JP2888085B2 - 吸・放熱ユニット - Google Patents
吸・放熱ユニットInfo
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- 230000005855 radiation Effects 0.000 title description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子冷却素子の吸熱効
率を向上するようにした吸・放熱ユニットに関する。
率を向上するようにした吸・放熱ユニットに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の吸・放熱ユニットを図３について
説明する。同図において、１は２個の吸・放熱用フイ
ン、２はフイン１の一面に塗布された熱伝導性シリコ
ン、３は２枚のセラミックス板、４はセラミックス板３
上に形成された銅薄パターン、５は両側のパターン４に
両面を接着され，Ｐ，Ｎ，Ｐ，Ｎ，…の順に配設された
電子冷却素子のチップ、６は両端のパターン４に両端が
接続された直流電源である。
説明する。同図において、１は２個の吸・放熱用フイ
ン、２はフイン１の一面に塗布された熱伝導性シリコ
ン、３は２枚のセラミックス板、４はセラミックス板３
上に形成された銅薄パターン、５は両側のパターン４に
両面を接着され，Ｐ，Ｎ，Ｐ，Ｎ，…の順に配設された
電子冷却素子のチップ、６は両端のパターン４に両端が
接続された直流電源である。
【０００３】そして、この吸・放熱ユニットの熱抵抗Ｒ
は次式で表され、熱抵抗Ｒの等価回路は図４に示す通り
である。
は次式で表され、熱抵抗Ｒの等価回路は図４に示す通り
である。
【０００４】Ｒ＝Ｒａ＋２Ｒｂ＋２Ｒｃ＋２Ｒｄ ここで、Ｒａ：チップ５の固有の熱抵抗 Ｒｂ：銅薄パターン４の熱抵抗 Ｒｃ：セラミックス板３の熱抵抗 Ｒｄ：熱伝導性シリコン２の熱抵抗 である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の前記吸・放熱ユ
ニットは、吸熱した熱量を放熱させるために、図４に示
す７個の直列の熱抵抗の損失を生じ、特に熱伝導性シリ
コン２の熱抵抗Ｒｄは、組立上のフイン１との密着度に
大きく左右され、また、セラミックス板３の熱抵抗Ｒｃ
は、温度による反りに左右され、吸熱効率が悪い上、性
能が不安定であるという問題点がある。
ニットは、吸熱した熱量を放熱させるために、図４に示
す７個の直列の熱抵抗の損失を生じ、特に熱伝導性シリ
コン２の熱抵抗Ｒｄは、組立上のフイン１との密着度に
大きく左右され、また、セラミックス板３の熱抵抗Ｒｃ
は、温度による反りに左右され、吸熱効率が悪い上、性
能が不安定であるという問題点がある。
【０００６】本発明は、前記の点に留意し、吸熱効率を
向上するとともに性能の安定をはかった吸・放熱ユニッ
トを提供することを目的とする。
向上するとともに性能の安定をはかった吸・放熱ユニッ
トを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明の吸・放熱ユニットは、２個の吸・放熱用フ
インの，電子冷却素子のチップ側の面に絶縁被膜を形成
するとともに、前記両被膜上に銅薄パターンを形成し、
前記両パターンに前記チップの両面を接着したものであ
る。
に、本発明の吸・放熱ユニットは、２個の吸・放熱用フ
インの，電子冷却素子のチップ側の面に絶縁被膜を形成
するとともに、前記両被膜上に銅薄パターンを形成し、
前記両パターンに前記チップの両面を接着したものであ
る。
【０００８】
【作用】前記のように構成された本発明の吸・放熱ユニ
ットは、吸・放熱用フインに絶縁被膜が形成され、その
被膜上に銅薄パターンが形成され、両側のパターンに電
子冷却素子のチップが接着されているため、被膜の熱抵
抗は微少で無視でき、ユニットの熱抵抗はチップの固有
の熱抵抗と、銅薄パターンの熱抵抗のみとなり、熱抵抗
による損失が激減し、吸熱効率が向上し且つ、組立上の
密着度が良好で、従来のように温度により反りの生ずる
セラミックス板を使用していなく、性能が安定する。
ットは、吸・放熱用フインに絶縁被膜が形成され、その
被膜上に銅薄パターンが形成され、両側のパターンに電
子冷却素子のチップが接着されているため、被膜の熱抵
抗は微少で無視でき、ユニットの熱抵抗はチップの固有
の熱抵抗と、銅薄パターンの熱抵抗のみとなり、熱抵抗
による損失が激減し、吸熱効率が向上し且つ、組立上の
密着度が良好で、従来のように温度により反りの生ずる
セラミックス板を使用していなく、性能が安定する。
【０００９】
【実施例】１実施例について図１及び図２を参照して説
明する。それらの図において図３及び図４と同一符号は
同一もしくは相当するものを示し、異なる点はつぎの通
りである。
明する。それらの図において図３及び図４と同一符号は
同一もしくは相当するものを示し、異なる点はつぎの通
りである。
【００１０】両吸・放熱用フイン１の全面にアルマイト
処理などの絶縁性のコーティング処理が施され、フイン
１の少なくとも電子冷却素子のチップ５側の面に、絶縁
被膜が形成され、その被膜上にシルク印刷などにより銅
薄パターン４が形成され、両パターン４にチップ５がサ
ンドイッチ状に挟まれ、はんだ加工されている。
処理などの絶縁性のコーティング処理が施され、フイン
１の少なくとも電子冷却素子のチップ５側の面に、絶縁
被膜が形成され、その被膜上にシルク印刷などにより銅
薄パターン４が形成され、両パターン４にチップ５がサ
ンドイッチ状に挟まれ、はんだ加工されている。
【００１１】従って、ユニットの熱抵抗Ｒは、絶縁被膜
の抵抗が微少で無視されるため、 Ｒ＝Ｒａ＋２Ｒｂ となり、全体の熱抵抗が激減し、吸熱効率が向上し、実
験の結果、約６０％アップした。
の抵抗が微少で無視されるため、 Ｒ＝Ｒａ＋２Ｒｂ となり、全体の熱抵抗が激減し、吸熱効率が向上し、実
験の結果、約６０％アップした。
【００１２】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、以下に記載する効果を奏する。
ているので、以下に記載する効果を奏する。
【００１３】本発明の吸・放熱ユニットは、吸・放熱用
フィン１に絶縁被膜が形成され、その被膜上に銅薄パタ
ーン４が形成され、両側のパターン４に電子冷却素子の
チップ５が接着されているため、被膜の熱抵抗が微少で
無視され（絶縁被膜処理がされているフィンとされてい
ないフィンの温度比較をしたところ、いずれも同一温度
〈−１８．７℃〉であった。）、ユニットの熱抵抗は、
チップの固有の熱抵抗と、銅薄パターンの熱抵抗のみと
なり、全体の熱抵抗を激減することができ、吸熱効率が
向上し、かつ、組立上の密着度が良好で、従来のように
温度により反りの生ずるセラミックス板を使用していな
く、性能を安定にすることができる。上記効果を具体的
な数値によって明示する。従来例として、特開昭６３−
１０８４号公報に示されたものをあげると、ヒートコン
ダクタ間の熱抵抗は、 Ra＋14.84 （cm 2 ・ sec ・ ℃／cal） となる。ここで、Raは、N型半導体、P型半導体の熱抵抗
である。 ところが、本願のものでは、吸・放熱用フィン
１，１間の熱抵抗は、 Ra＋39.0×１０ -4 （cm 2 ・ sec ・ ℃／cal） となる。ここで、 Raは電子冷却素子チップの熱抵抗で
ある。 これからみても、本願のものの熱抵抗が激減して
いることがわかる。
フィン１に絶縁被膜が形成され、その被膜上に銅薄パタ
ーン４が形成され、両側のパターン４に電子冷却素子の
チップ５が接着されているため、被膜の熱抵抗が微少で
無視され（絶縁被膜処理がされているフィンとされてい
ないフィンの温度比較をしたところ、いずれも同一温度
〈−１８．７℃〉であった。）、ユニットの熱抵抗は、
チップの固有の熱抵抗と、銅薄パターンの熱抵抗のみと
なり、全体の熱抵抗を激減することができ、吸熱効率が
向上し、かつ、組立上の密着度が良好で、従来のように
温度により反りの生ずるセラミックス板を使用していな
く、性能を安定にすることができる。上記効果を具体的
な数値によって明示する。従来例として、特開昭６３−
１０８４号公報に示されたものをあげると、ヒートコン
ダクタ間の熱抵抗は、 Ra＋14.84 （cm 2 ・ sec ・ ℃／cal） となる。ここで、Raは、N型半導体、P型半導体の熱抵抗
である。 ところが、本願のものでは、吸・放熱用フィン
１，１間の熱抵抗は、 Ra＋39.0×１０ -4 （cm 2 ・ sec ・ ℃／cal） となる。ここで、 Raは電子冷却素子チップの熱抵抗で
ある。 これからみても、本願のものの熱抵抗が激減して
いることがわかる。
【図１】本発明の１実施例の正面図である。
【図２】図１の熱抵抗の等価回路である。
【図３】従来例の正面図である。
【図４】図３の熱抵抗の等価回路である。
１ 吸・放熱用フイン ４ 銅薄パターン ５ チップ
Claims (1)
- 【請求項１】 ２個の吸・放熱用フインの，電子冷却素
子のチップ側の面に絶縁被膜を形成するとともに、前記
両被膜上に銅薄パターンを形成し、前記両パターンに前
記チップの両面を接着した吸・放熱ユニット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5077788A JP2888085B2 (ja) | 1993-04-05 | 1993-04-05 | 吸・放熱ユニット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5077788A JP2888085B2 (ja) | 1993-04-05 | 1993-04-05 | 吸・放熱ユニット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06288658A JPH06288658A (ja) | 1994-10-18 |
| JP2888085B2 true JP2888085B2 (ja) | 1999-05-10 |
Family
ID=13643723
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5077788A Expired - Fee Related JP2888085B2 (ja) | 1993-04-05 | 1993-04-05 | 吸・放熱ユニット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2888085B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS631084A (ja) * | 1986-06-20 | 1988-01-06 | Matsushita Refrig Co | 熱電効果素子 |
| JP3400479B2 (ja) * | 1993-02-10 | 2003-04-28 | 松下電工株式会社 | 電子加熱冷却装置 |
-
1993
- 1993-04-05 JP JP5077788A patent/JP2888085B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06288658A (ja) | 1994-10-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |