JP2863131B2 - Method of manufacturing photomask blanks - Google Patents
Method of manufacturing photomask blanksInfo
- Publication number
- JP2863131B2 JP2863131B2 JP11347296A JP11347296A JP2863131B2 JP 2863131 B2 JP2863131 B2 JP 2863131B2 JP 11347296 A JP11347296 A JP 11347296A JP 11347296 A JP11347296 A JP 11347296A JP 2863131 B2 JP2863131 B2 JP 2863131B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- holder
- shielding film
- substrate
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路等
の製造に際して使用されるフォトマスクブランクスの製
造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a photomask blank used for manufacturing a semiconductor integrated circuit or the like.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体素子、IC、LSI等の半導体製
造において、半導体ウエハに微細パターンを転写する際
に使用されるフォトマスクの製造工程としては、通常石
英ガラス等を精密研磨して透光性基板を得る研磨工程、
透光性基板の一主表面にスパッタリング等によってクロ
ム膜(遮光膜)を成膜する成膜工程、クロム膜上にレジ
スト膜をスピンコーティング法等により塗布するレジス
ト塗布工程、所定のパターンを有するマスターマスクを
通して、レジスト膜を選択的に露光する露光工程、露光
されたレジスト膜を所定の現像液で現像し、エッチング
を行い、所定のクロムパターンを得るエッチング工程等
を経て行われる。この場合、成膜工程で得られた基板を
一般にフォトマスクブランクスと呼んでいる。2. Description of the Related Art In the manufacture of semiconductors such as semiconductor devices, ICs and LSIs, a process for manufacturing a photomask used when a fine pattern is transferred onto a semiconductor wafer is usually performed by precision polishing of quartz glass or the like to obtain a light-transmitting material. Polishing process to obtain a substrate,
A film forming step of forming a chromium film (light-shielding film) on one main surface of a light-transmitting substrate by sputtering or the like; a resist coating step of applying a resist film on the chromium film by spin coating or the like; a master having a predetermined pattern The exposure is performed through an exposure step of selectively exposing the resist film through a mask, an etching step of developing the exposed resist film with a predetermined developer, performing etching, and obtaining a predetermined chromium pattern. In this case, the substrate obtained in the film forming step is generally called a photomask blank.
【0003】ここで、従来の成膜工程を図10および図
12に基づいて更に詳述すると、次のようにして行われ
ていた。先ず、透光性基板1をその対向主表面10A,
10Bが平行且つ鏡面になるよう精密研磨した後、面取
りを行う。次に、この精密研磨された透光性基板1を保
持具2に装着する。Here, the conventional film forming process will be described in more detail with reference to FIGS. 10 and 12, as follows. First, the translucent substrate 1 is placed on its opposing main surface 10A,
After precision polishing so that 10B is parallel and mirror-finished, chamfering is performed. Next, the precision-polished translucent substrate 1 is mounted on the holder 2.
【0004】保持具2は、各孔毎に3枚の透光性基板1
を収納し得る4つの長孔3を並設してなる方形のプレー
トで構成され、各長孔3の四隅部5と、長辺側両内壁面
6A,6Bの中間にはそれぞれ各透光性基板1の角部下
面を支持する合計8個からなる保持部4A,4Bが一体
に設けられている。各保持部4A,4Bは平面視三角形
の板厚均一な平板状に形成され、特に長孔3の長辺側両
内壁面6A,6Bの中間に設けられた2つの保持部4B
は長辺側内壁面を三等分する位置に対向して突設され、
隣接する2つの透光性基板1の角部1Aを共通に支持す
る。[0004] The holder 2 comprises three light-transmitting substrates 1 for each hole.
Is formed by a rectangular plate in which four long holes 3 capable of accommodating the holes are arranged side by side. Each of the four corners 5 of each long hole 3 and the middle between the long side inner wall surfaces 6A and 6B are respectively transparent. A total of eight holding parts 4A and 4B for supporting the corner lower surface of the substrate 1 are provided integrally. Each of the holding portions 4A and 4B is formed in a flat plate shape having a triangular shape in a plan view and having a uniform thickness, and in particular, two holding portions 4B provided in the middle of both long side inner wall surfaces 6A and 6B of the long hole 3.
Is protrudingly provided at a position that divides the long side inner wall surface into three equal parts,
Corner portions 1A of two adjacent translucent substrates 1 are commonly supported.
【0005】透光性基板1が装着されると、保持具2は
スパッタ装置内に設置される。スパッタ装置の内部は真
空排気され、アルゴン等の不活性ガスが封入されてい
る。また、スパッタ装置の内部にはクロムからなるター
ゲットが配設されており、このターゲットと前記保持具
2との間に直流の高電圧を印加すると、これら両者間で
プラズマが生じ、これによりイオン化したアルゴンがタ
ーゲットをスパッタしてクロム粒子7をはじき出す。こ
のクロム粒子7は透光性基板1に向かってはじき出さ
れ、前記透光性基板1の下側になっている一方の主表面
10Aに付着することにより所定膜厚のクロム膜8を形
成する。[0005] When the translucent substrate 1 is mounted, the holder 2 is set in a sputtering apparatus. The inside of the sputtering apparatus is evacuated and filled with an inert gas such as argon. Further, a target made of chromium is provided inside the sputtering apparatus, and when a high DC voltage is applied between the target and the holder 2, plasma is generated between the two and thereby ionized. Argon sputters the target to repel chromium particles 7. The chromium particles 7 are repelled toward the translucent substrate 1 and adhere to one main surface 10A below the translucent substrate 1 to form a chromium film 8 having a predetermined thickness.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】上記したように従来の
成膜工程にあっては、治具2の保持部4A,4Bによっ
て透光性基板1の一方の主表面10Aの各角部1Aを保
持し、この主表面10Aに遮光膜としてのクロム膜8を
形成していた。そのため、図12に示すように治具2の
保持部4A,4Bに密接する角部1Aを除く主表面10
A全体にクロム膜8が成膜されるのみならず、長孔3と
透光性基板1との間の隙間d1 (図11参照)によって
面取り部11および端面12の一部にも成膜されてしま
う。しかし、この面取り部11と端面12は主表面10
A,10Bと異なり、半鏡面または粗面の場合が多いの
で、これらの面に付着したクロム膜8は剥離または脱落
し易い。特に、振動、衝撃等を受けて端面12が長孔3
の内壁面に当接すると容易に剥離し、また次の洗浄工程
で洗浄していると洗浄液の液圧により剥離する。また、
面取り部11および端面12が鏡面研磨されていたとし
ても透光性基板1の運搬時にこれらの面を把持するの
で、クロム膜8が剥離したり脱落するおそれがある。そ
して、脱落したクロム膜8が主表面10A,10Bに付
着すると、電子ビーム描画によるパターン形成工程にお
いて障害物となるため、所望のパターンを形成すること
ができず、歩留りが悪いという問題があった。As described above, in the conventional film forming process, each corner 1A of one main surface 10A of the translucent substrate 1 is held by the holding portions 4A and 4B of the jig 2. The chromium film 8 was formed as a light shielding film on the main surface 10A. Therefore, as shown in FIG. 12, the main surface 10 excluding the corners 1A that are in close contact with the holding portions 4A, 4B of the jig 2
The chromium film 8 is formed not only on the whole A, but also on the chamfered portion 11 and a part of the end face 12 by the gap d1 between the long hole 3 and the light transmitting substrate 1 (see FIG. 11). Would. However, the chamfered portion 11 and the end surface 12 are
Unlike A and 10B, there are many cases of a semi-mirror surface or a rough surface, so that the chromium film 8 attached to these surfaces is easily peeled or dropped. In particular, the end face 12 receives the
When it is abutted against the inner wall surface, it is easily peeled off, and when it is washed in the next washing step, it is peeled off by the pressure of the washing liquid. Also,
Even if the chamfered portion 11 and the end face 12 are mirror-polished, the translucent substrate 1 is gripped during transportation, so that the chromium film 8 may peel or fall off. If the dropped chromium film 8 adheres to the main surfaces 10A and 10B, it becomes an obstacle in a pattern forming process by electron beam drawing, so that a desired pattern cannot be formed and the yield is poor. .
【0007】そこで、このような問題を解決する方法と
して、図13に示すように透光性基板1の一主表面10
Aの全域ではなく、周縁部14を除く領域のみにクロム
膜8を成膜し、面取り部11および端面12にクロム膜
8が付着しないようにしたフォトマスクブランクス15
が提案されている(例:特開昭59−3437号公報、
実開昭60−39047号公報)。Therefore, as a method for solving such a problem, as shown in FIG.
A photomask blank 15 in which the chromium film 8 is formed not in the entire area of A but in the area excluding the peripheral portion 14 so that the chromium film 8 is not attached to the chamfered portion 11 and the end face 12
(Eg, JP-A-59-3437,
Japanese Utility Model Publication No. 60-39047).
【0008】しかしながら、このようなフォトマスクブ
ランクス15の製造方法においては、透光性基板の一主
面の周縁部を保持具によって保持しているので、クロム
膜の周縁が保持具に接触してしまう。そのため、透光性
基板を保持具から取り外すとき、クロム膜8が傷ついた
り剥離するという問題があった。However, in the method of manufacturing the photomask blanks 15 as described above, since the periphery of one main surface of the translucent substrate is held by the holder, the periphery of the chrome film contacts the holder. I will. Therefore, there is a problem that the chromium film 8 is damaged or peeled off when the translucent substrate is removed from the holder.
【0009】また、クロム膜8上にレジスト膜を被覆し
た後、所望のパターンに対応して電子ビームを照射する
ときにも問題を引き起こす。すなわち、主表面10Aの
うちクロム膜8が成膜されず非遮光膜部を形成する周縁
部14の幅W0 が大きいため、この周縁部14aに電荷
が蓄積してフォトマスクブランクス15を正確にアライ
メントすることができなくなる。故に、このようなフォ
トマスクブランクス15を作製するときには、クロム膜
8と透光性基板1との間に透明導電膜を設けることによ
り、上記問題を解決する必要があった。したがって、こ
の種のフォトマスクブランクスにおいては製造工程が複
雑になるという問題点があった。[0009] Further, a problem is caused when the resist film is coated on the chromium film 8 and then the electron beam is irradiated in accordance with a desired pattern. That is, since the width W0 of the peripheral portion 14 of the main surface 10A where the chromium film 8 is not formed and the non-light-shielding film portion is formed is large, electric charges are accumulated in the peripheral portion 14a and the photomask blanks 15 are accurately aligned. You can't do that. Therefore, when manufacturing such a photomask blank 15, it is necessary to solve the above problem by providing a transparent conductive film between the chromium film 8 and the translucent substrate 1. Therefore, this type of photomask blank has a problem that the manufacturing process is complicated.
【0010】本発明は上記した従来の問題点を解決する
ためになされたもので、その目的とするところは、成膜
後保持具から取り外すときに遮光膜が剥離せず、また透
光性基板と遮光膜との間に透明導電膜を設けることなく
電荷の蓄積を防止することができるようにしたフォトマ
スクブランクスの製造方法を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems. An object of the present invention is to prevent a light-shielding film from peeling off when detached from a holder after film formation, and to provide a light-transmitting substrate. It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a photomask blank in which charge accumulation can be prevented without providing a transparent conductive film between the photomask blank and the light-shielding film.
【0011】[0011]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、透光性基板の対向主表面のうちいずれか一
方の主表面の四つの角部を支持する傾斜支持面と、前記
角部以外の周縁部に近接して対向するマスク面とを備え
たフォトマスクブランクス用保持具の上に前記透光性基
板を載置し、この保持具の下方から遮光膜を付着させる
ことにより、前記透光性基板の前記一方の主表面の前記
角部および周縁部を除く略全域に遮光膜を形成すること
を特徴とする。In order to achieve the above object, the present invention provides an oblique support surface for supporting four corners of one of the opposing main surfaces of a light-transmitting substrate; By placing the translucent substrate on a photomask blank holder having a mask surface that is close to and opposed to the peripheral edge other than the corners, by attaching a light-shielding film from below the holder. A light-shielding film is formed on substantially the entire area of the one main surface of the light-transmitting substrate except for the corners and the peripheral edge.
【0012】本発明において、保持具上に透光性基板を
載置すると、角部が傾斜支持面によって支持され、周縁
部がマスク面と近接して対向する。このため、遮光膜は
透光性基板の角部と周縁部には形成されない。また、成
膜された遮光膜の周縁は傾斜支持面とのみ線接触しマス
ク面には接触していないので、透光性基板を保持具から
取り外すとき、遮光膜が剥離したり脱落しない。In the present invention, when the translucent substrate is placed on the holder, the corners are supported by the inclined support surface, and the peripheral edge is in close proximity to the mask surface. For this reason, the light-shielding film is not formed on the corners and the periphery of the light-transmitting substrate. Further, since the periphery of the formed light-shielding film is only in line contact with the inclined support surface and not in contact with the mask surface, the light-shielding film does not peel off or fall off when the light-transmitting substrate is removed from the holder.
【0013】[0013]
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に示す実施の
形態に基づいて詳細に説明する。図1は本発明に係る製
造方法によって製作されたフォトマスクブランクスの平
面図、図2は図1図のII−II線拡大断面図である。な
お、従来技術の欄で示した構成部材等と同一のものにつ
いては同一符号をもって示し、その説明を適宜省略す
る。先ず、本発明による製造方法によって製作されたフ
ォトマスクブランクスについて説明する。フォトマスク
ブランクス20を形成する透光性基板1は、一辺の長さ
Lが126.6±0.4mm、板厚Tが2.3±0.1
mmの方形に形成され、周縁には主表面10A,10B
および端面12に対して45°の角度を以て傾斜する面
取り部11が形成されている。面取り部11の長さlは
0.4±0.2mmである。このような透光性基板1の
一方の主表面10Aには角部および周縁部を除く略全域
に亙って遮光膜部を形成するクロム膜8が被覆されてい
る。非遮光膜部14の幅、すなわち面取り部11からク
ロム膜8までの寸法Wは1.0mm以下で、通常0.6
mm程度とされる。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail based on an embodiment shown in the drawings. FIG. 1 is a plan view of a photomask blank manufactured by the manufacturing method according to the present invention, and FIG. 2 is an enlarged sectional view taken along the line II-II of FIG. The same components as those shown in the section of the prior art are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted as appropriate. First, a photomask blank manufactured by the manufacturing method according to the present invention will be described. The translucent substrate 1 on which the photomask blanks 20 are formed has a side length L of 126.6 ± 0.4 mm and a plate thickness T of 2.3 ± 0.1.
mm are formed in the shape of a square, and the peripheral surfaces are main surfaces 10A and 10B.
In addition, a chamfered portion 11 that is inclined at an angle of 45 ° with respect to the end surface 12 is formed. The length 1 of the chamfer 11 is 0.4 ± 0.2 mm. One main surface 10A of such a translucent substrate 1 is covered with a chromium film 8 that forms a light-shielding film portion over substantially the entire area excluding corners and peripheral edges. The width of the non-light-shielding film portion 14, that is, the dimension W from the chamfered portion 11 to the chromium film 8 is 1.0 mm or less, and usually 0.6 mm or less.
mm.
【0014】次に、上記構造からなるフォトマスクブラ
ンクス20を製造する際に使用されるフォトマスクブラ
ンクス用保持具を図3〜図9に基づいて詳細に説明す
る。図3は同保持具の平面図、図4は側面図、図5は図
3のV−V線拡大断面図、図6は図3のA部の拡大斜視
図、図7は図6のVII −VII 線断面図、図8は図3のA
部の平面図、図9は図3のB部の斜視図である。これら
の図において、フォトマスクブランクス用保持具(以
下、保持具と称す)30は、一辺の長さL0 =587m
m、厚みT0 =4mmで、四隅部が面取りされた方形の
プレート31を備えている。プレート31は、4×3の
マトリックス状に形成された合計12個の基板用孔32
を有している。基板用孔32は全て同一の大きさで、透
光性基板1より若干大きい方形に形成され、その一辺の
長さL1 は129mmとされる。また、基板用孔32の
下端側開口端部の内側面には四隅部を除く全周にわたっ
て張出部33が内側に向かって一体に突設され、その上
面が透光性基板1のマスク面34を形成している。張出
部33の突出寸法L2 は2mm〜1.8mmとされる。Next, a holder for a photomask blank used in manufacturing the photomask blank 20 having the above structure will be described in detail with reference to FIGS. 3 is a plan view of the holder, FIG. 4 is a side view, FIG. 5 is an enlarged sectional view taken along line VV of FIG. 3, FIG. 6 is an enlarged perspective view of a portion A of FIG. 3, and FIG. FIG. 8 is a sectional view taken along a line VII-VII in FIG.
FIG. 9 is a perspective view of a portion B in FIG. In these figures, a holder 30 for photomask blanks (hereinafter referred to as a holder) has a side length L0 = 587 m.
m, thickness T0 = 4 mm, and a rectangular plate 31 with chamfered corners. The plate 31 has a total of 12 substrate holes 32 formed in a 4 × 3 matrix.
have. The substrate holes 32 are all of the same size and are formed in a square slightly larger than the translucent substrate 1, and the length L1 of one side thereof is 129 mm. On the inner surface of the lower end side opening end of the substrate hole 32, an overhang portion 33 is integrally protruded inward over the entire periphery except for the four corners, and the upper surface thereof is formed on the mask surface of the translucent substrate 1. 34 are formed. The projecting dimension L2 of the overhang portion 33 is set to 2 mm to 1.8 mm.
【0015】この場合、図3および図9に示すように各
列の基板用孔32は、リブ35によってそれぞれ仕切ら
れているが、このリブ35は前記張出部33の2倍の幅
(2L2 )を有し、その上面が前後に隣接して配置され
る各透光性基板1に対して共通のマスク面35Aを形成
している。なお、張出部33のマスク面34とリブ35
のマスク面35Aは同一平面を形成する。In this case, as shown in FIGS. 3 and 9, the substrate holes 32 in each row are separated by ribs 35, which are twice as wide as the overhanging portions 33 (2L2). ), The upper surface of which forms a common mask surface 35A for each of the translucent substrates 1 disposed adjacent to each other in front and rear. The mask surface 34 of the overhang portion 33 and the rib 35
Forms the same plane.
【0016】前記基板用孔32の四隅部に設けられ透光
性基板1の角部を保持する保持部のうち、前記リブ35
側隅角部以外の隅角部(図3A部)に設けられる保持部
40は、図6〜図8に示すように、平面視形状が頂部を
円弧状とされる略二等辺三角形で、断面形状が楔形をな
す板状体に形成されている。また、保持部40の上面
は、外側端縁部42よりプレート31の各辺と45°の
角度を以て交叉する内側端縁部43の長手方向中央部4
3aに向かって徐々に板厚が減少するようすり鉢状に傾
斜する傾斜面(傾斜支持面)44とされる。傾斜面44
の傾斜角度Θは2〜3°で、外側端面部42は前記張出
部33のマスク面34より高く、また内側端縁部43の
最も低い中央部分43aにおいても、その高さは前記マ
スク面34より高いか略等しい。The ribs 35 of the holding portions provided at the four corners of the substrate hole 32 for holding the corners of the translucent substrate 1 are provided.
As shown in FIGS. 6 to 8, the holding portion 40 provided at a corner (other than the side corner) (a portion in FIG. 3A) is a substantially isosceles triangle having an apex in a plan view and a cross section. It is formed in a plate-like body having a wedge shape. In addition, the upper surface of the holding portion 40 has a longitudinal central portion 4 of an inner edge 43 that intersects each side of the plate 31 at an angle of 45 ° from the outer edge 42.
An inclined surface (inclined support surface) 44 inclined in a mortar shape so that the plate thickness gradually decreases toward 3a. Inclined surface 44
Is 2 to 3 degrees, the outer end surface portion 42 is higher than the mask surface 34 of the overhang portion 33, and the height of the inner end edge portion 43 at the lowest central portion 43a is the same as that of the mask surface 34. It is higher than or approximately equal to 34.
【0017】したがって、透光性基板1の各角部1Aを
保持部40に載置すると、各角部1Aは図7に示すよう
に前記外側端縁部42の上縁と線接触した状態で支持さ
れ、張出部33および前記リブ35(図3)との間に適
宜な隙間が設定され、これらのマスク面34,35Aに
よっては支持されることはない。なお、保持部40の外
側には、透光性基板1の角部1Aの両端面を支持する支
持壁面45a,45bと、加工逃げ部46が形成されて
いる。この加工逃げ部46は支持壁45a,45b間に
設けられている。また、保持部40の内側端縁部43の
両端43bは、張出部33の側端の幅方向略中央に位置
している。したがって、透光性基板1の端面12は、前
記保持部40および前記リブ35側の隅角部に設けられ
ている保持部50によって支持される各角部1Aにおい
て基板用孔32の内壁面に当接し得るだけで、それ以外
の端面部分は前記基板用孔32の内壁面に当接すること
がない。Therefore, when each corner 1A of the light-transmitting substrate 1 is placed on the holding portion 40, each corner 1A is in line contact with the upper edge of the outer edge 42 as shown in FIG. It is supported, and an appropriate gap is set between the overhang portion 33 and the rib 35 (FIG. 3), and is not supported by the mask surfaces 34 and 35A. Outside the holding portion 40, support wall surfaces 45a and 45b for supporting both end surfaces of the corner 1A of the translucent substrate 1 and a processing relief portion 46 are formed. The machining relief 46 is provided between the support walls 45a and 45b. Further, both ends 43 b of the inner edge 43 of the holding portion 40 are located substantially at the center in the width direction of the side end of the overhanging portion 33. Accordingly, the end surface 12 of the light-transmitting substrate 1 is formed on the inner wall surface of the substrate hole 32 at each corner 1A supported by the holding portion 40 and the holding portion 50 provided at the corner at the rib 35 side. The other end face portions do not come into contact with the inner wall surface of the substrate hole 32 only because they can come into contact with each other.
【0018】前記リブ35側の隅角部に設けられる前記
保持部50は、図9に示すように前記保持部40と略同
様に形成されるもので、平面視形状が頂部を円弧状とさ
れる略二等辺三角形で、断面形状が楔形をなす板状体5
1に形成され、上面がすり鉢状の傾斜面(傾斜支持面)
52を形成している。The holding portion 50 provided at the corner portion on the side of the rib 35 is formed substantially in the same manner as the holding portion 40 as shown in FIG. A plate-like body 5 having a substantially isosceles triangle shape and a wedge-shaped cross section.
1, a mortar-shaped inclined surface (inclined support surface)
52 are formed.
【0019】リブ35の上面、すなわちマスク面35A
の基端部には、隣接して配置される2つの透光性基板1
の干渉を防止する衝立53が一体に突設されている。基
板用孔32の内壁面で保持部50に対応する部分と、前
記衝立53の側面とは、透光性基板1の角部1Aの端面
を支持する支持壁面54、55を形成している。なお、
その他の構成は前記保持部40と略同様であるため説明
を省略する。The upper surface of the rib 35, that is, the mask surface 35A
The two light-transmitting substrates 1 disposed adjacent to each other
A partition 53 for preventing the interference of the two is integrally provided. A portion corresponding to the holding portion 50 on the inner wall surface of the substrate hole 32 and the side surface of the partition 53 form support wall surfaces 54 and 55 for supporting the end surface of the corner 1A of the translucent substrate 1. In addition,
The other configuration is substantially the same as that of the holding unit 40, and thus the description is omitted.
【0020】このような構造からなる保持具30におい
て、透光性基板1を各基板用孔32に挿入すると、その
角部1Aが保持部40および50の上面外側端縁部4
2,57に線接触状態で接触して支持され、角部1A付
近の両端面が基板用孔31の隅角部の支持壁面45a,
45b,54および衝立53の支持壁面55に当接して
位置決めされる。In the holder 30 having such a structure, when the translucent substrate 1 is inserted into each of the substrate holes 32, the corners 1 A of the holder 30 and the outer edges 4 of the upper surfaces of the holding portions 40 and 50 are formed.
2 and 57 are supported in line contact with each other, and both end surfaces near the corner 1A are supported at the corners of the substrate hole 31 at the support wall surfaces 45a and 45a.
45b, 54 and the support wall 55 of the partition 53 are positioned in contact with each other.
【0021】図5は透光性基板1を基板用孔32に装着
した状態を示す。この状態において、透光性基板1の下
面と張出部33のマスク面34との隙間Δdは0.2m
m程度とされ、張出部33によって覆われるマスク寸法
l2 は、L=126.8mm、L2 =2mm、=0.4
mmとすると、l2 =0.5mm(l2 =L2 −l−l
3 )となる。但し、l3 は(L1 −L)/2である。こ
のマスク寸法l2 はLの値が最大(127mm)の透光
性基板1においてもたかだか、0.6mmで、1mmを
越すことはない。FIG. 5 shows a state in which the translucent substrate 1 is mounted in the substrate hole 32. In this state, the gap Δd between the lower surface of the translucent substrate 1 and the mask surface 34 of the overhang 33 is 0.2 m.
m, and the mask dimension l2 covered by the overhang 33 is L = 126.8 mm, L2 = 2 mm, = 0.4
mm, l2 = 0.5 mm (l2 = L2 -l-l
3) Here, l3 is (L1 -L) / 2. The mask dimension l2 is at most 0.6 mm even in the translucent substrate 1 having the maximum value of L (127 mm), and does not exceed 1 mm.
【0022】このような構造からなる保持具30に透光
性基板1を載置して下方から透光性基板1の一方の主表
面10Aにスパッタ装置によってクロムをスパッタし、
クロム膜8を成膜すると、図1および図2に示すように
周縁部を1mm以下の非遮光膜部14とするフォトマス
クブランクス20が得られた。この得られたフォトマス
クブランクス20の遮光膜8上にレジストを塗布し、し
かる後電子ビーム描画する。この電子ビーム描画する場
合、非遮光膜部14の幅は最大でも1mm程度とされる
が、この程度の値であれば非遮光膜部14に電荷が殆ど
蓄積されず、フォトマスクブランクス20のアライメン
トに何等悪影響を及ぼすことがないことが確認された。The translucent substrate 1 is placed on the holder 30 having such a structure, and chromium is sputtered from below onto one main surface 10A of the translucent substrate 1 by a sputtering apparatus.
When the chromium film 8 was formed, a photomask blank 20 having a non-light-shielding film portion 14 having a peripheral portion of 1 mm or less as shown in FIGS. 1 and 2 was obtained. A resist is applied on the light-shielding film 8 of the obtained photomask blank 20, and then electron beam drawing is performed. In the case of electron beam writing, the width of the non-light-shielding film portion 14 is at most about 1 mm. It was confirmed that there was no adverse effect on
【0023】なお、1mm以上にすると、電荷の蓄積が
生じ、アライメントに悪影響を及ぼすため好ましくな
い。次に、電子ビーム描画を施した後、現像を行い、更
にこの現像済レジストをマスクとしてクロム膜8を選択
的に除去することにより、フォトマスクを得ることがで
きる。It is not preferable that the thickness be 1 mm or more, since charge accumulation occurs and adversely affects alignment. Next, after performing electron beam writing, development is performed, and the chromium film 8 is selectively removed using the developed resist as a mask, whereby a photomask can be obtained.
【0024】このように本発明に係る製造方法は、傾斜
支持面とマスク面を有する特殊な保持具を用いて遮光膜
8を形成することを特徴とするものである。このため、
本発明においては、基板がマスク面34,35Aに接触
せず、傾斜支持面によってのみ支持される。その結果と
して、保持具30との接触面積をきわめて小さくするこ
とができ、遮光膜8を形成した後、保持具30から取り
外すときに遮光膜8を傷つけたり遮光膜8が剥離したり
することがない。また、主表面10Aの周縁部を所望幅
の非遮光膜部14とすることができるので、電子ビーム
描画する場合、電荷が蓄積せずフォトマスクブランクス
のアライメントを良好に行うことができる。As described above, the manufacturing method according to the present invention is characterized in that the light shielding film 8 is formed using a special holder having an inclined support surface and a mask surface. For this reason,
In the present invention, the substrate does not contact the mask surfaces 34 and 35A, and is supported only by the inclined support surface. As a result, the contact area with the holder 30 can be made extremely small, and after the light shielding film 8 is formed, the light shielding film 8 may be damaged or peeled off when the light shielding film 8 is removed from the holder 30. Absent. Further, since the peripheral portion of the main surface 10A can be formed as the non-light-shielding film portion 14 having a desired width, when electron beam drawing is performed, no charge is accumulated, and alignment of the photomask blanks can be performed well.
【0025】なお、本実施の形態においては傾斜面44
を平面に形成したが、凹曲面に形成してもよい。また、
遮光膜8としては酸化クロム膜上にクロム膜を成膜して
なる層構造としてもよい。In this embodiment, the inclined surface 44 is used.
Is formed on a flat surface, but may be formed on a concave curved surface. Also,
The light shielding film 8 may have a layer structure in which a chromium film is formed on a chromium oxide film.
【0026】[0026]
【発明の効果】以上説明したように本発明に係るフォト
マスクブランクスの製造方法は、透光性基板の対向主表
面のうちいずれか一方の主表面の四つの角部を支持する
傾斜支持面と、前記角部以外の周縁部に近接して対向す
るマスク面とを備えたフォトマスクブランクス用保持具
の上に前記透光性基板を載置し、この保持具の下方から
遮光膜を付着させることにより、前記透光性基板の前記
一方の主表面の前記角部および周縁部を除く略全域に遮
光膜を形成するようにしたので、保持具との接触面積が
きわめて小さく、遮光膜を形成した後、保持具から取り
外すときに遮光膜が傷ついたり剥離したりすることがな
い。また、透明導電膜を透光性基板と遮光膜部との間に
介設せずとも電子ビーム描画時に電荷の蓄積を生じず、
フォトマスクブランクスのアライメントを良好に行うこ
とができる。また、端面および面取り部にまで遮光膜部
が形成されないため、遮光膜部が脱落するといった恐れ
もない。As described above, the method of manufacturing a photomask blank according to the present invention comprises the inclined support surface for supporting the four corners of any one of the opposing main surfaces of the translucent substrate. Placing the light-transmitting substrate on a photomask blank holder having a mask surface that is close to and opposed to a peripheral portion other than the corners, and attaches a light-shielding film from below the holder. Thereby, since the light-shielding film is formed in substantially the entire area of the one main surface of the light-transmitting substrate except for the corners and the peripheral edge, the contact area with the holder is extremely small, and the light-shielding film is formed. After removal from the holder, the light-shielding film is not damaged or peeled off. Also, even if a transparent conductive film is not interposed between the light-transmitting substrate and the light-shielding film portion, no charge is accumulated during electron beam writing,
The alignment of the photomask blanks can be performed favorably. Further, since the light-shielding film portion is not formed up to the end face and the chamfered portion, there is no possibility that the light-shielding film portion falls off.
【図1】 本発明に係る製造方法によって製作されたフ
ォトマスクブランクスの平面図である。FIG. 1 is a plan view of a photomask blank manufactured by a manufacturing method according to the present invention.
【図2】 図1のII−II線拡大断面図である。FIG. 2 is an enlarged sectional view taken along line II-II of FIG.
【図3】 フォトマスクブランクス用保持具の平面図で
ある。FIG. 3 is a plan view of a holder for photomask blanks.
【図4】 側面図である。FIG. 4 is a side view.
【図5】 図3のV−V線拡大断面図である。FIG. 5 is an enlarged sectional view taken along line VV of FIG. 3;
【図6】 図3のA部の拡大斜視図である。FIG. 6 is an enlarged perspective view of a portion A in FIG. 3;
【図7】 図6のVII −VII 線断面図である。7 is a sectional view taken along line VII-VII of FIG. 6;
【図8】 図3のA部の平面図である。FIG. 8 is a plan view of a part A in FIG. 3;
【図9】 図3のB部の斜視図である。FIG. 9 is a perspective view of a portion B in FIG. 3;
【図10】 従来のフォトマスクブランクス用保持具の
斜視図である。FIG. 10 is a perspective view of a conventional holder for photomask blanks.
【図11】 要部拡大断面図である。FIG. 11 is an enlarged sectional view of a main part.
【図12】 フォトマスクブランクスの平面図である。FIG. 12 is a plan view of a photomask blank.
【図13】 従来のフォトマスクブランクスの他の例を
示す図である。FIG. 13 is a view showing another example of a conventional photomask blank.
1…透光性基板、8…クロム膜(遮光膜)、10A,1
0B…主表面、11…面取り部、12…端面、14…周
縁部(非遮光膜部)、15,20…フォトマスクブラン
クス、33…張出部、34…マスク面、35…リブ、3
5A…マスク面、40…保持部、44…傾斜面、50…
保持部、52…傾斜面。1: Translucent substrate, 8: Chromium film (light shielding film), 10A, 1
0B: Main surface, 11: chamfered portion, 12: end surface, 14: peripheral portion (non-light-shielding film portion), 15, 20: photomask blanks, 33: overhanging portion, 34: mask surface, 35: rib, 3
5A: mask surface, 40: holding portion, 44: inclined surface, 50:
Holder, 52: inclined surface.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G03F 1/08 G03F 1/14 H01L 21/30──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) G03F 1/08 G03F 1/14 H01L 21/30
Claims (1)
一方の主表面の四つの角部を支持する傾斜支持面と、前
記角部以外の周縁部に近接して対向するマスク面とを備
えたフォトマスクブランクス用保持具の上に前記透光性
基板を載置し、この保持具の下方から遮光膜を付着させ
ることにより、前記透光性基板の前記一方の主表面の前
記角部および周縁部を除く略全域に遮光膜を形成するこ
とを特徴とするフォトマスクブランクスの製造方法。An inclined support surface that supports four corners of one of the main surfaces of the opposing main surface of the light-transmitting substrate; and a mask surface that is close to and opposed to a peripheral edge other than the corners. The light-transmissive substrate is placed on a holder for a photomask blank provided with a light-shielding film, and a light-shielding film is attached from below the holder, whereby the corner of the one main surface of the light-transmissive substrate is provided. A method for manufacturing a photomask blank, comprising: forming a light-shielding film over substantially the entire area except a part and a peripheral part.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11347296A JP2863131B2 (en) | 1996-05-08 | 1996-05-08 | Method of manufacturing photomask blanks |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11347296A JP2863131B2 (en) | 1996-05-08 | 1996-05-08 | Method of manufacturing photomask blanks |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08305002A JPH08305002A (en) | 1996-11-22 |
JP2863131B2 true JP2863131B2 (en) | 1999-03-03 |
Family
ID=14613130
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11347296A Expired - Lifetime JP2863131B2 (en) | 1996-05-08 | 1996-05-08 | Method of manufacturing photomask blanks |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2863131B2 (en) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002090977A (en) | 2000-09-12 | 2002-03-27 | Hoya Corp | Phase shift mask blank, photomask blank as well as manufacturing apparatus and manufacturing method for the same |
US20050238922A1 (en) * | 2003-12-25 | 2005-10-27 | Hoya Corporation | Substrate with a multilayer reflection film, reflection type mask blank for exposure, reflection type mask for exposure and methods of manufacturing them |
JP2005210093A (en) * | 2003-12-25 | 2005-08-04 | Hoya Corp | Substrate with muti-layer reflective film, exposure reflection type mask blank, exposure reflection type mask, and manufacturing methods for these |
JP5015537B2 (en) * | 2006-09-26 | 2012-08-29 | Hoya株式会社 | Photomask manufacturing method and pattern transfer method |
JP5393972B2 (en) * | 2007-11-05 | 2014-01-22 | Hoya株式会社 | Mask blank and transfer mask manufacturing method |
JP5560776B2 (en) * | 2010-03-03 | 2014-07-30 | 旭硝子株式会社 | Method for manufacturing reflective mask blanks for EUV lithography |
JP6428400B2 (en) | 2015-03-13 | 2018-11-28 | 信越化学工業株式会社 | Mask blanks and manufacturing method thereof |
JP2019020749A (en) * | 2018-10-26 | 2019-02-07 | 信越化学工業株式会社 | Mask blank, and method of manufacturing the same |
-
1996
- 1996-05-08 JP JP11347296A patent/JP2863131B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH08305002A (en) | 1996-11-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0234547B1 (en) | Method of manufacturing photomask and photo-mask manufactured thereby | |
US5091288A (en) | Method of forming detector array contact bumps for improved lift off of excess metal | |
JP2863131B2 (en) | Method of manufacturing photomask blanks | |
JP2000066366A (en) | Photomask and its production | |
KR100779956B1 (en) | Photomask blank and manufacturing process of photomask | |
JP2508841Y2 (en) | Holder for photo mask blanks | |
JPS633302B2 (en) | ||
US5885756A (en) | Methods of patterning a semiconductor wafer having an active region and a peripheral region, and patterned wafers formed thereby | |
JPH0219970B2 (en) | ||
JPS6344824Y2 (en) | ||
JPH01217349A (en) | Blank plate, photomask using blank plate, and their manufacture | |
JP2500526B2 (en) | Photomask blanks and photomasks | |
JPS59500436A (en) | Electron beam/optical hybrid lithography resist method | |
JPH10268506A (en) | Mask for electron beam device and its production | |
JPH01173717A (en) | Blank plate | |
JPS61262741A (en) | Masking substrate | |
JPH02103046A (en) | Manufacture of mask for producing semiconductor and hard mask blank placing table | |
JPH05275319A (en) | X-ray lithography mask and fabrication thereof | |
JPS5856422A (en) | Formation of pattern | |
JPH01185632A (en) | Mask for transfer and exposing transfer method using said mask for transfer | |
JPS623972B2 (en) | ||
JPH01173718A (en) | Photomask and manufacture thereof | |
JPH05289309A (en) | Reticle and its production | |
JPS5934632A (en) | Manufacture of x-ray mask | |
JPS62187349A (en) | Production of photomask |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081211 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081211 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091211 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101211 Year of fee payment: 12 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101211 Year of fee payment: 12 |