JP2893686B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
- H01L29/456—Ohmic electrodes on silicon
Description
【発明の詳細な説明】 以下の順序に従って本発明を説明する。
A.産業上の利用分野 B.発明の概要 C.従来技術 D.発明が解決しようとする問題点 E.問題点を解決するための手段 F.作用 G.実施例［第１図乃至第５図］ H.発明の効果 （A.産業上の利用分野） 本発明は半導体装置の製造方法、特にシリコン半導体
基板と、アルミニウムあるいはアルミニウム合金からな
る電極との間にバリアメタルを介在させた半導体装置を
製造する半導体装置の製造方法に関する。
基板と、アルミニウムあるいはアルミニウム合金からな
る電極との間にバリアメタルを介在させた半導体装置を
製造する半導体装置の製造方法に関する。
（B.発明の概要） 本発明は、上記の半導体装置の製造方法において、 バリアメタルの抵抗率を徒らに高めることなくバリア
効果を高めるため、 開口を有する絶縁膜が表面に形成されたシリコン半導
体基板上にチタンを形成し、窒素ガスと酸素ガスの和に
対する酸素ガスの比が４〜６容量％のスパッタガスによ
りチタンオキシナイトライド（TiON）膜を成膜し、アル
ミニウムあるいはアルミニウム合金からなる合金膜を成
膜することを特徴とするものである。
効果を高めるため、 開口を有する絶縁膜が表面に形成されたシリコン半導
体基板上にチタンを形成し、窒素ガスと酸素ガスの和に
対する酸素ガスの比が４〜６容量％のスパッタガスによ
りチタンオキシナイトライド（TiON）膜を成膜し、アル
ミニウムあるいはアルミニウム合金からなる合金膜を成
膜することを特徴とするものである。
（C.従来技術） 現在、電極材料としても最も広く用いられているアル
ミニウムは、シリコン半導体基板との合金化反応で接合
の破壊及び劣化を招く要因となることが判明した。そし
て、デバイスの微細化により接合深さが非常に浅くなる
傾向にあるのでその接合破壊、及び劣化を防止する必要
性が生じ、そのためにアルミニウム中に１〜２％程度の
シリコンを含有させ合金化反応を防止しようとすること
が行われている。しかし、このアルミニウム中のシリコ
ンが、このアルミニウム膜のスパッタによる形成後の40
0〜450℃での熱処理の後における冷却過程で析出し、そ
の結果、コンタクトホール内にIII族元素でｐ型不純物
となるアルミニウムを含んだシリコン、即ちｐ型のシリ
コンができ、半導体基板のｎ型半導体領域との間にpn接
合が出来る等種々の問題をもたらす。そこで、アルミニ
ウム電極と半導体基板との間に両者の合金化を阻むバリ
アメタルを介在させる技術が採用されるようになり、月
刊Semiconductor World 1987年３月号「●メタライゼー
ション●超LSIへのバリアメタルの適用」90〜94頁にも
記載されているようにチタンナイトライドTiNがバリア
メタルとして有望視されている。
ミニウムは、シリコン半導体基板との合金化反応で接合
の破壊及び劣化を招く要因となることが判明した。そし
て、デバイスの微細化により接合深さが非常に浅くなる
傾向にあるのでその接合破壊、及び劣化を防止する必要
性が生じ、そのためにアルミニウム中に１〜２％程度の
シリコンを含有させ合金化反応を防止しようとすること
が行われている。しかし、このアルミニウム中のシリコ
ンが、このアルミニウム膜のスパッタによる形成後の40
0〜450℃での熱処理の後における冷却過程で析出し、そ
の結果、コンタクトホール内にIII族元素でｐ型不純物
となるアルミニウムを含んだシリコン、即ちｐ型のシリ
コンができ、半導体基板のｎ型半導体領域との間にpn接
合が出来る等種々の問題をもたらす。そこで、アルミニ
ウム電極と半導体基板との間に両者の合金化を阻むバリ
アメタルを介在させる技術が採用されるようになり、月
刊Semiconductor World 1987年３月号「●メタライゼー
ション●超LSIへのバリアメタルの適用」90〜94頁にも
記載されているようにチタンナイトライドTiNがバリア
メタルとして有望視されている。
（D.発明が解決しようとする問題点） ところで、チタンナイトライドTiNにより形成したバ
リアメタルのバリア効果について本願発明者が実験を重
ねたところバリア効果が必ずしも充分ではないことが判
明した。
リアメタルのバリア効果について本願発明者が実験を重
ねたところバリア効果が必ずしも充分ではないことが判
明した。
そこで、本願発明者は更に実験を重ねチタンナイトラ
イドに酸素を添加することによりバリア効果を高めるこ
とができることを突き止め本発明を為すに至ったのであ
り、本発明はバリアメタルのバリア効果を抵抗率を徒ら
に増大させることなく高めることを目的とする。
イドに酸素を添加することによりバリア効果を高めるこ
とができることを突き止め本発明を為すに至ったのであ
り、本発明はバリアメタルのバリア効果を抵抗率を徒ら
に増大させることなく高めることを目的とする。
（E.問題点を解決するための手段） 本発明半導体装置の製造方法は上記目的を達成するた
め、開口を有する絶縁膜が表面に形成されたシリコン半
導体基板上にチタンを形成し、窒素ガスと酸素ガスの和
に対する酸素ガスの比が４〜６容量％のスパッタガスに
よりチタンオキシナイトライド（TiON）膜を成膜し、ア
ルミニウムあるいはアルミニウム合金からなる合金膜を
成膜することを特徴とする。
め、開口を有する絶縁膜が表面に形成されたシリコン半
導体基板上にチタンを形成し、窒素ガスと酸素ガスの和
に対する酸素ガスの比が４〜６容量％のスパッタガスに
よりチタンオキシナイトライド（TiON）膜を成膜し、ア
ルミニウムあるいはアルミニウム合金からなる合金膜を
成膜することを特徴とする。
（F.作用） 本発明者の実験により得たところのバリアメタル形成
用スパッタガスに加える酸素の流量比とバリア効果のバ
ロメータとなる接合リーク電流との関係を示す第２図か
ら必要なバリア効果を得るには、換言すればリーク電流
を許容限界値以下にするには酸素Ｏの流量比を４容量％
以上にする必要があることが解る。そして、酸素Ｏの流
量比を４容量％以上にした場合、酸素Ｏの流量比とチタ
ンオキシナイトライドTiNの含有率との関係を示す第３
図から形成されるチタンオキシナイトライドTiNO膜の酸
素の含有率は3at％以上になることが解る。
用スパッタガスに加える酸素の流量比とバリア効果のバ
ロメータとなる接合リーク電流との関係を示す第２図か
ら必要なバリア効果を得るには、換言すればリーク電流
を許容限界値以下にするには酸素Ｏの流量比を４容量％
以上にする必要があることが解る。そして、酸素Ｏの流
量比を４容量％以上にした場合、酸素Ｏの流量比とチタ
ンオキシナイトライドTiNの含有率との関係を示す第３
図から形成されるチタンオキシナイトライドTiNO膜の酸
素の含有率は3at％以上になることが解る。
一方、酸素Ｏの流量比を約６容量％以上にすると抵抗
率が10-2Ωcm以上となりコンタクト抵抗を許容限度を越
えて大きくすることになることが酸素Ｏの流量比とチタ
ンオキシナイトライド膜の抵抗率の関係を示す第４図か
ら解る。そして、酸素Ｏの流量比を６容量％程にした場
合、できるチタンオキシナイトライド酸素Ｏの含有率は
第２図から約7at％であることが解る。しかして、バリ
アメタルとして酸素Ｏの含有率が３〜7at％のチタンオ
キシナイトライド膜が抵抗率を許容限度内の値にしつつ
バリア効果を高くすることができ、最適といえるのであ
る。
率が10-2Ωcm以上となりコンタクト抵抗を許容限度を越
えて大きくすることになることが酸素Ｏの流量比とチタ
ンオキシナイトライド膜の抵抗率の関係を示す第４図か
ら解る。そして、酸素Ｏの流量比を６容量％程にした場
合、できるチタンオキシナイトライド酸素Ｏの含有率は
第２図から約7at％であることが解る。しかして、バリ
アメタルとして酸素Ｏの含有率が３〜7at％のチタンオ
キシナイトライド膜が抵抗率を許容限度内の値にしつつ
バリア効果を高くすることができ、最適といえるのであ
る。
（G.実施例）［第１図乃至第５図］ 以下、本発明半導体装置の製造方法を図示実施例に従
って詳細に説明する。
って詳細に説明する。
第１図は本発明半導体装置の製造方法の一つの実施例
により製造された半導体装置を示す断面図である（尚、
便宜上第１図には「実施例を示す断面図」というタイト
ルをつけた）。同図において、１はＰ型の半導体基板、
２は半導体基板１の選択酸化膜３の下側にあたる部分に
形成されたチャネルストッパ、４は半導体基板１の素子
形成領域内に形成されたソースあるいはドレインを成す
n+型半導体領域、５、６は層間絶縁膜で、５がSiNから
なる膜で、500Åの膜厚を有し、６がAsSGからなる膜
で、5000Åの膜厚を有している。７は層間絶縁膜５、６
に形成されたコンタクトホール、８は厚さ300Åのチタ
ン膜、９は厚さ500ÅのチタンオキシナイトライドTiON
膜で、３〜7at％の酸素を含有しており、バリアメタル
としての役割を担う。10は配線膜の本体を成す１％のシ
リコンを含有したアルミニウム合金膜で、4000Åの膜厚
を有している。該アルミニウム合金膜10は下地としてバ
リアメタルであるチタンオキシナイトライド膜９とコン
タクト抵抗を小さくするために敷かれたチタン膜８を有
し、コンタクトホール７を通して半導体領域４に接続さ
れている。
により製造された半導体装置を示す断面図である（尚、
便宜上第１図には「実施例を示す断面図」というタイト
ルをつけた）。同図において、１はＰ型の半導体基板、
２は半導体基板１の選択酸化膜３の下側にあたる部分に
形成されたチャネルストッパ、４は半導体基板１の素子
形成領域内に形成されたソースあるいはドレインを成す
n+型半導体領域、５、６は層間絶縁膜で、５がSiNから
なる膜で、500Åの膜厚を有し、６がAsSGからなる膜
で、5000Åの膜厚を有している。７は層間絶縁膜５、６
に形成されたコンタクトホール、８は厚さ300Åのチタ
ン膜、９は厚さ500ÅのチタンオキシナイトライドTiON
膜で、３〜7at％の酸素を含有しており、バリアメタル
としての役割を担う。10は配線膜の本体を成す１％のシ
リコンを含有したアルミニウム合金膜で、4000Åの膜厚
を有している。該アルミニウム合金膜10は下地としてバ
リアメタルであるチタンオキシナイトライド膜９とコン
タクト抵抗を小さくするために敷かれたチタン膜８を有
し、コンタクトホール７を通して半導体領域４に接続さ
れている。
図１に示した半導体装置は、言わずもがななことであ
るが、層間絶縁膜５、６にコンタクトホール７を形成し
た後、チタン膜８及びチタンオキシナイトライド膜９に
形成し、更にその上にアルミニウム合金膜10を形成し、
しかる後、チタン膜８、チタンオキシナイトライド膜９
及びアルミニウム合金膜10をパターニングすることによ
り形成される。
るが、層間絶縁膜５、６にコンタクトホール７を形成し
た後、チタン膜８及びチタンオキシナイトライド膜９に
形成し、更にその上にアルミニウム合金膜10を形成し、
しかる後、チタン膜８、チタンオキシナイトライド膜９
及びアルミニウム合金膜10をパターニングすることによ
り形成される。
ところで、第２図は、第１図に示すような構造の素子
が形成された半導体ウエハを試料としてバリアメタルで
あるチタンオキシナイトライド膜９形成用のスパッタガ
スの酸素流量比を異ならせた場合に接合リーク電流がど
う変化するかを示すところの酸素流量比と接合リーク電
流の関係図であり、同図の右肩部分は接合リーク電流の
ウエハ内測定点（５点）の位置を黒で塗りつぶして示す
ウエハの平面図である。ここで、接合リーク電流は逆バ
イアスで5.5Vの電圧を電極10と基板１との間に印加した
場合の電流値であり、一般に311pA（ペリフェリ10mで10
nA相当）が許容電流値とされ（第２図の２点鎖線がその
リーク許容限界値を示している。）、それより大きいと
好ましくない。同図において、黒丸●はチタンオキシナ
イトライド膜９形成後処理（シンター）温度を400℃に
した場合を、白丸○は同じく処理（シンター）温度を45
0℃にした場合を示している。ちなみに、最近は処理温
度が高くなる傾向にあり、450℃、60分の処理に耐える
ようにする必要がある。
が形成された半導体ウエハを試料としてバリアメタルで
あるチタンオキシナイトライド膜９形成用のスパッタガ
スの酸素流量比を異ならせた場合に接合リーク電流がど
う変化するかを示すところの酸素流量比と接合リーク電
流の関係図であり、同図の右肩部分は接合リーク電流の
ウエハ内測定点（５点）の位置を黒で塗りつぶして示す
ウエハの平面図である。ここで、接合リーク電流は逆バ
イアスで5.5Vの電圧を電極10と基板１との間に印加した
場合の電流値であり、一般に311pA（ペリフェリ10mで10
nA相当）が許容電流値とされ（第２図の２点鎖線がその
リーク許容限界値を示している。）、それより大きいと
好ましくない。同図において、黒丸●はチタンオキシナ
イトライド膜９形成後処理（シンター）温度を400℃に
した場合を、白丸○は同じく処理（シンター）温度を45
0℃にした場合を示している。ちなみに、最近は処理温
度が高くなる傾向にあり、450℃、60分の処理に耐える
ようにする必要がある。
さて、この第２図からスパッタガスの酸素O2の流量比
を４容量％以上にしなければならないことが明らかであ
る。ところで、スパッタガスの酸素O2の流量比がそのま
まチタンオキシナイトライド膜の酸素の含有率になるわ
けではない。第３図はスパッタガスの酸素の流量比とス
パッタにより形成されるチタンオキシナイトライド膜９
の酸素の含有率の関係を黒丸●で示すところの流量比と
含有率との関係図であり、この図から酸素O2の流量比を
４容量％にした場合チタンオキシナイトライド膜８の酸
素の含有率は3at％になり、バリアメタルとして必要な
バリア効果を持つには酸素の含有率が3at％以上でなけ
ればならないことが明らかである。ちなみに、第３図の
白丸○は窒素Ｎについての流量比と含有率の関係を、中
に一の入った白丸○はチタンTiについての流量比と含有
率の関係を示す。尚、チタンオキシナイトライド膜の組
成はAES（オージェ）分光により測定した。
を４容量％以上にしなければならないことが明らかであ
る。ところで、スパッタガスの酸素O2の流量比がそのま
まチタンオキシナイトライド膜の酸素の含有率になるわ
けではない。第３図はスパッタガスの酸素の流量比とス
パッタにより形成されるチタンオキシナイトライド膜９
の酸素の含有率の関係を黒丸●で示すところの流量比と
含有率との関係図であり、この図から酸素O2の流量比を
４容量％にした場合チタンオキシナイトライド膜８の酸
素の含有率は3at％になり、バリアメタルとして必要な
バリア効果を持つには酸素の含有率が3at％以上でなけ
ればならないことが明らかである。ちなみに、第３図の
白丸○は窒素Ｎについての流量比と含有率の関係を、中
に一の入った白丸○はチタンTiについての流量比と含有
率の関係を示す。尚、チタンオキシナイトライド膜の組
成はAES（オージェ）分光により測定した。
ところで、チタンオキシナイトライド膜の酸素の含有
率を高くすればする程バリア効果を大きくすることがで
きるが、その反面においてその含有率を高くする程第４
図に示すようにチタンオキシナイトライド膜の抵抗率が
高くなる。第４図はチタンオキシナイトライド膜形成用
スパッタガスの酸素O2の流量比とスパッタにより形成さ
れたチタンオキシナイトライド膜の抵抗率の関係図であ
り、そして、チタンオキシナイトライド膜の抵抗率は10
-2Ωcmが限度で、それ以上に大きくするとコンタクト抵
抗増大の要因となり、無視できない。この第４図からチ
タンオキシナイトライド膜の抵抗率を10-2Ωcm程度以下
にするには、スパッタガスの酸素の流量比を６容量％以
下にする必要がある。そして、第３図から酸素の流量比
を６容量％にした場合チタンオキシナイトライド膜の酸
素の含有率は7at％であることが解る。しかして、バリ
アメタルとしてのチタンオキシナイトライド膜８は含有
率が３〜7at％であれば良い。そして、それをスパッタ
で形成する場合には、スパタガスの酸素O2の流量比を４
〜７容量％にすれば良いといえる。
率を高くすればする程バリア効果を大きくすることがで
きるが、その反面においてその含有率を高くする程第４
図に示すようにチタンオキシナイトライド膜の抵抗率が
高くなる。第４図はチタンオキシナイトライド膜形成用
スパッタガスの酸素O2の流量比とスパッタにより形成さ
れたチタンオキシナイトライド膜の抵抗率の関係図であ
り、そして、チタンオキシナイトライド膜の抵抗率は10
-2Ωcmが限度で、それ以上に大きくするとコンタクト抵
抗増大の要因となり、無視できない。この第４図からチ
タンオキシナイトライド膜の抵抗率を10-2Ωcm程度以下
にするには、スパッタガスの酸素の流量比を６容量％以
下にする必要がある。そして、第３図から酸素の流量比
を６容量％にした場合チタンオキシナイトライド膜の酸
素の含有率は7at％であることが解る。しかして、バリ
アメタルとしてのチタンオキシナイトライド膜８は含有
率が３〜7at％であれば良い。そして、それをスパッタ
で形成する場合には、スパタガスの酸素O2の流量比を４
〜７容量％にすれば良いといえる。
第５図は本発明半導体装置の製造方法により製造され
る半導体装置の別の例を示す断面図（尚、第５図には便
宜上「別の実施例を示す断面図」というタイトルを付け
た）で、この半導体装置はコンタクトホール７が選択酸
化膜３のエッジに至るまで開いており、そして、１％の
シリコンを含有した第２層目のアルミニウム合金膜12が
スタックされた構造である点で第１図に示した半導体装
置と異なっているが、それ以外の点では共通している。
勿論、第１層目のチタンオキシナイトライド膜９が３〜
7at％の酸素Ｏを含有していることはいうまでもない。
そして、層間絶縁膜５、６にコンタクトホール７を形成
した後、チタン膜８及びチタンオキシナイトライド膜９
を形成し、更にその上にアルミニウム合金膜10を形成
し、しかる後、チタン膜８、チタンオキシナイトライド
膜９及びアルミニウム合金膜10をパターニングするとい
う各膜の形成手順も全く同じであり、そして、チタンオ
キシナイトライド膜９の形成方法も同じである。
る半導体装置の別の例を示す断面図（尚、第５図には便
宜上「別の実施例を示す断面図」というタイトルを付け
た）で、この半導体装置はコンタクトホール７が選択酸
化膜３のエッジに至るまで開いており、そして、１％の
シリコンを含有した第２層目のアルミニウム合金膜12が
スタックされた構造である点で第１図に示した半導体装
置と異なっているが、それ以外の点では共通している。
勿論、第１層目のチタンオキシナイトライド膜９が３〜
7at％の酸素Ｏを含有していることはいうまでもない。
そして、層間絶縁膜５、６にコンタクトホール７を形成
した後、チタン膜８及びチタンオキシナイトライド膜９
を形成し、更にその上にアルミニウム合金膜10を形成
し、しかる後、チタン膜８、チタンオキシナイトライド
膜９及びアルミニウム合金膜10をパターニングするとい
う各膜の形成手順も全く同じであり、そして、チタンオ
キシナイトライド膜９の形成方法も同じである。
（H.発明の効果） 以上に述べたように、本発明半導体装置の製造方法に
よれば、バリアメタルの抵抗率を許容限度を超えないよ
うにしつつバリア効果を必要な高さに高めることができ
る。
よれば、バリアメタルの抵抗率を許容限度を超えないよ
うにしつつバリア効果を必要な高さに高めることができ
る。
第１図は本発明半導体装置の製造方法の一つの実施例に
より製造された半導体装置を示す断面図、第２図はチタ
ンオキシナイトライド膜を形成するスパッタガスの酸素
の流量比とリーク電流との関係図、第３図はスパッタガ
スの酸素の流量比とチタンオキシナイトライド膜の酸素
の含有率との関係図、第４図はスパッタガスの酸素の流
量比とチタンオキシナイトライドの抵抗率との関係図、
第５図は本発明半導体装置の製造方法により製造された
半導体装置の別の例を示す断面図である。 符号の説明 １……シリコン半導体基板、９……バリアメタル（チタ
ンオキシナイトライド膜）、10、12……アルミニウム合
金からなる電極。
より製造された半導体装置を示す断面図、第２図はチタ
ンオキシナイトライド膜を形成するスパッタガスの酸素
の流量比とリーク電流との関係図、第３図はスパッタガ
スの酸素の流量比とチタンオキシナイトライド膜の酸素
の含有率との関係図、第４図はスパッタガスの酸素の流
量比とチタンオキシナイトライドの抵抗率との関係図、
第５図は本発明半導体装置の製造方法により製造された
半導体装置の別の例を示す断面図である。 符号の説明 １……シリコン半導体基板、９……バリアメタル（チタ
ンオキシナイトライド膜）、10、12……アルミニウム合
金からなる電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/28 - 21/288 H01L 29/41 - 29/45 H01L 21/768
Claims (1)
- 【請求項１】シリコン半導体基板上の絶縁膜に開口を形
成する工程と、 上記シリコン半導体基板上にチタンを成膜する工程と、 窒素ガスと酸素ガスの和に対する酸素ガスの比が４〜６
容量％のスパッタガスによりチタンオキシナイトライド
（TiON）膜を成膜する工程と、 アルミニウムあるいはアルミニウム合金からなる合金膜
を成膜する工程と、 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63219784A JP2893686B2 (ja) | 1988-09-02 | 1988-09-02 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63219784A JP2893686B2 (ja) | 1988-09-02 | 1988-09-02 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0267763A JPH0267763A (ja) | 1990-03-07 |
| JP2893686B2 true JP2893686B2 (ja) | 1999-05-24 |
Family
ID=16740955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63219784A Expired - Lifetime JP2893686B2 (ja) | 1988-09-02 | 1988-09-02 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2893686B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0551117A2 (en) * | 1992-01-08 | 1993-07-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Large scale integrated circuit device and thin film forming method and apparatus for the same |
| JPH05243579A (ja) * | 1992-02-28 | 1993-09-21 | Canon Inc | 半導体装置 |
| US5969423A (en) | 1997-07-15 | 1999-10-19 | Micron Technology, Inc. | Aluminum-containing films derived from using hydrogen and oxygen gas in sputter deposition |
| US6222271B1 (en) | 1997-07-15 | 2001-04-24 | Micron Technology, Inc. | Method of using hydrogen gas in sputter deposition of aluminum-containing films and aluminum-containing films derived therefrom |
| JP4030556B2 (ja) * | 2005-06-30 | 2008-01-09 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子および窒化物半導体レーザ装置 |
-
1988
- 1988-09-02 JP JP63219784A patent/JP2893686B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ａｐｐｌ，Ｐｈｙｓ．Ｌｅｆｔ，４７［５］（１９８５）（米）ｐ．４７１−４７２ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0267763A (ja) | 1990-03-07 |
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