JP2871516B2 - 酸化物超伝導薄膜装置 - Google Patents
酸化物超伝導薄膜装置Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
- H10N60/0576—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers characterised by the substrate
- H10N60/0632—Intermediate layers, e.g. for growth control
Landscapes
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、誘電体基板上に酸化物
超伝導薄膜が形成された酸化物超伝導薄膜装置に関する
ものである。
超伝導薄膜が形成された酸化物超伝導薄膜装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】イットリウム系酸化物超伝導薄膜（以後
ＹＢＣＯ薄膜という）は高臨界電流密度、高臨界温度で
あるためジョセフソン接合素子や高周波用受動素子の材
料として有望視されている。一方、ＬａＡｌＯ3 材料も
比誘電率が高く、且つ誘電正接が低いことから高周波用
誘電材料として実績がある。
ＹＢＣＯ薄膜という）は高臨界電流密度、高臨界温度で
あるためジョセフソン接合素子や高周波用受動素子の材
料として有望視されている。一方、ＬａＡｌＯ3 材料も
比誘電率が高く、且つ誘電正接が低いことから高周波用
誘電材料として実績がある。
【０００３】従って、これらを組み合わせたＹＢＣＯ薄
膜／ＬａＡｌＯ3 単結晶基板は、周波数が数ＧＨｚレベ
ルの素子特性を大幅に向上できる可能性がある。
膜／ＬａＡｌＯ3 単結晶基板は、周波数が数ＧＨｚレベ
ルの素子特性を大幅に向上できる可能性がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＬａＡ
ｌＯ3 単結晶基板上に直接ＹＢＣＯ薄膜を形成した場
合、ＹＢＣＯ薄膜はヘテロエピタキシャル成長して単結
晶膜となるものの、基板との密着性が悪くなったり、Ｙ
ＢＣＯ中のＢａが成膜中に基板に拡散してしまうといっ
た不具合が生ずる。
ｌＯ3 単結晶基板上に直接ＹＢＣＯ薄膜を形成した場
合、ＹＢＣＯ薄膜はヘテロエピタキシャル成長して単結
晶膜となるものの、基板との密着性が悪くなったり、Ｙ
ＢＣＯ中のＢａが成膜中に基板に拡散してしまうといっ
た不具合が生ずる。
【０００５】基板とＹＢＣＯ薄膜との密着性の低下は、
デバイス形成プロセス中にＹＢＣＯ薄膜の剥離を発生さ
せる。また、信頼性の低下を引き起こすことにもなる。
Ｂａの基板中への拡散は、ＹＢＣＯ膜の界面近傍におけ
るＢａ元素の欠乏を引き起こし結晶欠陥による電気特性
の低下（例えば臨界温度の低下や臨界電流密度の低下な
ど）や最悪の場合結晶構造の変化による超伝導状態の破
壊が発生してしまう。
デバイス形成プロセス中にＹＢＣＯ薄膜の剥離を発生さ
せる。また、信頼性の低下を引き起こすことにもなる。
Ｂａの基板中への拡散は、ＹＢＣＯ膜の界面近傍におけ
るＢａ元素の欠乏を引き起こし結晶欠陥による電気特性
の低下（例えば臨界温度の低下や臨界電流密度の低下な
ど）や最悪の場合結晶構造の変化による超伝導状態の破
壊が発生してしまう。
【０００６】本発明は上記問題に鑑みてなされたもの
で、Ｂａ元素を含むイットリウム系酸化物超伝導薄膜と
ＬａＡｌＯ 3 単結晶基板との密着性を高くし、酸化物超
伝導薄膜中のＢａ元素が誘電体基板に拡散しないように
することを目的とする。
で、Ｂａ元素を含むイットリウム系酸化物超伝導薄膜と
ＬａＡｌＯ 3 単結晶基板との密着性を高くし、酸化物超
伝導薄膜中のＢａ元素が誘電体基板に拡散しないように
することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明においては、ＬａＡｌＯ 3 単
結晶基板とＢａ元素を含むイットリウム系酸化物超伝導
薄膜の間に、ＢａＣｅＯ 3 バッファ層を介在させてなる
酸化物超伝導薄膜装置であって、 前記ＬａＡｌＯ 3 単結
晶基板と前記ＢａＣｅＯ 3 バッファ層との界面ならびに
前記ＢａＣｅＯ 3 バッファ層と前記イットリウム系酸化
物超伝導薄膜との界面において形成される結晶面は、 前
記ＬａＡｌＯ 3 単結晶基板側が擬立方晶の（００１）面
であり、 前記イットリウム系酸化物超伝導薄膜側が斜方
晶の（００１）面であり、 前記ＢａＣｅＯ 3 バッファ層
側が正方晶の（１１２）面あるいは（２００）面である
ことを特徴としている。また、請求項２に記載の発明に
おいては、前記ＢａＣｅＯ 3 バッファ層の厚さが、２５
ｎｍ〜１００ｎｍであることを特徴としている。
め、請求項１に記載の発明においては、ＬａＡｌＯ 3 単
結晶基板とＢａ元素を含むイットリウム系酸化物超伝導
薄膜の間に、ＢａＣｅＯ 3 バッファ層を介在させてなる
酸化物超伝導薄膜装置であって、 前記ＬａＡｌＯ 3 単結
晶基板と前記ＢａＣｅＯ 3 バッファ層との界面ならびに
前記ＢａＣｅＯ 3 バッファ層と前記イットリウム系酸化
物超伝導薄膜との界面において形成される結晶面は、 前
記ＬａＡｌＯ 3 単結晶基板側が擬立方晶の（００１）面
であり、 前記イットリウム系酸化物超伝導薄膜側が斜方
晶の（００１）面であり、 前記ＢａＣｅＯ 3 バッファ層
側が正方晶の（１１２）面あるいは（２００）面である
ことを特徴としている。また、請求項２に記載の発明に
おいては、前記ＢａＣｅＯ 3 バッファ層の厚さが、２５
ｎｍ〜１００ｎｍであることを特徴としている。
【０００８】
【０００９】
【発明の作用効果】請求項１、２に記載の発明によれ
ば、ＢａＣｅＯ 3 バッファ層を、ＬａＡｌＯ 3 単結晶基
板と、Ｂａ元素を含むイットリウム系酸化物超伝導薄膜
の間に介在させているから、ＬａＡｌＯ 3 単結晶基板と
イットリウム系酸化物超伝導薄膜の密着性を向上させる
ことができ、イットリウム系酸化物超伝導薄膜の剥離を
抑えることができる。また、ＢａＣｅＯ 3 バッファ層が
介在しているため、イットリウム系酸化物超伝導薄膜か
らのＢａの拡散が抑えられ酸化物超伝導薄膜の品質を高
めることができる。
ば、ＢａＣｅＯ 3 バッファ層を、ＬａＡｌＯ 3 単結晶基
板と、Ｂａ元素を含むイットリウム系酸化物超伝導薄膜
の間に介在させているから、ＬａＡｌＯ 3 単結晶基板と
イットリウム系酸化物超伝導薄膜の密着性を向上させる
ことができ、イットリウム系酸化物超伝導薄膜の剥離を
抑えることができる。また、ＢａＣｅＯ 3 バッファ層が
介在しているため、イットリウム系酸化物超伝導薄膜か
らのＢａの拡散が抑えられ酸化物超伝導薄膜の品質を高
めることができる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づき具
体的に説明する。図１は本発明を適用したＬａＡｌＯ3
基板上のＹＢＣＯ薄膜の実施例を示す断面図である。図
１において、１０はＬａＡｌＯ3 基板、２０はＢａＣｅ
Ｏ3 バッファ層、３０はＹＢＣＯ薄膜である。ＢａＣｅ
Ｏ3 バッファ層の厚みは５０ｎｍとしている。この厚み
は厚くすれば格子歪みを十分に吸収できるが、厚くしす
ぎると下地のＬａＡｌＯ3 基板の誘電特性に影響を及ぼ
すために２５ｎｍ〜１００ｎｍが適当である。
体的に説明する。図１は本発明を適用したＬａＡｌＯ3
基板上のＹＢＣＯ薄膜の実施例を示す断面図である。図
１において、１０はＬａＡｌＯ3 基板、２０はＢａＣｅ
Ｏ3 バッファ層、３０はＹＢＣＯ薄膜である。ＢａＣｅ
Ｏ3 バッファ層の厚みは５０ｎｍとしている。この厚み
は厚くすれば格子歪みを十分に吸収できるが、厚くしす
ぎると下地のＬａＡｌＯ3 基板の誘電特性に影響を及ぼ
すために２５ｎｍ〜１００ｎｍが適当である。
【００１１】図２は、ＬａＡｌＯ3 及びＹＢＣＯ薄膜の
結晶の単位胞を示す斜視概略図であり、（ａ）はＬａＡ
ｌＯ3 の単位胞、（ｂ）はＹＢＣＯの単位胞を示す。Ｌ
ａＡｌＯ3 は正方晶（擬立方晶）であり、ａ1 ＝ｂ1 ＝
０．５３６４ｎｍ、ｃ1 ＝１．３１１ｎｍであるが、
（００１）面はａ2 ＝ｂ2 ＝ａ1 ／２1/2 ＝０．３７９
２ｎｍの正方形の格子が存在しているとみなすことがで
きる。一方、ＹＢＣＯは斜方晶であり、ａ3 ＝０．３８
２０ｎｍ、ｂ3 ＝０．３８８６ｎｍ、ｃ 3 ＝１．１６９
ｎｍである。ａ2 （＝ｂ2 ）の値はａ3 及びｂ3 と近い
ため（格子不整合率＜１％）、ＬａＡｌＯ3 上にＹＢＣ
Ｏがエピタキシャル成長することができる。
結晶の単位胞を示す斜視概略図であり、（ａ）はＬａＡ
ｌＯ3 の単位胞、（ｂ）はＹＢＣＯの単位胞を示す。Ｌ
ａＡｌＯ3 は正方晶（擬立方晶）であり、ａ1 ＝ｂ1 ＝
０．５３６４ｎｍ、ｃ1 ＝１．３１１ｎｍであるが、
（００１）面はａ2 ＝ｂ2 ＝ａ1 ／２1/2 ＝０．３７９
２ｎｍの正方形の格子が存在しているとみなすことがで
きる。一方、ＹＢＣＯは斜方晶であり、ａ3 ＝０．３８
２０ｎｍ、ｂ3 ＝０．３８８６ｎｍ、ｃ 3 ＝１．１６９
ｎｍである。ａ2 （＝ｂ2 ）の値はａ3 及びｂ3 と近い
ため（格子不整合率＜１％）、ＬａＡｌＯ3 上にＹＢＣ
Ｏがエピタキシャル成長することができる。
【００１２】図３は、バッファ層として用いるＢａＣｅ
Ｏ3 結晶の単位胞を示す斜視概略図である。ＢａＣｅＯ
3 は正方晶であり、ａ4 ＝ｂ4 ＝０．６２１２ｎｍ、ｃ
4 ＝０．８８０４ｎｍである。図３において、２０１は
Ｂａ原子、２０２は酸素原子、２０３はＣｅ原子であ
り、２１１は（１１２）結晶面、２１２は（２００）結
晶面である。この２つの結晶面がＬａＡｌＯ3 及びＹＢ
ＣＯとの界面に形成される面となる。
Ｏ3 結晶の単位胞を示す斜視概略図である。ＢａＣｅＯ
3 は正方晶であり、ａ4 ＝ｂ4 ＝０．６２１２ｎｍ、ｃ
4 ＝０．８８０４ｎｍである。図３において、２０１は
Ｂａ原子、２０２は酸素原子、２０３はＣｅ原子であ
り、２１１は（１１２）結晶面、２１２は（２００）結
晶面である。この２つの結晶面がＬａＡｌＯ3 及びＹＢ
ＣＯとの界面に形成される面となる。
【００１３】図４は、ＢａＣｅＯ3 の（１１２）面とＬ
ａＡｌＯ3 あるいはＹＢＣＯの（００１）面により形成
される界面における原子配列の相対的な位置関係を示す
模式平面図である。図４において、２１１はＢａＣｅＯ
3 の（１１２）面であり、この面内に２０１のＢａ原
子、２０２の酸素原子、２０３のＣｅ原子が存在する。
ｄ1 及びｄ2はＢａＣｅＯ3 の（１１２）面の基本格子
の寸法を示し、ｄ1 ＝１．２４３７ｎｍ、ｄ2 ＝０．４
３９３ｎｍとなる。
ａＡｌＯ3 あるいはＹＢＣＯの（００１）面により形成
される界面における原子配列の相対的な位置関係を示す
模式平面図である。図４において、２１１はＢａＣｅＯ
3 の（１１２）面であり、この面内に２０１のＢａ原
子、２０２の酸素原子、２０３のＣｅ原子が存在する。
ｄ1 及びｄ2はＢａＣｅＯ3 の（１１２）面の基本格子
の寸法を示し、ｄ1 ＝１．２４３７ｎｍ、ｄ2 ＝０．４
３９３ｎｍとなる。
【００１４】一方、２１３がＬａＡｌＯ3 あるいはＹＢ
ＣＯの（００１）面であり、２０４はそれらの構成原子
である。ｄ3 及びｄ4 はＬａＡｌＯ3 あるいはＹＢＣＯ
の格子定数に最も近くなるような基本格子の寸法であ
り、ｄ3 ＝０．３８０７ｎｍ、ｄ4 ＝０．３５８８ｎｍ
となる。ｄ4 の値はＹＢＣＯの格子定数ｂ3 ＝０．３８
８６ｎｍと比較して約７％の格子不整合率となるがエピ
タキシャル成長は可能である。
ＣＯの（００１）面であり、２０４はそれらの構成原子
である。ｄ3 及びｄ4 はＬａＡｌＯ3 あるいはＹＢＣＯ
の格子定数に最も近くなるような基本格子の寸法であ
り、ｄ3 ＝０．３８０７ｎｍ、ｄ4 ＝０．３５８８ｎｍ
となる。ｄ4 の値はＹＢＣＯの格子定数ｂ3 ＝０．３８
８６ｎｍと比較して約７％の格子不整合率となるがエピ
タキシャル成長は可能である。
【００１５】図５は、ＢａＣｅＯ3 の（２００）面とＬ
ａＡｌＯ3 あるいはＹＢＣＯの（００１）面により形成
される界面における原子配列の相対的な位置関係を示す
模式平面図である。図５において、２１２はＢａＣｅＯ
3 の（２００）面であり、この面内に２０１のＢａ原
子、２０２の酸素原子、２０３のＣｅ原子が存在する。
ｄ5 及びｄ6はＢａＣｅＯ3 の（２００）面の基本格子
の寸法を示し、ｄ5 ＝０．３１０６ｎｍ、ｄ6 ＝０．４
４０２ｎｍとなる。
ａＡｌＯ3 あるいはＹＢＣＯの（００１）面により形成
される界面における原子配列の相対的な位置関係を示す
模式平面図である。図５において、２１２はＢａＣｅＯ
3 の（２００）面であり、この面内に２０１のＢａ原
子、２０２の酸素原子、２０３のＣｅ原子が存在する。
ｄ5 及びｄ6はＢａＣｅＯ3 の（２００）面の基本格子
の寸法を示し、ｄ5 ＝０．３１０６ｎｍ、ｄ6 ＝０．４
４０２ｎｍとなる。
【００１６】一方、２１３がＬａＡｌＯ3 あるいはＹＢ
ＣＯの（００１）面であり、２０４はそれらの構成原子
である。ｄ7 及びｄ8 はＬａＡｌＯ3 あるいはＹＢＣＯ
の格子定数に最も近くなるような基本格子の寸法であ
り、ｄ7 ＝０．３８０７ｎｍ、ｄ8 ＝０．３５８７ｎｍ
となる。ｄ8 の値はｄ4 の場合と同様にＹＢＣＯの格子
定数ｂ3 ＝０．３８８６ｎｍと比較して約７％の格子不
整合率となるがエピタキシャル成長は可能である。
ＣＯの（００１）面であり、２０４はそれらの構成原子
である。ｄ7 及びｄ8 はＬａＡｌＯ3 あるいはＹＢＣＯ
の格子定数に最も近くなるような基本格子の寸法であ
り、ｄ7 ＝０．３８０７ｎｍ、ｄ8 ＝０．３５８７ｎｍ
となる。ｄ8 の値はｄ4 の場合と同様にＹＢＣＯの格子
定数ｂ3 ＝０．３８８６ｎｍと比較して約７％の格子不
整合率となるがエピタキシャル成長は可能である。
【００１７】従って、ＢａＣｅＯ3 バッファ層２０の基
本格子とＬａＡｌＯ3 基板の基本格子との格子不整合率
およびＢａＣｅＯ3 バッファ層２０の基本格子とＹＢＣ
Ｏ薄膜の基本格子との格子不整合率がいずれも１０％以
下であるため、ＬａＡｌＯ3基板上にＢａＣｅＯ3 バッ
ファ層２０をエピタキシャル成長させ、さらにその上に
ＹＢＣＯ薄膜をエピタキシャル成長させることができ
る。
本格子とＬａＡｌＯ3 基板の基本格子との格子不整合率
およびＢａＣｅＯ3 バッファ層２０の基本格子とＹＢＣ
Ｏ薄膜の基本格子との格子不整合率がいずれも１０％以
下であるため、ＬａＡｌＯ3基板上にＢａＣｅＯ3 バッ
ファ層２０をエピタキシャル成長させ、さらにその上に
ＹＢＣＯ薄膜をエピタキシャル成長させることができ
る。
【００１８】また、ＹＢＣＯ薄膜／ＬａＡｌＯ3 基板に
おいてＹＢＣＯ薄膜３０とＬａＡｌＯ3 基板１０の間に
ＢａＣｅＯ3 バッファ層２０を介在させることにより、
ＢａＣｅＯ3 バッファ層２０の表面の濡れ性が向上し、
ＹＢＣＯの結晶が膜の面内方向へも十分に成長できるた
めＹＢＣＯ膜表面のモホロジーが改善される。この膜表
面のモホロジー改善により、デバイス形成におけるフォ
トリソグラフィー時の寸法精度を良好にするとともに、
超伝導材料に電流が流れる場合の電流経路を十分確保し
て十分な電流を流すことができる。
おいてＹＢＣＯ薄膜３０とＬａＡｌＯ3 基板１０の間に
ＢａＣｅＯ3 バッファ層２０を介在させることにより、
ＢａＣｅＯ3 バッファ層２０の表面の濡れ性が向上し、
ＹＢＣＯの結晶が膜の面内方向へも十分に成長できるた
めＹＢＣＯ膜表面のモホロジーが改善される。この膜表
面のモホロジー改善により、デバイス形成におけるフォ
トリソグラフィー時の寸法精度を良好にするとともに、
超伝導材料に電流が流れる場合の電流経路を十分確保し
て十分な電流を流すことができる。
【００１９】また、ＬａＡｌＯ3 基板１０とＹＢＣＯ薄
膜３０の密着性が向上し、プロセス途中でのＹＢＣＯ薄
膜３０の剥離を抑えることができ、信頼性を向上させる
ことができる。さらに、Ｂａがバッファ層３０に存在し
ているためにＹＢＣＯ薄膜３０からのＢａの拡散が抑え
られ高品質のＹＢＣＯ薄膜を形成することが可能とな
る。
膜３０の密着性が向上し、プロセス途中でのＹＢＣＯ薄
膜３０の剥離を抑えることができ、信頼性を向上させる
ことができる。さらに、Ｂａがバッファ層３０に存在し
ているためにＹＢＣＯ薄膜３０からのＢａの拡散が抑え
られ高品質のＹＢＣＯ薄膜を形成することが可能とな
る。
【００２０】なお、本実施例において誘電体基板材料と
してＬａＡｌＯ3 を用いるものを示したが、バッファ層
及び酸化物超伝導薄膜がエピタキシャル成長できる材料
であれば他の材料を用いても良い。また、酸化物超伝導
薄膜においてもＹＢＣＯに限らず、構成元素にＢａを含
む材料であれば他の材料を用いてもよい。さらに、バッ
ファ層としてＢａＣｅＯ3 を用いるものを示したが、Ｂ
ａ元素が構成元素の１つである他の材料、例えばチタン
酸バリウム（ＢａＴｉＯ3 ）、酸化バリウム（ＢａＯ）
等を用いるようにしても良い。
してＬａＡｌＯ3 を用いるものを示したが、バッファ層
及び酸化物超伝導薄膜がエピタキシャル成長できる材料
であれば他の材料を用いても良い。また、酸化物超伝導
薄膜においてもＹＢＣＯに限らず、構成元素にＢａを含
む材料であれば他の材料を用いてもよい。さらに、バッ
ファ層としてＢａＣｅＯ3 を用いるものを示したが、Ｂ
ａ元素が構成元素の１つである他の材料、例えばチタン
酸バリウム（ＢａＴｉＯ3 ）、酸化バリウム（ＢａＯ）
等を用いるようにしても良い。
【図１】ＬａＡｌＯ3 基板とＹＢＣＯ薄膜の間にＢａＣ
ｅＯ3 バッファ層２０を介在させた実施例を示す断面図
である。
ｅＯ3 バッファ層２０を介在させた実施例を示す断面図
である。
【図２】ＬａＡｌＯ3 及びＹＢＣＯ薄膜の結晶の単位胞
を示す斜視概略図である。
を示す斜視概略図である。
【図３】ＢａＣｅＯ3 結晶の単位胞を示す斜視概略図で
ある。
ある。
【図４】ＢａＣｅＯ3 の（１１２）面とＬａＡｌＯ3 あ
るいはＹＢＣＯの（００１）面により形成される界面に
おける原子配列の相対的な位置関係を示す模式平面図で
ある。
るいはＹＢＣＯの（００１）面により形成される界面に
おける原子配列の相対的な位置関係を示す模式平面図で
ある。
【図５】ＢａＣｅＯ3 の（２００）面とＬａＡｌＯ3 あ
るいはＹＢＣＯの（００１）面により形成される界面に
おける原子配列の相対的な位置関係を示す模式平面図で
ある。
るいはＹＢＣＯの（００１）面により形成される界面に
おける原子配列の相対的な位置関係を示す模式平面図で
ある。
１０…ＬａＡｌＯ3 基板、２０…ＢａＣｅＯ3 バッファ
層、３０…ＹＢＣＯ薄膜。
層、３０…ＹＢＣＯ薄膜。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 39/24 ＺＡＡ Ｈ０１Ｌ 39/24 ＺＡＡＦ (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 39/00 H01L 39/02 C30B 29/22 H01L 39/22 H01L 39/24
Claims (2)
- 【請求項１】 ＬａＡｌＯ 3 単結晶基板とＢａ元素を含
むイットリウム系酸化物超伝導薄膜の間に、ＢａＣｅＯ
3 バッファ層を介在させてなる酸化物超伝導薄膜装置で
あって、 前記ＬａＡｌＯ 3 単結晶基板と前記ＢａＣｅＯ 3 バッフ
ァ層との界面ならびに前記ＢａＣｅＯ 3 バッファ層と前
記イットリウム系酸化物超伝導薄膜との界面において形
成される結晶面は、 前記ＬａＡｌＯ 3 単結晶基板側が擬立方晶の（００１）
面であり、 前記イットリウム系酸化物超伝導薄膜側が斜方晶の（０
０１）面であり、 前記ＢａＣｅＯ 3 バッファ層側が正方晶の（１１２）面
あるいは（２００）面である ことを特徴とする酸化物超
伝導薄膜装置。 - 【請求項２】 前記ＢａＣｅＯ 3 バッファ層の厚さは、
２５ｎｍ〜１００ｎｍであることを特徴とする請求項１
に記載の酸化物超伝導薄膜装置。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP7062252A JP2871516B2 (ja) | 1995-03-22 | 1995-03-22 | 酸化物超伝導薄膜装置 |
| US08/467,122 US5635730A (en) | 1995-03-22 | 1995-06-06 | Superconducting oxide thin film device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7062252A JP2871516B2 (ja) | 1995-03-22 | 1995-03-22 | 酸化物超伝導薄膜装置 |
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|---|---|
| JPH08264845A JPH08264845A (ja) | 1996-10-11 |
| JP2871516B2 true JP2871516B2 (ja) | 1999-03-17 |
Family
ID=13194775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7062252A Expired - Lifetime JP2871516B2 (ja) | 1995-03-22 | 1995-03-22 | 酸化物超伝導薄膜装置 |
Country Status (2)
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| JP (1) | JP2871516B2 (ja) |
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-
1995
- 1995-03-22 JP JP7062252A patent/JP2871516B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1995-06-06 US US08/467,122 patent/US5635730A/en not_active Expired - Fee Related
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