体icの樹脂モールド装置および樹脂モールド方法
JP2003031434A (ja) チップインダクタ部品の製造方法
JP2742638B2 (ja) 半導体装置用の樹脂封止金型
JPH0549201A (ja) モールドモータ
JP3182302B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP2604054B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2596995B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP3070795B2 (ja) 半導体装置用箱形樹脂成形体の成形方法およびそれによって成形された箱形樹脂成形体
JP2895988B2 (ja) 半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090510

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100510

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 9

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110510

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees