JP2889213B2 - 高周波電力用半導体装置 - Google Patents

高周波電力用半導体装置

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JP2889213B2
JP2889213B2 JP24113297A JP24113297A JP2889213B2 JP 2889213 B2 JP2889213 B2 JP 2889213B2 JP 24113297 A JP24113297 A JP 24113297A JP 24113297 A JP24113297 A JP 24113297A JP 2889213 B2 JP2889213 B2 JP 2889213B2
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波電力用半導体装
置に関し、特に、高周波電力用の半導体チップと、該半
導体チップがダイボンディングされている支持金属板
と、半導体チップの信号用電極とボンディングワイヤー
等により電気的に接続された外部リードとがモールド樹
脂によりパッケージされた高周波電力用半導体装置に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体チップと、該半導体チップがダイ
ボンディングされている支持金属板と、半導体チップの
信号用電極と電気的に接続された外部リードとが樹脂に
よりモールドされた高周波電力用半導体装置は、コスト
的に安価であると共に量産性に富んでいるため、現在最
も汎用的に用いられている。
【0003】従来、樹脂モールドパッケージよりなる高
周波電力用半導体装置が用いられる機器は、テレビ、ビ
デオ及びパーソナルコンピューター等であって、その動
作周波数は高くても200MHz以下であった。
【0004】ところが、近年の移動体通信の端末機器に
おいては1GHzから2GHzの高周波電力が用いられ
ているため、このような端末機器に搭載される高周波電
力用半導体装置においては、高い周波数に対応する対策
が必要である。数百MHzと数GHzという動作周波数
の差が高周波電力用半導体装置に及ぼす影響として、イ
ンダクタンスを低減するために接地電位の経路を最短に
しなければならないという問題がある。
【0005】インダクタンスの低減に関しては、外部引
き出し用の外部リードを介してプリント基板に接地する
従来の構造を、半導体チップがダイボンディングされて
いる支持金属板を樹脂パッケージの裏面に露出させ、支
持金属板を介してプリント基板に接地する構造に変更す
ることにより、接地電位に起因するインダクタンスを低
減できる。
【0006】ところで、移動体通信の端末機器は、高周
波電力を扱う機器であると共に、小型化及び軽量化が求
められる機器であるため、該端末機器に搭載される高周
波電力用の半導体装置においては、小型化及び軽量化が
求められている。従って、インダクタンスの低減を図る
ために樹脂パッケージを大きくすることは許されない。
また、プリント基板に実装されている高周波電力用半導
体装置の信頼性が低下することも許されない。
【0007】以下、図5(a)〜(d)を参照しなが
ら、「Fujitsu技法,47,5,pp399〜402,(9,1996))」に
示されている従来の半導体装置について説明する。尚、
以下の説明においては、便宜上、図面の左右方向を半導
体装置の左右方向と称し、図面の上下方向を半導体装置
の前後方向と称するが、半導体装置の左右方向及び前後
方向は限定されるものではない。図5(a)〜(d)は
従来の高周波電力用半導体装置を示しており、(a)は
平面図、(b)は(a)におけるV−V線の断面図、
(c)は正面図、(d)は裏面図である。
【0008】図5(a)〜(d)に示すように、リード
フレームから切り離された支持金属板100の上に図示
しない高周波電力用の半導体チップがダイボンディング
され、支持金属板100及び半導体チップは、同じくリ
ードフレームから切り離された外部リード101と共に
扁平な直方体状の樹脂パッケージ102にモールドされ
ている。図示は省略しているが、半導体チップの信号用
電極はボンディングワイヤー等により外部リード101
と電気的に接続されている。この場合、外部リード10
1は樹脂パッケージ102の互いに対向する一対の側面
から外部に突出している。
【0009】支持金属板100は、幅寸法が大きい中央
部100aと、該中央部100aの前後両側に位置する
幅寸法が小さい側部100bとからなる。支持金属板1
00の各側部100bには樹脂パッケージ102の底面
に対してU字状に上側へ突出する突出部100cが形成
されており、該突出部100cの裏面側に形成される樹
脂収納用凹部100dには樹脂パッケージ102の樹脂
が充填されている。
【0010】このように、支持金属板100の樹脂収納
用凹部100dに樹脂パッケージ102の樹脂が充填さ
れているため、支持金属板100に強い引張り力又は外
部圧力が加わった場合に、支持金属板100が樹脂パッ
ケージ102から離脱する事態が防止される。
【0011】支持金属板100の中央部100aの裏面
及び各側部100bの端部側の裏面は樹脂パッケージ1
02から露出している。このように、支持金属板100
がその裏面において樹脂パッケージ102から露出して
いるため、従来の半導体装置を高周波で使う場合、支持
金属板100の裏面で接地電位に接続することができる
ので、インダクタンスの低減の防止が図られている。
【0012】樹脂パッケージ102における前部及び後
部の各中央には直方体状の切り欠き部103がそれぞれ
形成されており、支持金属板100の各側部100bの
表面は樹脂パッケージ102の切り欠き部103に露出
することにより半田付け部104となっている。このた
め、樹脂パッケージ102の前後両端部においても、半
田付け部104を利用して接地電位に接続することがで
きる。
【0013】支持金属板100は樹脂パッケージ102
の前後の各側面から突出しておらず、支持金属板100
の前後の両側面と樹脂パッケージ102の前後の両側面
とは面一であって、樹脂パッケージの小型化が図られて
いる。
【0014】図6及び図7は、図5に示した従来の半導
体装置を移動体通信の端末機器に搭載した状態の半導体
装置セットを示しており、図6はプリント基板に実装し
た斜視図、図7は図6におけるVII−VII線の断面図であ
る。
【0015】図6及び図7に示すように、樹脂パッケー
ジ102は、表面にリードパターン110a及び接地パ
ターン110bが形成されたプリント基板110の上に
載置された後、リードパターン110aと外部リード1
01、接地パターン110bと支持金属板100の半田
付け部104及び島状に露出した裏面とは半田111に
よりそれぞれ接合されている。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記従来の
半導体装置においては、支持金属板100が樹脂モール
ド102から離脱する事態は回避されるが、支持金属板
100をプリント基板110の接地パターン110bに
確実に接合することができないと言う新たな問題が発生
する。以下、この理由について図7を参照しながら説明
する。
【0017】支持金属板100をプリント基板110の
接地パターン110bに半田付けする工程は、接地パタ
ーン110bにおける支持金属板100を接合する領域
に半田を塗布した後、塗布された半田の上に半導体装置
を載置し、その後、半田付け部104にも半田を塗布す
る。次に、プリント基板110の上に載置された状態の
半導体装置をオーブン内に収納して加熱すると、オーブ
ン内の熱は支持金属板100の半田付け部104から中
央部100aに向かって伝わりながら、半田付け部10
4及び接地パターン110bの上に塗布された半田11
1を濡れ状態にさせる。
【0018】ところが、支持金属板100の樹脂収納用
凹部100dに樹脂パッケージ102の樹脂が充填され
ており、該樹脂が支持金属板100の突出部100cの
近傍の熱を奪うため、支持金属板100における半田付
け部104の温度と中央部100aの温度とが異なる。
従って、接地パターン110bの上に塗布された半田1
11の濡れ状態が不均一になる。つまり、半田111に
おける支持金属板100の側部100bの下側部分では
十分に濡れているにも拘わらず、半田111における支
持金属板100の中央部100aの下側部分では十分に
濡れていないことがある。
【0019】また、半田111における支持金属板10
0の側部100bの下側部分の濡れ状態は、半田付け部
104の上に塗布された半田111と同じ程度であるた
め、半田付け部104の上の半田111の濡れ状態を観
測することにより確認できるが、半田111における支
持金属板100の中央部100aの下側部分の濡れ状態
は観測することはできないので、半田111における支
持金属板100の中央部100aの下側部分における接
合が不十分になる恐れがある。
【0020】さらに、半田111における樹脂収納用凹
部100dに充填された樹脂の下側部分では半田は濡れ
状態になるのが遅れるため、半田111は先に濡れ状態
になっている支持金属板100の側部100bの下側の
方に引き寄せられるので、半田111における樹脂収納
用凹部100dに充填された樹脂の下側部分では、半田
111が途絶える領域が発生する。
【0021】尚、接地パターン110bは、通常極めて
薄く熱の伝達量が少ないので、半田111を濡れ状態に
するためには殆ど寄与しない。
【0022】以上説明したような支持金属板100と接
地パターン110bとの間の不十分な接合状態は、最終
の出荷検査でもチェックできないので、支持金属板10
0と接地パターン110bとの間における熱抵抗が増加
して、プリント基板に実装されている高周波電力用半導
体装置の長期信頼性が低下するという問題がある。
【0023】前記に鑑み、本発明は、高周波電力用の半
導体装置において、支持金属板が樹脂モールドから離脱
する事態の防止と、支持金属板とプリント基板の接地パ
ターンとの間の確実な接合との両立を図り、数GHzで
動作する小型の高周波電力用半導体装置を提供すること
を目的とする。
【0024】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明は、支持金属板における外部リードが突出し
ている方の側部に、支持金属板の樹脂パッケージからの
離脱を阻止する離脱阻止部を設ける一方、支持金属板の
裏面における外部リードが突出していない方の互いに対
向する一対の側辺に架けて連続して樹脂パッケージから
露出する露出部を設けることにより、支持金属板の樹脂
モールドからの離脱の防止と、支持金属板とプリント基
板の接地パターンとの間の確実な接合との両立を図るも
のである。
【0025】具体的には、本発明に係る高周波電力用半
導体装置は、高周波電力用の半導体チップと、表面に半
導体チップがダイボンディングされている支持金属板
と、支持金属板を周囲からはみ出させることなく且つ支
持金属板の裏面を露出させた状態で半導体チップ及び支
持金属板をモールドしている直方体状の樹脂パッケージ
と、樹脂パッケージの互いに対向する一対の側面からそ
れぞれ外部に突出するように設けられ半導体チップの信
号用電極と電気的に接続されている外部リードとを備
え、接地パターンを有するプリント基板上に実装される
高周波電力用半導体装置を対象とし、支持金属板におけ
る外部リードが突出している方の側部に設けられ、支持
金属板の樹脂パッケージからの離脱を阻止する離脱阻止
部と、樹脂パッケージにおける外部リードが突出してい
ない方の一対の側縁部が切り欠かれることにより露出し
た支持金属板の表面における互いに対向する一対の側縁
部に設けられ、プリント基板の接地パターンと半田付け
される半田付け部と、支持金属板の裏面に設けられ、該
裏面における外部リードが突出していない方の互いに対
向する一対の側辺に架けて連続して樹脂パッケージから
露出する露出部とを備え、露出部と半田付け部とは支持
金属板の側面を介して連続して樹脂パッケージから露出
している。
【0026】本発明の高周波電力用半導体装置による
と、支持金属板における外部リードが突出している方の
側部に、支持金属板の樹脂パッケージからの離脱を阻止
する離脱阻止部が設けられているため、支持金属板に強
い引張り力又は外部圧力が加わった場合でも、支持金属
板が樹脂パッケージから離脱する事態が防止される。
【0027】また、支持金属板の裏面における外部リー
ドが突出していない方の互いに対向する一対の側辺に架
けて連続して樹脂パッケージから露出する露出部を備え
ており、該露出部と支持金属板の表面の半田付け部とは
支持金属板の側面を介して連続して樹脂パッケージから
露出しているため、オーブン内の熱は、樹脂パッケージ
に奪われることなく支持金属板の全面に亘ってスムーズ
に伝わるので、支持金属板の半田付け部及びプリント基
板の接地パターンの上に塗布された半田は均一に濡れ状
態になる。
【0028】本発明の高周波電力用半導体装置におい
て、離脱阻止部は、樹脂パッケージの内部において屈曲
する屈曲部よりなることが好ましい。
【0029】また、本発明の高周波電力用半導体装置に
おいて、離脱阻止部は、支持金属板の側面に形成され、
支持金属板の裏面側から表面側に向かうにつれて側方へ
傾斜する傾斜面よりなることが好ましい。
【0030】また、本発明の高周波電力用半導体装置に
おいて、半田との親和性に優れた材料よりなり、支持金
属板における樹脂パッケージから露出している部分を覆
うように設けられた被覆材をさらに備えているが好まし
い。
【0031】
【発明の実施の形態】以下、本発明の各実施形態に係る
半導体装置について図面を参照しながら説明する。尚、
従来の技術の説明と同様に、以下の説明においても、便
宜上、図面の左右方向を半導体装置の左右方向と称し、
図面の上下方向を半導体装置の前後方向と称するが、半
導体装置の左右方向及び前後方向は限定されるものでは
ない。
【0032】(第1の実施形態)以下、本発明の第1の
実施形態に係る半導体装置について、図1を参照しなが
ら説明する。
【0033】図1(a)〜(d)は、第1の実施形態に
係る半導体装置を示しており、図1(a)は平面図、図
1(b)は図1(a)におけるI−I線の断面図、図1
(c)は正面図、図1(d)は裏面図である。
【0034】図1(a)〜(d)に示すように、リード
フレームから切り離された支持金属板10の上に、図示
しない高周波電力用の半導体チップがダイボンディング
され、支持金属板10及び半導体チップは、同じくリー
ドフレームから切り離された外部リード11と共に扁平
な直方体状の樹脂パッケージ12にモールドされてい
る。図示は省略しているが、半導体チップの信号用電極
はボンディングワイヤ等により外部リード11と電気的
に接続されている。
【0035】第1の実施形態の特徴として、外部リード
11は樹脂パッケージ12の左右の両側面からそれぞれ
外部に突出していると共に、支持金属板10は樹脂パッ
ケージ12の裏面に露出している。また、支持金属板1
0は樹脂パッケージ12の前後の両側面から突出してお
らず、支持金属板10の前後の両側面と樹脂パッケージ
12の前後の両側面とは面一である。このため、支持金
属板10が前後に突出する突出部の突出量だけ樹脂パッ
ケージ12のサイズが実質的に拡大する事態が回避され
る。
【0036】また、樹脂パッケージ12における前部及
び後部の各中央には直方体状の切り欠き部12aがそれ
ぞれ形成されており、支持金属板10の表面における前
後の各中央部は樹脂パッケージ12の切り欠き部12a
に露出することにより半田付け部10aとなっている。
【0037】また、支持金属板10は、支持金属板10
の裏面における外部リード11が設けられていない方の
互いに対向する一対の側辺(支持金属板10の裏面の前
後の両側辺)に架けて連続して露出する露出部10bを
有しており、該露出部10bと半田付け部10aとは支
持金属板10の前後の側面10cを介して連続して樹脂
パッケージ12から露出している。
【0038】また、支持金属板10における外部リード
11が設けられている方の互いに対向する一対の側部
(支持金属板10の左右の両側部)の各中央部には、上
方へ延びた後に左右方向に屈折して延びる屈曲部10d
がそれぞれ設けられており、各屈曲部10dは樹脂パッ
ケージ12の内部に入り込んでいる。このため、支持金
属板10に強い引張り力又は外部圧力が加わった場合
に、支持金属板10が樹脂パッケージ12から離脱する
事態が防止される。尚、第1の実施形態においては、屈
曲部10dはL字状の断面を有しているが、屈曲部10
dの断面形状については適宜変更可能である。
【0039】図3及び図4は、第1の実施形態に係る高
周波電力用半導体装置が移動体通信の端末機器のプリン
ト基板15に搭載されてなる半導体装置セットを示して
おり、図4は図3におけるIV−IV線の断面図である。
【0040】図3及び図4に示すように、樹脂パッケー
ジ12は、表面にリードパターン15a及び接地パター
ン15bが形成されたプリント基板15の上に載置され
た後、リードパターン15aと外部リード11、接地パ
ターン15bと支持金属板10の半田付け部10aとは
半田16によりそれぞれ接合されている。
【0041】第1の実施形態の特徴として、支持金属板
10の前後両側面には、半田、銀又はニッケル等よりな
る半田16との親和性に優れた金属がメッキされてい
る。このように半田との親和性に優れた金属のメッキを
施す理由は次の通りである。すなわち、リードフレーム
は、通常、鉄系の金属例えばクロム−鉄合金により構成
されており半田が付着し難いので、半田の付着性を上げ
るために銀又はニッケル等の金属がメッキされている。
ところが、支持金属板10の前後両側面はリードフレー
ムから切り離されることにより鉄系の金属が露出するの
で、半田が付着し難くなる。そこで、支持金属板10の
前後両側面に半田との親和性に優れた金属をメッキして
半田の付着性を向上させている。これにより、支持金属
板10における樹脂パッケージ12から露出している部
分は全て半田との親和性に優れた金属よりなるメッキ層
(被覆材)により覆われている。このため、支持金属板
10と接地パターン15bとの接合性が向上する。
【0042】また、支持金属板10が、その裏面におけ
る外部リード11が設けられていない方の互いに対向す
る一対の側辺に架けて連続して露出する露出部10bを
有し、該露出部10bと半田付け部10aとは支持金属
板10の前後の側面10cを介して連続して樹脂パッケ
ージ12から露出しているため、支持金属板10の半田
付け部10a、前後の側面10c及び露出部10bが連
続して半田によりプリント基板15の接地パターン15
bに確実に接合された状態で、支持金属板10ひいては
高周波電力用半導体装置はプリント基板15に固定され
る。すなわち、従来の技術の項で説明したように、プリ
ント基板15の上に載置された状態の半導体装置をオー
ブン内に収納して加熱すると、オーブン内の熱は支持金
属板10の半田付け部10aから中央部側に向かって伝
わりながら、半田付け部10a及び接地パターン15b
の上に塗布された半田16を濡れ状態にさせるが、支持
金属板10の半田付け部10a、前後の側面10c及び
露出部10bは、連続して樹脂パッケージ12から露出
しているため、オーブン内の熱は、樹脂パッケージ12
に奪われることなく支持金属板10の全面に亘ってスム
ーズに伝わる。このため、半田付け部10a及び接地パ
ターン15bの上に塗布された半田16は均一に濡れ状
態になるので、支持金属板10はプリント基板15の接
地パターン15bに確実に固定される。
【0043】また、第1の実施形態においては、支持金
属板10における樹脂パッケージ12から露出している
部分は全て半田との親和性に優れた金属よりなるメッキ
層により覆われているため、半田付け部10aの上に塗
布された半田及び接地パターン15bの上に塗布された
半田は濡れ状態でスムーズに拡がるので、支持金属板1
0の裏面側における接地パターン15bとの接合はより
一層確実になる。
【0044】また、支持金属板10の半田付け部10a
及び露出部10bとプリント基板15の接地パターン1
5bとは同時に半田16により接合されているため、半
田16が半田付け部10aに盛り上がった形状を目視検
査又はテレビカメラ等によって確認するだけで、支持金
属板10の裏面の半田16の状態も等価的に把握するこ
とができる。
【0045】以上のような効果が加わって、プリント基
板15上に高周波電力用半導体装置が実装されてなる半
導体装置セットの信頼性が向上すると共に生産性及び歩
留まりが向上する。
【0046】さらに、支持金属板10の半田付け部10
aが樹脂パッケージ12の切り欠き部12aに露出して
いるため、第1の実施形態に係る半導体装置に対して高
周波検査を行なう際、支持金属板10の半田付け部10
aを接地電極に対して押圧することができるので、支持
金属板10の電位を接地電位と確実に同電位にすること
ができる。
【0047】(第2の実施形態)以下、本発明の第2の
実施形態に係る半導体装置について、図2を参照しなが
ら説明する。図2(a)〜(d)は、第2の実施形態に
係る半導体装置を示しており、図2(a)は平面図、図
2(b)は図2(a)におけるII−II線の断面図、図2
(c)は正面図、図2(d)は裏面図である。
【0048】図2(a)〜(d)に示すように、第1の
実施形態と同様、リードフレームから切り離された支持
金属板20の上に、図示しない高周波電力用の半導体チ
ップがダイボンディングされ、支持金属板20及び半導
体チップは、同じくリードフレームから切り離された外
部リード11と共に扁平な直方体状の樹脂パッケージ1
2にモールドされている。図示は省略しているが、半導
体チップの信号用電極はボンディングワイヤ等により外
部リード11と電気的に接続されている。
【0049】また、第1の実施形態と同様、外部リード
11は樹脂パッケージ12の左右の両側面からそれぞれ
外部に突出していると共に、支持金属板20は樹脂パッ
ケージ12の裏面に露出している。また、支持金属板2
0は樹脂パッケージ12の前後の両側面から突出してお
らず、支持金属板20の前後の両側面と樹脂パッケージ
12の前後の両側面とは面一である。
【0050】また、樹脂パッケージ12における前部及
び後部の各中央には直方体状の切り欠き部12aがそれ
ぞれ形成されており、支持金属板20の表面における前
後の各中央部は樹脂パッケージ12の切り欠き部12a
に露出することにより半田付け部20aとなっている。
【0051】また、支持金属板20は、支持金属板20
の裏面における外部リード11が設けられていない方の
互いに対向する一対の側辺に架けて連続して露出する露
出部20bを有しており、該露出部20bと半田付け部
20aとは支持金属板20の前後の側面20cを介して
連続して樹脂パッケージ12から露出している。
【0052】第2の実施形態の特徴として、図2(c)
に示すように、支持金属板20における外部リード11
が設けられている方の互いに対向する一対の側部(支持
金属板20の左右の側部)には、裏面側から表面側に向
かうにつれて側方へ傾斜する傾斜面20dが設けられて
おり、支持金属板20における表面側の幅L2 は裏面側
の幅L1 よりも大きい。このため、支持金属板20と樹
脂パッケージ12との接合強度の向上が図られており、
支持金属板20に強い引張り力又は外部圧力が加わった
場合に、支持金属板20が樹脂パッケージ12から離脱
する事態が防止される。
【0053】また、支持金属板20の半田付け部20
a、前後の側面20c及び露出部20bは連続して樹脂
パッケージ12から露出していると共に、支持金属板2
0における樹脂パッケージ12から露出する部分には、
半田、銀又はニッケル等よりなる半田との親和性に優れ
た金属がメッキされている。このため、半田付け部20
a及びプリント基板の接地パターンの上に塗布された半
田は濡れ状態でスムーズに拡がるので、支持金属板20
と接地パターンとの接合は極めて確実になる。
【0054】
【発明の効果】本発明の高周波電力用半導体装置による
と、支持金属板における外部リードが突出している方の
側部に離脱阻止部が設けられているため、支持金属板に
強い引張り力又は外部圧力が加わった場合でも、支持金
属板が樹脂パッケージから離脱する事態が防止される。
【0055】また、支持金属板における互いに対向する
一対の半田付け部、側面及び露出部が連続して樹脂パッ
ケージから露出しているため、オーブン内の熱は、樹脂
パッケージに奪われることなく支持金属板の全面に亘っ
てスムーズに伝わり、支持金属板の半田付け部及びプリ
ント基板の接地パターンの上に塗布された半田は均一に
濡れ状態になるので、支持金属板はプリント基板の接地
パターンに確実に固定される。また、半田が半田付け部
に盛り上がった形状を確認するだけで、支持金属板の裏
面の半田の状態を等価的に把握することができる。
【0056】従って、本発明によると、高周波電力用半
導体装置において、支持金属板が樹脂モールドから離脱
する事態の防止と、支持金属板とプリント基板の接地パ
ターンとの間の確実な接合との両立を図ることができる
ので、数GHzで動作する小型の高周波電力用半導体装
置の信頼性、生産性及び歩留まりを向上させることがで
きる。
【0057】本発明の高周波電力用半導体装置におい
て、離脱阻止部が樹脂パッケージの内部において屈曲す
る屈曲部よりなると、支持金属板に引張り力又は外部圧
力が加わった場合に、屈曲部が樹脂パッケージに係止さ
れるので、支持金属板が樹脂パッケージから離脱する事
態を確実に防止することができる。
【0058】本発明の高周波電力用半導体装置におい
て、離脱阻止部が、支持金属板の側面に形成され、支持
金属板の裏面側から表面側に向かうにつれて側方へ傾斜
する傾斜面よりなると、支持金属板に引張り力又は外部
圧力が加わった場合に、逆テーパ状の傾斜面が樹脂パッ
ケージに係止されるので、支持金属板が樹脂パッケージ
から離脱する事態を確実に防止することができる。
【0059】本発明の高周波電力用半導体装置が、半田
との親和性に優れた材料よりなり、支持金属板における
樹脂パッケージから露出している部分を覆う被覆材を備
えていると、支持金属板の半田付け部及びプリント基板
の接地パターンの上に塗布された半田は濡れ状態でスム
ーズに拡がるので、支持金属板の裏面と接地パターンと
の接合はより一層確実になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)〜(d)は本発明の第1の実施形態に係
る高周波電力用半導体装置を示し、(a)は平面図、
(b)は(a)におけるI−I線の断面図、(c)は正
面図、(d)は裏面図である。
【図2】(a)〜(d)本発明の第2の実施形態に係る
高周波電力用半導体装置を示し、(a)は平面図、
(b)は(a)におけるII−II線の断面図、(c)は正
面図、(d)は裏面図である。
【図3】本発明の第1の実施形態に係る高周波電力用半
導体装置がプリント基板に実装された状態を示す斜視図
である。
【図4】 本発明の第1の実施形態に係る高周波電力用
半導体装置がプリント基板に実装された状態を示す、図
3におけるVI−VI線の断面図である。
【図5】(a)〜(d)は従来の高周波電力用半導体装
置を示し、(a)は平面図、(b)は(a)におけるV
−V線の断面図、(c)は正面図、(d)は裏面図であ
る。
【図6】従来の高周波電力用半導体装置がプリント基板
に実装された状態を示す斜視図である。
【図7】従来の高周波電力用半導体装置がプリント基板
に実装された状態を示す、図6におけるVII −VII 線の
断面図である。
【符号の説明】
10 支持金属板 10a 半田付け部 10b 露出部 10c 前後の側面 10d 屈曲部 11 外部リード 12 樹脂パッケージ 12a 切り欠き部 15 プリント基板 15a リードパターン 15b 接地パターン 16 半田 20 支持金属板 20a 半田付け部 20b 露出部 20c 前後の側面 20d 傾斜面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 順治 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 西嶋 将明 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 山本 真司 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 藤原 俊夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 村松 薫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭54−124678(JP,A) 特開 平6−112398(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 23/50 H01L 23/12 301 H01L 23/28

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 高周波電力用の半導体チップと、表面に
    前記半導体チップがダイボンディングされている支持金
    属板と、前記支持金属板を周囲からはみ出させることな
    く且つ前記支持金属板の裏面を露出させた状態で前記半
    導体チップ及び支持金属板をモールドしている直方体状
    の樹脂パッケージと、該樹脂パッケージの互いに対向す
    る一対の側面からそれぞれ外部に突出するように設けら
    れ前記半導体チップの信号用電極と電気的に接続されて
    いる外部リードとを備え、接地パターンを有するプリン
    ト基板上に実装される高周波電力用半導体装置におい
    て、 前記支持金属板における前記外部リードが突出している
    方の側部に設けられ、前記支持金属板の前記樹脂パッケ
    ージからの離脱を阻止する離脱阻止部と、 前記樹脂パッケージにおける前記外部リードが突出して
    いない方の一対の側縁部が切り欠かれることにより露出
    した前記支持金属板の表面における互いに対向する一対
    の側縁部に設けられ、前記プリント基板の接地パターン
    と半田付けされる半田付け部と、 前記支持金属板の裏面に設けられ、該裏面における前記
    外部リードが突出していない方の互いに対向する一対の
    側辺に架けて連続して前記樹脂パッケージから露出する
    露出部とを備え、 前記露出部と前記半田付け部とは前記支持金属板の側面
    を介して連続して前記樹脂パッケージから露出している
    ことを特徴とする高周波電力用半導体装置。
  2. 【請求項2】 前記離脱阻止部は、前記樹脂パッケージ
    の内部において屈曲する屈曲部よりなることを特徴とす
    る請求項1に記載の高周波電力用半導体装置。
  3. 【請求項3】 前記離脱阻止部は、前記支持金属板の側
    面に形成され、前記支持金属板の裏面側から表面側に向
    かうにつれて側方へ傾斜する傾斜面よりなることを特徴
    とする請求項1に記載の高周波電力用半導体装置。
  4. 【請求項4】 半田との親和性に優れた材料よりなり、
    前記支持金属板における前記樹脂パッケージから露出し
    ている部分を覆うように設けられた被覆材をさらに備え
    ていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に
    記載の高周波電力用半導体装置。
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