JPH01173717A - Blank plate - Google Patents
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- JPH01173717A JPH01173717A JP62333050A JP33305087A JPH01173717A JP H01173717 A JPH01173717 A JP H01173717A JP 62333050 A JP62333050 A JP 62333050A JP 33305087 A JP33305087 A JP 33305087A JP H01173717 A JPH01173717 A JP H01173717A
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体の製造等に用いられるフォトマスク用
のブランク板に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a blank plate for a photomask used in semiconductor manufacturing and the like.
半導体製造等に用いられるフォトマスク用ブランク板l
は、第5図に示すように、ガラス等の透明基板2上に遮
光性膜3を形成し、さらにその上層に反射防止膜4を形
成するものや、第6図に示ずように複数の反射防止膜4
a、4bを形成するものが知られている。Blank plate for photomask used in semiconductor manufacturing etc.
As shown in FIG. 5, a light-shielding film 3 is formed on a transparent substrate 2 such as glass, and an anti-reflection film 4 is further formed on top of the light-shielding film 3, as shown in FIG. Anti-reflection film 4
Those forming a, 4b are known.
ところで、フォトマスクを製造する場合、ブランク板上
にレジストにパターンを形成する工程では、光露光装置
を用いる場合と電子線露光装置を用いる場合があるが、
そのうち電子線露光装置に採用されるブランク板lは、
前記遮光性膜3として、電気抵抗値が小さい導電性の材
料を用い、かつ、感光性樹脂の感光波長領域を遮断する
材料であり、例えばCr N T a 、、S l %
W −、M o 、CrSi、TaSi、MoSi等
の金属材料を用い、また、反射防止膜4としては絶縁性
の酸化膜或いは窒化膜を用いて表面反射防止の機能を持
たせている。By the way, when manufacturing a photomask, the process of forming a pattern on a resist on a blank plate may use a light exposure device or an electron beam exposure device.
Among them, the blank plate l used in electron beam exposure equipment is
The light-shielding film 3 is made of a conductive material with a small electric resistance value, and is a material that blocks the photosensitive wavelength range of the photosensitive resin, for example, CrNTa, S1%.
A metal material such as W-, Mo, CrSi, TaSi, MoSi, etc. is used, and an insulating oxide film or nitride film is used as the anti-reflection film 4 to provide a surface anti-reflection function.
第7図は、電子線露光装置を用いてブランク板上にレジ
ストパターンを形成する工程を示している。ブランク板
1の表面層4にし・シスト層5を形成し、電子線によっ
てレジスト層5を露光させる。FIG. 7 shows a process of forming a resist pattern on a blank plate using an electron beam exposure device. A cyst layer 5 is formed on the surface layer 4 of the blank plate 1, and the resist layer 5 is exposed to an electron beam.
このとき、レジスト層5に到達した電子は、レジストを
露光させながらレジスト層5を透過してブランク板1の
表面層4に達する。これらの電子がブランク板上にその
まま帯電した場合電位降下を引き起こすと共に、引き続
き入射する電子の到達を妨げるようになり、レジスト膜
に対する露光量の低下、不安定化をまねき、レジスト膜
に形成されるパターンに露光のムラが発生し高精度の微
細パターンの形成が困難になる。従って、このようなレ
ジスト膜を現像し、ブランク板1をエツチングして最終
的に得られるフォトマスクにおいても、高精度の微細パ
ターンの形成が困難であるという問題を有している。At this time, the electrons that have reached the resist layer 5 pass through the resist layer 5 and reach the surface layer 4 of the blank board 1 while exposing the resist. If these electrons are charged directly on the blank plate, they will cause a potential drop and will also block the arrival of subsequent incident electrons, leading to a decrease in the amount of exposure to the resist film and destabilization, causing formation on the resist film. Uneven exposure occurs in the pattern, making it difficult to form highly accurate fine patterns. Therefore, even in the photomask finally obtained by developing such a resist film and etching the blank plate 1, it is difficult to form a fine pattern with high precision.
この問題を防止するために、従来の電子線露光装置は、
ブランク板1の表面層4に導通ピン6を接地することに
より導通を取り、ブランク板1の帯電を防止している。To prevent this problem, conventional electron beam exposure equipment
By grounding the conductive pin 6 to the surface layer 4 of the blank board 1, conduction is established and the blank board 1 is prevented from being charged.
一方、従来のブランク板は、遮光性膜3を蒸着、スパッ
タ等により形成するために、第8図に示すように、遮光
性膜3が透明基板2の周辺部7にまで形成されてしまい
、透明基板2の周囲には面取り加工が施されているため
に、周辺部7、面取り面8および端面9に微細なマイク
ロクランクが存在する。そして、透明基板2の周辺部7
、面取り面8および端面9にかかる部分の遮光性膜3は
、その特質として、透明基板2の中央部の遮光性膜と比
較して、透明基板2に対する付着力が弱く、フォトマス
ク作成工程や使用中において、微細なパーティクルとな
って剥離し、フォトマスクのパターン部10に付着し欠
陥となったり、パターン部10をt1傷させる場合があ
るという欠点を有している。On the other hand, in conventional blank plates, the light-shielding film 3 is formed by vapor deposition, sputtering, etc., so that the light-shielding film 3 is formed even on the peripheral portion 7 of the transparent substrate 2, as shown in FIG. Since the periphery of the transparent substrate 2 is chamfered, minute micro-cranks are present on the periphery 7, the chamfered surface 8, and the end surface 9. Then, the peripheral portion 7 of the transparent substrate 2
, the light-shielding film 3 on the chamfered surface 8 and the end face 9 has a weak adhesion force to the transparent substrate 2 compared to the light-shielding film on the central part of the transparent substrate 2, and is difficult to adhere to during the photomask production process. During use, it has the disadvantage that it may peel off as fine particles and adhere to the pattern section 10 of the photomask, causing defects or causing t1 damage to the pattern section 10.
この欠点を解消するために、実開昭60−39047号
公報において、透明基板の周辺部を除いて遮光性膜を形
成するようにした提案がされている。これを第9図およ
び第10図により説明すると、真空室内で蒸発源もしく
はターゲ7)12と対向して設置される透明基板2を、
その周辺部を蒸発源もしくはターゲット12から遮蔽す
るようなホルダー13にて保持し、この状態で蒸着或い
はスパッタリングにて遮光膜材料を透明基板2に対して
飛翔させて、第1θ図に示すように、透明基板2の周辺
部15を除いて遮光性膜3を形成するようにしたもので
ある。In order to eliminate this drawback, Japanese Utility Model Application Publication No. 60-39047 proposes forming a light-shielding film on the transparent substrate except for the peripheral area. To explain this with reference to FIGS. 9 and 10, a transparent substrate 2 placed facing an evaporation source or target 7) 12 in a vacuum chamber is
It is held in a holder 13 that shields its peripheral part from the evaporation source or target 12, and in this state, a light-shielding film material is flung onto the transparent substrate 2 by vapor deposition or sputtering, as shown in Fig. 1θ. , the light-shielding film 3 is formed on the transparent substrate 2 except for the peripheral portion 15.
しかしながら、第7図で説明した従来の電子線露光装置
を用いてブランク板上にレジストパターンを形成する工
程においては、反射防止膜である表面層4の電気抵抗が
大きい為、電子線露光装置を用いた露光の際、基板表面
に到達した電子が表面層4を移動することができず導通
ピン6に到達することができないと共に、表面層4から
電子が自由に移動することのできる下層の遮光性膜3に
移動しても表面層4が障壁となり導通ピン6に到達する
ことができないという問題を有している。However, in the process of forming a resist pattern on a blank plate using the conventional electron beam exposure apparatus explained in FIG. During exposure, electrons that reach the surface of the substrate cannot move through the surface layer 4 and cannot reach the conductive pins 6, and at the same time, the light-shielding layer in the lower layer that allows electrons to freely move from the surface layer 4 Even if it moves to the conductive film 3, the surface layer 4 becomes a barrier and it cannot reach the conductive pin 6, which is a problem.
その結果として従来の導通方法では、この様な構成のハ
ードマスク基板の電子線露光時の帯電を防ぐことができ
ない、また、ブランク板の表面に導電ピン6を接地する
ために、レジスト層5に傷をつけてしまうという問題も
有している。As a result, conventional conduction methods cannot prevent a hard mask substrate with such a configuration from being charged during electron beam exposure.Furthermore, in order to ground the conductive pins 6 to the surface of the blank board, the resist layer 5 is It also has the problem of causing damage.
従来、これを解決する手段として表面層4の電気抵抗を
小さくした改良基板が考案されているが、これは基板本
来の目的である表面反射防止の機能が損なわれている。Conventionally, as a means to solve this problem, an improved substrate in which the electrical resistance of the surface layer 4 is reduced has been devised, but this impairs the function of preventing surface reflection, which is the original purpose of the substrate.
実際には通常、低反射基板の反射率が436nmで10
%前後であるのに対し、改良基板では反射率が436n
mで30%前後と反射率が上昇する。従って、このよう
な方法は従来技術の問題点を本質的に解決するに到って
いない。In reality, the reflectance of a low-reflection substrate is usually 10 at 436 nm.
%, whereas the improved substrate has a reflectance of 436n.
The reflectance increases to around 30% at m. Therefore, such methods have not essentially solved the problems of the prior art.
また、第9図および第10図により説明した従来のハー
ドマスク基板においては、前述と同様に表面層が障壁と
なり電子線露光時の帯電を防ぐことができないことに加
えて、透明基板2の周辺部15に新たな帯電が生じる場
合があるという問題を有している。In addition, in the conventional hard mask substrate illustrated in FIGS. 9 and 10, the surface layer acts as a barrier and cannot prevent charging during electron beam exposure, as described above. There is a problem in that the portion 15 may be newly charged.
本発明は上記種々の問題を解決するものであって、電子
線露光時におけるブランク板への帯電を防止すると共に
、ブランク板の周辺部、面取り部、および端面の遮光性
膜の剥離の問題を解消し、高精度で微細パターンのフォ
トマスクを提供することを目的とする。The present invention solves the various problems mentioned above. It prevents charging of a blank board during electron beam exposure, and also solves the problem of peeling of the light-shielding film on the peripheral part, chamfered part, and end face of the blank board. The purpose is to solve this problem and provide a photomask with a fine pattern with high precision.
そのために本発明のブランク板は、透明基板の片側に導
電性遮光膜および反射防止膜が形成されるブランク仮に
おいて、透明基板周辺部に少なくとも1つの前記導電性
遮光膜の露出部を設け、該露出部を除く透明基板周辺部
以外に前記導電性遮光膜を形成することを特徴とするも
のである。To this end, the blank plate of the present invention is a blank in which a conductive light-shielding film and an anti-reflection film are formed on one side of a transparent substrate, and at least one exposed portion of the conductive light-shielding film is provided around the transparent substrate. The present invention is characterized in that the conductive light-shielding film is formed in areas other than the peripheral area of the transparent substrate excluding exposed areas.
(作用〕
本発明においては例えば第2図に示すように、電子露光
装置によりブランク板にパターニングする工程において
、ブランク板1の透明基板2の表面に、下層の電気抵抗
の小さい金属薄膜3の露出部22が形成されているため
、電子露光の際、照射された電子はレジスト層5を透過
し、表面層4の電気抵抗の大きな層に到達後、瞬時に、
より電気抵抗の小さい下層の金属薄膜3から導通ピン6
に容易に移動可能にしている。(Function) In the present invention, as shown in FIG. 2, for example, in the process of patterning a blank plate using an electronic exposure device, the underlying metal thin film 3 with low electrical resistance is exposed on the surface of the transparent substrate 2 of the blank plate 1. Because the portion 22 is formed, the irradiated electrons transmit through the resist layer 5 during electron exposure, and after reaching the layer with high electrical resistance of the surface layer 4, instantly
The conductive pin 6 is connected from the lower metal thin film 3 with lower electrical resistance.
It is easily movable.
以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ説明する。な
お、ブランク板の層構造自体については、第7図および
第8図と同様であるので説明を省略する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. Note that the layer structure of the blank board itself is the same as that shown in FIGS. 7 and 8, so a description thereof will be omitted.
先ず、第3図および第4図により本発明のブランク板の
製造方法について説明する。First, the method for manufacturing a blank board of the present invention will be explained with reference to FIGS. 3 and 4.
第3図において、透明基板2は遮蔽部20を有するホル
ダー13にて支持される。該支持は通常はホルダー13
の4隅で支持される。また、遮蔽板20には、第4図に
示すように、複数の切欠部16が形成されている。そし
て、透明基板2は、真空室内で蒸発源もしくはターゲッ
ト12と対向して設置され、透明基板2の周辺部を蒸発
源もしくはターゲフ)12から遮蔽し、蒸着或いは、ス
パッタリング法にて遮光性膜を成膜する。In FIG. 3, the transparent substrate 2 is supported by a holder 13 having a shielding part 20. As shown in FIG. The support is usually a holder 13
It is supported at the four corners of. Further, as shown in FIG. 4, a plurality of notches 16 are formed in the shielding plate 20. As shown in FIG. The transparent substrate 2 is placed in a vacuum chamber facing the evaporation source or target 12, and the periphery of the transparent substrate 2 is shielded from the evaporation source or target 12, and a light-shielding film is applied by vapor deposition or sputtering. Form a film.
第1図は上記方法に製造されたブランク仮1を示してい
る。ブランク板1の透明基板2の表面に、下層の電気抵
抗の小さい金属薄膜3の露出部22が形成されているた
め、電子露光の際、第2図に示すように、照射された電
子はレジスト層5を透過し、表面層4の電気抵抗の大き
な層に到達後、瞬時に、より電気抵抗の小さい下層の金
属薄膜3から4通ピン6に容易に移動可能な構造となっ
ている。FIG. 1 shows a blank 1 produced by the method described above. On the surface of the transparent substrate 2 of the blank plate 1, an exposed portion 22 of the underlying metal thin film 3 with low electrical resistance is formed, so that during electron exposure, the irradiated electrons are transferred to the resist, as shown in FIG. After passing through the layer 5 and reaching the surface layer 4, which has a high electrical resistance, it is structured so that it can be easily moved from the lower layer metal thin film 3, which has a lower electrical resistance, to the four pins 6 instantly.
なお、本発明は、上記実施例に限定されるものでなく種
々の変更が可能である0例えば、上記実施例においては
、露出部22が3箇所形成されているが、これに限定さ
れるものではなく、1〜複数箇所でもよい。Note that the present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, and various modifications are possible.For example, in the above-mentioned embodiments, the exposed portions 22 are formed at three locations, but the present invention is not limited to this. Instead, it may be at one or more locations.
以上のように本発明によれば、電子vAn光時における
ブランク板への帯電を防止すると共に、ブランク板の周
辺部、面取り部および端面の遮光性膜の剥離の問題を解
消し、高精度で微細パターンのフォトマスクを提供する
ことができる。すなわち、透明基板周辺部に形成された
露出部の端部に導通ピンを接地し帯電を防止することに
より、容易にブランク板への帯電を防ぐ事ができる。As described above, according to the present invention, it is possible to prevent the blank board from being charged with electron vAn light, and also to solve the problem of peeling of the light-shielding film on the peripheral part, chamfered part, and end face of the blank board, and to achieve high precision. A photomask with a fine pattern can be provided. That is, by grounding a conductive pin to the end of the exposed portion formed around the transparent substrate to prevent charging, it is possible to easily prevent the blank board from being charged.
第1図は本発明のブランク仮の1実施例を示す平面図、
第2図は本発明のブランク板の電子露光時の作用を説明
するための図、第3図および第4図は本発明のブランク
板の製造方法を説明するための図で、第3図は断面図、
第4図は第3図を底面から見た図、第5図および第6図
はブランク板の一般的な構成を示す断面図、第7図は従
来のブランク板を用いた電子露光を説明するための図、
第8図は従来のブランク仮の問題点を説明するための図
、第9図および第10図は従来のブランク板を説明する
ための図である。
1・・・ブランク板、2・・・透明基板、3・・・導電
性遮光膜、4・・・反射防止膜、5・・・レジスト、6
・・・導電ピン、13・・・ホルダー、16・・・切欠
、20・・・遮蔽部、22・・・露出部。
出 願 人 大日本印刷株式会社
代理人弁理士 白 井 博 樹(外3名)第1図
第2図
第3図
第4図
第5図
第6図
第7図
第8図
第9図
第10図FIG. 1 is a plan view showing a blank temporary embodiment of the present invention;
FIG. 2 is a diagram for explaining the action of the blank plate of the present invention during electronic exposure, FIGS. 3 and 4 are diagrams for explaining the method for manufacturing the blank plate of the present invention, and FIG. cross section,
Figure 4 is a bottom view of Figure 3, Figures 5 and 6 are cross-sectional views showing the general configuration of a blank plate, and Figure 7 explains electronic exposure using a conventional blank plate. diagram for,
FIG. 8 is a diagram for explaining problems with conventional blank plates, and FIGS. 9 and 10 are diagrams for explaining conventional blank plates. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Blank board, 2... Transparent substrate, 3... Conductive light shielding film, 4... Antireflection film, 5... Resist, 6
... Conductive pin, 13... Holder, 16... Notch, 20... Shielding part, 22... Exposed part. Applicant Dai Nippon Printing Co., Ltd. Representative Patent Attorney Hiroki Shirai (3 others) Figure 1 Figure 2 Figure 3 Figure 4 Figure 5 Figure 6 Figure 7 Figure 8 Figure 9 Figure 10 figure
Claims (1)
が形成されるブランク板において、透明基板周辺部に少
なくとも1つの前記導電性遮光膜の露出部を設け、該露
出部を除く透明基板周辺部以外に前記導電性遮光膜を形
成することを特徴とするブランク板。(1) In a blank plate in which a conductive light-shielding film and an anti-reflection film are formed on one side of a transparent substrate, at least one exposed portion of the conductive light-shielding film is provided around the transparent substrate, and the transparent substrate excluding the exposed portion is provided. A blank board characterized in that the conductive light-shielding film is formed in areas other than the peripheral area.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62333050A JPH01173717A (en) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | Blank plate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62333050A JPH01173717A (en) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | Blank plate |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01173717A true JPH01173717A (en) | 1989-07-10 |
Family
ID=18261707
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62333050A Pending JPH01173717A (en) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | Blank plate |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01173717A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0433043U (en) * | 1990-07-13 | 1992-03-18 | ||
US7226705B2 (en) | 2001-09-28 | 2007-06-05 | Hoya Corporation | Method of manufacturing a mask blank and a mask, the mask blank and the mask, and useless film removing method and apparatus |
JP2009115957A (en) * | 2007-11-05 | 2009-05-28 | Hoya Corp | Method of manufacturing mask blank and transfer mask |
-
1987
- 1987-12-28 JP JP62333050A patent/JPH01173717A/en active Pending
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