JP2850260B2 - 光磁気記憶装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光磁気記憶装置に関するものであり、より
特定的には、光磁気記憶装置のバイアス磁界発生用の
（記録膜に外部磁界を適用する）電磁石の駆動および磁
界極性反転駆動に伴うデータ書き込みまたは消去におけ
るバイアス用電磁石駆動後の待ち時間を短縮し、バイア
ス用電磁石で消費する電力を低減する光磁気記憶装置の
バイアス用電磁石制御装置に関する。

〔従来の技術〕

光磁気ディスク装置などの光磁気記憶装置には、光磁
気記録媒体（または、光記憶媒体、以下、記憶媒体とい
う）の記録膜に外部磁界を印加する（適用する）ため
に、記憶媒体を挟んで、光ヘッドと対向した位置にバイ
アス磁界発生用電磁石（以下、バイアス用電磁石と略
す）、または、極性反転機構を備えた永久磁石が設けら
れている。以下、バイアス用電磁石を例にとって述べ
る。このバイアス用電磁石は、たとえば、データ書き込
みのときには、記録膜に下向き（または上向き）の外部
磁界を印加し、消去の場合は書き込みとは反対の上向き
（または下向き）の磁界を印加するように極性が反転さ
れて駆動される。

このバイアス用電磁石は、通常の電磁石と同様にコイ
ルで駆動されるから電磁石コイルのインダクタンス成分
を有しており、第４図にその駆動特性を示すように、バ
イアス用電磁石コイルに駆動電圧を印加してもデータ書
き込みまたは消去に必要な所定の磁化力に到達するま
で、一定の整定時間τを必要とする。整定時間τとして
は、記憶媒体の回転速度にもよるが、たとえば、記憶媒
体が１セクタ回転動作する時間程度の時間である。

従来、データの書き込みまたは消去を行う場合、ま
ず、バイアス用電磁石の駆動を行う。次に、記憶媒体に
書き込まれているIDを読み取り、記憶媒体が回転して、
データを書き込むセクタまたは消去するセクタが到来す
るまで、バイアス用電磁石を駆動した状態のままで待機
させるようにしている。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来のバイアス用電磁石の駆動方法では、バイアス用
電磁石を駆動開始させた時点から、実際にデータの書き
込みまたは消去が行われるセクタに到達するまでの時間
は、最短時間で上記整定時間τと、最長時間で記憶媒体
がさらに１回転する時間ｔとの間である。最長時間ｔと
しては、たとえば、記憶媒体の回転速度が1800rpmの場
合ｔ＝33msである。したがって、平均的にみて記憶媒体
が1/2回転する時間、上述の例においてはほぼ16.7msの
うち、バイアス用電磁石がデータ書き込みまたは消去可
能な磁化力に到達した時間を減じた時間分、バイアス用
電磁石への通電の電力は無駄になっている。すなわち、
従来のバイアス用電磁石の駆動方式では、バイアス用電
磁石コイルに印加する電力の無駄が生じているという問
題がある。換言すれば、従来のバイアス用電磁石駆動方
式では、バイアス用電磁石への駆動電力消費が必要以上
に大きいという問題がある。

したがって、本発明はかかる光磁気記憶装置における
バイアス用電磁石の駆動方式を改善し、その駆動に必要
な電力の消費を低減することを目的とする。

〔課題を解決する手段〕

上記問題を解決するため、本発明においては、第１図
にその原理ブロックを示したように、起動位置算出手段
10と、位置一致検出手段20と、電磁石駆動手段30とを設
けている。

すなわち、本発明によれば、光磁気ディスク装置など
の光磁気記憶装置のバイアス用電磁石の起動特性に基づ
いて、該バイアス電磁石の磁界を記憶媒体に印加すべき
直前の位置において前記バイアス電磁石の磁化力が所定
の値に到達するように、回転する記憶媒体における前記
バイアス用電磁石の起動位置SPOSを算出する駆動位置算
出手段10と、該算出された起動位置SPOSと記憶媒体から
読み出した実際の位置APOSと比較する位置一致手段と、
位置が一致した場合前記バイアス用電磁石を駆動する
（付勢する）電磁石駆動手段30とを設けた光磁気ディス
ク装置のバイアス用電磁石制御装置が提供される。

また好適には、前記起動位置算出手段10は光磁気ディ
スク装置の他の制御にも用いる信号処理を行う演算処理
装置を具備し、前記位置一致検出手段20がハードウェア
回路を具備する。

〔作用〕

起動位置算出手段10はバイアス用電磁石の起動時間
（整定時間）を考慮して、バイアス用電磁石をデータの
書き込みまたは消去を行うにあたって、バイアス用電磁
石がデータ書き込みまたは消去に使用可能な状態になっ
た後、待時間が最短になるようなバイアス用電磁石の起
動を先取りして駆動するための起動位置、たとえば、セ
クタ単位で決定する起動位置を算出し、この起動位置SP
OSを位置一致検出手段20に設定する。

位置一致検出手段20は、設定された起動位置SPOSと記
憶媒体から読み出された実際の位置APOSとを比較し、一
致した場合バイアス用電磁石のコイル（図示せず）を制
御する電磁石制御手段30を起動してバイアス用電磁石を
駆動する（付勢する）。

これにより、バイアス用電磁石はデータを書き込む位
置、たとえば、前述のようにセクタ位置、またはデータ
を消去する位置に到来する直前にこれらデータ書き込み
または消去に必要な所定の磁化力になるように駆動さ
れ、所定の磁化力に到達した後の待時間が非常に短縮さ
れる。その結果として、バイアス用電磁石の消費電力が
最小になる。

また、起動位置算出手段10を上記起動位置SPOSを算出
するため演算が必要な演算処理装置で実現し、簡単な回
路で実現可能な位置一致検出手段20をハードウェア回路
で実現するという制御処理の機能分担を行うことによ
り、演算処理装置が起動位置を算出して位置一致検出手
段20に設定した後、起動停止するまでの間、演算処理装
置は複雑な制御処理を行うことができ、資源の有効活用
を図ることができる。

〔実施例〕

本発明の光磁気ディスク装置のバイアス用電磁石制御
装置の好適な実施例を第２図を参照して述べる。

第２図において、バイアス用電磁石制御装置は、IDリ
ード回路41、セクタ比較回路21、スイッチ22、セット・
リセット形フリップフロップ（FF）32、レジスタ12、本
発明の信号処理を行う演算処理装置の１つとしてのマイ
クロプロセッサ（MPU）11、レジスタ51、極性反転回路5
3が図示の如く構成されている。また、バイアス用電磁
石制御装置は、バイアス用電磁石のコイル（電磁石コイ
ル）60に電力を印加する電磁石駆動回路31を有してい
る。

スイッチ22は実線で示したように、セクタ比較回路21
とFF32との間、またはFF32と電磁石駆動回路31との間の
いずれに設けてもよい。このスイッチ22は、バイアス用
電磁石を駆動させる必要がない場合、起動信号が電磁石
駆動回路31に印加されないようにするために設けてあ
る。

演算処理装置としてのMPU11はホストコンピュータに
接続されており、ホストコンピュータの指令に応答して
光磁気ディスク装置の各種の制御処理を行う他、以下に
述べるバイアス用電磁石の駆動制御を行う。ただし、以
下の記述においては、本発明に関係する事項について述
べる。

IDリード回路41は記憶媒体に記憶されている各種の記
録フォーマットの内、セクタマーク検出回路（図示せ
ず）で検出されたセクタマークSM（第３図（ａ）参照）
を読み出し開始タイミングとして、読み出されたID部ID
1〜ID3（第３図（ｂ）参照）のうちの１つのIDに含まれ
る実際のセクタ番号を抽出し、５ビットシリアルのセク
タ番号を５ビットパラレルの実際のセクタ番号（または
セクタ位置）ASECTRにしてセクタ比較回路21に出力す
る。

上述したセクタマークSM、ID部、セクタ番号に関する
フォーマットを第３図（ａ）〜（ｃ）に示す。第３図
（ａ）は１セクタのフォーマット、第３図（ｂ）は第３
図（ａ）のアドレス部の詳細フォーマット、第３図
（ｃ）は第３図（ｂ）のID1の詳細フォーマットを示
す。ID1は、同期をとるためのVFOパターン、アドレスマ
ークAM、トラック番号（上位ビット、下位ビット）、ID
番号、Φ、５ビットのセクタ番号、そしてCRCコードか
らなる。他のID2〜ID3も同様なフォーマット構成であ
る。

IDリード回路41から出力されるセクタ番号は上記ID1
〜ID3のいずれかの内から正規のセクタ番号が検出され
た場合、そのセクタ番号を実際のセクタ番号ASECTRとし
てセクタ比較回路21に出力する。

一方、MPU11はホストコンピュータからデータ書き込
み指令または消去指令があった場合、データの書き込み
または消去すべきセクタ位置に対して、バイアス用電磁
石の整定時間τと記憶媒体の回転速度とを考慮したバイ
アス用電磁石を起動させるべきセクタ位置SSECTRを算出
する。

このセクタ算出位置は、たとえば、バイアス用電磁石
の整定時間τが、記憶媒体が回転する速度において、１
セクタ分に相当する。したがって、この場合、データ書
き込みまたは消去すべきセクタ位置から１セクタ分減じ
たセクタ位置がバイアス用電磁石を駆動するための開始
位置になる。

この算出されたセクタ位置SSECTRはレジスタ12に出力
されて保持され、このレジスタ12からのパラレル形式の
セクタ位置SSECTRがセクタ比較回路21に印加される。

また、上記起動セクタ位置設定と同時に、MPU11は実
際にバイアス用電磁石を駆動させるための論理「１」の
付勢許可信号ENERをスイッチ22に出力し、スイッチ22を
閉成させる。したがって、セクタ比較回路21が実際のセ
クタ位置ASECTRとレジスタ12からのセクタ位置SSECTRと
の一致を検出した場合、一致信号をスイッチ22を介して
FF32のセット端子Ｓに印加され、FF32をセットする。こ
のFF32のＱ出力は電磁石駆動回路31に印加され、電磁石
駆動回路31を介してバイアス用電磁石の電磁石コイル60
を付勢する。

一方、上記セクタ位置算出と同時に、MPU11はデータ
書き込みの場合は記憶媒体の記録膜に対してバイアス用
電磁石の磁化方向が下向き（図示方向Ａ）または下向き
になるように、データ消去の場合は書込みとは反対に、
磁化方向が上向き（図示方向Ｂ）または上向きになるよ
うに、極性信号Ｐをレジスタ51に出力する。レジスタ51
は出力された極性信号Ｐを保持し、極性反転回路53に出
力する。

以上から、電磁石駆動回路31は、極性反転回路53で指
定された磁化方向Ａまたは磁化方向Ｂで電磁石コイル60
を付勢し、バイアス用電磁石を駆動する。このバイアス
用電磁石は、第４図に示した起動特性で所定の整定時
間、この場合は記憶媒体が１セクタ回転する時間でデー
タ書き込みまたは消去に必要な磁化力に到達するように
起動される。具体的に述べると、もし、データ書き込み
または消去すべきセクタ位置が、現在のセクタ位置より
１セクタ以上前にある場合、その回転における現在のセ
クタ位置の後で、書き込みすべきセクタ位置の１セクタ
前でバイアス用電磁石が起動される。一方、データ書き
込みまたは消去すべきセクタ位置が現在のセクタ位置よ
りバイアス電磁石の整定時間に相当する１セクタ分ない
場合は記憶媒体がさらに１回転弱した後の書き込みセク
タ位置の１セクタ前で起動される。

いずれの場合も、書き込みすべきセクタ位置のバイア
ス電磁石の整定時間に対応する１セクタ前でバイアス用
電磁石が起動され、該当するセクタ位置に到達したとき
には外部磁界として必要な所定の磁化力まで到達してい
る。

所定のデータ書き込みまたは消去が行われると、MPU1
1はFF32にリセット信号RESETを出力し、FF32をリセット
して、電磁石駆動回路31を介して電磁石コイル60を消勢
する。

したがって、電磁石コイル60はバイアス電磁石の整定
時間とデータ書き込みまたは消去するのに必要な時間だ
け付勢されるので、電磁石コイル60に印加され消費され
る電力は最小となる。

前述したように、スイッチ22を設けて、セクタ比較回
路21またはFF32の出力を断続させるようにしているの
は、一旦、レジスタ12にバイアス電磁石を起動開始する
ためのセクタ位置SSECTRを保持させてしまうと、そのセ
クタ位置SSECTRが比較回路21に印加され続け、実際のデ
ータ書き込みまたは消去を必要としないのにも係わら
ず、IDリード回路41から実際のセクタ位置ASECTRから出
力されてレジスタ12からのセクタ位置SSECTRと一致して
した場合、続けて電磁石駆動回路31を介して電磁石コイ
ル60が付勢されてしまうことを防止するためである。し
たがって、MPU11は、データ書き込みまたは消去が終了
した場合、スイッチ22に対して付勢許可信号の論理を
「０」にして出力し、スイッチ22を開成させる。

以上の実施例において、MPU11で設定する電磁石コイ
ル60の先取りセクタ位置SSECTRが、実際にデータ書き込
みまたは消去するセクタ位置の１セクタ前としたが、こ
の値は、勿論、電磁石コイル60の起動特性および記憶媒
体の回転速度に応じて適宜設定され、記憶媒体の回転速
度が高い場合、２セクタ以上の値になることもある。

また、上記実施例においては、第３図（ａ）〜（ｃ）
の１セクタのフォーマットの構成、現実にセクタ番号を
確認してデータの書き込みまたは消去を行うこと、そし
て、電磁石コイル60の起動タイミングのとりかたの容易
さから、データの書き込みまたは消去を行うべきフラグ
部の直前にあるセクタ番号でかつセクタ単位に、バイア
ス電磁石コイルの起動の基準とした。しかしながら、も
しバイアス用電磁石の整定時間が、記憶媒体が回転する
時間に換算して1.5セクタに相当する場合、データの書
き込みまたは消去する２セクタ前から電磁石コイル60を
起動することなく、実質的に1.5セクタ前に起動させる
こともできる。このためには、たとえば、第２図におい
て、セクタ比較回路21でセクタ位置の一致がとれた後、
その一致信号を半セクタ回転する分遅延させる遅延回路
を比較回路21とFF32との間に設けるか、または、FF32と
電磁石駆動回路31との間に上記同様の遅延回路を設け
る。

なお、第２図に示した構成において、MPU11はデータ
保持回路12、51に上述したデータを設定するようにし、
その他は簡単なハードウェア回路41、21、22、32、31で
実時間処理を行うように制御処理の機能分担をした構成
としている。したがって、MPU11は、バイアス電磁石起
動時に、起動セクタ位置SSECTRの算出、スイッチ22に対
して付勢許可信号ENERの出力、レジスタ51を介して極性
反転回路53に対する極性指示をしたのち、バイアス電磁
石停止時にスイッチ22に対して論理「０」の付勢許可信
号（換言すれば、付勢禁止信号）ENERの出力、FF32に対
するリセット信号RESETを出力する間は、光磁気ディス
ク装置の他の制御処理を行うことができ、MPU11の有効
利用が可能になっている。

勿論、上記比較回路21、スイッチ22、FF32、レジスタ
12およびレジスタ51の処理機能を別途MPUを用いて処理
させるか、上記MPU11で処理させることもできる。

〔発明の効果〕

以上に述べたように、本発明の光磁気記憶装置におけ
るバイアス用電磁石の起動特性を考慮したバイアス用電
磁石の最適な起動方法によれば、磁界を適用すべき位置
の直前でバイアス用電磁石が所定の磁化力になるように
起動されるから、バイアス用電磁石で消費される電力を
最小にすることができるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光磁気ディスク装置のバイアス用電磁
石制御装置の原理ブロック図、 第２図は本発明の実施例のバイアス用電磁石制御装置の
回路構成図、 第３図（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施例のセクタのフォ
ーマット図、 第４図は本発明に適用されるバイアス用電磁石の起動特
性図である。 （符号の説明） 10…電磁石起動位置算出手段、20…位置一致検出手段、
30…電磁石制御手段、11、51…レジスタ、21…セクタ比
較回路、31…電磁石駆動回路、32…フリップフロップ、
41…IDリード回路、53…極性反転回路、60…電磁石コイ
ル。

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】光磁気記憶媒体の所定位置にデータの書き
   込みまたはデータの消去を行う直前に、前記バイアス電
   磁石の磁化力が所定の値に到達するように、回転する前
   記光磁気記憶媒体におけるバイアス用電磁石の起動位置
   を算出する起動位置算出手段と、 該算出された起動位置と前記光磁気記憶媒体から読み出
   した実際の位置と比較して一致したか否かを検出する位
   置一致検出手段と、 前記位置一致検出手段において前記算出された起動位置
   と前記光磁気記憶媒体から読み出した実際の位置とが一
   致したことを検出したとき、前記バイアス用電磁石を駆
   動する電磁石駆動手段と を設けたことを特徴とする光磁気記憶装置。
2. 【請求項２】前記起動位置算出手段は光磁気記憶装置の
   他の制御にも用いる信号処理を行う演算処理装置を具備
   し、 前記位置一致検出手段がハードウェア回路を具備してお
   り、 前記演算処理装置と前記ハードウェア回路とで上記制御
   処理を機能分担することを特徴とする、請求項１記載の
   光磁気記憶装置。