JP2876930B2 - レーザ溶接の溶接状態および溶接条件管理方法 - Google Patents
レーザ溶接の溶接状態および溶接条件管理方法Info
- Publication number
- JP2876930B2 JP2876930B2 JP5056240A JP5624093A JP2876930B2 JP 2876930 B2 JP2876930 B2 JP 2876930B2 JP 5056240 A JP5056240 A JP 5056240A JP 5624093 A JP5624093 A JP 5624093A JP 2876930 B2 JP2876930 B2 JP 2876930B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- welding
- laser
- optical sensor
- output
- plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Time Recorders, Dirve Recorders, Access Control (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ溶接の溶接状態
および溶接条件を管理する方法に関し、特にレーザ光に
誘起されて発生するプラズマを光センサで監視すること
によって溶接状態および溶接条件を管理する方法に関す
る。
および溶接条件を管理する方法に関し、特にレーザ光に
誘起されて発生するプラズマを光センサで監視すること
によって溶接状態および溶接条件を管理する方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】鋼板等のレーザ溶接において、溶接部の
溶け込み深さ等の溶接状態（溶接品質）を管理するため
に、レーザ光に誘起されて溶接部で発生するプラズマを
光センサで監視する方法がある。
溶け込み深さ等の溶接状態（溶接品質）を管理するため
に、レーザ光に誘起されて溶接部で発生するプラズマを
光センサで監視する方法がある。
【０００３】図１１はその従来の管理方法の一例を示す
図で、互いに重ね合わせた被溶接物Ｗに対しＣＯ2やＹ
ＡＧ等のレーザ発振機１から出力されたレーザ光Ｌをレ
ンズ等の集光光学系２で集光した上で照射し、被溶接物
Ｗとレーザ光Ｌとを所定速度で相対移動させながら溶接
を行う一方、被溶接物Ｗの上方にはその溶接部Ｂを指向
するフォトトランジスタ等の光センサ５１を配置し、レ
ーザ光Ｌに誘起されて溶接部Ｂで発生するプラズマＰの
強度を光センサ５１で監視するものである。なお、前記
光センサ５１の検出出力は信号処理装置５２で処理され
て、予め設定された基準値と比較されることにより溶接
部Ｂの溶け込み深さについて適否判定がなされる。
図で、互いに重ね合わせた被溶接物Ｗに対しＣＯ2やＹ
ＡＧ等のレーザ発振機１から出力されたレーザ光Ｌをレ
ンズ等の集光光学系２で集光した上で照射し、被溶接物
Ｗとレーザ光Ｌとを所定速度で相対移動させながら溶接
を行う一方、被溶接物Ｗの上方にはその溶接部Ｂを指向
するフォトトランジスタ等の光センサ５１を配置し、レ
ーザ光Ｌに誘起されて溶接部Ｂで発生するプラズマＰの
強度を光センサ５１で監視するものである。なお、前記
光センサ５１の検出出力は信号処理装置５２で処理され
て、予め設定された基準値と比較されることにより溶接
部Ｂの溶け込み深さについて適否判定がなされる。
【０００４】また、前記レーザ誘起プラズマＰは母材が
蒸発・電離することにより発生するもので、レーザ光Ｌ
をよく吸収する性質を有している。そして、図１０に示
すように、溶接部ＢのキーホールＨ内の比較的密度の高
いプラズマＰ1は上記のようにレーザ光Ｌを吸収するこ
とで溶け込み深さの増大化に貢献するものの、溶接部Ｂ
の上方に比較的密度の低いプラズマＰ2が多量に浮遊し
ているとこれが先にレーザ光Ｌを吸収して溶接部Ｂでの
実効溶接エネルギー密度が低下することになるため、通
常は図１０に示すようにノズル３から溶接部Ｂに向けて
ヘリウムやアルゴン等の不活性ガスＧを斜めに吹き付け
て、前述した比較的低密度のプラズマＰ2を排除するよ
うにしている。
蒸発・電離することにより発生するもので、レーザ光Ｌ
をよく吸収する性質を有している。そして、図１０に示
すように、溶接部ＢのキーホールＨ内の比較的密度の高
いプラズマＰ1は上記のようにレーザ光Ｌを吸収するこ
とで溶け込み深さの増大化に貢献するものの、溶接部Ｂ
の上方に比較的密度の低いプラズマＰ2が多量に浮遊し
ているとこれが先にレーザ光Ｌを吸収して溶接部Ｂでの
実効溶接エネルギー密度が低下することになるため、通
常は図１０に示すようにノズル３から溶接部Ｂに向けて
ヘリウムやアルゴン等の不活性ガスＧを斜めに吹き付け
て、前述した比較的低密度のプラズマＰ2を排除するよ
うにしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の管
理方法においては、被溶接物Ｗの総板厚が比較的大きく
（例えば２ｍｍ以上）、溶け込み深さの設定が被溶接物
Ｗの裏面まで貫通するかしないかのぎりぎりの条件下に
ある場合に、万一その溶け込みが被溶接物Ｗの裏面側ま
で貫通した時には、図１２に示すようにレーザ誘起プラ
ズマＰの一部がその被溶接物Ｗの裏面側からも噴出する
ことになる。その結果、被溶接物Ｗの表面側のレーザ誘
起プラズマＰを監視している光センサ５１の受光量が低
下し、レーザ誘起プラズマＰを媒体とした溶接状態（溶
け込み深さ）の判定を正確に行うことができなくなる。
理方法においては、被溶接物Ｗの総板厚が比較的大きく
（例えば２ｍｍ以上）、溶け込み深さの設定が被溶接物
Ｗの裏面まで貫通するかしないかのぎりぎりの条件下に
ある場合に、万一その溶け込みが被溶接物Ｗの裏面側ま
で貫通した時には、図１２に示すようにレーザ誘起プラ
ズマＰの一部がその被溶接物Ｗの裏面側からも噴出する
ことになる。その結果、被溶接物Ｗの表面側のレーザ誘
起プラズマＰを監視している光センサ５１の受光量が低
下し、レーザ誘起プラズマＰを媒体とした溶接状態（溶
け込み深さ）の判定を正確に行うことができなくなる。
【０００６】また、上記のようにレーザ誘起プラズマＰ
を監視することによって同時にレーザ出力や不活性ガス
流量等の溶接条件を管理しようとする場合に、そのレー
ザ誘起プラズマＰの発光強度は上記の各溶接条件の複合
的な影響を受けることから、図１１に示すように単一の
光センサ５１を用いただけでは各々の溶接条件が適正範
囲にあるかどうか正確に判定することができない。
を監視することによって同時にレーザ出力や不活性ガス
流量等の溶接条件を管理しようとする場合に、そのレー
ザ誘起プラズマＰの発光強度は上記の各溶接条件の複合
的な影響を受けることから、図１１に示すように単一の
光センサ５１を用いただけでは各々の溶接条件が適正範
囲にあるかどうか正確に判定することができない。
【０００７】すなわち、図１１の光センサ５１が受ける
受光量特性は上記の各溶接条件のみならず光センサ５１
の俯角（光センサ５１の指向方向と被溶接物Ｗとのなす
角度）θの影響を受け、しかも各溶接条件ごとに最適と
される俯角θの大きさが異なることから、単一の光セン
サ５１だけでは各溶接条件の適否を的確に判定すること
ができない。
受光量特性は上記の各溶接条件のみならず光センサ５１
の俯角（光センサ５１の指向方向と被溶接物Ｗとのなす
角度）θの影響を受け、しかも各溶接条件ごとに最適と
される俯角θの大きさが異なることから、単一の光セン
サ５１だけでは各溶接条件の適否を的確に判定すること
ができない。
【０００８】これは、図１０に示すように、溶接部Ｂの
キーホールＨ内の高密度で発光強度の大きいプラズマＰ
1と、キーホールＨ上部の比較的低密度で発光強度の小
さいプラズマＰ2の見える度合が図１１の光センサ５１
の俯角θの大きさに応じて異なるためで、キーホールＨ
上部の比較低的密度で発光強度の小さいプラズマＰ2は
不活性ガス流量に大きく影響されるのに対して、キーホ
ールＨ内の高密度で発光強度の大きいプラズマＰ1は不
活性ガス流量にはそれほど影響されないという性質があ
る。
キーホールＨ内の高密度で発光強度の大きいプラズマＰ
1と、キーホールＨ上部の比較的低密度で発光強度の小
さいプラズマＰ2の見える度合が図１１の光センサ５１
の俯角θの大きさに応じて異なるためで、キーホールＨ
上部の比較低的密度で発光強度の小さいプラズマＰ2は
不活性ガス流量に大きく影響されるのに対して、キーホ
ールＨ内の高密度で発光強度の大きいプラズマＰ1は不
活性ガス流量にはそれほど影響されないという性質があ
る。
【０００９】本発明は、以上のような従来の課題に着目
してなされたもので、被溶接物の裏面からのレーザ誘起
プラズマの噴出や、光センサの俯角の違いによる受光量
特性への影響を考慮して、溶接状態や溶接条件を的確に
判定できるようにした方法を提供することを目的とす
る。
してなされたもので、被溶接物の裏面からのレーザ誘起
プラズマの噴出や、光センサの俯角の違いによる受光量
特性への影響を考慮して、溶接状態や溶接条件を的確に
判定できるようにした方法を提供することを目的とす
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本願の請求項１の発明
は、被溶接物にレーザ光を照射して溶接を行うにあた
り、前記レーザ光に誘起されて溶接部位から発生するプ
ラズマを光センサにより監視し、そのレーザ誘起プラズ
マの強度に基づいて溶接状態を管理する方法において、
前記被溶接物の表裏両面側に配置した光センサにより溶
接部位の表裏両面でのレーザ誘起プラズマの発生を個別
に監視し、前記裏面側の光センサの出力値が所定値未満
の場合には、表面側の光センサの出力値を総プラズマ強
度として予め設定した基準値と比較して溶接状態の適否
を判定する一方、前記裏面側の光センサの出力値が所定
値以上の場合には、その裏面側の光センサの出力値に所
定の補正係数を乗じた上で前記表面側の光センサの出力
値に加算して総プラズマ強度を算出し、この総プラズマ
強度と前記基準値とを比較して溶接状態の適否を判定す
ることを特徴としている。
は、被溶接物にレーザ光を照射して溶接を行うにあた
り、前記レーザ光に誘起されて溶接部位から発生するプ
ラズマを光センサにより監視し、そのレーザ誘起プラズ
マの強度に基づいて溶接状態を管理する方法において、
前記被溶接物の表裏両面側に配置した光センサにより溶
接部位の表裏両面でのレーザ誘起プラズマの発生を個別
に監視し、前記裏面側の光センサの出力値が所定値未満
の場合には、表面側の光センサの出力値を総プラズマ強
度として予め設定した基準値と比較して溶接状態の適否
を判定する一方、前記裏面側の光センサの出力値が所定
値以上の場合には、その裏面側の光センサの出力値に所
定の補正係数を乗じた上で前記表面側の光センサの出力
値に加算して総プラズマ強度を算出し、この総プラズマ
強度と前記基準値とを比較して溶接状態の適否を判定す
ることを特徴としている。
【００１１】また、請求項２の発明は、被溶接物にレー
ザ光を照射するとともに溶接部位に不活性ガスを吹き付
けながらレーザ溶接を行うにあたり、前記レーザ光に誘
起されて溶接部位から発生するプラズマを光センサによ
り監視し、そのレーザ誘起プラズマの強度に基づいてレ
ーザ出力や不活性ガス流量等の複数の溶接条件を監理す
る方法において、前記被溶接物の上方から溶接部位を指
向する俯角の異なる複数の光センサによりその溶接部位
でのレーザ誘起プラズマの発生を個別に監視し、前記各
光センサが管理すべき溶接条件の項目を各光センサごと
に予め定めておく一方、前記各溶接条件のデータの変動
とそれに伴う該当する光センサ出力との関係を相関デー
タとして予め規定しておき、溶接中の前記各光センサの
出力を該当する相関データと照合してその各光センサ出
力に対応する溶接条件データを個別に算出し、この算出
された各溶接条件データと予め設定された基準値とを比
較して溶接条件ごとにその適否を判定することを特徴と
している。
ザ光を照射するとともに溶接部位に不活性ガスを吹き付
けながらレーザ溶接を行うにあたり、前記レーザ光に誘
起されて溶接部位から発生するプラズマを光センサによ
り監視し、そのレーザ誘起プラズマの強度に基づいてレ
ーザ出力や不活性ガス流量等の複数の溶接条件を監理す
る方法において、前記被溶接物の上方から溶接部位を指
向する俯角の異なる複数の光センサによりその溶接部位
でのレーザ誘起プラズマの発生を個別に監視し、前記各
光センサが管理すべき溶接条件の項目を各光センサごと
に予め定めておく一方、前記各溶接条件のデータの変動
とそれに伴う該当する光センサ出力との関係を相関デー
タとして予め規定しておき、溶接中の前記各光センサの
出力を該当する相関データと照合してその各光センサ出
力に対応する溶接条件データを個別に算出し、この算出
された各溶接条件データと予め設定された基準値とを比
較して溶接条件ごとにその適否を判定することを特徴と
している。
【００１２】
【作用】請求項１の発明によると、レーザ溶接による溶
け込みが被溶接物の裏面側まで及んでその裏面側にもレ
ーザ誘起プラズマが噴出した時には、裏面側の光センサ
の出力値に所定の補正係数を乗じた上で表面側の光セン
サの出力値に加算して総プラズマ強度を算出することに
より、裏面側のプラズマ噴出量を考慮した溶接状態の適
否判定を行えるようになる。
け込みが被溶接物の裏面側まで及んでその裏面側にもレ
ーザ誘起プラズマが噴出した時には、裏面側の光センサ
の出力値に所定の補正係数を乗じた上で表面側の光セン
サの出力値に加算して総プラズマ強度を算出することに
より、裏面側のプラズマ噴出量を考慮した溶接状態の適
否判定を行えるようになる。
【００１３】また、請求項２の発明によると、管理すべ
き溶接条件ごとに最適とされる俯角をもつ光センサを設
けてレーザ誘起プラズマを監視することにより、各溶接
条件ごとに独立してその適否を判定することができる。
き溶接条件ごとに最適とされる俯角をもつ光センサを設
けてレーザ誘起プラズマを監視することにより、各溶接
条件ごとに独立してその適否を判定することができる。
【００１４】
【実施例】図２は本発明の第１の実施例を示す図で、図
１１と同様にレーザ誘起プラズマＰの監視により溶接状
態（溶け込み深さ）を管理する場合の例を示している。
なお、図１１と共通する部分には同一符号を付してあ
る。
１１と同様にレーザ誘起プラズマＰの監視により溶接状
態（溶け込み深さ）を管理する場合の例を示している。
なお、図１１と共通する部分には同一符号を付してあ
る。
【００１５】図２に示すように、被溶接物Ｗの表面側
（上部）に設けられて溶接部Ｂを指向する光センサ４と
は別に、被溶接物Ｗの裏面側にも溶接部Ｂを指向する光
センサ５を設けた点で従来のものと異なっている。
（上部）に設けられて溶接部Ｂを指向する光センサ４と
は別に、被溶接物Ｗの裏面側にも溶接部Ｂを指向する光
センサ５を設けた点で従来のものと異なっている。
【００１６】前記各光センサ４，５の出力は、信号処理
装置６のアンプ７Ａ，７Ｂでそれぞれ増幅されたのちフ
ィルタ８Ａ，８Ｂで高周波成分のノイズが除去され、さ
らにＡ／Ｄ変換器９Ａ，９ＢでＡ／Ｄ変換されたのちに
コンピュータ１０に取り込まれる。そして、前記各光セ
ンサ４，５の出力と、コンピュータ１０のメモリに予め
記憶設定された基準値とを比較することにより、溶接状
態の適否の判定がなされることになる。
装置６のアンプ７Ａ，７Ｂでそれぞれ増幅されたのちフ
ィルタ８Ａ，８Ｂで高周波成分のノイズが除去され、さ
らにＡ／Ｄ変換器９Ａ，９ＢでＡ／Ｄ変換されたのちに
コンピュータ１０に取り込まれる。そして、前記各光セ
ンサ４，５の出力と、コンピュータ１０のメモリに予め
記憶設定された基準値とを比較することにより、溶接状
態の適否の判定がなされることになる。
【００１７】図３は溶接条件の一つである焦点の位置を
変化させた時の、その焦点位置の変化と各光センサ４，
５の受光量の変化との関係を示したものである。なお、
溶接条件は、レーザ出力２．５ｋＷ、不活性ガスである
アルゴン（Ａｒ）ガス供給量２０リットル／分、溶接速
度２．５ｍ／分である。
変化させた時の、その焦点位置の変化と各光センサ４，
５の受光量の変化との関係を示したものである。なお、
溶接条件は、レーザ出力２．５ｋＷ、不活性ガスである
アルゴン（Ａｒ）ガス供給量２０リットル／分、溶接速
度２．５ｍ／分である。
【００１８】図３に示すように、焦点位置が合焦点位置
付近の−１ｍｍから＋２ｍｍ程度までの範囲では、溶接
部Ｂでの母材の溶け込みが被溶接物Ｗの裏面まで及んで
実質的に貫通していることから、その裏面側へのレーザ
誘起プラズマＰの噴出により裏面側の光センサ５の出力
Ｑ2が大きく、その間は表面側の光センサ４の出力Ｑ1が
相対的に小さくなっていることがわかる。つまり、被溶
接物Ｗの裏面側でレーザ誘起プラズマＰが観察されるよ
うになると、逆に表面側で観察できるレーザ誘起プラズ
マＰの発光強度が低下することを意味している。
付近の−１ｍｍから＋２ｍｍ程度までの範囲では、溶接
部Ｂでの母材の溶け込みが被溶接物Ｗの裏面まで及んで
実質的に貫通していることから、その裏面側へのレーザ
誘起プラズマＰの噴出により裏面側の光センサ５の出力
Ｑ2が大きく、その間は表面側の光センサ４の出力Ｑ1が
相対的に小さくなっていることがわかる。つまり、被溶
接物Ｗの裏面側でレーザ誘起プラズマＰが観察されるよ
うになると、逆に表面側で観察できるレーザ誘起プラズ
マＰの発光強度が低下することを意味している。
【００１９】しかしながら、各光センサ４，５はレーザ
誘起プラズマＰからの距離や観察角度がそれぞれに異な
り、総プラズマ強度Ｑを得るにあたって各光センサ４，
５の出力Ｑ1，Ｑ2を単純に加算しただけでは意味をなさ
ない。そこで、図３の場合と全く同じ条件下で、溶け込
みが裏面側まで貫通しない程度に厚い被溶接物を用い
て、溶け込みが裏面側まで貫通しない場合の表面側の光
センサ４の出力の変化すなわち総プラズマ強度Ｑの変化
を図４のように求めた。そして、図３の各光センサ４，
５の出力特性Ｑ1，Ｑ2の総和が図４の総プラズマ強度特
性Ｑとなるような補正係数Ｚを次式により求めた。
誘起プラズマＰからの距離や観察角度がそれぞれに異な
り、総プラズマ強度Ｑを得るにあたって各光センサ４，
５の出力Ｑ1，Ｑ2を単純に加算しただけでは意味をなさ
ない。そこで、図３の場合と全く同じ条件下で、溶け込
みが裏面側まで貫通しない程度に厚い被溶接物を用い
て、溶け込みが裏面側まで貫通しない場合の表面側の光
センサ４の出力の変化すなわち総プラズマ強度Ｑの変化
を図４のように求めた。そして、図３の各光センサ４，
５の出力特性Ｑ1，Ｑ2の総和が図４の総プラズマ強度特
性Ｑとなるような補正係数Ｚを次式により求めた。
【００２０】Ｑ＝Ｑ1＋Ｚ・Ｑ2 ‥‥‥‥‥（１） すなわち、Ｑ＝Ｑ1＋Ｚ・Ｑ2となる値として、補正係数
ＺをＱ2の関数として図５のように求めた。
ＺをＱ2の関数として図５のように求めた。
【００２１】この補正係数Ｚを用いることにより、溶接
による溶け込みが被溶接物Ｗの裏面まで及ぶような条件
下においても、表面側および裏面側の双方の光センサ
４，５でレーザ誘起プラズマＰを監視することにより、
レーザ溶接部Ｂの溶接状態（溶け込み状態）の適否を的
確に判定することができる。これは、図３，４に示した
焦点位置以外の他の溶接条件のもとでも同様である。
による溶け込みが被溶接物Ｗの裏面まで及ぶような条件
下においても、表面側および裏面側の双方の光センサ
４，５でレーザ誘起プラズマＰを監視することにより、
レーザ溶接部Ｂの溶接状態（溶け込み状態）の適否を的
確に判定することができる。これは、図３，４に示した
焦点位置以外の他の溶接条件のもとでも同様である。
【００２２】図１は図２に示したシステムでの処理手順
を示す図で、図２のコンピュータ１０のメモリには上記
の補正係数Ｚの値と総プラズマ強度の基準値Ｑ0が予め
記憶設定されている。
を示す図で、図２のコンピュータ１０のメモリには上記
の補正係数Ｚの値と総プラズマ強度の基準値Ｑ0が予め
記憶設定されている。
【００２３】最初に、図１に示すように、溶接が開始さ
れるとコンピュータ１０は、溶接部Ｂの表裏両面でのレ
ーザ誘起プラズマＰを監視している光センサ４，５の出
力Ｑ1，Ｑ2を一定の周期で取り込み（図１のステップＳ
１〜Ｓ４）、裏面側の光センサ５の出力Ｑ2をもとに被
溶接物Ｗの裏面側でレーザ誘起プラズマＰの発生が認め
られるか否か、すなわち溶接による溶け込みが被溶接物
Ｗの裏面側まで貫通しているか否かを判定する（ステッ
プＳ５）。
れるとコンピュータ１０は、溶接部Ｂの表裏両面でのレ
ーザ誘起プラズマＰを監視している光センサ４，５の出
力Ｑ1，Ｑ2を一定の周期で取り込み（図１のステップＳ
１〜Ｓ４）、裏面側の光センサ５の出力Ｑ2をもとに被
溶接物Ｗの裏面側でレーザ誘起プラズマＰの発生が認め
られるか否か、すなわち溶接による溶け込みが被溶接物
Ｗの裏面側まで貫通しているか否かを判定する（ステッ
プＳ５）。
【００２４】そして、溶け込みが被溶接物Ｗの裏面側ま
で貫通していない時には総プラズマ強度Ｑ＝Ｑ1として
次のステップに進み（ステップＳ７）、他方、ステップ
Ｓ５で溶け込みが被溶接物Ｗの裏面側まで貫通している
時にはＱ＝Ｑ1＋Ｚ・Ｑ2により裏面側の光センサ５の出
力Ｑ2を補正して総プラズマ強度Ｑを算出する（ステッ
プＳ６）。
で貫通していない時には総プラズマ強度Ｑ＝Ｑ1として
次のステップに進み（ステップＳ７）、他方、ステップ
Ｓ５で溶け込みが被溶接物Ｗの裏面側まで貫通している
時にはＱ＝Ｑ1＋Ｚ・Ｑ2により裏面側の光センサ５の出
力Ｑ2を補正して総プラズマ強度Ｑを算出する（ステッ
プＳ６）。
【００２５】さらに、溶接による母材の溶け込みが被溶
接物Ｗの裏面側まで貫通しているか否かにかかわらず、
上記の総プラズマ強度Ｑの値を予め設定されている基準
値Ｑ0として比較して適正範囲内におさまっているかど
うかその合否を判定し（ステップＳ８）、前記総プラズ
マ強度Ｑが適正であるかぎり上記の一連のステップを溶
接終了まで繰り返す（ステップＳ９，Ｓ１０）。
接物Ｗの裏面側まで貫通しているか否かにかかわらず、
上記の総プラズマ強度Ｑの値を予め設定されている基準
値Ｑ0として比較して適正範囲内におさまっているかど
うかその合否を判定し（ステップＳ８）、前記総プラズ
マ強度Ｑが適正であるかぎり上記の一連のステップを溶
接終了まで繰り返す（ステップＳ９，Ｓ１０）。
【００２６】これに対して、ステップＳ８で総プラズマ
強度Ｑが適正範囲を逸脱していると判定された場合に
は、母材の溶け込みに過不足が生じているものとみなし
て溶接エラー処理を実行し、その時点で溶接を中止する
（ステップＳ１１）。
強度Ｑが適正範囲を逸脱していると判定された場合に
は、母材の溶け込みに過不足が生じているものとみなし
て溶接エラー処理を実行し、その時点で溶接を中止する
（ステップＳ１１）。
【００２７】このように本実施例によれば、被溶接物Ｗ
の裏面側に発生するレーザ誘起プラズマＰを考慮して総
プラズマ強度Ｑを算出し、この総プラズマ強度Ｑと予め
設定した基準値Ｑ0とを比較して溶け込み深さの適否を
判定することによって、被溶接物Ｗの裏面側まで溶け込
みが及んだり及ばなかったりするぎりぎりの条件下での
溶接の場合にもその溶け込み深さを正確に判定すること
ができ、判定結果の信頼性が大幅に向上する。
の裏面側に発生するレーザ誘起プラズマＰを考慮して総
プラズマ強度Ｑを算出し、この総プラズマ強度Ｑと予め
設定した基準値Ｑ0とを比較して溶け込み深さの適否を
判定することによって、被溶接物Ｗの裏面側まで溶け込
みが及んだり及ばなかったりするぎりぎりの条件下での
溶接の場合にもその溶け込み深さを正確に判定すること
ができ、判定結果の信頼性が大幅に向上する。
【００２８】図６は本発明の第２の実施例を示す図で、
レーザ誘起プラズマＰの監視によりレーザ出力や不活性
ガス流量等の溶接条件を管理する場合の例を示してい
る。なお、図２と共通する部分には同一符号を付してあ
る。
レーザ誘起プラズマＰの監視によりレーザ出力や不活性
ガス流量等の溶接条件を管理する場合の例を示してい
る。なお、図２と共通する部分には同一符号を付してあ
る。
【００２９】図６に示すように、被溶接物Ｗの上方に
は、互いに溶接部Ｂを指向しながらもその俯角θ1，θ2
が相違する二つの光センサ１１，１２が設けられている
点で図２のものと異なっており、一方の光センサ１２の
俯角θ2は３０度、他方の光センサ１１の俯角θ1は６０
度にそれぞれ設定されている。
は、互いに溶接部Ｂを指向しながらもその俯角θ1，θ2
が相違する二つの光センサ１１，１２が設けられている
点で図２のものと異なっており、一方の光センサ１２の
俯角θ2は３０度、他方の光センサ１１の俯角θ1は６０
度にそれぞれ設定されている。
【００３０】前記光センサ１１，１２の出力Ｓ1，Ｓ
2は、アンプ７Ａ，７Ｂ、フィルタ８Ａ，８ＢおよびＡ
／Ｄ変換器９Ａ，９Ｂを経てコンピュータ１０に取り込
まれた上で、そのコンピュータ１０のメモリに予め記憶
設定された基準値と比較されることにより、レーザ出力
や不活性ガス流量等の溶接条件の適否の判定が各溶接条
件ごとに個別になされることになる。
2は、アンプ７Ａ，７Ｂ、フィルタ８Ａ，８ＢおよびＡ
／Ｄ変換器９Ａ，９Ｂを経てコンピュータ１０に取り込
まれた上で、そのコンピュータ１０のメモリに予め記憶
設定された基準値と比較されることにより、レーザ出力
や不活性ガス流量等の溶接条件の適否の判定が各溶接条
件ごとに個別になされることになる。
【００３１】図７は溶接条件の一つであるレーザ出力を
変化させた時のそのレーザ出力変化と各光センサ１１，
１２の受光量変化（光センサ出力Ｓ1，Ｓ2）との関係を
示し、また図８は不活性ガスＧの流量を変化させた時の
その流量変化と各光センサ１１，１２受光量変化との関
係を示したものである。
変化させた時のそのレーザ出力変化と各光センサ１１，
１２の受光量変化（光センサ出力Ｓ1，Ｓ2）との関係を
示し、また図８は不活性ガスＧの流量を変化させた時の
その流量変化と各光センサ１１，１２受光量変化との関
係を示したものである。
【００３２】図７から明らかなように、レーザ出力を変
化させた時には、俯角６０度をもつ一方の光センサ１１
の出力はレーザ出力の変化に応じて変化するのに対し
て、俯角３０度をもつ他方の光センサ１２の出力はレー
ザ出力の変化にかかわらずほとんど変化しない。これは
図１０にも示すように、一方の光センサ１１はその俯角
θ1が他方の光センサ１２よりも大きく、キーホールＨ
の奥深い部分を観察していることから、レーザ出力に応
じて変化するキーホールＨ内部のレーザ誘起プラズマＰ
1の変化を敏感にとらえることができるためである。こ
れに対して、他方の光センサ１２は、その俯角θ2が小
さいために光センサ１１よりもキーホールＨの上部を観
察しており、このキーホールＨ上部のレーザ誘起プラズ
マＰ2の発光強度はプラズマ自体の密度が小さいために
レーザ出力の変化の割には大きく変化しないためであ
る。
化させた時には、俯角６０度をもつ一方の光センサ１１
の出力はレーザ出力の変化に応じて変化するのに対し
て、俯角３０度をもつ他方の光センサ１２の出力はレー
ザ出力の変化にかかわらずほとんど変化しない。これは
図１０にも示すように、一方の光センサ１１はその俯角
θ1が他方の光センサ１２よりも大きく、キーホールＨ
の奥深い部分を観察していることから、レーザ出力に応
じて変化するキーホールＨ内部のレーザ誘起プラズマＰ
1の変化を敏感にとらえることができるためである。こ
れに対して、他方の光センサ１２は、その俯角θ2が小
さいために光センサ１１よりもキーホールＨの上部を観
察しており、このキーホールＨ上部のレーザ誘起プラズ
マＰ2の発光強度はプラズマ自体の密度が小さいために
レーザ出力の変化の割には大きく変化しないためであ
る。
【００３３】一方、図８および図１０に示すように、俯
角６０度の光センサ１１の出力Ｓ1はノズル３から吹き
出される不活性ガス流量の変化にはほとんど影響されな
いのに対し、他方の光センサ１２の出力Ｓ2は、キーホ
ールＨ上部のレーザ誘起プラズマＰ2を観察している度
合が大きいために不活性ガス流量の増減によるキーホー
ルＨ上部のレーザ誘起プラズマＰ2の影響を受けて、不
活性ガス流量の変化に応じて大きく変化する。
角６０度の光センサ１１の出力Ｓ1はノズル３から吹き
出される不活性ガス流量の変化にはほとんど影響されな
いのに対し、他方の光センサ１２の出力Ｓ2は、キーホ
ールＨ上部のレーザ誘起プラズマＰ2を観察している度
合が大きいために不活性ガス流量の増減によるキーホー
ルＨ上部のレーザ誘起プラズマＰ2の影響を受けて、不
活性ガス流量の変化に応じて大きく変化する。
【００３４】そこで、図６の光センサ１１，１２はいず
れも溶接部Ｂのレーザ誘起プラズマＰを監視しているも
のの、一方の光センサ１１の出力によってレーザ出力を
管理するとともに、他方の光センサ１２の出力によって
不活性ガス流量を管理するものとして、図７の特性曲線
Ｓ1および図８の特性曲線Ｓ2を相関データとしてコンピ
ュータ１０のメモリに予め記憶させておく。
れも溶接部Ｂのレーザ誘起プラズマＰを監視しているも
のの、一方の光センサ１１の出力によってレーザ出力を
管理するとともに、他方の光センサ１２の出力によって
不活性ガス流量を管理するものとして、図７の特性曲線
Ｓ1および図８の特性曲線Ｓ2を相関データとしてコンピ
ュータ１０のメモリに予め記憶させておく。
【００３５】図９は図６に示したシステムでの処理手順
を示す図で、溶接が開始されるとコンピュータ１０は、
溶接部Ｂでレーザ誘起プラズマＰを監視している双方の
光センサ１１，１２の出力Ｓ1，Ｓ2を一定の周期で取り
込む。
を示す図で、溶接が開始されるとコンピュータ１０は、
溶接部Ｂでレーザ誘起プラズマＰを監視している双方の
光センサ１１，１２の出力Ｓ1，Ｓ2を一定の周期で取り
込む。
【００３６】すなわち、最初に一方の光センサ１２の出
力Ｓ2をコンピュータ１０に取り込み（図９のステップ
Ｓ１〜Ｓ３）、予めコンピュータ１０のメモリに記憶さ
れている図８の相関データと比較照合して、その光セン
サ１２の出力Ｓ2に相当する不活性ガス流量ＱGを算出す
る（ステップＳ4）。
力Ｓ2をコンピュータ１０に取り込み（図９のステップ
Ｓ１〜Ｓ３）、予めコンピュータ１０のメモリに記憶さ
れている図８の相関データと比較照合して、その光セン
サ１２の出力Ｓ2に相当する不活性ガス流量ＱGを算出す
る（ステップＳ4）。
【００３７】そして、その算出した不活性ガス流量ＱG
と、コンピュータ１０に予め記憶されている基準ガス流
量ＱG0とを比較して、その不活性ガス流量ＱGが適正範
囲内におさまっているかどうかその合否を判定する（ス
テップＳ５）。判定の結果、不活性ガス流量ＱGが適正
範囲内であれば次のステップに移行し、他方、不活性ガ
ス流量ＱGが適正範囲を逸脱していれば不活性ガス流量
のエラー処理を実行し、その時点で溶接を中止する（ス
テップＳ７）。
と、コンピュータ１０に予め記憶されている基準ガス流
量ＱG0とを比較して、その不活性ガス流量ＱGが適正範
囲内におさまっているかどうかその合否を判定する（ス
テップＳ５）。判定の結果、不活性ガス流量ＱGが適正
範囲内であれば次のステップに移行し、他方、不活性ガ
ス流量ＱGが適正範囲を逸脱していれば不活性ガス流量
のエラー処理を実行し、その時点で溶接を中止する（ス
テップＳ７）。
【００３８】さらに、図９のステップＳ６では、他方の
光センサ１１の出力Ｓ1をコンピュータ１０に取り込
み、予めコンピュータ１０のメモリに記憶されている図
７の相関データと比較照合して、その光センサ１１の出
力Ｓ1に相当するレーザ出力ＷLを算出する（ステップＳ
７）。
光センサ１１の出力Ｓ1をコンピュータ１０に取り込
み、予めコンピュータ１０のメモリに記憶されている図
７の相関データと比較照合して、その光センサ１１の出
力Ｓ1に相当するレーザ出力ＷLを算出する（ステップＳ
７）。
【００３９】そして、その算出したレーザ出力ＷLと、
コンピュータ１０に予め記憶されている基準レーザ出力
ＷL0とを比較して、そのレーザ出力ＷLが適正範囲内に
おさまっているかどうか合否を判定する（ステップＳ
８）。判定の結果、レーザ出力ＷLが適正範囲内であれ
ば上記の一連のステップを溶接終了まで繰り返し（ステ
ップＳ９，Ｓ１０）、他方、レーザ出力ＷLが適正範囲
を逸脱している場合にはレーザ出力ＷLのエラー処理を
実行し、その時点で溶接を中止する（ステップＳ１
１）。
コンピュータ１０に予め記憶されている基準レーザ出力
ＷL0とを比較して、そのレーザ出力ＷLが適正範囲内に
おさまっているかどうか合否を判定する（ステップＳ
８）。判定の結果、レーザ出力ＷLが適正範囲内であれ
ば上記の一連のステップを溶接終了まで繰り返し（ステ
ップＳ９，Ｓ１０）、他方、レーザ出力ＷLが適正範囲
を逸脱している場合にはレーザ出力ＷLのエラー処理を
実行し、その時点で溶接を中止する（ステップＳ１
１）。
【００４０】このように、不活性ガス流量ＱGおよびレ
ーザ出力ＷLの各溶接条件ごとに俯角の異なる光センサ
１１，１２で個別にレーザ誘起プラズマＰを監視するこ
とにより、それぞれの溶接条件が適正範囲であるかどう
か独立して判定することができる。
ーザ出力ＷLの各溶接条件ごとに俯角の異なる光センサ
１１，１２で個別にレーザ誘起プラズマＰを監視するこ
とにより、それぞれの溶接条件が適正範囲であるかどう
か独立して判定することができる。
【００４１】なお、前記第１，第２のいずれの実施例に
おいても、エラー処理として該当する溶接条件が適正範
囲内に入るようにレーザ出力制御系や不活性ガス流量制
御系に直接フィードバックをかけるようにしてもよい。
おいても、エラー処理として該当する溶接条件が適正範
囲内に入るようにレーザ出力制御系や不活性ガス流量制
御系に直接フィードバックをかけるようにしてもよい。
【００４２】
【発明の効果】以上のように請求項１の発明によれば、
被溶接物の表面側のレーザ誘起プラズマを監視する表面
側の光センサに加えて、被溶接物の裏面側のレーザ誘起
プラズマを監視する裏面側の光センサを設けて、裏面側
の光センサの出力値に所定の補正係数を乗じた上で表面
側の光センサの出力値に加算して総プラズマ強度を算出
し、この総プラズマ強度と基準値とを比較して溶接状態
の適否を判定するようにしたことにより、溶接部の溶け
込み深さの設定が被溶接物の裏面まで貫通するかしない
かのぎりぎりの条件下にある場合に、万一その溶け込み
が被溶接物の裏面側まで貫通したとしても、その裏面側
でのレーザ誘起プラズマの発生を考慮して溶接状態の判
定を正確に行うことができ、判定結果の信頼性が向上す
る。
被溶接物の表面側のレーザ誘起プラズマを監視する表面
側の光センサに加えて、被溶接物の裏面側のレーザ誘起
プラズマを監視する裏面側の光センサを設けて、裏面側
の光センサの出力値に所定の補正係数を乗じた上で表面
側の光センサの出力値に加算して総プラズマ強度を算出
し、この総プラズマ強度と基準値とを比較して溶接状態
の適否を判定するようにしたことにより、溶接部の溶け
込み深さの設定が被溶接物の裏面まで貫通するかしない
かのぎりぎりの条件下にある場合に、万一その溶け込み
が被溶接物の裏面側まで貫通したとしても、その裏面側
でのレーザ誘起プラズマの発生を考慮して溶接状態の判
定を正確に行うことができ、判定結果の信頼性が向上す
る。
【００４３】また、請求項２の発明によれば、各溶接条
件ごとに俯角の異なる光センサで個別にレーザ誘起プラ
ズマを監視し、予め記憶設定された光センサの出力値と
溶接条件データとの相関データから該当する溶接条件デ
ータを算出した上で基準値と比較して各溶接条件の適否
を判定することにより、複数の溶接条件について各溶接
条件ごとにその適否を正確に判定することができ、判定
結果の信頼性が向上する。
件ごとに俯角の異なる光センサで個別にレーザ誘起プラ
ズマを監視し、予め記憶設定された光センサの出力値と
溶接条件データとの相関データから該当する溶接条件デ
ータを算出した上で基準値と比較して各溶接条件の適否
を判定することにより、複数の溶接条件について各溶接
条件ごとにその適否を正確に判定することができ、判定
結果の信頼性が向上する。
【図１】本発明の第１の実施例を示す処理手順のフロー
チャート。
チャート。
【図２】図１の処理手順を実行するシステムの概略説明
図。
図。
【図３】レーザ光の焦点位置と光センサ出力との相関を
示す特性図。
示す特性図。
【図４】レーザ光の焦点位置と光センサ出力との相関を
示す特性図。
示す特性図。
【図５】図３の二つの特性を図４の特性にするのに必要
な補正係数の説明図。
な補正係数の説明図。
【図６】本発明の第２の実施例を示すシステムの概略説
明図。
明図。
【図７】レーザ出力と光センサ出力との相関を示す特性
図。
図。
【図８】不活性ガス流量と光センサ出力との相関を示す
特性図。
特性図。
【図９】図６のシステムでの処理手順を示すフローチャ
ート。
ート。
【図１０】溶接部の断面説明図。
【図１１】従来の溶接状態管理システムの概略説明図。
【図１２】溶接部の断面説明図で、（Ａ）は溶け込みが
裏面まで及ばない場合の断面説明図、（Ｂ）は溶け込み
が裏面まで及んだ場合の断面説明図。
裏面まで及ばない場合の断面説明図、（Ｂ）は溶け込み
が裏面まで及んだ場合の断面説明図。
１…レーザ発振機 ２…集光光学系 ４，５…光センサ ６…信号処理装置 １０…コンピュータ １１，１２…光センサ Ｂ…溶接部 Ｇ…不活性ガス Ｌ…レーザ光 Ｐ…レーザ誘起プラズマ Ｗ…被溶接物
Claims (2)
- 【請求項１】 被溶接物にレーザ光を照射して溶接を行
うにあたり、前記レーザ光に誘起されて溶接部位から発
生するプラズマを光センサにより監視し、そのレーザ誘
起プラズマの強度に基づいて溶接状態を管理する方法に
おいて、 前記被溶接物の表裏両面側に配置した光センサにより溶
接部位の表裏両面でのレーザ誘起プラズマの発生を個別
に監視し、 前記裏面側の光センサの出力値が所定値未満の場合に
は、表面側の光センサの出力値を総プラズマ強度として
予め設定した基準値と比較して溶接状態の適否を判定す
る一方、 前記裏面側の光センサの出力値が所定値以上の場合に
は、その裏面側の光センサの出力値に所定の補正係数を
乗じた上で前記表面側の光センサの出力値に加算して総
プラズマ強度を算出し、この総プラズマ強度と前記基準
値とを比較して溶接状態の適否を判定することを特徴と
するレーザ溶接の溶接状態管理方法。 - 【請求項２】 被溶接物にレーザ光を照射するとともに
溶接部位に不活性ガスを吹き付けながらレーザ溶接を行
うにあたり、前記レーザ光に誘起されて溶接部位から発
生するプラズマを光センサにより監視し、そのレーザ誘
起プラズマの強度に基づいてレーザ出力や不活性ガス流
量等の複数の溶接条件を監理する方法において、 前記被溶接物の上方から溶接部位を指向する俯角の異な
る複数の光センサによりその溶接部位でのレーザ誘起プ
ラズマの発生を個別に監視し、 前記各光センサが管理すべき溶接条件の項目を各光セン
サごとに予め定めておく一方、 前記各溶接条件のデータの変動とそれに伴う該当する光
センサ出力との関係を相関データとして予め規定してお
き、 溶接中の前記各光センサの出力を該当する相関データと
照合してその各光センサ出力に対応する溶接条件データ
を個別に算出し、 この算出された各溶接条件データと予め設定された基準
値とを比較して溶接条件ごとにその適否を判定すること
を特徴とするレーザ溶接の溶接条件管理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5056240A JP2876930B2 (ja) | 1993-03-17 | 1993-03-17 | レーザ溶接の溶接状態および溶接条件管理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5056240A JP2876930B2 (ja) | 1993-03-17 | 1993-03-17 | レーザ溶接の溶接状態および溶接条件管理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06262377A JPH06262377A (ja) | 1994-09-20 |
| JP2876930B2 true JP2876930B2 (ja) | 1999-03-31 |
Family
ID=13021577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5056240A Expired - Lifetime JP2876930B2 (ja) | 1993-03-17 | 1993-03-17 | レーザ溶接の溶接状態および溶接条件管理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2876930B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102735657A (zh) * | 2012-07-10 | 2012-10-17 | 广东电网公司电力科学研究院 | 激光诱导击穿光谱仪及其光谱信号收集方法 |
| FR3134735A1 (fr) * | 2022-04-20 | 2023-10-27 | Societe D'assemblage Par Faisceaux D'electrons Et Laser | Machine laser comprenant deux buses et procédé de fabrication associé |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3275988B2 (ja) * | 1995-02-09 | 2002-04-22 | 日産自動車株式会社 | 突き合わせ溶接モニタリング方法および突き合わせ溶接モニタリング装置 |
| DE19741329C1 (de) * | 1997-09-19 | 1998-10-22 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren und Vorrichtung zur Materialbearbeitung mit Plasma induzierender Hochenergiestrahlung |
| US6075593A (en) * | 1999-08-03 | 2000-06-13 | General Electric Company | Method for monitoring and controlling laser shock peening using temporal light spectrum analysis |
| JP2001116510A (ja) * | 1999-10-14 | 2001-04-27 | Isamu Miyamoto | レーザビーム溶接の溶接部モニタ方法及び溶接部モニタ装置 |
| FR2936177B1 (fr) | 2008-09-24 | 2011-08-26 | Air Liquide | Procede de soudage laser de type co2 avec buse a jet dynamique. |
| KR101525331B1 (ko) * | 2010-11-08 | 2015-06-02 | 파나소닉 주식회사 | 전지 모듈과 전지 모듈 용접 방법 |
| CN105102176B (zh) * | 2012-10-19 | 2018-02-06 | Ipg光子公司 | 可手持操作的激光焊接枪 |
| PL2908978T3 (pl) * | 2012-10-19 | 2022-05-09 | Ipg Photonics Corporation | Zrobotyzowana zgrzewarka laserowa |
| JP6137130B2 (ja) | 2014-11-14 | 2017-05-31 | トヨタ自動車株式会社 | レーザ溶接装置、及びレーザ溶接方法 |
| JP2017177222A (ja) * | 2016-03-28 | 2017-10-05 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | レーザ溶接方法およびレーザ溶接装置 |
| DE102016211935B4 (de) * | 2016-06-30 | 2019-06-06 | Sauer Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Prozessüberwachung bei einem Auftragschweiß-Verfahren |
| JP2022006876A (ja) | 2020-06-25 | 2022-01-13 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
-
1993
- 1993-03-17 JP JP5056240A patent/JP2876930B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102735657A (zh) * | 2012-07-10 | 2012-10-17 | 广东电网公司电力科学研究院 | 激光诱导击穿光谱仪及其光谱信号收集方法 |
| CN102735657B (zh) * | 2012-07-10 | 2014-07-23 | 广东电网公司电力科学研究院 | 激光诱导击穿光谱仪及其光谱信号收集方法 |
| FR3134735A1 (fr) * | 2022-04-20 | 2023-10-27 | Societe D'assemblage Par Faisceaux D'electrons Et Laser | Machine laser comprenant deux buses et procédé de fabrication associé |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06262377A (ja) | 1994-09-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2876930B2 (ja) | レーザ溶接の溶接状態および溶接条件管理方法 | |
| US6399915B1 (en) | Method and apparatus for determining quality of welding at weld between working material pieces | |
| JPS61123493A (ja) | レ−ザ加工装置 | |
| JPH07236984A (ja) | レーザ加工方法及びその装置 | |
| JPH04502429A (ja) | レーザービームによって工作物を加工する方法と装置 | |
| JP4936718B2 (ja) | レーザ溶接方法 | |
| JP2022519202A (ja) | レーザ加工に及ぼすレーザ加工パラメータの影響を自動的に特定する方法ならびにレーザ加工機械およびコンピュータプログラム製品 | |
| JP3154176B2 (ja) | レーザ溶接機の焦点位置制御装置 | |
| Park et al. | A fuzzy pattern recognition based system for monitoring laser weld quality | |
| JP4617324B2 (ja) | レーザ溶接部形成方法 | |
| JP3407655B2 (ja) | レーザ溶接監視方法 | |
| RU2194601C2 (ru) | Способ контроля сварного шва | |
| JP2737472B2 (ja) | 溶接状態検出装置 | |
| Xudong et al. | Double closed-loop control of the focal point position in laser beam welding | |
| JP4098024B2 (ja) | レーザスポット溶接方法 | |
| JPH11347760A (ja) | 溶接レーザの焦点位置検出装置 | |
| JP4136547B2 (ja) | パルスレーザ溶接方法 | |
| JP3292008B2 (ja) | レーザ溶接におけるワークの溶融状態判定方法 | |
| JP3603829B2 (ja) | レーザ溶接の品質検査方法 | |
| JP4667446B2 (ja) | パルスレーザ溶接におけるレーザ出力のパルス周波数の決定方法 | |
| JP4136551B2 (ja) | レーザ溶接方法 | |
| JPH05177372A (ja) | レーザ加工装置 | |
| JPH05212576A (ja) | レーザ加工機の加工ヘッド | |
| CN116765652B (zh) | 光纤传感器激光焊接焦点追踪与能量分布监测方法及装置 | |
| JP3172371B2 (ja) | レーザ加工方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080122 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090122 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100122 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100122 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110122 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120122 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130122 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130122 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140122 Year of fee payment: 15 |