JP2874888B2 - 珪素ナフタロシアニン及びこの化合物を含有する感光性塗装薄膜 - Google Patents
珪素ナフタロシアニン及びこの化合物を含有する感光性塗装薄膜Info
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は、中心の珪素原子に結合する2個の配位子の
一方又は両方が、他の珪素原子を含む新規な珪素ナフタ
ロシアニン、ならびに支持体及び前記の新規化合物を含
む感光性の層より成る感光性塗装薄膜に関する。
一方又は両方が、他の珪素原子を含む新規な珪素ナフタ
ロシアニン、ならびに支持体及び前記の新規化合物を含
む感光性の層より成る感光性塗装薄膜に関する。
高エネルギーの光線、例えばレーザー光によつて局部
的な状態変化を生じる記録材料は公知である。この熱に
よつて開始される状態変化、例えば蒸発、流動挙動の変
化もしくは退色に対しては、光学的特性例えば吸収最大
値又は吸光度の変化による反射率もしくは吸収性の変化
が関係しており、この変化は情報又はデータの記録に利
用することができる。
的な状態変化を生じる記録材料は公知である。この熱に
よつて開始される状態変化、例えば蒸発、流動挙動の変
化もしくは退色に対しては、光学的特性例えば吸収最大
値又は吸光度の変化による反射率もしくは吸収性の変化
が関係しており、この変化は情報又はデータの記録に利
用することができる。
光学的記録系用の光源としては、例えば近赤外領域の
光を放射する半導体レーザーが適している。固体インジ
エクシヨンレーザー、特に約650〜900nmの波長領域内の
光を放射するAlGaAsレーザーを挙げることが出来る。従
つて約650〜900nmの波長領域内の光線を吸収し、薄い均
質な層に薄層化出来る記録材料が関心の対象となつてい
る。
光を放射する半導体レーザーが適している。固体インジ
エクシヨンレーザー、特に約650〜900nmの波長領域内の
光を放射するAlGaAsレーザーを挙げることが出来る。従
つて約650〜900nmの波長領域内の光線を吸収し、薄い均
質な層に薄層化出来る記録材料が関心の対象となつてい
る。
既に米国化学会誌J.Am.Chem.Soc.,vol.106,7404〜741
0頁1984年及びEP−A191251によれば、中心の珪素原子上
に存在する配位子が、それぞれ更に1個の珪素原子を有
する若干の珪素ナフタロシアニンが公知である。しかし
これらの文献に記載されている化合物は、光学記憶装置
へ応用する場合に欠点のあることが指摘されている。
0頁1984年及びEP−A191251によれば、中心の珪素原子上
に存在する配位子が、それぞれ更に1個の珪素原子を有
する若干の珪素ナフタロシアニンが公知である。しかし
これらの文献に記載されている化合物は、光学記憶装置
へ応用する場合に欠点のあることが指摘されている。
本発明の課題は、使用する半導体レーザーの波長領域
内で良好な反射率及び高い吸収を有する新規な感光性生
成物を提供することであつた。さらに本発明の別の課題
は、新規な感光性塗装薄膜を提供することであつて、そ
の際この新規生成物を含有する層は均質であり、普通の
支持体板材料に対する接着性が良く、長期間にわたつて
安定であるべきである。
内で良好な反射率及び高い吸収を有する新規な感光性生
成物を提供することであつた。さらに本発明の別の課題
は、新規な感光性塗装薄膜を提供することであつて、そ
の際この新規生成物を含有する層は均質であり、普通の
支持体板材料に対する接着性が良く、長期間にわたつて
安定であるべきである。
本発明者らは、一般式 [式中Ncは必要に応じてC1〜C10−アルキル基又はC1
〜C10−アルコキシ基により置換されたナフタロシアニ
ンの残基であり、R1及びR2は同一又は異なり互いに独
立して、次式 で表される残基であり、ここにR3は次式 (式中nは1〜6の数、R6及びR7は同一又は異なり互
いに独立して、C1〜C16−アルキル基を意味し、R8は
H又はCH3を意味する)で表される分枝状C6〜C20−ア
ルキル基であり、R4及びR5は同一又は異なり互いに独
立して、C1〜C12−アルキル基又は基OR3(R3は前記
の意味を有する)であり、基R1はC1〜C10−アルキル
基をも意味する]で表される新規な珪素ナフタロシアニ
ンを見出した。
〜C10−アルコキシ基により置換されたナフタロシアニ
ンの残基であり、R1及びR2は同一又は異なり互いに独
立して、次式 で表される残基であり、ここにR3は次式 (式中nは1〜6の数、R6及びR7は同一又は異なり互
いに独立して、C1〜C16−アルキル基を意味し、R8は
H又はCH3を意味する)で表される分枝状C6〜C20−ア
ルキル基であり、R4及びR5は同一又は異なり互いに独
立して、C1〜C12−アルキル基又は基OR3(R3は前記
の意味を有する)であり、基R1はC1〜C10−アルキル
基をも意味する]で表される新規な珪素ナフタロシアニ
ンを見出した。
新規な珪素ナフタロシアニンは、感光性塗装薄膜内の
感光性成分として好ましい性質を有する。
感光性成分として好ましい性質を有する。
上記の残基中に現れるすべてのアルキル基は、別段の
記載のない限り、直鎖状でも分枝状でもよい。
記載のない限り、直鎖状でも分枝状でもよい。
ナフタロシアニンの好適な置換基は、基R1、R4、R
5、R6及びR7と同様に例えば次の基である。メチル、
エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチ
ル、二級ブチル、三級ブチル、ペンチル、イソペンチ
ル、ネオペンチル、三級ペンチル、ヘキシル、2−メチ
ルペンチル、ヘプチル、オクチル、2−エチルヘキシ
ル、イソオクチル、ノニル、イソノニル、デシル又はイ
ソデシル。
5、R6及びR7と同様に例えば次の基である。メチル、
エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチ
ル、二級ブチル、三級ブチル、ペンチル、イソペンチ
ル、ネオペンチル、三級ペンチル、ヘキシル、2−メチ
ルペンチル、ヘプチル、オクチル、2−エチルヘキシ
ル、イソオクチル、ノニル、イソノニル、デシル又はイ
ソデシル。
ナフタロシアニン系のその他の好適な置換基は、例え
ば次の基である。メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イ
ソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ペンチルオキ
シ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキ
シ、2−エチルヘキシルオキシ、イソオクチルオキシ、
ノニルオキシ、イソノニルオキシ、デシルオキシ又はイ
ソデシルオキシ。
ば次の基である。メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イ
ソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ペンチルオキ
シ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキ
シ、2−エチルヘキシルオキシ、イソオクチルオキシ、
ノニルオキシ、イソノニルオキシ、デシルオキシ又はイ
ソデシルオキシ。
基R6及びR7は、さらに例えばウンデシル、ドデシ
ル、トリデシル、3,5,5,7−テトラメチルノニル、イソ
トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル又はヘキサデ
シルである。(上記の名称イソオクチル、イソノニル、
イソデシル及びイソトリデシルは慣用名であつて、オキ
ソ合成によつて得られるアルコールに由来する。これに
ついてはUllmanns Enzyklopdie der technischen Che
mie第4版第7巻215〜217頁及び第11巻435〜436頁参
照。) ナフタロシアニンの重要な置換基は、例えばC1〜C
14−アルキル基、C5〜C10−アルキル基、C1〜C4−
アルコキシ基又はC5〜C10−アルコキシ基である。
ル、トリデシル、3,5,5,7−テトラメチルノニル、イソ
トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル又はヘキサデ
シルである。(上記の名称イソオクチル、イソノニル、
イソデシル及びイソトリデシルは慣用名であつて、オキ
ソ合成によつて得られるアルコールに由来する。これに
ついてはUllmanns Enzyklopdie der technischen Che
mie第4版第7巻215〜217頁及び第11巻435〜436頁参
照。) ナフタロシアニンの重要な置換基は、例えばC1〜C
14−アルキル基、C5〜C10−アルキル基、C1〜C4−
アルコキシ基又はC5〜C10−アルコキシ基である。
重要な基R3は、例えばC6〜C10−アルキル基、C10
〜C15−アルキル基又はC16〜C20−アルキル基であ
る。
〜C15−アルキル基又はC16〜C20−アルキル基であ
る。
重要な基R1、R4及びR5は、例えばC1〜C4−アル
キル基又はC5〜C10−アルキル基である。
キル基又はC5〜C10−アルキル基である。
重要な基R6及びR7は、例えばC1〜C6−アルキル
基、C7〜C12−アルキル基又はC13〜C16−アルキル
基である。
基、C7〜C12−アルキル基又はC13〜C16−アルキル
基である。
Ncが置換基を有しないナフタロシアニンの残基である
式Iの珪素ナフタロシアニンが好ましい。
式Iの珪素ナフタロシアニンが好ましい。
本発明による珪素ナフタロシアニンは、公知の方法、
例えばJ.Org.Chem.USSR(英訳版)、vol7,p364〜367,19
71及びJ.Am.Chem.Soc.,vol106,p7404〜7410,1984に記載
の方法により得ることが出来る。
例えばJ.Org.Chem.USSR(英訳版)、vol7,p364〜367,19
71及びJ.Am.Chem.Soc.,vol106,p7404〜7410,1984に記載
の方法により得ることが出来る。
出発生成物としては、例えば一般式 (式中R8は水素原子、C1〜C10−アルキル基又はC1
〜C10−アルコキシ基、mは1又は2の数を意味し、そ
してナフタロシアニンを生成することの出来る置換基
は、オルト位(1位と2位又は2位と3位で結合してい
る)で表わされる相当するジイミノイソインドリンが用
いられる。
〜C10−アルコキシ基、mは1又は2の数を意味し、そ
してナフタロシアニンを生成することの出来る置換基
は、オルト位(1位と2位又は2位と3位で結合してい
る)で表わされる相当するジイミノイソインドリンが用
いられる。
式IIのイソインドリンは、次式 XSiCl3 (III) (式中XはC1〜C10−アルキル基又は塩素原子を意味
する)のクロロシランと、不活性の有機希釈剤中で塩基
の存在下に170〜250℃の温度で反応させて、次式 (式中Nc及びXはそれぞれ上記の意味を有する)のクロ
ロ珪素ナフタロシアニンを生成することができる。
する)のクロロシランと、不活性の有機希釈剤中で塩基
の存在下に170〜250℃の温度で反応させて、次式 (式中Nc及びXはそれぞれ上記の意味を有する)のクロ
ロ珪素ナフタロシアニンを生成することができる。
希釈剤としては、例えばテトラリン又はニトロベンゼ
ンが好適である。塩基としては、例えば三級アミン例え
ばトリブチルアミン、キノリン、ピコリン又はコリジン
が用いられる。
ンが好適である。塩基としては、例えば三級アミン例え
ばトリブチルアミン、キノリン、ピコリン又はコリジン
が用いられる。
クロロ珪素ナフタロシアニンIVは、次いで5〜50℃の
温度で硫酸を用いて次式 (式中Yは水酸基又はC1〜C10−アルキル基を意味
し、Ncは上記の意味を有する)の対応するヒドロキシ化
合物に変えることが出来る。
温度で硫酸を用いて次式 (式中Yは水酸基又はC1〜C10−アルキル基を意味
し、Ncは上記の意味を有する)の対応するヒドロキシ化
合物に変えることが出来る。
ヒドロキシ化合物をまず次式 X2SiCl2 (VI) (式中Xは上記の意味を有する)のクロロシランと、ピ
リジン中で水素化ナトリウムの存在下に15〜150℃の温
度で反応させ、次いで次式 R3−OH (VII) (式中R3は上記の意味を有する)のアルコールと30〜1
20℃の温度で反応させることによつて、最終的に本発明
の式Iの珪素ナフタロシアニンを得ることが出来る。
リジン中で水素化ナトリウムの存在下に15〜150℃の温
度で反応させ、次いで次式 R3−OH (VII) (式中R3は上記の意味を有する)のアルコールと30〜1
20℃の温度で反応させることによつて、最終的に本発明
の式Iの珪素ナフタロシアニンを得ることが出来る。
式Iの新規な珪素ナフタロシアニンは、近赤外領域で
高いモル吸収を示す。これらの化合物は、均質な非晶質
の層状を形成し、及び/又は重合体中の染料の層に有利
に加工することができる。
高いモル吸収を示す。これらの化合物は、均質な非晶質
の層状を形成し、及び/又は重合体中の染料の層に有利
に加工することができる。
本発明はさらに、支持体及び感光性層から成り、この
感光性層が式Iの珪素ナフタロシアニンを含む感光性塗
装薄膜に関する。
感光性層が式Iの珪素ナフタロシアニンを含む感光性塗
装薄膜に関する。
この場合、Ncが非置換のナフタロシアニンの残基を意
味する式Iの珪素ナフタロシアニンを含む感光性塗装薄
膜が好ましい。
味する式Iの珪素ナフタロシアニンを含む感光性塗装薄
膜が好ましい。
塗装薄膜のその他の成分としては、式Iの化合物と相
溶性の重合体が用いられる。この種の重合体は、一般に
結合剤と呼ばれる。
溶性の重合体が用いられる。この種の重合体は、一般に
結合剤と呼ばれる。
好適な結合剤の例は、ポリスチロール、ポリエステ
ル、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリカー
ボネート、ポリアミン、ポリビニルアルコール、ポリ塩
化ビニル、塩化ビニルと酢酸ビニルの共重合体、又はEP
−A90282又はEP−A171045による液晶性の側基を有する
重合体もしくは共重合体である。
ル、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリカー
ボネート、ポリアミン、ポリビニルアルコール、ポリ塩
化ビニル、塩化ビニルと酢酸ビニルの共重合体、又はEP
−A90282又はEP−A171045による液晶性の側基を有する
重合体もしくは共重合体である。
そのほか薄膜は、他の適宜な添加物例えば低分子の液
晶化合物を含んでいてもよい。
晶化合物を含んでいてもよい。
式Iの珪素ナフタロシアニンから成る薄膜が好まし
く、その際この染料は非晶質の状態で存在する。
く、その際この染料は非晶質の状態で存在する。
ここで「非晶質」の語は、塗装薄膜が熱によつて変化
する領域の一区画よりも大きい異方性領域を有するので
はなく、約30nm又はそれ以上の程度で光学的等方性を有
することを示す。
する領域の一区画よりも大きい異方性領域を有するので
はなく、約30nm又はそれ以上の程度で光学的等方性を有
することを示す。
一般に薄膜の厚さは20〜400nm好ましくは50〜300nmで
ある。
ある。
本発明の薄膜中に含まれる染料は、レーザー光、特に
比較的長波長(650〜900nm)のレーザー光を吸収するこ
とが好ましい。
比較的長波長(650〜900nm)のレーザー光を吸収するこ
とが好ましい。
デイスク状の支持体上に、必要に応じて反射体層と共
に積層されており、そして半導体レーザーにより情報を
記入及び再生することのできる塗装薄膜が好ましい。
に積層されており、そして半導体レーザーにより情報を
記入及び再生することのできる塗装薄膜が好ましい。
この構造の光学的記憶装置は、高密度の情報を、螺旋
状の又は同心円状小路、微細な穴又はくぼみ(幅約1μ
m)の形で(これは周囲に対する反射率の変化によつて
光学的に確認しうる)記録することが出来る。この記憶
系は良好なコントラストを示す。
状の又は同心円状小路、微細な穴又はくぼみ(幅約1μ
m)の形で(これは周囲に対する反射率の変化によつて
光学的に確認しうる)記録することが出来る。この記憶
系は良好なコントラストを示す。
染料の吸光性が高いために、本発明の塗装薄膜は半導
体レーザーの光に対して非常に敏感である。
体レーザーの光に対して非常に敏感である。
記録媒体の構造自体は公知である。
支持体としては、例えばガラス板、ガラスデイスク又
はプラスチツク製の板もしくはデイスク、特にポリメチ
ルメタクリレート、ポリスチロール、ポリスチロール共
重合体、ポリ塩化ビニル、ポリメチルペンテン又はポリ
カーボネート製の板又はデイスクが挙げられ、これらの
ものは必要に応じて条溝を有していてもよい。
はプラスチツク製の板もしくはデイスク、特にポリメチ
ルメタクリレート、ポリスチロール、ポリスチロール共
重合体、ポリ塩化ビニル、ポリメチルペンテン又はポリ
カーボネート製の板又はデイスクが挙げられ、これらの
ものは必要に応じて条溝を有していてもよい。
支持体はベルト、正方形もしくは長方形の板又は円形
のデイスクの形を有しうるがレーザー光学的記録材料用
に普通で公知の直径10〜13cmのデイスクが好ましい。
のデイスクの形を有しうるがレーザー光学的記録材料用
に普通で公知の直径10〜13cmのデイスクが好ましい。
そのほか記録材料は、その他の層例えば保護層、中間
接着層又は電極層を有しうる。
接着層又は電極層を有しうる。
支持体のほかに、さらに反射層を設けることが出来、
従つて入射され着色層を通過した光は吸収されない限り
反射層で反射され、再び着色層を通過する。
従つて入射され着色層を通過した光は吸収されない限り
反射層で反射され、再び着色層を通過する。
露光は、好ましくは透明な基板を通して行われる。こ
の場合の層の順序としては、基板−吸光層−必要に応じ
反射体の順序が用いられる。
の場合の層の順序としては、基板−吸光層−必要に応じ
反射体の順序が用いられる。
支持体又は光反射層は、光学的に平滑で平らな表面を
有しなければならず、その表面はその上に吸光層を接着
固定する性質を有しなければならない。表面の品質と接
着現象に好ましい影響を与えるために、支持体及び/又
は反射体にデユロ可塑性又は熱可塑性の材料から成る平
滑化層を設けてもよい。
有しなければならず、その表面はその上に吸光層を接着
固定する性質を有しなければならない。表面の品質と接
着現象に好ましい影響を与えるために、支持体及び/又
は反射体にデユロ可塑性又は熱可塑性の材料から成る平
滑化層を設けてもよい。
感光層が充分な機械的安定性を有しないときは、これ
に透明な保護層を被覆してもよい。この目的のために
は、溶解した重合体の遠心塗布、ナイフ塗布もしくは浸
漬により又は真空蒸着により保護層を形成しうる一連の
重合体、主として弗素化重合体が勧められる。
に透明な保護層を被覆してもよい。この目的のために
は、溶解した重合体の遠心塗布、ナイフ塗布もしくは浸
漬により又は真空蒸着により保護層を形成しうる一連の
重合体、主として弗素化重合体が勧められる。
2種の同一又は異なる記録媒体より成るデータ記憶装
置を「サンドイツチ」の形に構成する場合には、保護層
を省くことが出来る。「サンドイツチ」構造は、機械的
安定性と回転力学的な安定性が比較的大きいと共に、記
憶容量が倍加する利点を有する。
置を「サンドイツチ」の形に構成する場合には、保護層
を省くことが出来る。「サンドイツチ」構造は、機械的
安定性と回転力学的な安定性が比較的大きいと共に、記
憶容量が倍加する利点を有する。
しかし保護層及び/又は中間層は、光学的記録装置の
品質が充分である場合にも省略することが出来る。
品質が充分である場合にも省略することが出来る。
新規な珪素ナフタロシアニンを含有する本発明の塗装
薄膜は、半導体レーザーの約650〜900nmの波長を強力に
吸収する。この珪素ナフタロシアニンは、記憶すべき情
報を高いシグナル:ノイズ比で記入しうる光学的品質の
平滑な吸光層が得られるように塗布することが出来る。
薄膜は、半導体レーザーの約650〜900nmの波長を強力に
吸収する。この珪素ナフタロシアニンは、記憶すべき情
報を高いシグナル:ノイズ比で記入しうる光学的品質の
平滑な吸光層が得られるように塗布することが出来る。
吸光材料の塗布は、好ましくは染料の溶液又は分散液
を必要に応じて結合剤の存在下で遠心塗布することによ
つて行われる。ナイフ塗布又は浸漬塗布も層形成方法と
して用いられる。例えば金属の反射層を施すには、好ま
しくは真空蒸着により又は適宜な金属箔で支持体を被覆
することにより行われる。
を必要に応じて結合剤の存在下で遠心塗布することによ
つて行われる。ナイフ塗布又は浸漬塗布も層形成方法と
して用いられる。例えば金属の反射層を施すには、好ま
しくは真空蒸着により又は適宜な金属箔で支持体を被覆
することにより行われる。
吸光層を溶液から塗布するためには、適当な溶媒、例
えばシクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、塩化メチ
レン、クロロホルム、四塩化炭素、ブロモホルム、1,1,
1−トリクロロエタン、1,1,2−トリクロロエタン、アセ
トン、メチルエチルケトン、シクロヘキサン、トルエ
ン、アセトニトリル、酢酸、メタノール、エタノール又
はこれらの溶媒の混合物中の、珪素ナフタロシアニン又
はその化合物と結合剤の混合物の溶液又は場合により分
散液を調製し、そして必要に応じて助剤を添加する。
えばシクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、塩化メチ
レン、クロロホルム、四塩化炭素、ブロモホルム、1,1,
1−トリクロロエタン、1,1,2−トリクロロエタン、アセ
トン、メチルエチルケトン、シクロヘキサン、トルエ
ン、アセトニトリル、酢酸、メタノール、エタノール又
はこれらの溶媒の混合物中の、珪素ナフタロシアニン又
はその化合物と結合剤の混合物の溶液又は場合により分
散液を調製し、そして必要に応じて助剤を添加する。
この染料の調製物は、次いでドクターナイフ塗布又は
浸漬法により、あるいは好ましくは遠心塗布(スピンコ
ーテイング)により、予め清浄にした又は必要に応じて
前処理した基板(支持層)上に塗布し、塗布層を空気中
で乾燥するか又は硬化させる。この薄膜は、真空中で高
温で又は必要に応じ照射により乾燥もしくは硬化するこ
とも出来る。
浸漬法により、あるいは好ましくは遠心塗布(スピンコ
ーテイング)により、予め清浄にした又は必要に応じて
前処理した基板(支持層)上に塗布し、塗布層を空気中
で乾燥するか又は硬化させる。この薄膜は、真空中で高
温で又は必要に応じ照射により乾燥もしくは硬化するこ
とも出来る。
既に上で述べたように、1個の層のみから成る感光性
塗装薄膜、特にこの層をスピンコーテイングにより塗布
したものが好ましい。
塗装薄膜、特にこの層をスピンコーテイングにより塗布
したものが好ましい。
系の構成に応じて、まず感光性層を、次いで反射体を
塗布するか、又はその逆に操作する。中間層もしくは保
護層又は反射層は、前述のように場合により省くことも
出来る。
塗布するか、又はその逆に操作する。中間層もしくは保
護層又は反射層は、前述のように場合により省くことも
出来る。
反射体なしの単層系が好ましい。
本発明の感光性塗装薄膜は、記入レーザー光によつ
て、アナログデータ又はデジタルデータを記入すること
が出来、この場合アナログデータの記入には、公知のよ
うに、アナログ変調した連続波レーザーが、そしてデジ
タルデータの記入にはパルスコード化レーザーが用いら
れる。
て、アナログデータ又はデジタルデータを記入すること
が出来、この場合アナログデータの記入には、公知のよ
うに、アナログ変調した連続波レーザーが、そしてデジ
タルデータの記入にはパルスコード化レーザーが用いら
れる。
一般に、好適なレーザーは記入波長において放射出力
1〜20mWを有する。記入レーザー光線の焦点直径は、一
般に300〜2000nmである。パルスコード化レーザー照射
によるパルス期間は、通常10〜1000nmである。好ましく
は記入のためには、当該記録層により良好に吸収される
波長を有するレーザー光が用いられる。好ましい波長は
400〜1000nmである。
1〜20mWを有する。記入レーザー光線の焦点直径は、一
般に300〜2000nmである。パルスコード化レーザー照射
によるパルス期間は、通常10〜1000nmである。好ましく
は記入のためには、当該記録層により良好に吸収される
波長を有するレーザー光が用いられる。好ましい波長は
400〜1000nmである。
記入工程において、レーザー光は相対移動しながら記
録材料を通過し、これに垂直に突当り、記録層上に焦点
を結ぶ。突当つた位置で、記録層は局部的に加熱され、
熱により変化した部分例えば小穴、クレーター又は斑点
を生成する。パルスコード化レーザーによりデータを記
入する場合には、この部分は直径100〜2000nmの円形又
は楕円形状である。アナログ変調連続波レーザーによる
記入の場合には、これは任意の形を有することが出来
る。
録材料を通過し、これに垂直に突当り、記録層上に焦点
を結ぶ。突当つた位置で、記録層は局部的に加熱され、
熱により変化した部分例えば小穴、クレーター又は斑点
を生成する。パルスコード化レーザーによりデータを記
入する場合には、この部分は直径100〜2000nmの円形又
は楕円形状である。アナログ変調連続波レーザーによる
記入の場合には、これは任意の形を有することが出来
る。
本発明の塗装薄膜は、レーザー光学的データ記録に著
しく適している。
しく適している。
データの記録層への記入は、この層の支持体と反対の
側から、又は光学的に透明な支持体を通して行つてもよ
い。後者の場合が特に有利である。
側から、又は光学的に透明な支持体を通して行つてもよ
い。後者の場合が特に有利である。
記入されたデータは、読出しレーザー光によつて読出
される。読出し波長における読出しレーザー光の出力
は、始動出力(これから記入が可能になる)よりも低
い。一般に、照射出力は0.1〜1.5mWである。記録層によ
り強く反射される波長のレーザー光を用いることが好ま
しい。好ましい波長は400〜1000nm特に630〜900nmであ
る。
される。読出し波長における読出しレーザー光の出力
は、始動出力(これから記入が可能になる)よりも低
い。一般に、照射出力は0.1〜1.5mWである。記録層によ
り強く反射される波長のレーザー光を用いることが好ま
しい。好ましい波長は400〜1000nm特に630〜900nmであ
る。
読出し工程においても、読出しレーザー光は、相対移
動しながら記録材料を通過し、これに垂直に突当り、そ
の際記録層上に焦点を結ぶ。
動しながら記録材料を通過し、これに垂直に突当り、そ
の際記録層上に焦点を結ぶ。
記録層の走査において、読出しレーザー光線が熱によ
り変化した部分例えば斑点に当たると、記録材料により
透過され又は反射された光の性質が変化し、これを適当
な検出装置を用いて検出することが出来る。
り変化した部分例えば斑点に当たると、記録材料により
透過され又は反射された光の性質が変化し、これを適当
な検出装置を用いて検出することが出来る。
この場合、記録層内のデータの読出しは、記録層の支
持体と反対の側から又は光学的に透明な支持体を通して
行うことが出来、後者の場合が好ましい。この場合、反
射光を捕捉することが特に有利である。
持体と反対の側から又は光学的に透明な支持体を通して
行うことが出来、後者の場合が好ましい。この場合、反
射光を捕捉することが特に有利である。
そのほか、650〜900nmの赤外波長領域の光線を放射す
る記入及び読出しレーザーを用いることが特に有利であ
る。この場合、記入波長が読出し波長と同一であるか、
又はきわめてわずかしか異ならないときにさらに特に有
利である。この波長の光は、通常の公知の半導体レーザ
ーによつて発生される。
る記入及び読出しレーザーを用いることが特に有利であ
る。この場合、記入波長が読出し波長と同一であるか、
又はきわめてわずかしか異ならないときにさらに特に有
利である。この波長の光は、通常の公知の半導体レーザ
ーによつて発生される。
本発明の塗装薄膜は、多くの特別の利点を示す。すな
わちその未記入の記録層は特に安定であるので、比較的
高温、高湿度で長期間保存したのちも、なおレーザー光
学的データ記録のために著しく適している。記入された
記録層についても同様であつて、この場合にも非常に長
期間保存しても情報の消失がない。従つて比較的光出力
の低い記入レーザーを利用することも出来る。さらに記
入された記録材料は、記入部分と未記入部分との間で特
に高いコントラストを示し、これは文献記載のナフタロ
シアニン層の従来公知の光学的コントラストに勝つてい
る。そのほか新規な記録材料においては、107bits/cm2
より明らかに高いビツト密度がその際データを記入の直
後にも読出すことが出来る。
わちその未記入の記録層は特に安定であるので、比較的
高温、高湿度で長期間保存したのちも、なおレーザー光
学的データ記録のために著しく適している。記入された
記録層についても同様であつて、この場合にも非常に長
期間保存しても情報の消失がない。従つて比較的光出力
の低い記入レーザーを利用することも出来る。さらに記
入された記録材料は、記入部分と未記入部分との間で特
に高いコントラストを示し、これは文献記載のナフタロ
シアニン層の従来公知の光学的コントラストに勝つてい
る。そのほか新規な記録材料においては、107bits/cm2
より明らかに高いビツト密度がその際データを記入の直
後にも読出すことが出来る。
式Iの本発明の珪素ナフタロシアニンは、その他のき
わめて良好な応用技術特性を有し、従つて別の目的にも
利用することが出来る。特に、赤外線保護層、赤外線吸
収フイルム、サングラスのコーテイング加工、自動車の
ウインドシールド用のコーテイング、赤外線インク、赤
外線読出し可能なバーコード用の印刷インキ、液晶表示
又は赤外線保安システムのために利用することが出来
る。
わめて良好な応用技術特性を有し、従つて別の目的にも
利用することが出来る。特に、赤外線保護層、赤外線吸
収フイルム、サングラスのコーテイング加工、自動車の
ウインドシールド用のコーテイング、赤外線インク、赤
外線読出し可能なバーコード用の印刷インキ、液晶表示
又は赤外線保安システムのために利用することが出来
る。
赤外線読出しバーコードは、例えば商品の包装に付す
るバーコードであり、商品の正確な識別に役立つ。
るバーコードであり、商品の正確な識別に役立つ。
液晶表示又は「デイスプレイ」は、液晶物質から成る
層を含有する公知の装置である。この層は、電圧を加え
るとその光学的性質を局部的に変化し、この変化により
例えば数字、文字又は画像を目に見えるように表示する
ことが出来る。
層を含有する公知の装置である。この層は、電圧を加え
るとその光学的性質を局部的に変化し、この変化により
例えば数字、文字又は画像を目に見えるように表示する
ことが出来る。
赤外保安システムは、本質的にレーザー光源及びそれ
から空間的に隔てられた検出器から成る装置である。こ
の装置では、レーザー光源から放射されたレーザー光線
検出器に入射され、いわゆる光線防壁を形成する。この
防壁が破られると、検出器を通つて警報が発せられる。
から空間的に隔てられた検出器から成る装置である。こ
の装置では、レーザー光源から放射されたレーザー光線
検出器に入射され、いわゆる光線防壁を形成する。この
防壁が破られると、検出器を通つて警報が発せられる。
電子写真複写用の記録材料は、暗所で高い電気抵抗を
有するが、露光により導電性となる層を本質的に含有す
る。この層が暗所でその表面に静電荷を与えられ、次い
で画像に応じた光を照射されると、静電荷が光照射部分
で放電され、いわゆるトナーを用いて目に見えるように
することの出来る静電画像を生成する。
有するが、露光により導電性となる層を本質的に含有す
る。この層が暗所でその表面に静電荷を与えられ、次い
で画像に応じた光を照射されると、静電荷が光照射部分
で放電され、いわゆるトナーを用いて目に見えるように
することの出来る静電画像を生成する。
下記の実施例によつて、本発明を詳細に説明する。
A) 合成 実施例 1 (特に記載しない限り、各実施例中の残基Ncはナフタロ
シアニンの非置換残基を示す。) n−ブチル−トリクロロシラン20gと1,3−ジイミノベ
ンゾ−〔f〕−イソインドリン11gを、キノリン150ml中
で195℃で3時間加熱した。冷却後メタノール250mlを加
え、吸引過し、メタノールで洗浄した。
シアニンの非置換残基を示す。) n−ブチル−トリクロロシラン20gと1,3−ジイミノベ
ンゾ−〔f〕−イソインドリン11gを、キノリン150ml中
で195℃で3時間加熱した。冷却後メタノール250mlを加
え、吸引過し、メタノールで洗浄した。
a)で得た化合物を濃硫酸と共に室温で20時間攪拌し
た。次いで反応混合物を氷水上に加え、吸引過し、水
とメタノールで洗浄した。
た。次いで反応混合物を氷水上に加え、吸引過し、水
とメタノールで洗浄した。
b)に記載した化合物5gを、ピリジン150ml、トルエ
ン50ml及びトリブチルアミン10mlの混合物に加えた。次
いで水素化ナトリウム0.5gを加え、80℃で3時間攪拌し
た。冷却後ジメチル−ジクロロシラン〔(CH3)2SiCl2〕2
0mlを加え、1夜室温で攪拌したのち、反応混合物の約1
00mlを留去した。
ン50ml及びトリブチルアミン10mlの混合物に加えた。次
いで水素化ナトリウム0.5gを加え、80℃で3時間攪拌し
た。冷却後ジメチル−ジクロロシラン〔(CH3)2SiCl2〕2
0mlを加え、1夜室温で攪拌したのち、反応混合物の約1
00mlを留去した。
7,7−ジメチルオクタン−1−オール7mlを加えたの
ち、6時間還流下に煮沸し、次いで同じ条件ですべての
蒸発成分を大部分留去し、冷却後メタノール約200mlを
加えた。
ち、6時間還流下に煮沸し、次いで同じ条件ですべての
蒸発成分を大部分留去し、冷却後メタノール約200mlを
加えた。
目的生成物を吸引過し、メタノールで洗浄した。
同様の方法で、下記の第1表に示す次式の化合物が得
られた。
られた。
同表には、工程c)で用いたシラン及び工程c)で用
いたアルコールを追加して示す。
いたアルコールを追加して示す。
これらの化合物の特性を決定するために、そのRf値を
第2表に示す。
第2表に示す。
上記のRf値は、Macherey & Nagel社のシリカゲルー
プレート(Polygram 0.2mm,N−HR UV254)を用いて測定
した。
プレート(Polygram 0.2mm,N−HR UV254)を用いて測定
した。
展開溶媒としては、下記のものを用いた。
A) トルエン B) トルエン/メチレンクロリド(9:1V/V) C) トルエン/アセトン(9:1V/V) 塗装薄膜の製造法: 実施例1 c)で得た化合物1gをトルエン20ml中で室
温で1夜攪拌したのち、半融ガラス(P4)を加圧により
通過させた。得られた溶液をスプレーにより、回転して
いるポリメチルメタクリレート製のデイスク(直径12c
m)上に塗布した。この場合溶液を毎分2000の回転数で2
5秒間遠心除去し、次いで毎分5000の回転数で35秒間遠
心乾燥した。得られた層は均一で、ピンホールが無く、
高反射性であつた。
温で1夜攪拌したのち、半融ガラス(P4)を加圧により
通過させた。得られた溶液をスプレーにより、回転して
いるポリメチルメタクリレート製のデイスク(直径12c
m)上に塗布した。この場合溶液を毎分2000の回転数で2
5秒間遠心除去し、次いで毎分5000の回転数で35秒間遠
心乾燥した。得られた層は均一で、ピンホールが無く、
高反射性であつた。
B) 応用 上記の方法で製造した記録材料の記入及び読出しのた
めに、通常の公知の測定用ドライブ装置を用いた。この
装置は a) 最高記入出力10mWを有する波長836nmの光を発す
るパルスコード化記入レーザー、及び b) 出力0.4〜1mWを有する波長780nmの連続光を発す
る読出しレーザー を有する。さらに測定用ドライブ装置は、共通の対物レ
ンズ(NA=0.5)によりデイスクを通過して記録層上に
焦点を結ばせるために、レーザー(a)及び(b)の平
行レーザー光線を共線的に調整する光学的構成要素を有
する。これにより両レーザー光線の入射位置は、互いに
約10μmだけ離れているにすぎないので、記入された斑
点はデイスクの回転により、記入後僅か数μsに読出し
レーザー(b)の焦点を通過し、検出することが出来
た。
めに、通常の公知の測定用ドライブ装置を用いた。この
装置は a) 最高記入出力10mWを有する波長836nmの光を発す
るパルスコード化記入レーザー、及び b) 出力0.4〜1mWを有する波長780nmの連続光を発す
る読出しレーザー を有する。さらに測定用ドライブ装置は、共通の対物レ
ンズ(NA=0.5)によりデイスクを通過して記録層上に
焦点を結ばせるために、レーザー(a)及び(b)の平
行レーザー光線を共線的に調整する光学的構成要素を有
する。これにより両レーザー光線の入射位置は、互いに
約10μmだけ離れているにすぎないので、記入された斑
点はデイスクの回転により、記入後僅か数μsに読出し
レーザー(b)の焦点を通過し、検出することが出来
た。
斑点を検出するために、デイスクを通して記録層から
反射してくる光を、通常の公知の方法で捕捉した。
反射してくる光を、通常の公知の方法で捕捉した。
記録材料は、4ms-1の軌道速度で記入レーザー(a)
により、連続パルス波(1MHz方形波;各パルス幅:500n
s)で記入した。この場合、記入出力を1〜10mWで変化
させた。直接に即ちその記録後数μsで得られた斑点を
読出した。ここで斑点によつて生じた反射読出しレーザ
ー光のパルスの振幅を測定し、これを当該斑点に固有に
発生される記入出力の関数として記録した。こうしてデ
ータ記録の基本的前提である問題のない信号が、前記の
条件下でその記入出力から得られるかを調べた。これは
2.5mWの記入出力から可能であつて、このことは本発明
の記録材料の高い感度を証明した。
により、連続パルス波(1MHz方形波;各パルス幅:500n
s)で記入した。この場合、記入出力を1〜10mWで変化
させた。直接に即ちその記録後数μsで得られた斑点を
読出した。ここで斑点によつて生じた反射読出しレーザ
ー光のパルスの振幅を測定し、これを当該斑点に固有に
発生される記入出力の関数として記録した。こうしてデ
ータ記録の基本的前提である問題のない信号が、前記の
条件下でその記入出力から得られるかを調べた。これは
2.5mWの記入出力から可能であつて、このことは本発明
の記録材料の高い感度を証明した。
記録材料を60℃及び相対湿度90%で10週間保存した。
この場合に不利な変化は生ぜず、記録したデータは欠点
なしに読出すことが出来た。
この場合に不利な変化は生ぜず、記録したデータは欠点
なしに読出すことが出来た。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジービレ・プロシウス ドイツ連邦共和国6800マンハイム1・L 9‐3 (56)参考文献 特開 昭63−55556(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) C07F 7/18 CA(STN) REGISTRY(STN) WPI(DIALOG)
Claims (2)
- 【請求項1】一般式I [式中Ncは必要に応じてC1〜C10−アルキル基又はC1
〜C10−アルコキシ基により置換されたナフタロシアニ
ンの残基であり、R1及びR2は同一又は異なり互いに独
立して、次式 で表される残基であり、ここにR3は次式 (式中nは1〜6の数、R6及びR7は同一又は異なり互
いに独立して、C1〜C16−アルキル基を意味し、R8は
H又はCH3を意味する)で表される分枝状C6〜C20−ア
ルキル基であり、R4及びR5は同一又は異なり互いに独
立して、C1〜C12−アルキル基又は基OR3(R3は前記
の意味を有する)であり、基R1はC1〜C10−アルキル
基をも意味する]で表される珪素ナフタロシアニン。 - 【請求項2】感光性層が請求項1に記載の珪素ナフタロ
シアニンを含有することを特徴とする、支持体及び感光
性層を含有する感光性塗装薄膜。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3810956.5 | 1988-03-31 | ||
DE3810956A DE3810956A1 (de) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | Neue siliciumnaphthalocyanine sowie duenne strahlungsempfindliche beschichtungsfilme, die diese verbindungen enthalten |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH026491A JPH026491A (ja) | 1990-01-10 |
JP2874888B2 true JP2874888B2 (ja) | 1999-03-24 |
Family
ID=6351138
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1078693A Expired - Fee Related JP2874888B2 (ja) | 1988-03-31 | 1989-03-31 | 珪素ナフタロシアニン及びこの化合物を含有する感光性塗装薄膜 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5061596A (ja) |
EP (1) | EP0336213B1 (ja) |
JP (1) | JP2874888B2 (ja) |
KR (1) | KR890014565A (ja) |
DE (2) | DE3810956A1 (ja) |
ES (1) | ES2066800T3 (ja) |
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---|---|---|---|---|
DE19818176A1 (de) | 1998-04-23 | 1999-10-28 | Basf Ag | Verfahren zur Markierung von Flüssigkeiten mit mindestens zwei Markierstoffen und Verfahren zu deren Detektion |
US5804447A (en) * | 1992-07-23 | 1998-09-08 | Basf Aktiengesellschaft | Use of compounds which absorb and/or fluoresce in the IR region as markers for liquids |
DE4403664A1 (de) * | 1994-02-07 | 1995-08-10 | Basf Ag | Verwendung von im IR-Bereich absorbierenden und fluoreszierenden Verbindungen als Riß-Prüfmittel |
US20100113767A1 (en) * | 2007-04-05 | 2010-05-06 | Basf Se | Preparation of silicon phthalocyanines and germanium phthalocyanines and related substances |
KR102563713B1 (ko) | 2017-04-26 | 2023-08-07 | 오티아이 루미오닉스 인크. | 표면의 코팅을 패턴화하는 방법 및 패턴화된 코팅을 포함하는 장치 |
WO2022123431A1 (en) | 2020-12-07 | 2022-06-16 | Oti Lumionics Inc. | Patterning a conductive deposited layer using a nucleation inhibiting coating and an underlying metallic coating |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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