JP2856172B2 - アクティブマトリックス液晶表示パネル - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、透明絶縁性基板で
液晶を挟んだ構造のアクティブマトリックス液晶表示パ
ネルに関する。

【０００２】

【従来の技術】図８（ａ）は、従来例の説明図、
（ｂ），（ｃ）は、（ａ）を作成するプロセスの説明図
である。

【０００３】薄膜電界効果型トランジスタ（以下ＴＦＴ
と記す）を画素のスイッチング素子として用いるアクテ
ィブマトリックス液晶表示パネル（以下ＡＭＬＣＤと記
す）は高品位の画質を有し、携帯型コンピュータの表示
デバイスあるいは最近では省スペースのデスクトップコ
ンピュータのモニターとして幅広く用いられている。

【０００４】近年、液晶表示の高画質化を目的として、
視野角特性を向上させるために、横方向電界を利用した
いわゆるインプレインスイッチングモードと呼ばれる表
示方法が提案されている（例えばアジアディスプレイ’
９６）。これは、各画素でＴＦＴに櫛歯形状の画素電極
３を形成し、同じ面内に同様な櫛歯形状を有する対向電
極４を形成し、これらの間に電圧を印加して、液晶層面
内に平行な電界を形成することにより、液晶のダイレク
タの向きを変化させ、これによって透過光量を制御する
ものである。

【０００５】この液晶表示方式では、ダイレクタが液晶
層面内にほぼ平行な向きにのみ動くので、ＴＮモードの
場合のように、ダイレクタが液晶面内からはずれて立ち
上がり、ダイレクタの方向から見込んだときと、液晶層
法線方向から見込んだときで、透過光量と印加電圧の関
係が大きく異なってしまうという問題は発生せず、非常
に広い視角から見て、ほぼ同様な画像を得ることができ
る。

【０００６】このような表示方式は、画面サイズが大き
くなったときに特に有効であるが、画面サイズを大きく
していった場合の問題点の一つは、基板サイズの増大に
伴って装置コストが増大し、それが液晶パネルのコスト
として大きな比重を占めるため、価格が高くなる点にあ
る。したがって、大面積になればなるほど、液晶パネル
の作成プロセスを簡略化し、これを低コスト化すること
が求められる。

【０００７】ＴＦＴ工程を簡略化するためには、例えば
図８（ａ）に示す構造を有するＴＦＴアレイが提案され
ている。この方法によれば、横方向電界を形成するＴＦ
Ｔアレイを形成するのに、図（ｂ），（ｃ）に示すよう
に、２回のみの露光により作成することができる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかし、図８（ａ）の
構造の場合、工程が短縮されるものの、画素電極と対向
電極とを同層で形成することになるので、画素電極の電
位を安定化させ画質を向上させるために必要な蓄積容量
を構成する際に、通常行うように、画素電極と対向電極
とをオーバーラップさせることができない。したがっ
て、液晶を駆動する横方向電界を発生させるように互い
に平行に設けられた画素電極と対向電極との間に存在す
る表示部の容量のみによって、画素の電荷保持を行うこ
とになる。この場合、画素電極−対向電極間の容量は、
両者の間の電位差に伴って大きく変化し、かつ、これら
の間の距離が一定に設計されるため、容量値を大きくと
ることができない。この結果、画質が不安定となり、し
み，むら等が発生しやすい状態となる。

【０００９】本発明の目的は、上述のようにＴＦＴ工程
を簡略化し、画素電極と対向電極とを同層で形成した場
合でも、画素電極と対向電極との電位差にほとんど依存
せず安定で、かつ大きな容量を得ることのできる構造を
有するアクティブマトリックス液晶表示パネルを提供す
ることにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、第１の発明によるアクティブマトリックス液晶表示
パネルは、絶縁性基板上に、格子状に配置して交差させ
た平行な複数の走査線および平行な複数の信号線と、走
査線と信号線の各交点近傍に設けた能動素子と、能動素
子に接続された画素電極と、画素電極との間に電圧を印
加することのできる対向電極とが配置され、もう一つの
透明絶縁性基板との間に挟持した液晶層を、画素電極と
対向電極の間に印加した電圧によって発生させる液晶層
にほぼ平行な電界によって表示を制御する構造の液晶表
示パネルにおいて、この液晶が正の誘電率異方性を有
し、電圧無印加の状態で基板に平行でかつ、画素電極に
平行でないある一定の方向に均一に配向させ、かつ前記
画素電極の一部と前記対向電極の一部とが、互いに平行
に、かつ、液晶の配向方向に垂直に配置されていること
を特徴とする。

【００１１】また、第２の発明によるアクティブマトリ
ックス液晶表示パネルは、この液晶が負の誘電率異方性
を有し、電圧無印加の状態で基板に平行でかつ、画素電
極に垂直でないある一定の方向に均一に配向させ、かつ
前記画素電極の一部と前記対向電極の一部とが、互いに
平行に、かつ、液晶の配向方向に平行に配置されている
ことを特徴とする。

【００１２】ここで、本発明のアクティブマトリックス
液晶表示パネルの好ましい態様では、画素電極、対向電
極およびこの対向電極に電位を供給するバスラインが、
同層で形成されている。これにより、工程を簡略化する
ことができる。

【００１３】以下、本発明のもたらす作用について説明
する（後述の図１参照）。以下の説明では、正の誘電率
異方性を有する液晶についてのみ説明を行うが、負の誘
電率異方性を有する液晶の場合でも、ほぼ同様のことが
云える。

【００１４】横方向電界を利用するアクティブマトリッ
クス液晶表示パネルでは、液晶を一方向に均一に配向さ
せ、これと０度よりも大きく４５度以下の一定の角度を
有する方向に、画素電極と対向電極とを平行に形成し、
両電極間に横方向電界を発生させ、これにより液晶分子
を回転させて、透過光を制御する。

【００１５】本発明では、表示部の他に、液晶の配向方
向に対して垂直な方向に、画素電極および対向電極を互
いに平行に対向させた構造を有する。この部分では、画
素電極と対向電極間に電圧が印加されても、この間に形
成される電界は、電極に垂直で液晶層にほぼ平行に形成
されるので、液晶の初期配向の方向に一致する。したが
って、電圧を変化させても、液晶のダイレクタの向きは
変化せず、この部分の画素電極と対向電極との間の容量
は、電圧に依存せず一定となる。また、電圧を印加して
も常に黒表示が維持されるので、この領域を遮光するよ
うな構造は不要であるという利点もある。

【００１６】また、画素電極と対向電極との間の距離
は、両者の間で短絡が起きない程度まで狭めても、動作
上なんら支障を与えないので、この部分で形成する蓄積
容量値を大きく確保することができる。

【００１７】以上のようにして、本発明による構造を用
いれば、限られた面積で、安定な蓄積容量を効率よくア
クティブマトリックス液晶表示素子内に作り込むことが
できる。

【００１８】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。

【００１９】図１は、本発明のアクティブマトリックス
表示パネルの第１の実施の形態の説明図である。図１を
参照すると、画素を構成する画素電極３は、走査線１を
ゲート電極とする薄膜トランジスタのソース電極に接続
されている。この薄膜トランジスタのドレイン電極５は
信号線２に接続される。画素電極３は、信号線２と平行
に長手方向を有する部分３ａと、一方向に定められたラ
ビング方向６に垂直な方向に長手方向を有する部分３ｂ
とからなる。一方、対向電極４は対向電極バスライン４
₀ に接続されており、信号線２と平行に長手方向を有す
る部分４ａと、ラビング方向６に垂直な方向に長手方向
を有する部分４ｂからなる。

【００２０】実際のアクティブマトリックス表示パネル
は、図１で表される画素が一定数マトリックス状に配置
された透明絶縁性基板と、カラーフィルターが形成され
たもう一方の透明絶縁性基板とを一定の間隔で張り合わ
せ、この間に正の誘電率異方性を有する液晶を挟持さ
せ、両方の透明絶縁性基板の外側に、各々偏光フィルム
を添付してなるものである。

【００２１】ここで、ラビング方向６は、信号線に対し
て０度よりも大きく４５度よりも小さい一定の角度をな
す向きに設定される。

【００２２】画素電極３のうち信号線２と平行に長手方
向を有する部分３ａは、対向電極４のうち信号線２と平
行に長手方向を有する部分４ａと互いに平行に対向し、
画素電極３に薄膜トランジスタを介して一定の電位を書
き込みこれを保持する際に、対向電極４との間に発生す
る電界は、平行な両部分３ａと４ａに垂直な方向、すな
わち信号線２に対して垂直な方向に発生する。この電界
により、平行な部分３ａと４ａの間の正の誘電率異方性
を有する液晶のダイレクタの向きは信号線２となす角が
大きくなる方向に回転し、この回転角を制御することに
より、透過する光量を制御することができる構造となっ
ている。

【００２３】一方、画素電極３のうちラビング方向６に
垂直な方向に長手方向を有する部分３ｂは、対向電極４
のうちラビング方向６に垂直な方向に長手方向を有する
部分４ｂと互いに平行に対向している。画素電極３に如
何なる電位が印加された場合でも、対向電極４との間に
発生する電界は、３ｂおよび４ｂに垂直な方向、すなわ
ちラビング方向６に平行な方向に発生する。この時、電
界の向きは初期配向の向きに一致するので、電界印加に
伴うダイレクタの向きの変化は殆どない。

【００２４】電極３ａと電極４ａとは、この間の液晶の
回転を制御するため、ある程度両者の電極間隔を広くと
る必要がある。このため、電極３ａと電極４ａとの間の
容量は、画素電極３の電位によって変化するのに加え
て、十分大きな容量を形成することができない。

【００２５】これに対して、電極３ｂおよび電極４ｂの
間隔は、これらの間に短絡が起きない範囲で十分に狭く
とることができる。したがって、十分に大きく、かつ画
素電極３の容量によって殆ど変化することなく安定な容
量が、この間に形成される。したがって、電極３ｂおよ
び電極４ｂの間の容量は、従来例に示す蓄積容量の役割
を果たすことができ、これによって、画素電極３に蓄積
された電荷がリーク電流によって失われることがなく、
ディスプレイの画質および信頼性が向上する。

【００２６】次に、本発明の第２の実施の形態について
説明する。

【００２７】図２は、第２の実施形態の説明図である。
図２を参照すると、第１の実施形態との差異は、画素電
極３は、ラビング方向６に対し垂直な方向でなく平行な
方向に長手方向を有する部分３ｃを有し、対向電極４
は、同様にラビング方向６に対し垂直な方向でなく平行
な方向に長手方向を有する部分４ｃを有することであ
る。

【００２８】実際のアクティブマトリックス表示パネル
は、図２で表される画素が図１と同様に配置されるが、
張り合わされた透明絶縁性基板間に負の誘電率異方性を
有する液晶を挟持させてある点が異なる。

【００２９】ここで、ラビング方向６は、信号線に対し
て４５度よりも大きく９０度よりも小さい一定の角度を
なす向きに設定されることも異なる。

【００３０】画素電極３に薄膜トランジスタを介して一
定の電位を書き込みこれを保持する際に、対向電極４と
の間に発生する電界は、信号線２に対して垂直な方向に
発生することは第１の実施の形態の場合と同じである。
しかし、この電界により、３ａと４ａの間の負の誘電率
異方性を有する液晶のダイレクタの向きは信号線２とな
す角が小さくなる方向に回転し、この回転角を制御する
ことにより、透過する光量を制御することができる構造
となっている。

【００３１】一方、画素電極３のうちラビング方向６に
平行な方向に長手方向を有する部分３ｃは、対向電極４
のうちラビング方向６に垂直な方向に長手方向を有する
部分４ｃと互いに平行に対向している。画素電極３に如
何なる電位が印加された場合でも、対向電極４との間に
発生する電界は、電極３ｃおよび４ｃに垂直な方向、す
なわちラビング方向６に平行な方向に発生する。この
時、電界の向きは初期配向の向きに垂直であるので、電
界印加に伴うダイレクタの向きの変化は殆どない。

【００３２】電極３ａと電極４ａとの電極間隔を広くと
る必要があること、および大きな容量を形成できないこ
とは同様である。

【００３３】これに対して、電極３ｃおよび電極４ｃの
間隔は、同様にこれらの間に短絡が起きない範囲で十分
に狭くとることができ、したがって同様な経緯により、
ディスプレイの画質および信頼性が向上する。

【００３４】次に、本発明の第３の実施の形態について
説明する。

【００３５】図３は、第３の実施の形態の説明図であ
る。図３を参照すると、画素を構成する画素電極３は、
走査線１を一方の電極とする薄膜ダイオードの他方の電
極に接続され、対向電極４は信号線２に接続されている
点は、第１の実施形態と異なる。しかし、画素電極３の
構成部分３ａと３ｂおよび対向電極４の構成部分４ａと
４ｂの方向は、いずれも第１の実施の形態の場合と同じ
である。

【００３６】一定の間隔で張り合わせた透明絶縁性基板
の間に正の誘電率異方性を有する液晶を挟持させる点も
第１の実施の形態の場合と同じである。

【００３７】ここで、ラビング方向６の信号線に対する
角度設定も第１の実施の場合と同じである。

【００３８】画素電極３と対向電極４の間に発生する電
界の方向、正の誘電率異方性を有する液晶のダイレクタ
の向き、この回転角および透過する光量の制御構造も、
第１の実施例の場合と同じである。

【００３９】画素電極３と対向電極４の間に発生するる
電界は、ラビング方向６に平行な方向で、初期配向の向
きに平行であるので、電界印加に伴うダイレクタの向き
の変化は殆どない点も同じである。

【００４０】電極３ａと電極４ａとの間の容量は、画素
電極３の電位によって変化するのに加えて、十分大きな
容量を形成することができない点も同じである。

【００４１】これに対して、電極３ｂと電極４ｂの間隔
は、これらの間に短絡が起きない範囲で十分に狭くとる
ことができ、この結果ディスプレイの画質および信頼性
が向上する点も同様である。

【００４２】次に、本発明の第４の実施の形態について
説明する。

【００４３】図４は、第４の実施の形態の説明図であ
る。図４を参照すると、画素を構成する画素電極３は、
信号線２を一方の電極とする薄膜ダイオードの他方の電
極に接続され、対向電極４は、走査線１に接続されてい
るは第３の実施の形態場合と異なる。しかし、画素電極
３の部分３ａ、３ｂおよび対向電極４の部分４ａ、４ｂ
の各方向は、第３の実施の形態の場合と同じである。

【００４４】その他構造、機能については、第３の実施
形態の場合と全く同じであるので、説明を省略する。

【００４５】

【実施例】以下、本発明の各実施の形態の一実施例の作
成プロセスについて説明する。

【００４６】図５（ａ），（ｂ）は、第１の実施の形態
の一実施例を作成するプロセスの説明図、（ｃ）は、
（ｂ）の線ＣーＣ’断面図である。

【００４７】図５（ａ），（ｂ）は本実施例のＡＭＬＣ
Ｄの作成方法における、ＡＭＬＣＤの工程段階を順に示
す平面図である。

【００４８】まず、透光性絶縁基板１１上に、１０ｎｍ
の酸化シリコン膜１７をスパッタ法により形成した後、
さらにスパッタ法によりクロム膜１２を１５０ｎｍ、プ
ラズマＣＶＤ法によりｎ型非晶質シリコン層１３を極め
て薄く堆積し、これらを端面がテーパ形状になるように
ドライエッチし、これを信号線２とドレイン電極５およ
び画素電極３，３ａ，３ｂおよび対向電極バスライン４
₀ からなる形状でパターニングし、図５（ａ）に示す構
造を得る。

【００４９】さらに、プラズマＣＶＤ法で非晶質シリコ
ン膜１４を５０ｎｍ、ゲート絶縁膜となる非晶質窒化シ
リコン膜１５を４００ｎｍ連続的に推積し、これに引き
続き、走査線１となるクロム膜１６を１５０ｎｍスパッ
タ法により堆積させる。これに、走査線１からなるレジ
ストパタンを形成し、クロム膜１６、ゲート絶縁膜１５
および非晶質シリコン膜１４をエッチングによりパタン
形成を行い、図５（ｂ）に示す構造を得る。

【００５０】上述の方法では、信号線２となるクロム膜
１２を形成後、ｎ型非晶質シリコン膜１３を形成し、こ
れを一括でパタン形成した後、非晶質シリコン膜１４，
窒化シリコン膜１５を形成したが、クロム膜１２を形成
後、これをパタン形成し、プラズマＣＶＤで非晶質シリ
コン膜を形成する前にＰＨ₃ を含むガス雰囲気中でプラ
ズマ放電を行うことにより、クロム膜１２上に選択的に
燐をデポさせることによっても、同様な構造を形成する
ことができる。

【００５１】以上のプロセスによりＴＦＴアレイを形成
した透明絶縁性基板１１を用いて、通常の液晶セル組立
を行い、アクティブマトリックス液晶表示パネルを得
る。

【００５２】本構造からなるアクティブマトリックス液
晶表示パネルでは、２回のみの露光回数でＴＦＴアレイ
を作成できるため、作成プロセスが短くでき、コストが
非常に少なくてすむ。従来の方法では、このようにして
ＴＦＴアレイを作成した場合、画素電極３の電荷を保持
させる容量は、通常の信号線に平行な画素電極３ａと対
向電極４ａとによって形成されるため、書き込まれる画
素電位によって容量が変化すると同時に、容量自体も小
さいため、保持期間中に電荷がリークし、画素電位の時
間変化が生じ、クロストークおよびコントラストの低下
を招いていた。しかし、本発明によれば、画素電極３の
一部３ｂおよび対向電極４の一部４ｂをラビング方向６
に垂直に対向させることにより、十分に大きくかつ画素
電位に対して安定な蓄積容量をプロセス数を増加させる
ことなく形成することができ、低コストで高画質なアク
ティブマトリックス表示パネルを得ることができる。

【００５３】次に、第２の実施の形態の一実施例の作成
プロセスについて説明する。

【００５４】本実施例の作成プロセスの説明図は省略す
る。

【００５５】本発明の第２の実施の形態は、本発明の第
１の実施の形態と同様のＴＦＴアレイ工程を経ることに
よって形成される。両者の基本的な相違は、第１の実施
の形態では、正の誘電率異方性を有する液晶を用いるの
に対して、第２の実施の形態では、負の誘電率異方性を
有する液晶を用いる。これによって、安定な蓄積容量を
形成するための画素電極３および対向電極４の長手方向
の向きが図２のように変わる。

【００５６】次に、第３の実施の形態の一実施例の作成
プロセスについて説明する。

【００５７】図６（ａ），（ｂ）は、第３の実施の形態
の一実施例を作成するプロセスの説明図、（ｃ）は、
（ｂ）の線ＣーＣ’断面図である。

【００５８】図６（ａ），（ｂ）は本実施例のＡＭＬＣ
Ｄの作成方法における、工程段階を順に示す平面図であ
る。

【００５９】まず、透光性絶縁基板１１上に１５０ｎｍ
の厚さのタンタル膜１８をスパッタ法により形成する。
この時、スパッタガスとしてアルゴンに窒素を添加した
ガスを用いるとよい。ここで、走査線１からなる形状で
レジストパタンを形成し、これによりタンタル膜１８を
パターニングする。これにより、図６（ａ）に示す構造
を得る。

【００６０】次に、０．１ｗｔ％のクエン酸水溶液中
で、前記タンタル膜１８の表面および端面を陽極酸化
し、６０ｎｍ厚の酸化タンタル膜１９を形成する。乾燥
後、デバイス特性を安定化させるために、２００℃で１
時間アニールを行う。

【００６１】次に、１００ｎｍ厚のクロム膜２０をスパ
ッタ法により形成する。これを、画素電極３，３ａ，３
ｂおよび対向電極４ａ，４ｂおよび信号線２からなる形
状でレジストパタンを形成し、これによりクロム膜２０
をエッチングし、図６（ｂ）に示す構造を得る。

【００６２】以上のプロセスにより薄膜ダイオードアレ
イを形成した透光性絶縁基板１１を用いて、通常の液晶
セル組立を行い、アクティブマトリックス液晶表示パネ
ルを得る。

【００６３】以上、本発明の第３の実施の形態は、本発
明の第１の実施の形態と同様２回のみの露光回数により
作成することができる。この場合、スイッチング素子と
していわゆるＭＩＭ素子を用いるので、コントラスト等
の面で第１の実施例に比ベて性能的には劣るものの、プ
ラズマＣＶＤを用いることなく作成することができるの
で、さらに低コストでアクティブマトリックス液晶表示
パネルを実現することができる。

【００６４】次に、本発明の第４の実施の形態の一実施
例の作成プロセスについて説明する。

【００６５】図７（ａ），（ｂ）は、第４の実施の形態
の一実施例を作成するプロセスの説明図、（ｃ）は、
（ｂ）の線ＣーＣ’断面図である。

【００６６】図７（ａ），（ｂ）は本実施例のＡＭＬＣ
Ｄの作成方法における、工程段階を順に示す平面図であ
る。

【００６７】まず、透光性絶縁基板１１上に１５０ｎｍ
の厚さのタンタル膜１８をスパッタ法により形成する。
この時、スパッタガスとしてアルゴンに窒素を添加した
ガスを用いるとよい。ここで、信号線２からなる形状で
レジストパタンを形成し、これによりタンタル膜１８を
パターニングする。これにより、図７（ａ）に示す構造
を得る。

【００６８】次に、０．１ｗｔ％のクエン酸水溶液中
で、タンタル膜１８の表面および端面を陽極酸化し、６
０ｎｍ厚の酸化タンタル膜１９を形成する。乾燥後、デ
バイス特性を安定化させるために、２００℃で１時間ア
ニールを行う。

【００６９】次に、１００ｎｍ厚のクロム膜２０をスパ
ッタ法により形成する。これを、画素電極３，３ａ，３
ｂおよび対向電極４ａ，４ｂおよび走査線１からなる形
状でレジストパタンを形成し、これによりクロム膜２０
をエッチングし、図７（ｂ）に示す構造を得る。

【００７０】以上、本発明の第４の実施の形態は、本発
明の第３の実施の形態とほぼ同様に作成することができ
る。また、性能的にも同等であり、どちらの方法を選択
してもよい。

【００７１】

【発明の効果】以上説明したように本発明は、アクティ
ブマトリックス液晶表示パネルが、画素電極の一部と、
対向電極の一部とを、ラビング方向に平行もしくは垂直
とする構造とすることにより、この部分で画素電位によ
らずほぼ一定で十分に大きい蓄積容量を形成することが
でき、これにより低コストで高画質のアクティブマトリ
ックス液晶表示パネルを提供できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のアクティブマトリックスの第１の実施
の形態の説明図である。

【図２】第２の実施の形態の説明図である。

【図３】第３の実施の形態の説明図である。

【図４】第４の実施の形態の説明図である。

【図５】（ａ），（ｂ）は、第１の実施の形態の一実施
例を作成するプロセスの説明図、（ｃ）は、（ｂ）の線
ＣーＣ’断面図である。

【図６】（ａ），（ｂ）は、第３の実施の形態の一実施
例を作成するプロセスの説明図、（ｃ）は、（ｂ）の線
ＣーＣ’断面図である。

【図７】（ａ），（ｂ）は、第４の実施の形態の一実施
例を作成するプロセスの説明図、（ｃ）は、（ｂ）の線
ＣーＣ’断面図である。

【図８】（ａ）は、従来例の説明図、（ｂ），（ｃ）
は、（ａ）を作成するプロセスの説明図である。

【符号の説明】

１ 走査線 ２ 信号線 ３ 画素電極 ３ａ 画素電極（信号線平行部） ３ｂ 画素電極（ラビング方向垂直部） ３ｃ 画素電極（ラビング方向平行部） ４ 対向電極 ４₀ 対向電極バスライン ４ａ 対向通電極（信号線平行部） ４ｂ 対向電極（ラビング方向垂直部） ４ｃ 対向電極（ラビング方向平行部） ５ ドレイン電極 ６ ラビング方向 ７ ２端子素子 １１ 透光性絶縁基板 １２ ＴＦＴのソースとドレインになるクロム膜 １３ ｎ型非晶質シリコン膜 １４ 非晶質シリコン膜 １５ 非晶質窒化シリコン膜 １６ 走査線となるクロム膜 １７ 酸化シリコン膜 １８ タンタル膜 １９ 酸化タンタル膜 ２０ クロム膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平７−191336（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−134301（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−105908（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) G02F 1/1343 G02F 1/136 G02F 1/1337

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁性基板上に、格子状に配置して交差
   させた平行な複数の走査線および平行な複数の信号線
   と、前記走査線と信号線の各交点近傍に設けた能動素子
   と、前記能動素子に接続された画素電極と、前記画素電
   極との間に電圧を印加することのできる対向電極とが配
   置され、もう一つの透明絶縁性基板との間に挟持した液
   晶層を、前記画素電極と前記対向電極の間に印加した電
   圧によって発生させる液晶層にほぼ平行な電界によって
   表示を制御する構造の液晶表示パネルにおいて、 該液晶が正の誘電率異方性を有し、電圧無印加の状態で
   基板に平行でかつ画素電極に平行でないある一定の方向
   に均一に配向させ、かつ前記画素電極の一部と前記対向
   電極の一部とが、互いに平行に、かつ、液晶の配向方向
   に垂直に配置されていることを特徴とするアクティブマ
   トリックス液晶表示パネル。
2. 【請求項２】 絶縁性基板上に、格子状に配置して交差
   させた平行な複数の走査線および平行な複数の信号線
   と、前記走査線と信号線の各交点近傍に設けた能動素子
   と、前記能動素子に接続された画素電極と、前記画素電
   極との間に電圧を印加することのできる対向電極とが配
   置され、もう一つの透明絶縁性基板との間に挟持した液
   晶層を、前記画素電極と前記対向電極の間に印加した電
   圧によって発生させる液晶層にほぼ平行な電界によって
   表示を制御する構造の液晶表示パネルにおいて、 該液晶が負の誘電率異方性を有し、電圧無印加の状態で
   基板に平行でかつ画素電極に垂直でないある一定の方向
   に均一に配向させ、かつ前記画素電極の一部と前記対向
   電極の一部とが、互いに平行に、かつ、液晶の配向方向
   に平行に配置されていることを特徴とするアクティブマ
   トリックス液晶表示パネル。
3. 【請求項３】 前記画素電極、前記対向電極および該対
   向電極に電位を供給するバスラインが、同層で形成され
   ている、請求項１または２記載のアクティブマトリック
   ス液晶表示パネル。