JP2002098966A - 液晶表示装置 - Google Patents
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- JP2002098966A JP2002098966A JP2000291603A JP2000291603A JP2002098966A JP 2002098966 A JP2002098966 A JP 2002098966A JP 2000291603 A JP2000291603 A JP 2000291603A JP 2000291603 A JP2000291603 A JP 2000291603A JP 2002098966 A JP2002098966 A JP 2002098966A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ドメイン境界で生じる液晶分子の再配列の遅れ
を低減する。 【解決手段】液晶表示装置は一対の第１および第２電極
基板Ｇ１，Ｇ２と、第１および第２電極基板Ｇ１，Ｇ２
間に挟持される液晶層ＬＱとを備える。特に、第２電極
基板Ｇ２はスリット１４により液晶層ＬＱを液晶分子の
チルト方向の異なる複数のドメインＤＭ１，ＤＭ２に分
割して液晶分子配列を制御する対向電極１２、およびス
リット１４の形成された領域で液晶分子の配向を無効化
するように対向電極１２を覆う配向膜１３を含む。
を低減する。 【解決手段】液晶表示装置は一対の第１および第２電極
基板Ｇ１，Ｇ２と、第１および第２電極基板Ｇ１，Ｇ２
間に挟持される液晶層ＬＱとを備える。特に、第２電極
基板Ｇ２はスリット１４により液晶層ＬＱを液晶分子の
チルト方向の異なる複数のドメインＤＭ１，ＤＭ２に分
割して液晶分子配列を制御する対向電極１２、およびス
リット１４の形成された領域で液晶分子の配向を無効化
するように対向電極１２を覆う配向膜１３を含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶層が一対の電
極基板間に挟持される液晶表示装置に関し、特に液晶分
子のチルト方向が互いに異なる複数のドメインに分割さ
れる液晶層を持つ液晶表示装置に関する。
極基板間に挟持される液晶表示装置に関し、特に液晶分
子のチルト方向が互いに異なる複数のドメインに分割さ
れる液晶層を持つ液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は、軽量、薄型、低消費電
力という特性からＯＡ機器、情報端末、時計、テレビの
ような様々な分野で応用されている。特にアクティブマ
トリクス型液晶表示装置は、薄膜トランジスタ(Thin Fi
lm Transistor）を用いて画素のスイッチングを行うこ
とにより優れた応答性を得ることができるため、多くの
画像情報を表示しなくてはならない携帯テレビあるいは
コンピュータの表示モニタとして利用されている。
力という特性からＯＡ機器、情報端末、時計、テレビの
ような様々な分野で応用されている。特にアクティブマ
トリクス型液晶表示装置は、薄膜トランジスタ(Thin Fi
lm Transistor）を用いて画素のスイッチングを行うこ
とにより優れた応答性を得ることができるため、多くの
画像情報を表示しなくてはならない携帯テレビあるいは
コンピュータの表示モニタとして利用されている。
【０００３】近年では、液晶表示装置の精細度および表
示速度の向上が情報量の増大に伴って要求され始めてい
る。精細度の向上はＴＦＴアレイ構造を微細化して画素
数を増大することにより行われる。この場合、画素数の
増大に伴って液晶分子の配列をより短い時間内に遷移さ
せるために、現在の２倍から数十倍という液晶分子の応
答速度を得られるような液晶表示モードが必要となる。
この液晶表示モードとしては、例えばネマチック液晶を
用いたＯＣＢ型、ＶＡＮ型、ＨＡＮ型、π配列型、スメ
チック液晶を用いた界面安定型強誘電性液晶(Surface S
tabilized Ferroelectric Liquid Crystal)型、あるい
は反強誘電性液晶型が利用できる。
示速度の向上が情報量の増大に伴って要求され始めてい
る。精細度の向上はＴＦＴアレイ構造を微細化して画素
数を増大することにより行われる。この場合、画素数の
増大に伴って液晶分子の配列をより短い時間内に遷移さ
せるために、現在の２倍から数十倍という液晶分子の応
答速度を得られるような液晶表示モードが必要となる。
この液晶表示モードとしては、例えばネマチック液晶を
用いたＯＣＢ型、ＶＡＮ型、ＨＡＮ型、π配列型、スメ
チック液晶を用いた界面安定型強誘電性液晶(Surface S
tabilized Ferroelectric Liquid Crystal)型、あるい
は反強誘電性液晶型が利用できる。
【０００４】特にＶＡＮ型配向モードは、従来のツイス
トネマチック型(ＴＮ)型配向モードよりも速い応答速度
が得られることや、静電気破壊のような不良発生の原因
となる従来のラビング配向処理を垂直配向処理の採用に
より不要にできることから近年注目されている。さら
に、ＶＡＮ型配向モードは視野角の補償設計が容易であ
り、液晶分子のチルト方向が互いに異なる複数のドメイ
ンに液晶層を分割するマルチドメイン形式にすることに
より広い視野角を得ることができる。この場合、例えば
スリットまたは突起が液晶分子配列を制御する電極に形
成される。
トネマチック型(ＴＮ)型配向モードよりも速い応答速度
が得られることや、静電気破壊のような不良発生の原因
となる従来のラビング配向処理を垂直配向処理の採用に
より不要にできることから近年注目されている。さら
に、ＶＡＮ型配向モードは視野角の補償設計が容易であ
り、液晶分子のチルト方向が互いに異なる複数のドメイ
ンに液晶層を分割するマルチドメイン形式にすることに
より広い視野角を得ることができる。この場合、例えば
スリットまたは突起が液晶分子配列を制御する電極に形
成される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、スリッ
トがドメイン分割のために用いられる場合、液晶分子の
配列がスリットの幅により規定されるドメイン境界で電
極により直接的に制御されないため、液晶分子を再配列
する遷移に時間を要し、応答速度を低下させるという問
題がある。
トがドメイン分割のために用いられる場合、液晶分子の
配列がスリットの幅により規定されるドメイン境界で電
極により直接的に制御されないため、液晶分子を再配列
する遷移に時間を要し、応答速度を低下させるという問
題がある。
【０００６】本発明の目的は、ドメイン境界で生じる液
晶分子の再配列の遅れを低減できる液晶表示装置を提供
することにある。
晶分子の再配列の遅れを低減できる液晶表示装置を提供
することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、一対の
第１および第２電極基板と、これら第１および第２電極
基板間に挟持される液晶層とを備え、これら第１および
第２電極基板の少なくとも一方はスリットにより液晶層
を液晶分子のチルト方向の異なる複数のドメインに分割
して液晶分子配列を制御する電極およびスリットの形成
された領域で液晶分子の配向を無効化する補正手段を含
む液晶表示装置が提供される。
第１および第２電極基板と、これら第１および第２電極
基板間に挟持される液晶層とを備え、これら第１および
第２電極基板の少なくとも一方はスリットにより液晶層
を液晶分子のチルト方向の異なる複数のドメインに分割
して液晶分子配列を制御する電極およびスリットの形成
された領域で液晶分子の配向を無効化する補正手段を含
む液晶表示装置が提供される。
【０００８】この液晶表示装置では、補正手段がスリッ
トの形成された領域で液晶分子の配向を無効化する。こ
の場合、液晶分子の配列がドメイン境界で配向状態によ
る影響を受けずに遷移し易くなる。従って、液晶分子の
再配列の遅れが低減され、応答速度の速い高品位な画像
を表示することができる。
トの形成された領域で液晶分子の配向を無効化する。こ
の場合、液晶分子の配列がドメイン境界で配向状態によ
る影響を受けずに遷移し易くなる。従って、液晶分子の
再配列の遅れが低減され、応答速度の速い高品位な画像
を表示することができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の第１実施形態に係
るアクティブマトリクス型液晶表示装置について図１を
参照して説明する。
るアクティブマトリクス型液晶表示装置について図１を
参照して説明する。
【００１０】図１は液晶表示装置の断面構造を示す。液
晶表示装置はマルチドメイン形式のＶＡＮ型配向モード
で動作するもので、電極基板Ｇ１およびＧ２と、これら
電極基板Ｇ１およびＧ２間に挟持される液晶層ＬＱとを
備える。液晶層ＬＱは誘電率異方性が負であるネマチッ
ク液晶を含む液晶組成物および電極基板Ｇ１およびＧ２
間において液晶組成物を取り囲む周辺シール材により構
成される。電極基板Ｇ１およびＧ２はこの周辺シール材
によって貼り合わされて液晶層ＬＱと一体化する。
晶表示装置はマルチドメイン形式のＶＡＮ型配向モード
で動作するもので、電極基板Ｇ１およびＧ２と、これら
電極基板Ｇ１およびＧ２間に挟持される液晶層ＬＱとを
備える。液晶層ＬＱは誘電率異方性が負であるネマチッ
ク液晶を含む液晶組成物および電極基板Ｇ１およびＧ２
間において液晶組成物を取り囲む周辺シール材により構
成される。電極基板Ｇ１およびＧ２はこの周辺シール材
によって貼り合わされて液晶層ＬＱと一体化する。
【００１１】電極基板Ｇ１はガラス板等の光透過性絶縁
基板１、絶縁基板１上でマトリクス状に配置される複数
の画素電極２、絶縁基板１上でこれら画素電極２の行に
沿って配置される複数の走査線３、絶縁基板１上でこれ
ら画素電極２の列に沿って配置される複数の信号線４、
各々絶縁基板１上で対応走査線３および対応信号線４の
交差位置近傍にスイッチング素子として配置される複数
の画素用薄膜トランジスタ５、および複数の画素電極２
を覆って形成され電圧無印加状態で液晶層ＬＱの液晶分
子を基板平面に対して略垂直に配向する垂直配向膜６を
含む。各画素用薄膜トランジスタ５は絶縁基板１上に形
成されるアモルファスシリコンあるいはポリシリコンの
半導体層５Ａと、ゲート絶縁膜１Ａにより半導体層５Ａ
から絶縁され対応走査線３に接続されるゲート電極５Ｂ
を有する。半導体層５Ａはゲート電極５Ｂの両側にソー
ス領域およびドレイン領域を有し、ソース領域は対応画
素電極２に接続され、ドレイン領域は対応信号線４に接
続される。複数の走査線３、複数の信号線４、および複
数の薄膜トランジスタ５は絶縁層７により覆われる。こ
の絶縁層７は半導体層５Ａのソース領域をそれぞれ露出
する複数のコンタクトホール８を有し、複数の画素電極
２はこれらコンタクトホール８で半導体層５Ａのソース
領域にそれぞれコンタクトして絶縁層７上に形成され
る。これら画素電極２は各々スリット９により液晶層Ｌ
Ｑを液晶分子のチルト方向の異なる複数のドメインＤＭ
１およびＤＭ２に分割して液晶層ＬＱの液晶分子配列を
制御する。垂直配向膜６は各スリット９の幅により規定
されるドメイン境界で液晶分子を実質的に配向しないよ
うにする。ここでは、垂直配向膜６がスリット９を覆わ
ないように形成される。
基板１、絶縁基板１上でマトリクス状に配置される複数
の画素電極２、絶縁基板１上でこれら画素電極２の行に
沿って配置される複数の走査線３、絶縁基板１上でこれ
ら画素電極２の列に沿って配置される複数の信号線４、
各々絶縁基板１上で対応走査線３および対応信号線４の
交差位置近傍にスイッチング素子として配置される複数
の画素用薄膜トランジスタ５、および複数の画素電極２
を覆って形成され電圧無印加状態で液晶層ＬＱの液晶分
子を基板平面に対して略垂直に配向する垂直配向膜６を
含む。各画素用薄膜トランジスタ５は絶縁基板１上に形
成されるアモルファスシリコンあるいはポリシリコンの
半導体層５Ａと、ゲート絶縁膜１Ａにより半導体層５Ａ
から絶縁され対応走査線３に接続されるゲート電極５Ｂ
を有する。半導体層５Ａはゲート電極５Ｂの両側にソー
ス領域およびドレイン領域を有し、ソース領域は対応画
素電極２に接続され、ドレイン領域は対応信号線４に接
続される。複数の走査線３、複数の信号線４、および複
数の薄膜トランジスタ５は絶縁層７により覆われる。こ
の絶縁層７は半導体層５Ａのソース領域をそれぞれ露出
する複数のコンタクトホール８を有し、複数の画素電極
２はこれらコンタクトホール８で半導体層５Ａのソース
領域にそれぞれコンタクトして絶縁層７上に形成され
る。これら画素電極２は各々スリット９により液晶層Ｌ
Ｑを液晶分子のチルト方向の異なる複数のドメインＤＭ
１およびＤＭ２に分割して液晶層ＬＱの液晶分子配列を
制御する。垂直配向膜６は各スリット９の幅により規定
されるドメイン境界で液晶分子を実質的に配向しないよ
うにする。ここでは、垂直配向膜６がスリット９を覆わ
ないように形成される。
【００１２】電極基板Ｇ２は、ガラス板等の光透過性絶
縁基板１１、複数の画素電極２に対向するように絶縁基
板１１上に配置される対向電極１２、この対向電極１２
を覆って形成され電圧無印加状態で液晶層ＬＱの液晶分
子を基板平面に対して略垂直に配向する垂直配向膜１３
を含む。対向電極１２は複数のスリット１４により液晶
層ＬＱを液晶分子のチルト方向の異なる複数のドメイン
ＤＭ１およびＤＭ２に分割して液晶層ＬＱの液晶分子配
列を制御する。垂直配向膜１３は各スリット１４の幅に
より規定されるドメイン境界で液晶分子を実質的に配向
しないようにする。ここでは、垂直配向膜１３がスリッ
ト１４を覆わないように形成される。
縁基板１１、複数の画素電極２に対向するように絶縁基
板１１上に配置される対向電極１２、この対向電極１２
を覆って形成され電圧無印加状態で液晶層ＬＱの液晶分
子を基板平面に対して略垂直に配向する垂直配向膜１３
を含む。対向電極１２は複数のスリット１４により液晶
層ＬＱを液晶分子のチルト方向の異なる複数のドメイン
ＤＭ１およびＤＭ２に分割して液晶層ＬＱの液晶分子配
列を制御する。垂直配向膜１３は各スリット１４の幅に
より規定されるドメイン境界で液晶分子を実質的に配向
しないようにする。ここでは、垂直配向膜１３がスリッ
ト１４を覆わないように形成される。
【００１３】ここで、上述の液晶表示装置の製造方法に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００１４】電極基板Ｇ１の製造工程では、公知の製造
プロセスに従って成膜およびパターニングが絶縁基板１
上で繰り返され、上述の走査線３、信号線４、薄膜トラ
ンジスタ５、および絶縁層７が形成される。絶縁層７の
形成後、厚さ１００ｎｍのＩＴＯ膜がスパッタ蒸着装置
により絶縁層７上に堆積される。このＩＴＯ膜は所定の
マスクパターンを用いてパターニングされ、これにより
各々幅１０μｍのスリット９を構成する欠落部を持つ複
数の画素電極２を形成する。続いて、配向膜材料が複数
の画素電極２を覆って７０ｎｍの厚さで塗布され、さら
に１８０℃で３０分焼成され、これにより垂直配向膜６
を形成する。この垂直配向膜６はエッチングにより画素
電極２のスリット９内において５μｍの幅で絶縁層７を
露出するように除去される。
プロセスに従って成膜およびパターニングが絶縁基板１
上で繰り返され、上述の走査線３、信号線４、薄膜トラ
ンジスタ５、および絶縁層７が形成される。絶縁層７の
形成後、厚さ１００ｎｍのＩＴＯ膜がスパッタ蒸着装置
により絶縁層７上に堆積される。このＩＴＯ膜は所定の
マスクパターンを用いてパターニングされ、これにより
各々幅１０μｍのスリット９を構成する欠落部を持つ複
数の画素電極２を形成する。続いて、配向膜材料が複数
の画素電極２を覆って７０ｎｍの厚さで塗布され、さら
に１８０℃で３０分焼成され、これにより垂直配向膜６
を形成する。この垂直配向膜６はエッチングにより画素
電極２のスリット９内において５μｍの幅で絶縁層７を
露出するように除去される。
【００１５】電極基板Ｇ２の製造工程では、厚さ１００
ｎｍのＩＴＯ膜をスパッタ蒸着装置により絶縁基板１１
上に堆積される。このＩＴＯ膜は所定のマスクパターン
を用いてパターニングされ、これにより各々幅１０μｍ
のスリット１４を構成する複数の欠落部を持つ対向電極
１２を形成する。この後、配向膜材料が対向電極１２の
全面を覆って７０ｎｍの厚さで塗布され、さらに１８０
℃で３０分焼成され、これにより垂直配向膜１３を形成
する。この垂直配向膜１３はエッチングにより対向電極
１２のスリット１４内において５μｍの幅で絶縁基板１
１を露出するように除去される。
ｎｍのＩＴＯ膜をスパッタ蒸着装置により絶縁基板１１
上に堆積される。このＩＴＯ膜は所定のマスクパターン
を用いてパターニングされ、これにより各々幅１０μｍ
のスリット１４を構成する複数の欠落部を持つ対向電極
１２を形成する。この後、配向膜材料が対向電極１２の
全面を覆って７０ｎｍの厚さで塗布され、さらに１８０
℃で３０分焼成され、これにより垂直配向膜１３を形成
する。この垂直配向膜１３はエッチングにより対向電極
１２のスリット１４内において５μｍの幅で絶縁基板１
１を露出するように除去される。
【００１６】電極基板Ｇ１およびＧ２の貼り合せ工程で
は、例えば熱硬化型のアクリルまたはエポキシ系接着剤
が液晶注入口を残すように電極基板Ｇ１の外縁に沿って
配向膜６上に印刷され、さらに直径３．５μｍの樹脂ス
ペーサが液晶注入空間を確保するために接着剤で囲まれ
た領域に均一に散布される。この後、電極基板Ｇ１およ
びＧ２が３．５μｍの基板間隔となるように配向膜６お
よび１３を内側にして重ねられ、接着剤を周辺シール材
として硬化するために加熱処理される。続いて、液晶組
成物が電極基板Ｇ１およびＧ２間において周辺シール材
により取り囲まれた液晶注入空間に液晶注入口から通常
の方法で注入され、さらに液晶注入口が紫外線硬化樹脂
で封止される。この後、偏光フィルム１５および１６が
偏光軸を互いに直交させて液晶層ＬＱとは反対側となる
電極基板Ｇ１およびＧ２の表面にそれぞれ貼付けられ
る。液晶表示装置はこれにより完成する。
は、例えば熱硬化型のアクリルまたはエポキシ系接着剤
が液晶注入口を残すように電極基板Ｇ１の外縁に沿って
配向膜６上に印刷され、さらに直径３．５μｍの樹脂ス
ペーサが液晶注入空間を確保するために接着剤で囲まれ
た領域に均一に散布される。この後、電極基板Ｇ１およ
びＧ２が３．５μｍの基板間隔となるように配向膜６お
よび１３を内側にして重ねられ、接着剤を周辺シール材
として硬化するために加熱処理される。続いて、液晶組
成物が電極基板Ｇ１およびＧ２間において周辺シール材
により取り囲まれた液晶注入空間に液晶注入口から通常
の方法で注入され、さらに液晶注入口が紫外線硬化樹脂
で封止される。この後、偏光フィルム１５および１６が
偏光軸を互いに直交させて液晶層ＬＱとは反対側となる
電極基板Ｇ１およびＧ２の表面にそれぞれ貼付けられ
る。液晶表示装置はこれにより完成する。
【００１７】第１実施形態の液晶表示装置では、薄膜ト
ランジスタ５を介して画素電極２の電位設定を行うこと
により画素電極２および対向電極１２間に電圧を印加す
ると、液晶層ＬＱに電場が発生し、液晶分子が基板平面
に略垂直な配向状態から平行な配向状態に向かって変形
する。このとき、液晶分子のチルト方向はスリット９お
よび１４による電場の傾きによりドメインＤＭ１および
ＤＭ２において互いに逆になる。これにより良好な視野
角を得ることができる。
ランジスタ５を介して画素電極２の電位設定を行うこと
により画素電極２および対向電極１２間に電圧を印加す
ると、液晶層ＬＱに電場が発生し、液晶分子が基板平面
に略垂直な配向状態から平行な配向状態に向かって変形
する。このとき、液晶分子のチルト方向はスリット９お
よび１４による電場の傾きによりドメインＤＭ１および
ＤＭ２において互いに逆になる。これにより良好な視野
角を得ることができる。
【００１８】垂直配向膜６および１３はスリット９およ
び１４をそれぞれ覆わないように形成され、スリット９
および１４の幅により規定されるドメイン境界で液晶分
子を実質的に配向しないようにする。この場合、液晶分
子の配列がドメイン境界で配向膜６および１３の影響を
受けずに遷移し易くなる。従って、液晶分子の再配列の
遅れが低減され、応答速度の速い高品位な画像を表示す
ることができる。液晶表示装置を通常の方法で駆動して
液晶分子の応答速度を測定した結果、１５ｍｓという良
好な応答速度を得ることができた。
び１４をそれぞれ覆わないように形成され、スリット９
および１４の幅により規定されるドメイン境界で液晶分
子を実質的に配向しないようにする。この場合、液晶分
子の配列がドメイン境界で配向膜６および１３の影響を
受けずに遷移し易くなる。従って、液晶分子の再配列の
遅れが低減され、応答速度の速い高品位な画像を表示す
ることができる。液晶表示装置を通常の方法で駆動して
液晶分子の応答速度を測定した結果、１５ｍｓという良
好な応答速度を得ることができた。
【００１９】以下、本発明の第２実施形態に係るアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置について図２を参照して
説明する。この液晶表示装置は図１に示す垂直配向膜６
および１３がそれぞれスリット９および１４を覆って形
成され、スリット部分における膜厚が電極部分における
膜厚の半分以下に設定されることを除いて第１実施形態
の液晶表示装置と同様に構成される。
ィブマトリクス型液晶表示装置について図２を参照して
説明する。この液晶表示装置は図１に示す垂直配向膜６
および１３がそれぞれスリット９および１４を覆って形
成され、スリット部分における膜厚が電極部分における
膜厚の半分以下に設定されることを除いて第１実施形態
の液晶表示装置と同様に構成される。
【００２０】図２はこの液晶表示装置の断面構造を示
す。図２において、第１実施形態と同様の部分を同一参
照符号で表し、その説明を簡略化あるいは省略する。
す。図２において、第１実施形態と同様の部分を同一参
照符号で表し、その説明を簡略化あるいは省略する。
【００２１】そこで、上述の液晶表示装置の製造方法に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００２２】電極基板Ｇ１の製造工程では、第１実施形
態と同様にして走査線３、信号線４、薄膜トランジスタ
５、および絶縁層７が形成される。絶縁層７の形成後、
厚さ１００ｎｍのＩＴＯ膜がスパッタ蒸着装置により絶
縁層７上に堆積される。このＩＴＯ膜は所定のマスクパ
ターンを用いてパターニングされ、これにより各々幅１
０μｍのスリット９を構成する欠落部を持つ複数の画素
電極２を形成する。続いて、スリット９が樹脂材料によ
り埋められ、幅６μｍのテーパ部２０がこの樹脂材料を
パターニングすることにより形成される。この後、配向
膜材料が複数の画素電極２を覆って７０ｎｍの厚さで塗
布され、さらに１８０℃で３０分焼成され、これにより
垂直配向膜６を形成する。ここで、テーパ部２０の存在
により垂直配向膜６がスリット部分に存在しない場合を
含めてスリット部分における垂直配向膜６の膜厚を電極
部分における垂直配向膜６の膜厚の半分以下にすること
ができる。このような結果を得るため、テーパ部２０は
高さ０．５〜２μｍでテーパ角２０度以上であることが
好ましい。また、テーパ部を形成する樹脂材料としては
例えばＮＮ７２０（ＪＳＲ社製），ＰＣ４０５Ｇ（ＪＳ
Ｒ社製）などを用いることができ、配向膜材料としては
溶液状での表面張力が３３ｄｙｎｅ／ｃｍ以上のもの、
例えばＪＡＬＳ−６８２，ＪＡＬＳ−２０２２（いずれ
もＪＳＲ社製）を用いることができる。
態と同様にして走査線３、信号線４、薄膜トランジスタ
５、および絶縁層７が形成される。絶縁層７の形成後、
厚さ１００ｎｍのＩＴＯ膜がスパッタ蒸着装置により絶
縁層７上に堆積される。このＩＴＯ膜は所定のマスクパ
ターンを用いてパターニングされ、これにより各々幅１
０μｍのスリット９を構成する欠落部を持つ複数の画素
電極２を形成する。続いて、スリット９が樹脂材料によ
り埋められ、幅６μｍのテーパ部２０がこの樹脂材料を
パターニングすることにより形成される。この後、配向
膜材料が複数の画素電極２を覆って７０ｎｍの厚さで塗
布され、さらに１８０℃で３０分焼成され、これにより
垂直配向膜６を形成する。ここで、テーパ部２０の存在
により垂直配向膜６がスリット部分に存在しない場合を
含めてスリット部分における垂直配向膜６の膜厚を電極
部分における垂直配向膜６の膜厚の半分以下にすること
ができる。このような結果を得るため、テーパ部２０は
高さ０．５〜２μｍでテーパ角２０度以上であることが
好ましい。また、テーパ部を形成する樹脂材料としては
例えばＮＮ７２０（ＪＳＲ社製），ＰＣ４０５Ｇ（ＪＳ
Ｒ社製）などを用いることができ、配向膜材料としては
溶液状での表面張力が３３ｄｙｎｅ／ｃｍ以上のもの、
例えばＪＡＬＳ−６８２，ＪＡＬＳ−２０２２（いずれ
もＪＳＲ社製）を用いることができる。
【００２３】電極基板Ｇ２の製造工程では、厚さ１００
ｎｍのＩＴＯ膜をスパッタ蒸着装置により絶縁基板１１
上に堆積される。このＩＴＯ膜は所定のマスクパターン
を用いてパターニングされ、これにより各々幅１０μｍ
のスリット１４を構成する複数の欠落部を持つ対向電極
１２を形成する。続いて、スリット１４が樹脂材料によ
り埋められ、幅６μｍのテーパ部２１がこの樹脂材料を
パターニングすることにより形成される。テーパ部２１
の構成、材料、プロセス等はテーパ部２０と同様であ
る。電極基板Ｇ１およびＧ２の貼り合せ工程は第１実施
形態と同様である。
ｎｍのＩＴＯ膜をスパッタ蒸着装置により絶縁基板１１
上に堆積される。このＩＴＯ膜は所定のマスクパターン
を用いてパターニングされ、これにより各々幅１０μｍ
のスリット１４を構成する複数の欠落部を持つ対向電極
１２を形成する。続いて、スリット１４が樹脂材料によ
り埋められ、幅６μｍのテーパ部２１がこの樹脂材料を
パターニングすることにより形成される。テーパ部２１
の構成、材料、プロセス等はテーパ部２０と同様であ
る。電極基板Ｇ１およびＧ２の貼り合せ工程は第１実施
形態と同様である。
【００２４】第２実施形態の液晶表示装置では、薄膜ト
ランジスタ５を介して画素電極２の電位設定を行うこと
により画素電極２および対向電極１２間に電圧を印加す
ると、液晶層ＬＱに電場が発生し、液晶分子が基板平面
に略垂直な配向状態から平行な配向状態に向かって変形
する。このとき、液晶分子のチルト方向はスリット９お
よび１４による電場の傾きによりドメインＤＭ１および
ＤＭ２において互いに逆になる。これにより第１実施形
態と同様に良好な視野角を得ることができる。
ランジスタ５を介して画素電極２の電位設定を行うこと
により画素電極２および対向電極１２間に電圧を印加す
ると、液晶層ＬＱに電場が発生し、液晶分子が基板平面
に略垂直な配向状態から平行な配向状態に向かって変形
する。このとき、液晶分子のチルト方向はスリット９お
よび１４による電場の傾きによりドメインＤＭ１および
ＤＭ２において互いに逆になる。これにより第１実施形
態と同様に良好な視野角を得ることができる。
【００２５】垂直配向膜６および１３がスリット部分に
おいて電極部分における膜厚の半分以下の膜厚に設定さ
れ、スリット９および１４の幅により規定されるドメイ
ン境界で液晶分子を実質的に配向しないようにする。こ
の場合、液晶分子の配列がドメイン境界で配向膜６およ
び１３の影響を受けずに遷移し易くなる。従って、液晶
分子の再配列の遅れが低減され、応答速度の速い高品位
な画像を表示することができる。液晶表示装置を通常の
方法で駆動して液晶分子の応答速度を測定した結果、１
８ｍｓという良好な応答速度を得ることができた。
おいて電極部分における膜厚の半分以下の膜厚に設定さ
れ、スリット９および１４の幅により規定されるドメイ
ン境界で液晶分子を実質的に配向しないようにする。こ
の場合、液晶分子の配列がドメイン境界で配向膜６およ
び１３の影響を受けずに遷移し易くなる。従って、液晶
分子の再配列の遅れが低減され、応答速度の速い高品位
な画像を表示することができる。液晶表示装置を通常の
方法で駆動して液晶分子の応答速度を測定した結果、１
８ｍｓという良好な応答速度を得ることができた。
【００２６】図３は従来の液晶表示装置の断面構造を示
す。この液晶表示装置は第１実施形態において、垂直配
向膜６および１３をエッチングによりそれぞれスリット
９および１４内において５μｍの幅で絶縁基板１および
１１を露出するように除去しないことにより得られる。
この液晶表示装置を通常の方法で駆動して液晶分子の応
答速度を測定した結果、応答速度が第１実施形態および
第２実施形態よりも遅い２５ｍｓという値となった。
す。この液晶表示装置は第１実施形態において、垂直配
向膜６および１３をエッチングによりそれぞれスリット
９および１４内において５μｍの幅で絶縁基板１および
１１を露出するように除去しないことにより得られる。
この液晶表示装置を通常の方法で駆動して液晶分子の応
答速度を測定した結果、応答速度が第１実施形態および
第２実施形態よりも遅い２５ｍｓという値となった。
【００２７】尚、本発明は上述の実施形態に限定され
ず、その要旨を逸脱しない範囲で様々に変形可能であ
る。
ず、その要旨を逸脱しない範囲で様々に変形可能であ
る。
【００２８】例えば第２実施形態のテーパ部２０および
２１は、図２に示すスリット９および１４を埋める液晶
材料を上述のテーパ角を持たせずにパターニングして得
られる幅８μｍの樹脂材料層にそれぞれ置き換え、配向
膜６および１３がスリット９および１４の幅により規定
されるドメイン境界で液晶分子を実質的に配向しないよ
うにしてもよい。この場合、液晶表示装置を通常の方法
で駆動して液晶分子の応答速度を測定した結果、２０ｍ
ｓという良好な応答速度を得ることができた。
２１は、図２に示すスリット９および１４を埋める液晶
材料を上述のテーパ角を持たせずにパターニングして得
られる幅８μｍの樹脂材料層にそれぞれ置き換え、配向
膜６および１３がスリット９および１４の幅により規定
されるドメイン境界で液晶分子を実質的に配向しないよ
うにしてもよい。この場合、液晶表示装置を通常の方法
で駆動して液晶分子の応答速度を測定した結果、２０ｍ
ｓという良好な応答速度を得ることができた。
【００２９】また、各実施形態では、配向膜６および１
３の両方がスリット９および１４の幅により規定される
ドメイン境界で液晶分子を実質的に配向しないように形
成されるが、これら配向膜６および１３の一方は対応ス
リットの幅により規定されるドメイン境界で液晶分子を
配向するように形成されてもかまわない。
３の両方がスリット９および１４の幅により規定される
ドメイン境界で液晶分子を実質的に配向しないように形
成されるが、これら配向膜６および１３の一方は対応ス
リットの幅により規定されるドメイン境界で液晶分子を
配向するように形成されてもかまわない。
【００３０】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、ドメイン
境界で生じる液晶分子の再配列の遅れを低減できる液晶
表示装置を提供することができる。
境界で生じる液晶分子の再配列の遅れを低減できる液晶
表示装置を提供することができる。
【図１】本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置の断
面構造を示す図である。
面構造を示す図である。
【図２】本発明の第２実施形態に係る液晶表示装置の断
面構造を示す図である。
面構造を示す図である。
【図３】液晶分子の応答速度について本発明と比較され
る従来の液晶表示装置の断面構造を示す図である。
る従来の液晶表示装置の断面構造を示す図である。
２…画素電極 １２…対向電極 ６，１３…配向膜 ９，１４…スリット ＬＱ…液晶層 Ｇ１，Ｇ２…電極基板 ＤＭ１，ＤＭ２…ドメイン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 倉内 昭一 埼玉県深谷市幡羅町一丁目９番地２号 株 式会社東芝深谷工場内 (72)発明者 真鍋 敦行 埼玉県深谷市幡羅町一丁目９番地２号 株 式会社東芝深谷工場内 Ｆターム(参考） 2H088 HA02 HA03 LA03 MA18 2H090 HA14 HC10 HD14 LA01 MA01 MA06 MA10 MA15 2H092 GA13 GA20 HA02 HA04 HA06 MA05 NA04 PA02 QA18
Claims (4)
- 【請求項１】 一対の第１および第２電極基板と、前記
第１および第２電極基板間に挟持される液晶層とを備
え、前記第１および第２電極基板の少なくとも一方はス
リットにより前記液晶層を液晶分子のチルト方向の異な
る複数のドメインに分割して液晶分子配列を制御する電
極および前記スリットの形成された領域で液晶分子の配
向を無効化する補正手段を含むことを特徴とする液晶表
示装置。 - 【請求項２】 前記補正手段は、前記電極を覆う配向膜
の一部として前記スリットの形成領域に配置される欠落
部により構成されることを特徴とする請求項１に記載の
液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記補正手段は前記電極を覆う配向膜の
一部として前記スリットの形成領域に配置されこの領域
以外における膜厚の半分以下である膜厚の薄膜部により
構成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示
装置。 - 【請求項４】 電圧無印加状態で液晶分子は基板平面に
対して略垂直に配向していることを特徴とする請求項１
に記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000291603A JP2002098966A (ja) | 2000-09-26 | 2000-09-26 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000291603A JP2002098966A (ja) | 2000-09-26 | 2000-09-26 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002098966A true JP2002098966A (ja) | 2002-04-05 |
Family
ID=18774654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000291603A Pending JP2002098966A (ja) | 2000-09-26 | 2000-09-26 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002098966A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1310079C (zh) * | 2003-04-07 | 2007-04-11 | 友达光电股份有限公司 | 液晶显示器及其制造方法 |
| CN100412657C (zh) * | 2005-09-08 | 2008-08-20 | 中华映管股份有限公司 | 液晶显示面板及彩色滤光基板的制造方法 |
| US7471365B2 (en) | 2004-08-18 | 2008-12-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display having particular tilt direction determining members |
| JP2010026536A (ja) * | 2009-11-04 | 2010-02-04 | Stanley Electric Co Ltd | 液晶表示素子 |
| KR101438368B1 (ko) | 2007-11-19 | 2014-09-12 | (주)아모레퍼시픽 | 인삼꽃의 향취를 재현한 향료 조성물 |
-
2000
- 2000-09-26 JP JP2000291603A patent/JP2002098966A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1310079C (zh) * | 2003-04-07 | 2007-04-11 | 友达光电股份有限公司 | 液晶显示器及其制造方法 |
| US7471365B2 (en) | 2004-08-18 | 2008-12-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display having particular tilt direction determining members |
| CN100412657C (zh) * | 2005-09-08 | 2008-08-20 | 中华映管股份有限公司 | 液晶显示面板及彩色滤光基板的制造方法 |
| KR101438368B1 (ko) | 2007-11-19 | 2014-09-12 | (주)아모레퍼시픽 | 인삼꽃의 향취를 재현한 향료 조성물 |
| JP2010026536A (ja) * | 2009-11-04 | 2010-02-04 | Stanley Electric Co Ltd | 液晶表示素子 |
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