JP2872421B2 - Tab用テープキャリア - Google Patents

Tab用テープキャリア

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JP2872421B2
JP2872421B2 JP3564891A JP3564891A JP2872421B2 JP 2872421 B2 JP2872421 B2 JP 2872421B2 JP 3564891 A JP3564891 A JP 3564891A JP 3564891 A JP3564891 A JP 3564891A JP 2872421 B2 JP2872421 B2 JP 2872421B2
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tape carrier
tab tape
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tab
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英人 西村
護 御田
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Hitachi Cable Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、TAB(Tape A
utomated Bonding)法によって集積回
路(IC)を実装する際に用いるテープキャリアに関
し、特にTAB用テープキャリアとIC素子との接合
(Gang Bonding、以下「G・B」と言
う。)工程時に用いる位置合わせ用の認識マークの改善
に関する。
【0002】
【従来の技術】TAB法は、高集積ICの実装を効率良
く行うために開発された方法であり、テープキャリア上
でIC素子の実装を行うものである。図2は、このよう
なTAB用テープキャリアを示すもので、(a)は平面
図、(b)は断面図である。このTAB用テープキャリ
アは、長尺の絶縁フィルム1に、IC素子を装着するた
めのデバイスホール2と送り穴(パーフォレーション
穴)3が形成され、さらに、それぞれ銅箔6表面上にメ
ッキ層8を施した配線パターン4及び位置合わせ用の認
識マーク5が形成されたものである。
【0003】絶縁フィルム1は、一般に厚さ50〜12
5μm、幅35mm(あるいは70又は140mm)の
有機ポリイミドフィルムやガラスエポキシフィルム等か
ら成る。また、デバイスホール2及び送り穴3は絶縁フ
ィルム1をパンチング加工して形成される。さらに配線
パターン4及び認識マーク5は、厚さ18〜35μmの
圧延銅箔や電解銅箔等の銅箔6を接着剤層7を介して絶
縁フィルム1に接着した後、フォトエッチングにより所
定のパターンが得られるように銅箔6をエッチングし、
さらにその表面に錫や半田等のメッキ層8が施される。
メッキ層8を施すのは、配線パターン4のIC素子の電
極との加熱圧着による接合を確実にするためであり、配
線パターン4と同一工程で形成される認識マーク4の表
面にもメッキ層8が施される。この認識マーク4は、G
・B工程時のTAB用テープキャリアとIC素子との位
置合わせに用いるもので、アライメントターゲットとし
て必須のものである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
従来のTAB用テープキャリアは、TAB用テープキャ
リアとIC素子とを光学的に位置合わせする場合、認識
マーク4がメッキ層8によって光沢性を有するので、認
識マーク4と接着剤層7との境目の見分けが付きにく
く、位置合わせ装置を用いて位置合わせを行うと位置合
わせ装置がスキップを起こし、正確な位置合わせができ
ないという問題があった。
【0005】従って、本発明の目的は、IC素子との位
置合わせを容易に且つ精度良く行うことができるTAB
用テープキャリアを提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、IC素子との
位置合わせを容易に且つ精度良く行うことができるよう
にするため、TAB用テープキャリアにおいて、表面に
光沢性のメッキが施されていない位置合わせ用の認識マ
ークを備えたものである。
【0007】
【作用】本発明のTAB用テープキャリアは、位置合わ
せ用の認識マークの表面に光沢性のメッキが施されてい
ないので、認識マークの光沢度が小さく、認識マークと
接着剤層との光学的な2値化が確実となる。従って、接
着剤層と認識マークとの境目が明瞭となる。
【0008】
【実施例】以下、本発明の実施例について詳細に説明す
る。図1は本発明の一実施例のTAB用テープキャリア
を示すもので、(a)は平面図、(b)は断面図であ
る。このTAB用テープキャリアは、図2のTAB用テ
ープキャリアと同様に、長尺の絶縁フィルム1にデバイ
スホール2と送り穴3が形成され、さらに銅箔6表面上
にメッキ層8を施した配線パターン4及び銅箔6のみか
ら成る認識マーク9が形成されている。このTAB用テ
ープキャリアを作成する場合は、まず厚さ75μm、幅
35mmの有機ポリイミド製の絶縁フィルム1に、IC
素子に対応するデバイスホール2及び送り穴3をパンチ
ング加工により形成し、この絶縁フィルム1面に接着剤
層7を介して厚さ35μmの圧延銅箔6を貼り合わせ
る。その後、フォトエッチングにより配線パターン4及
び認識マーク9を形成する。なお、本実施例では認識マ
ーク9と配線パターン4とは分離したパターンとし、認
識マーク9に電気が流れないようにしている。さらに、
配線パターン4の表面に電気半田メッキによりメッキ層
8を施すが、認識マーク9には半田メッキを施さない。
【0009】上記のようにして作成したTAB用テープ
キャリアの認識マーク9の光沢度をグロスメータを用い
て測定した結果によると、認識マーク9の光沢度は15
0となり、従来のメッキが施された認識マークの場合の
500に対して十分小さく、2値化がより確実となり、
位置合わせ時のスキップも生じなくなった。この結果、
従来のTAB用テープキャリアではG・B認識不可によ
るギャング・ボンダー停止不良率が70%と高かったの
に対し、本実施例のTAB用テープキャリアではG・B
認識不良率は0%となり、確実に認識動作を行うことが
できるようになるとともにアライメントのマッチング精
度も向上した。本実施例のTAB用テープキャリアで
は、パターンピッチが0.08mm(導体幅40μm、
導体間隔40μm)のファインパターンを実現すること
も可能となる。
【0010】なお、従来のように配線パターンと認識マ
ークとを連結して形成せず、本実施例のように認識マー
クを配線パターンから分離して形成した場合には、ソル
ダーレジストインクが配線リードに沿って流れて認識マ
ークに掛かるということもなくなり、これによる認識不
良も防止できる。また、同時にソルダーレジストインク
の滲みも防止することができる。
【0011】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明のTAB用テ
ープキャリアは、位置合わせ用の認識マークの表面に光
沢性のメッキが施されていないので、光沢度が低下し、
光学的な2値化が確実になる。従って、接着剤層と認識
マークとの境目が明瞭となり、IC素子との位置合わせ
を容易に且つ精度良く行うことができるようになった。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例のTAB用テープキャリアを
示し、(a)は平面図、(b)は断面図である。
【図2】従来のTAB用テープキャリアを示し、(a)
は平面図、(b)は断面図である。
【符号の説明】
1 絶縁フィルム 2 デバイスホール 3 送り穴 4 配線パターン 5,9 認識マーク 6 銅箔 7 接着剤層 8 メッキ層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/60 311

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 テープキャリア上で集積回路素子の実装
    を行うTAB用テープキャリアにおいて、テープキャリ
    アに形成された光沢性のメッキ層を有する配線パターン
    と、前記配線パターンと集積回路素子との位置合わせに
    用いるための表面に光沢性のメッキが施されていない認
    識マークを備えたことを特徴とするTAB用テープキャ
    リア。
  2. 【請求項2】 前記配線パターンと前記認識マークは電
    気的に絶縁されており、前記メッキ層は電気メッキ層で
    ある請求項1に記載のTAB用テープキャリア。
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