JP2002318389A - アクティブマトリクス型液晶表示装置 - Google Patents
アクティブマトリクス型液晶表示装置Info
- Publication number
- JP2002318389A JP2002318389A JP2002009901A JP2002009901A JP2002318389A JP 2002318389 A JP2002318389 A JP 2002318389A JP 2002009901 A JP2002009901 A JP 2002009901A JP 2002009901 A JP2002009901 A JP 2002009901A JP 2002318389 A JP2002318389 A JP 2002318389A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- liquid crystal
- signal
- pixel
- crystal display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
ラストでクロストークの発生が少ないアクティブマトリ
クス型液晶表示装置の提供。 【解決手段】第1と第2の基板間に液晶組成物が挾持さ
れ、第1の基板には、マトリクス状に配置された複数の
走査電極と信号電極により複数の画素が構成されてお
り、前記画素にはスイッチング素子が設けられているア
クティブマトリクス型液晶表示装置において、前記スイ
ッチング素子は画素電極が接続され、前記画素電極とこ
れに対向した共通電極により液晶分子の長軸方向を基板
面とほぼ平行に保ちながら動作できるよう構成され、前
記画素には、信号電極、画素電極、および、信号電極と
画素電極間との間にシールド電極を有していることを特
徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。
Description
クス型液晶表示装置に関する。
装置は、液晶層を駆動する電極として2枚の基板界面上
に相対向させ形成した透明電極を用いていた。これは、
液晶に印加する電界の方向を基板界面にほぼ垂直な方向
とすることで動作するツイステッドネマティック表示方
式を採用していることによる。
面にほぼ平行な方向とする方式を用いたアクティブマト
リクス型液晶表示装置は、例えば、特開昭56−912
77号公報により提案されている。
マティック表示方式を用いた従来技術は、Indium Tin
Oxide(ITO)に代表される透明電極を形成しなけれ
ばならない。しかし、透明電極はその表面に数10nm
程度の凹凸があり、薄膜トランジスタ(以下、TFTと
云う)のような微細なアクティブ素子の加工を困難にし
ている。さらに、透明電極の凸部はしばしば離脱し、電
極等の他の部分に混入し、点状或いは線状の表示欠陥を
引き起こすため、製品の歩留まりを著しく低下させてい
た。
も多くの課題を有していた。特に、視角方向を変化させ
た際の輝度変化が著しく、中間調表示を困難にしてい
た。
を用いたアクティブマトリクス型表示素子においては、
液晶に電圧または電界を印加し、透過光または反射光を
変調する画素電極以外に、スイッチングトランジスタ素
子を駆動するための走査電極および信号電極が必要であ
る。この走査電極および信号電極は、走査電極−画素電
極間の寄生容量Cgs、信号電極−画素電極間の寄生容量
Cdsによって、画素電極の電位を変動させる。特に、信
号電極の電位は、映像情報によって絶えず変動するの
で、信号電極−画素電極間の寄生容量Cdsによって、画
素電極の電位が変動し、コントラストの低下あるいはク
ロストークと呼ばれる画質不良を発生させている。
ぼ平行な方向とする方式では、ツイステッドネマティッ
ク表示方式の場合と比較して、信号電極−画素電極間の
寄生容量Cdsが大きくなり、クロストークが激しく、画
像パターンによってコントラストが低下するという問題
があった。なぜなら、液晶に印加する電界方向を基板界
面にほぼ平行とする方式では、ツイステッドネマティッ
ク表示方式と異なり、スイッチングトランジスタ素子を
有する基板と対向する基板の全面に共通電極を構成して
いないので、信号電極からの電気力線がシールドされ
ず、画素電極に終端してしまうためである。このため、
電界方向を基板界面にほぼ平行とする方式ではアクティ
ブマトリクス駆動は画質面において問題があった。
しないアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供する
ことにある。
多階調表示が容易であるアクティブマトリクス型液晶表
示装置を提供することにある。
クロストークが生じない高画質のアクティブマトリクス
型液晶表示装置を提供することにある。
明の要旨は次のとおりである。
が挾持され、第1の基板には、マトリクス状に配置され
た複数の走査電極と信号電極により複数の画素部が構成
されており、前記画素部にはスイッチング素子が設けら
れているアクティブマトリクス型液晶表示装置におい
て、前記スイッチング素子は画素電極が接続され、前記
画素電極とこれに対向した共通電極により液晶分子の長
軸方向を基板面とほぼ平行に保ちながら動作できるよう
構成され、前記画素には信号電極、画素電極および信号
電極と画素電極間にあって常時外部から電位を付与でき
るシールド電極が形成されているアクティブマトリクス
型液晶表示装置にある。
共通電極の間の光透過部を除く光透過部に形成されてい
る。
間の光透過部を除く光透過部が、顔料または染料を含む
黒色または低光透過率の遮光膜が形成されている。
極が接続され、前記画素部には、信号電極および信号電
極と画素電極間にあって、常時外部から電位を付与でき
るシールド電極が形成されており、前記シールド電極と
画素電極は対向して形成されており、前記両電極により
液晶組成物層の液晶分子の長軸方向が基板面とほぼ平行
に保ちながら動作するように構成されている。
極と重なるように形成されている。
電極の間の光透過部を除く光透過部に、顔料または染料
を含む黒色または低光透過率の遮光膜が形成されてい
る。
基板に形成されている。
一層に形成されている。
一層に形成されている。
る。
での一画素の側断面を、図1(c),(d)はその平面
図である。図1ではアクティブ素子は省略してある。ま
た、本発明では、走査電極と信号電極をマトリクス状に
形成して複数の画素を構成するが、ここでは一画素の部
分を示した。
に、その時の平面図を図1(c)に示す。透明な一対の
基板8,9の内側にストライプ状の画素電極3、共通電
極4、信号電極2、シールド電極5が形成され、その上
に配向制御膜14,15(配向方向28)が形成されて
おり、その間に液晶組成物が挟持されている。
ストライプ状の電極の長手方向に対して若干の角度、即
ち、45度≦|電界方向に対する界面近傍での液晶分子
長軸(光学軸)方向のなす角|<90度、となるように
配向されている。なお、ここでは、液晶分子の上下界面
での配向方向が平行な場合を例に説明する。また、液晶
組成物の誘電異方性は正とする。
印加すると図1(b)、(d)に示すように、電界Eの
方向に液晶分子が向きを変える。偏光板26,27の偏
光透過軸29を所定角度となるように配置することで、
電界印加によって光透過率を変えることが可能となる。
くともコントラストのある表示が可能となる。コントラ
ストを付与する具体的構成としては、上下基板上の液晶
分子配向がほぼ平行な状態を利用したモード(複屈折位
相差による干渉色を利用するので、ここでは複屈折モー
ドと呼ぶ)と、上下基板上の液晶分子配向方向が交差し
セル内での分子配列がねじれた状態を利用したモード
(液晶組成物層内で偏光面が回転する旋光性を利用する
ので、ここでは旋光性モードと呼ぶ)とがある。
軸(光軸)方向が基板界面にほぼ平行なままで面内でそ
の方位を変え、所定角度に設定された偏光板26,27
の軸(吸収軸あるいは透過軸)とのなす角が変わって光
透過率を変える。旋光性モードも同様に電圧印加により
分子長軸方向の方位を変えるが、この場合は螺旋が解け
ることによる旋光性の変化を利用する。
ぼ平行とする本表示モードでは、液晶分子の長軸は基板
と常にほぼ平行であり、立ち上がることがない。従っ
て、視角方向を変えても明るさの変化が小さく(視角依
存性がない)、いわゆる視角特性が優れている。
屈折位相差をほぼゼロにすることで暗状態を得るもので
はなく、液晶分子長軸と偏光板の軸(吸収軸あるいは透
過軸)とのなす角を変えることで暗状態を得るもので、
その作用が基本的に異なる。従来のTN型のように液晶
分子長軸を基板界面に垂直に立ち上がらせる場合では、
複屈折位相差がゼロとなる視角方向は正面、即ち、基板
界面に垂直な方向であり、視角が僅かでも傾斜すると複
屈折位相差が現れる。従って、ノーマリオープン型では
光が漏れ、コントラストの低下や階調レベルの反転を引
き起こす。
重要な作用を示す。画素電極3が、信号電極2と隣接し
て構成されると、信号電極2からの電気力線は、画素電
極3に終端し、次式よって表されるような信号電極2−
画素電極3間の寄生容量Cdsが発生する。
2と画素電極3との距離、εは電極間の媒体の誘電率、
πは円周率を表し、寄生容量Cdsは単位長あたりの容量
を示す。
率は一定で、信号電極2の幅が画素電極3の幅と等しい
か、それ以上であると仮定している。
画素電極3の間にシールド電極5を設けたため、信号電
極2からの電気力線のほとんどが、シールド電極5に終
端する。シールド電極5の電位が一定になるように常時
外部から電位を付与すれば、信号電極2−画素電極3間
の寄生容量Cdsは激減する。これにより、信号電極2の
電位が変化しても、画素電極3の電位が変化しないの
で、クロストークが無くなる。これにより、本表示モー
ドをアクティブマトリクスに適用することができ、視角
特性が良好で、高コントラスト、高画質の液晶表示装置
を得ることができる。
マトリクス)として兼用することもできるので、遮光層
の形成の必要がなく、かつ、透明電極を必要としない点
と合わせ、製造歩留まりを向上することができる。
させることができ、シールド電極は共通電極が占有して
いた面積を利用できるので開口率が向上し、高輝度また
は低消費電力とすることができる。
明する。なお、以下の実施例では、液晶表示装置の表示
パネル面において、信号電極の長手方向と平行(走査電
極の長手方向と垂直)な方向を垂直方向、信号電極の長
手方向と垂直(走査電極の長手方向と平行)な方向を水
平方向とし、マトリクス電極の列方向は前記垂直方向と
平行、行方向は前記水平方向と平行な方向とする。ま
た、画素数は640(×3)×480とし、各画素のピ
ッチとしては横方向は110μm、縦方向は330μm
とした。
表示パネルの画素部の模式平面図を、また、図2(b)
に図2(a)のA−A'の模式断面図を示す。また、図
3に本実施例の液晶表示装置の駆動システムの構成図を
示す。なお、基板8,9としては表面を研磨した厚さ
1.1mmのガラス基板を用いた。
1,17を形成した。また、走査電極1,17と直交さ
せてCr/Alの信号電極2,18を形成した。更に、
画素にはアモルファスシリコン6と走査電極1の一部
(ゲート電極として働く)と、信号電極2の一部(ドレ
イン電極またはソース電極として働く)と、画素電極3
(ソース電極またはドレイン電極として働く)を用いた
薄膜トランジスタ(TFT)素子を形成した。TFT素
子のゲート絶縁膜10には窒化シリコン膜を用いた。
料で同層に同一工程で、長手方向が垂直方向になるよう
に形成した。また、信号電極2および画素電極3とアモ
ルファスシリコン6との間には、オーミックコンタクト
をとるためのn+型アモルファスシリコン7を形成し
た。
18と同一材料で同層に同一工程で、ストライプ状に形
成し、垂直方向に引き出して、他の列の共通電極と共通
接続した。
3と共通電極4との間の水平方向に印加される電界Eに
よって制御する。光は、画素電極3と共通電極4の間を
透過し、液晶層16に入射し、変調される。従って、画
素電極3は特に透光性(例えば、ITO等の透明電極)
である必要はない。
リコンの保護膜11を形成した。また、TFT素子群を
設けた基板8(以下、TFT基板と云う)に相対向する
基板9(以下、対向基板と称する)上に、シールド電極
5を形成した。この時、シールド電極5は、信号電極2
と画素電極3との間にストライプ状に配置されるよう形
成し、垂直方向に引き出して他の列のシールド電極と共
通接続した。
ライプ状のR,G,Bからなる3色のカラーフィルタ1
2を形成した。カラーフィルタ12上には表面を平坦化
する透明樹脂からなる平坦化膜13を積層した。平坦化
膜13の材料としてはエポキシ樹脂を用いた。更に、こ
の平坦化膜13上と保護膜11上にポリイミド系の配向
制御膜14,15を塗布,形成した。
正で、その値が7.3であり、複屈折Δnが0.073
(589nm,20℃)のネマチック液晶組成物16を
挟んだ。なお、本実施例では、誘電率異方性Δεが正の
液晶を用いたが、負の液晶を用いてもよい。
し、プレチルト角を1.0度とした。上下界面のラビン
グ方向は互いにほぼ平行で、かつ、印加電界Eとのなす
角度を85度とした。また、上下基板のギャップ(d)
は球形のポリマビーズを基板間に分散,挾持し、液晶封
入状態で4.5μmとした。これによりΔn・dは0.3
29μmである。
U〕で上記パネルを挾み(偏光板は図示省略)、一方の
偏光板の偏光透過軸をラビング方向にほぼ平行(85
度)とし、他方をそれに直交(−5度)とした。これに
よりノーマリクローズ特性の液晶表示装置を得た。
2のTFT基板8上に垂直走査回路19、映像信号駆動
回路20を接続し、電源およびコントロール回路21か
ら走査信号電圧、映像信号電圧、タイミング信号、共通
電極電圧、シールド電極電圧を供給し、アクティブマト
リクス駆動した。
共通電極電圧は独立にし、シールド電極電圧は、TFT
基板8から銀ペーストを用いて、対向電極上のシールド
電極に電気的に接続し、供給した。
ンTFT素子を用いているがポリシリコンTFT素子で
もよい。反射型表示装置の場合はシリコンウエハ上に形
成したMOSトランジスタでもよい。配線材料も限定し
ない。
が、平坦化膜13の表面を直接ラビングして配向制御膜
を兼ねてもよい。同様に、TFTの保護膜11としてエ
ポキシ樹脂を用い、ラビング処理をすることもできる。
さの関係を図4に示す。コントラスト比は7V駆動時に
150以上となり、視角を左右、上下に変えた場合のカ
ーブの差は従来方式(比較例1)に比べて極めて小さ
く、視角を変化させても表示特性はほとんど変化しなか
った。また、液晶の配向性も良好で、配向不良に基づく
ドメイン等も発生しなかった。
の波形の違いによる信号電圧Vsig−明るさ曲線の変化
を示す。なお、図5(a)は電圧波形を、図5(b)は
信号電圧Vsig−明るさ曲線の変化を示す。
号電圧Vsigが書き込まれた後、信号電極電圧Vdを変化
させたが、信号電圧Vsig−明るさ曲線には、特に目立
った変化は起きなかった。
となく、透過光の強度を変調させることができ、視角依
存性を著しく向上させることができた。更に、電界を基
板界面と平行に印加する方式の弱点である垂直方向のク
ロストークを抑えることができ、高スループット、高歩
留りで、かつ、広視角、高コントラストで高画質の液晶
表示装置を得ることができた。
ツイステッドネマチック(TN)型表示装置を作製し、
これと前記実施例1と比較した。液晶組成物としては、
実施例1で用いた誘電異方性Δεが正のネマチック液晶
組成物を用い、ギャップ(d)は7.3μm、ツイスト
角は90度とした。よってΔn・dは0.526μmで
ある。
りカーブが著しく変化し、また、TFT隣接部の断差部
付近で、液晶の配向不良に基づくドメインが生じた。
5を形成しない場合の信号電極電圧の変化に伴う信号電
圧−明るさ特性の変化を示す。信号電極電圧Vdの波形
の違いによって、信号電圧Vsig−明るさ曲線に大きな
差が生ずることが分かった。
が発生し、更に図中のVd’の曲線に示されるようにコ
ントラストの低下が著しかった。
を除けば、実施例1と同一である。
画素の模式平面図を、また、図8(b)に図8(a)の
B−B'における模式断面図を示す。本実施例の構成上
の特徴は、画素電極3と信号電極2との間、および共通
電極4と信号電極18との間の光透過部分の全てを覆う
シールド電極5aを形成した点にある。これにより、遮
光層を設けなくとも光漏れが生じず、高コントラストを
得ることができた。
ので、アモルファスシリコンの光によるリーク電流の増
加もなく、良好な表示特性を得ることができた。
可能な限り増大しないように、シールド電極5aの信号
電極2,18上の部分にスリット状の開口部を設け、合
わせ精度のマージン分の重なりだけになるように、信号
電極2,18との重なりを最小限にした。
果が得られ、更に高コントラスト、高画質のアクティブ
マトリクス型液晶表示装置を得ることができた。
を除けば、実施例1と同一である。
画素の模式平面図を、また、図9(b)に図9(a)の
C−C'における模式断面図を示す。本実施例の構成上
の特徴は、対向基板9上に黒色の顔料を含む絶縁物で、
マトリクス状の遮光膜23(ブラックマトリクス)をカ
ラーフィルタ12aと同層に形成した点にある。絶縁物
からなる遮光膜23は、画素電極3と共通電極4との間
に印加される電界Eに及ぼす影響がなく、画素電極3と
走査電極1,17との間と、共通電極4と走査電極1,
17との間の電界による配向不良領域(ドメイン)を覆
い隠すことができ、更にコントラストを向上させること
ができた。
コン6上も覆うように形成したので、光によるリーク電
流の増加もなく、良好な表示特性を得ることができた。
本実施例では、黒色顔料を用いているが染料でもよい。
なお、黒色でなくとも可視光の透過率が十分低くできる
ものであればよい。
しないので、実施例2より信号電極−シールド電極間の
容量が軽減し、映像信号駆動回路20の負荷が軽くな
り、駆動LSIのチップサイズを小さくすることがで
き、かつ、信号電極の負荷軽減により、消費電力も低減
することができた。
の効果が得られ、更に高コントラストで低消費電力のア
クティブマトリクス型液晶表示装置を得ることができ
た。
を除けば、実施例1と同一である。
の画素の模式平面図を、また、図10(b)に図10
(a)のD−D'における模式断面図を示す。本実施例
では、1画素の構成において、2本のシールド電極5
a,5bを信号電極2a,18aに隣接するよう対向基
板9上に形成し、画素電極3aをシールド電極4aとシ
ールド電極40a間に配置した。
電界Eはシールド電極5a,5bに終端し、信号電極と
画素電極間の寄生容量Cdsが大幅に低減される。また、
画素電極3aが、信号電極2a,18aとの距離が最も
離れた場所(信号電極2aと信号電極18aの間の中央
部)に配置したので、信号電極2a,18aと画素電極
3a間の容量を更に軽減することができた。本実施例の
特徴は、共通電極を構成しなくとも、シールド電極5
a,5bと画素電極3aの間の電界により、液晶分子の
長軸方向を基板面とほぼ平行を保ちながら動作させ、光
の透過量をコントロールすることができる点にある。
テムの構成を図11に示す。本実施例では、シールド電
極5a,5bが共通電極を兼ねるので、共通電極電圧は
不要である。
aと信号電極18aとの中央に配置し画素を2分割して
いるが、画素電極を更に複数本設けて4分割以上しても
よい。なお、本実施例のようにシールド電極に共通電極
を兼用させる方式では、画素の分割数は2n分割になる
(nは自然数)。
いた画素平面上の面積をシールド電極に利用することが
でき、更にシールド電極と画素電極間の開口部を利用す
ることによって高開口率になり、高輝度またはバックラ
イトの消費電力が低減でき低消費電力の液晶表示装置を
得ることができた。
電極を兼ねさせることにより、実施例1と同等の効果が
得られ、更に高輝度または低消費電力のアクティブマト
リクス型液晶表示装置を得ることができた。
を除けば、実施例4と同一である。
の画素の模式平面図を、また、図12(b)に図12
(a)のF−F'における模式断面図を示す。本実施例
の構成上の特徴は、シールド電極5aと信号電極2a、
シールド電極5bと信号電極18aを水平方向に重ねて
形成した。
ド電極と信号電極の間の余分な光漏れがなく、高コント
ラストを得ることができた。更に、画素電極3aとシー
ルド電極5a,5b間の距離が長くなり、画素電極3a
とシールド電極5a,5b間の光透過部の面積(開口
率)が増して透過率が向上した。
果が得られ、更に高コントラストで高輝度または低消費
電力のアクティブマトリクス型液晶表示装置を得ること
ができた。
を除けば、実施例4と同一である。
の画素の模式平面図を、また、図13(b)に図13
(a)のG−G'における模式断面図を示す。本実施例
の構成上の特徴は、対向基板9上に黒色の顔料を含む絶
縁物で、マトリクス状の遮光膜23(ブラックマトリク
ス)をカラーフィルタ12aと同層に形成した点にあ
る。絶縁物からなる遮光膜23は、画素電極3とシール
ド電極5a,5bとの間に印加される電界Eに及ぼす影
響がなく、画素電極3と走査電極1,17間と、シール
ド電極5a,5bと走査電極1,17との間の電界によ
る配向不良領域(ドメイン)を覆い隠すことができ、更
にコントラストを向上させることができた。
うに形成したので、光によるリーク電流の増加もなく、
良好な表示特性を得ることができた。また、基板8,9
の位置合わせのずれは、水平方向に関しては問題なく、
遮光膜23がシールド電極5a,5bの間でずれても開
口率が減少しない。
が染料でもよい。なお、黒色でなくとも可視光の透過率
が十分低くできるものであればよい。
果が得られ、更に高コントラストで高画質のアクティブ
マトリクス型液晶表示装置を得ることができた。
を除けば、実施例1と同一である。
の画素の模式平面図を、また、図14(b)に図14
(a)のH−H'における模式断面図を示す。本実施例
の構成上の特徴は、シールド電極5をTFT基板8の保
護膜11上に形成した点にある。そのため、対向基板9
上には、一切導電性の物質は存在していない。従って、
仮に製造工程中に導電性の異物が混入しても、対向基板
9を介しての電極間接触の可能性がなく、それによる不
良率はゼロに抑制され、配向膜の形成、ラビング、液晶
封入工程などのクリーン度の裕度が広がり、製造工程管
理の簡略化を図ることができる。
FT基板8と対向基板9の電気的な接続も不必要とな
る。
果が得られ、更に、製造歩留りを向上することができ
た。
が、本実施例のようにシールド電極をTFT基板8上に
構成することは実施例2、3、4、5、6においても可
能であり,本実施例と同等の効果が得られる。
を除けば、実施例4と同一である。
の画素の模式平面図を、また、図15(b)に図15
(a)のI−I'における模式断面図を示す。本実施例
の構成上の特徴は、シールド電極5a,5bを信号電極
2a,18aと同材料で同層に同一工程で形成した。共
通電極4bとシールド電極5bの電気的な接続は、ゲー
ト絶縁膜11にスルーホール42を穿け、走査電極1,
17と同材料で同層に同一工程で形成した配線41を用
いた。
る必要がなく、更に、実施例7と同様に対向基板9上に
は一切導電性の物質は存在しないので、対向基板9を介
しての電極間接触の可能性がない。従って、それによる
不良率がゼロに抑制され、配向膜の形成、ラビング、液
晶封入工程などのクリーン度の裕度が広がり、製造工程
管理の簡略化を図ることができる。
極5aとの距離によって変わる。よって、画素電極とシ
ールド電極の間の距離のバラツキが明るさのバラツキを
生み、問題となる。従って、画素電極と共通電極の高い
アライメント精度が要求される。それぞれに電極を備え
た2枚の基板を貼り合わせる方式では、アライメント精
度はホトマスクのアライメント精度より2〜3倍悪くな
る。本実施例では画素電極3とシールド電極5a,5b
を同材料で同層に同一工程で形成しているので、上記ア
ライメント精度の問題もない。
果が得られ、更に高スループット、高歩留まりのアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置を得ることができた。
が、本実施例のようにシールド電極を信号電極と同材料
で同層に同一工程で形成することは実施例1、3、6に
おいても可能であり本実施例と同等の効果が得られる。
を除けば、実施例4と同一である。
の画素の模式平面図を、また、図16(b)に図16
(a)のJ−J'における模式断面図を示す。本実施例
の構成上の特徴は、シールド電極5を走査電極1,17
と同材料で同層に同一工程で形成し、水平方向に電極を
引き出し、他の行の共通電極と共通接続した点にある。
液晶分子は、長手方向が垂直方向にある画素電極3とシ
ールド電極5の垂直方向に突出した突起部との間の電界
Eによって制御する。これにより、実施例8と同様に、
シールド電極5を別工程で設ける必要がない。
一切導電性の物質は存在しないので、対向基板9を介し
ての電極間接触の可能性がなく、それに基づく不良率が
ゼロに抑制される。従って、配向膜の形成、ラビング、
液晶封入工程などのクリーン度の裕度が広がり、製造工
程管理の簡略化ができた。
る必要もなく、共通電極間の接続不良もなくなる。ま
た、本実施例では画素電極3とシールド電極5を同一基
板内に形成しているので、画素電極3とシールド電極5
のアライメント精度も高い。
た突起は、信号電極2a,18aと水平方向に重ねて形
成してもよい。これにより、実施例5と同様に遮光層を
設けなくとも信号電極とシールド電極の間の余分な光漏
れが無く、高コントラストを得ることができる。更に、
画素電極3と共通電極4の突起間の距離が長くなり、画
素電極3とシールド電極5の突起間の光透過部の面積
(開口率)が増加し透過率が向上する。また、本実施例
ではシールド電極の接続を図16の様にしたが特に接続
位置は制限しない。
果が得られ、更に高スループット、高歩留まりのアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置を得ることができた。
が、本実施例のようにシールド電極を走査電極と同材料
で同層に同一工程で形成することは実施例1、2、3、
5、6においても可能であり本実施例と同等の効果が得
られる。
必要がなく、通常の金属電極を用いることができるの
で、高歩留まりで量産可能なアクティブマトリクス型液
晶表示装置が得られる。
なアクティブマトリクス型液晶表示装置が得られる。
り、信号電極と画素電極の間の寄生容量を軽減すること
ができ、高コントラストで、クロストークのない高画質
のアクティブマトリクス型液晶表示装置が得られ、上記
2つの効果との両立が得られる。更に、シールド電極が
共通電極を兼ねることにより、製造工程数が低減され
る。
式図である。
ある。
る。
伴う信号電圧−明るさ特性の変化を示す図である。
う信号電圧−明るさ特性の変化を示す図である。
る。
示す模式図である。
る。
る。
る。
る。
る。
極、4…共通電極、5…シールド電極、6…アモルファ
スシリコン、7…n+型アモルファスシリコン、8,9
…基板、10…ゲート絶縁膜、11…保護膜、12…カ
ラーフィルタ、13…平坦化膜、14,15…配向制御
膜、16…液晶層、19…垂直走査回路、20…映像信
号駆動回路、21…電源およびコントロール回路、22
…液晶表示パネル、23…遮光膜、25…液晶分子、2
6,27…偏向板、28…配向方向、29…偏向透過
軸、41…配線、42…スルーホール。
Claims (15)
- 【請求項1】 第1と第2の基板間に液晶組成物が挾持
され、第1の基板には、マトリクス状に配置された複数
の走査電極と信号電極により複数の画素が構成されてお
り、前記画素にはスイッチング素子が設けられているア
クティブマトリクス型液晶表示装置において、 前記スイッチング素子は画素電極が接続され、前記画素
電極とこれに対向した共通電極により液晶分子の長軸方
向を基板面とほぼ平行に保ちながら動作できるよう構成
され、 前記画素には、信号電極、画素電極、および、信号電極
と画素電極間との間にシールド電極を有していることを
特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項2】 前記シールド電極が、信号電極と画素電
極の間の光透過部、信号電極と共通電極の間の光透過部
およびスイッチング素子の半導体層上に形成されている
請求項1に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装
置。 - 【請求項3】 前記画素の信号電極と画素電極の間の光
透過部、信号電極と共通電極の間の光透過部、スイッチ
ング素子の半導体層上および走査電極からの電気力線が
通過する光透過部に、顔料または染料を含む黒色または
低光透過率の遮光膜が形成されている請求項1に記載の
アクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項4】 第1と第2の基板間に液晶組成物が挾持
され、第1の基板には、マトリクス状に配置された複数
の走査電極と信号電極により複数の画素部が構成されて
おり、前記画素部にはスイッチング素子が設けられてい
るアクティブマトリクス型液晶表示装置において、 前記スイッチング素子は画素電極が接続され、前記画素
には、信号電極および信号電極と画素電極間にあって、
常時外部から電位を付与できるシールド電極が形成され
ており、 前記シールド電極と画素電極は対向して形成されてお
り、前記両電極により液晶分子の長軸方向を基板面とほ
ぼ平行に保ちながら動作できるよう構成されていること
を特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項5】 前記シールド電極の一部が信号電極と重
なるように形成されている請求項4に記載のアクティブ
マトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項6】 前記画素の信号電極とシールド電極の間
の光透過部、前記スイッチング素子の半導体層上および
走査電極からの電気力線が通過する光透過部に、顔料ま
たは染料を含む黒色または低光透過率の遮光膜が形成さ
れている請求項4または5に記載のアクティブマトリク
ス型液晶表示装置。 - 【請求項7】 前記シールド電極が、前記第1の基板に
形成されている請求項1〜6のいずれかに記載のアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項8】 前記シールド電極は信号電極と同一層に
形成されている請求項1〜4,6,7のいずれかに記載
のアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項9】 前記シールド電極は走査電極と同一層に
形成されている請求項1〜7のいずれかに記載のアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項10】 前記シールド電極が、走査配線から信
号配線の長軸方向に突き出した突起からなる請求項1〜
7のいずれかに記載のアクティブマトリクス型液晶表示
装置。 - 【請求項11】 一対の基板と、該一対の基板に挟持さ
れた液晶層と、前記一対の基板のいずれか一方の基板上
に形成され、マトリクス状に互いに交差させて配置され
た複数の走査電極と複数の信号電極とを有し、該複数の
走査電極と複数の信号電極とで囲まれた部分で複数の画
素を構成しているアクティブマトリクス型液晶表示装置
であって、 前記複数の画素のそれぞれは、対応する走査電極と信号
電極の交点付近に形成された少なくとも1つのスイッチ
ング素子と、 前記一対の基板の一方の基板に形成され、前記スイッチ
ング素子に接続され、前記信号電極の延びている方向と
同じ方向に延びている少なくとも1つの部分を有する画
素電極と、 前記一対の基板の一方の基板に形成され、前記画素電極
の少なくとも1つの部分の延びている方向と同じ方向に
延びている少なくとも1つの部分を有する共通電極とを
有し、 前記一対の基板のいずれか一方の基板に、前記信号電極
と前記画素電極の少なくとも1つの部分の間の位置に配
置された電極を有することを特徴とするアクティブマト
リクス型液晶表示装置。 - 【請求項12】 前記電極は、前記信号電極と前記画素
電極の少なくとも1つの部分の間で発生する寄生容量
を、前記電極を配置しない場合と比較して低減する請求
項11に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項13】 一対の基板と、該一対の基板に挟持さ
れた液晶層と、前記一対の基板のいずれか一方の基板上
に形成され、マトリクス状に互いに交差させて配置され
た複数の走査電極と複数の信号電極とを有し、該複数の
走査電極と複数の信号電極とで囲まれた部分で複数の画
素を構成しているアクティブマトリクス型液晶表示装置
であって、 前記複数の画素のそれぞれは、対応する走査電極と信号
電極の交点付近に形成された少なくとも1つのスイッチ
ング素子と、 前記一対の基板の一方の基板に形成され、前記スイッチ
ング素子に接続され、前記信号電極の延びている方向と
同じ方向に延びている少なくとも1つの部分を有する画
素電極と、 前記一対の基板の一方の基板に形成され、前記画素電極
の少なくとも1つの部分の延びている方向と同じ方向に
延びている少なくとも1つの部分を有する共通電極とを
有し、 前記一対の基板の一方の基板とは別の基板に、前記信号
電極と前記画素電極の少なくとも1つの部分の間の位置
に配置された電極を有することを特徴とするアクティブ
マトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項14】 前記電極は、前記信号電極と前記画素
電極の少なくとも1つの部分の間で発生する寄生容量
を、前記電極を配置しない場合と比較して低減する請求
項13に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項15】 一対の基板間に液晶層を有するアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置であって、 前記一対の基板の一方の基板には、複数の信号電極、複
数の画素電極、および、前記一対の基板に対して支配的
に平行な電界を発生させるように画素電極と共通電極が
配置され、 前記信号電極と前記画素電極間に、さらに電極を配置し
たことを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002009901A JP3625283B2 (ja) | 2002-01-18 | 2002-01-18 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002009901A JP3625283B2 (ja) | 2002-01-18 | 2002-01-18 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6046916A Division JPH10325961A (ja) | 1994-03-17 | 1994-03-17 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002318389A true JP2002318389A (ja) | 2002-10-31 |
JP3625283B2 JP3625283B2 (ja) | 2005-03-02 |
Family
ID=19191550
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002009901A Expired - Lifetime JP3625283B2 (ja) | 2002-01-18 | 2002-01-18 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3625283B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005215343A (ja) * | 2004-01-29 | 2005-08-11 | Sharp Corp | 表示装置 |
JP2005215341A (ja) * | 2004-01-29 | 2005-08-11 | Sharp Corp | 表示装置 |
JP2006053555A (ja) * | 2004-08-13 | 2006-02-23 | Samsung Electronics Co Ltd | アレイ基板、これを有する母基板、及び液晶表示装置 |
JP2008097035A (ja) * | 2007-12-12 | 2008-04-24 | Sharp Corp | 表示装置 |
US7394513B2 (en) | 2004-02-04 | 2008-07-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device having particular signal lines |
US8253872B2 (en) | 2004-01-29 | 2012-08-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device having source-drain parasitic capacitances of a delta arrangement |
CN114594634A (zh) * | 2022-03-28 | 2022-06-07 | 北京京东方显示技术有限公司 | 显示基板、显示面板 |
-
2002
- 2002-01-18 JP JP2002009901A patent/JP3625283B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005215343A (ja) * | 2004-01-29 | 2005-08-11 | Sharp Corp | 表示装置 |
JP2005215341A (ja) * | 2004-01-29 | 2005-08-11 | Sharp Corp | 表示装置 |
US8253872B2 (en) | 2004-01-29 | 2012-08-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device having source-drain parasitic capacitances of a delta arrangement |
US7394513B2 (en) | 2004-02-04 | 2008-07-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device having particular signal lines |
JP2006053555A (ja) * | 2004-08-13 | 2006-02-23 | Samsung Electronics Co Ltd | アレイ基板、これを有する母基板、及び液晶表示装置 |
JP2008097035A (ja) * | 2007-12-12 | 2008-04-24 | Sharp Corp | 表示装置 |
JP4668256B2 (ja) * | 2007-12-12 | 2011-04-13 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
CN114594634A (zh) * | 2022-03-28 | 2022-06-07 | 北京京东方显示技术有限公司 | 显示基板、显示面板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3625283B2 (ja) | 2005-03-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3143925B2 (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置 | |
EP1398658B1 (en) | Color active matrix type vertically aligned mode liquid cristal display and driving method thereof | |
KR100255584B1 (ko) | 액티브매트릭스형 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR100741890B1 (ko) | 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그의 제조방법 | |
US6816221B2 (en) | Liquid crystal display device | |
US6762815B2 (en) | In-plane switching LCD with a redundancy structure for an opened common electrode and a high storage capacitance | |
US7385661B2 (en) | In-plane switching mode liquid crystal display device and method of manufacturing the same | |
US6657694B2 (en) | In-plane switching LCD device having slanted corner portions | |
KR100396823B1 (ko) | 능동 매트릭스 액정표시장치 | |
US20120062451A1 (en) | Liquid crystal display device | |
US7599036B2 (en) | In-plane switching active matrix liquid crystal display apparatus | |
KR20070095172A (ko) | 픽셀 구조체 및 액정 디스플레이 패널 | |
US20090201453A1 (en) | Liquid crystal display panel and method of manufacturing the same | |
JP3625283B2 (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置 | |
US7233376B2 (en) | Transflective LCD with reflective electrode offset from transmissile electrode | |
KR100469341B1 (ko) | 횡전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
JPH07333634A (ja) | 液晶表示パネル | |
KR20040027216A (ko) | Ocb모드 액정 표시 장치 그 구동 방법 | |
JPH09230364A (ja) | 液晶表示装置 | |
KR20000073286A (ko) | 광시야수직배향 액정표시소자 | |
KR20050036343A (ko) | 수직 배향 모드 액정 표시 장치 | |
JPH07230074A (ja) | 液晶表示装置 | |
KR100446387B1 (ko) | 프린지 필드 스위칭 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR100864924B1 (ko) | 액정표시소자 및 그 제조방법 | |
JP2004310141A (ja) | 液晶表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040128 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040330 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040531 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040810 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041006 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041124 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041126 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071210 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081210 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081210 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091210 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101210 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101210 Year of fee payment: 6 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101210 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111210 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111210 Year of fee payment: 7 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
S631 | Written request for registration of reclamation of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313631 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111210 Year of fee payment: 7 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111210 Year of fee payment: 7 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313121 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111210 Year of fee payment: 7 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111210 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121210 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121210 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131210 Year of fee payment: 9 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |