JP2847600B2 - 半導体ウェーハの外観検査装置 - Google Patents
半導体ウェーハの外観検査装置Info
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- JP2847600B2 JP2847600B2 JP22317992A JP22317992A JP2847600B2 JP 2847600 B2 JP2847600 B2 JP 2847600B2 JP 22317992 A JP22317992 A JP 22317992A JP 22317992 A JP22317992 A JP 22317992A JP 2847600 B2 JP2847600 B2 JP 2847600B2
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- JP
- Japan
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- semiconductor wafer
- inspection
- light
- lamps
- condensing
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェーハの加工
工程及び洗浄工程の途中で半導体ウェーハの表面に発生
したキズ等を発見するために用いられる外観検査装置に
関するものである。
工程及び洗浄工程の途中で半導体ウェーハの表面に発生
したキズ等を発見するために用いられる外観検査装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェーハは、円柱状に精製された
シリコン等の単結晶母材を円板状に切断して形成され、
その表面は鏡面研磨される。そして、集積回路等の半導
体デバイスは、この半導体ウェーハの表面上に形成され
る。このように、半導体ウェーハは、半導体デバイスの
始発材料となるため、その品質には極めて厳しいものが
要求される。この場合、半導体ウェーハの物性のみなら
ず、その表面に発生したキズ等も半導体デバイスの性能
に影響を及ぼすことから、出荷前には半導体ウェーハの
外観を１枚ずつ検査する必要がある。従来、この半導体
ウェーハの外観検査は、以下のような方法によって行わ
れている。すなわち、図４に示すように、検査者が被検
査物である半導体ウェーハ２０を真空ピンセット２１を
用いて吸引保持し、この半導体ウェーハ２０の表面を集
光ランプ２２によって斜め上方から照射する。これによ
り、半導体ウェーハ２０の表面にキズやゴミが発生して
いる場合には、そのキズ等によって照射光が散乱され、
その部分だけが輝いて見えるので、キズ等の存在を目視
検査することができる。
シリコン等の単結晶母材を円板状に切断して形成され、
その表面は鏡面研磨される。そして、集積回路等の半導
体デバイスは、この半導体ウェーハの表面上に形成され
る。このように、半導体ウェーハは、半導体デバイスの
始発材料となるため、その品質には極めて厳しいものが
要求される。この場合、半導体ウェーハの物性のみなら
ず、その表面に発生したキズ等も半導体デバイスの性能
に影響を及ぼすことから、出荷前には半導体ウェーハの
外観を１枚ずつ検査する必要がある。従来、この半導体
ウェーハの外観検査は、以下のような方法によって行わ
れている。すなわち、図４に示すように、検査者が被検
査物である半導体ウェーハ２０を真空ピンセット２１を
用いて吸引保持し、この半導体ウェーハ２０の表面を集
光ランプ２２によって斜め上方から照射する。これによ
り、半導体ウェーハ２０の表面にキズやゴミが発生して
いる場合には、そのキズ等によって照射光が散乱され、
その部分だけが輝いて見えるので、キズ等の存在を目視
検査することができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来にお
いては、１台の集光ランプ２２を使用して半導体ウェー
ハ２０の外観検査がなされている。しかしながら、半導
体ウェーハ２０の表面に発生するキズ等の欠陥は、その
切込み方向が一定しておらず、照射方向と直角方向に切
り込まれたキズＤがある場合には、照射光が散乱されな
いために、そのキズＤを発見することができない。従っ
て、従来の方法において、どの方向から切り込まれたキ
ズも発見するためには、検査の途中で真空ピンセット２
１による吸着箇所Ｃを変えて半導体ウェーハ２０の向き
を約１８０°変える必要があり、その結果、１枚の半導
体ウェーハ２０を検査するのにかなりの時間を要し、検
査者の疲労も大きいという問題点がある。本発明は、従
来技術における上記のような問題点に鑑み、半導体ウェ
ーハの外観検査を短時間で、かつ検査者の疲労も少なく
スムーズに行うことのできる半導体ウェーハの外観検査
装置を提供することを目的とするものである。
いては、１台の集光ランプ２２を使用して半導体ウェー
ハ２０の外観検査がなされている。しかしながら、半導
体ウェーハ２０の表面に発生するキズ等の欠陥は、その
切込み方向が一定しておらず、照射方向と直角方向に切
り込まれたキズＤがある場合には、照射光が散乱されな
いために、そのキズＤを発見することができない。従っ
て、従来の方法において、どの方向から切り込まれたキ
ズも発見するためには、検査の途中で真空ピンセット２
１による吸着箇所Ｃを変えて半導体ウェーハ２０の向き
を約１８０°変える必要があり、その結果、１枚の半導
体ウェーハ２０を検査するのにかなりの時間を要し、検
査者の疲労も大きいという問題点がある。本発明は、従
来技術における上記のような問題点に鑑み、半導体ウェ
ーハの外観検査を短時間で、かつ検査者の疲労も少なく
スムーズに行うことのできる半導体ウェーハの外観検査
装置を提供することを目的とするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】このため本発明では、デ
バイス加工を施す前の半導体ウェーハに光を照射し、こ
れにより生じる反射光を目視することにより、半導体ウ
ェーハの外観を検査する検査装置であって、半導体ウェ
ーハの検査部位を中心として左右両側に２台の集光ラン
プと、前記半導体ウェーハからの反射光に対抗して配置
された光吸収体とを、前記半導体ウェーハを目視検査す
るクリーンベンチ内に設け、２台の前記集光ランプから
それぞれ照射される光が、前記検査部位で互いに交わる
ように配置され、その交差角度が前記半導体ウェーハに
水平な面および目視検査者に対面した垂直な面において
１８０度未満であるようにしたものである。
バイス加工を施す前の半導体ウェーハに光を照射し、こ
れにより生じる反射光を目視することにより、半導体ウ
ェーハの外観を検査する検査装置であって、半導体ウェ
ーハの検査部位を中心として左右両側に２台の集光ラン
プと、前記半導体ウェーハからの反射光に対抗して配置
された光吸収体とを、前記半導体ウェーハを目視検査す
るクリーンベンチ内に設け、２台の前記集光ランプから
それぞれ照射される光が、前記検査部位で互いに交わる
ように配置され、その交差角度が前記半導体ウェーハに
水平な面および目視検査者に対面した垂直な面において
１８０度未満であるようにしたものである。
【０００５】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１は本発明に係る半導体ウェーハの外観検査装
置の正面図、図２はその平面図、図３は検査方法を示す
正面図である。
する。図１は本発明に係る半導体ウェーハの外観検査装
置の正面図、図２はその平面図、図３は検査方法を示す
正面図である。
【０００６】図１、図２に示すように、クリーンベンチ
1内の左右両側には、天井6に架設された桟7から吊り下
げることによって２台の集光ランプ４、５が取り付けら
れている。また、前記クリーンベンチ１の作業台２の上
には、前記集光ランプ４、５よりも手前（図２における
検査者１４側）で、かつ、集光ランプ４、５の双方から
等距離の位置（以下、検査位置という）Bに、照度計を
その中に収容し、集光ランプ４、５の照射位置を調整す
るための光軸合わせ治具３をセットするようにされてい
る。そして、集光ランプ４、５の照射方向及び照射角度
は、該集光ランプ４、５からの照射光が光軸合わせ治具
３の上面で互いに交わるように設定される。この照射光
の交差は検査する半導体ウェーハ２０に水平な面および
目視検査者に対面した垂直な面において１８０度未満で
ある。すなわち半導体ウェーハ２０に垂直な平面内に照
射される２本の光線があるのではなく、２本の光線のな
す平面が半導体ウェーハ２０の表面に対して傾いてい
る。また、光軸合わせ治具３の上面における照射光の径
は、被検査物である半導体ウェーハ２０の直径に応じて
随時変化させることができるようにされている。尚、図
１中１２は、光軸合わせ治具３内に収容された照度計で
あり、検査位置Ｂの照度を測定するために用いられる。
1内の左右両側には、天井6に架設された桟7から吊り下
げることによって２台の集光ランプ４、５が取り付けら
れている。また、前記クリーンベンチ１の作業台２の上
には、前記集光ランプ４、５よりも手前（図２における
検査者１４側）で、かつ、集光ランプ４、５の双方から
等距離の位置（以下、検査位置という）Bに、照度計を
その中に収容し、集光ランプ４、５の照射位置を調整す
るための光軸合わせ治具３をセットするようにされてい
る。そして、集光ランプ４、５の照射方向及び照射角度
は、該集光ランプ４、５からの照射光が光軸合わせ治具
３の上面で互いに交わるように設定される。この照射光
の交差は検査する半導体ウェーハ２０に水平な面および
目視検査者に対面した垂直な面において１８０度未満で
ある。すなわち半導体ウェーハ２０に垂直な平面内に照
射される２本の光線があるのではなく、２本の光線のな
す平面が半導体ウェーハ２０の表面に対して傾いてい
る。また、光軸合わせ治具３の上面における照射光の径
は、被検査物である半導体ウェーハ２０の直径に応じて
随時変化させることができるようにされている。尚、図
１中１２は、光軸合わせ治具３内に収容された照度計で
あり、検査位置Ｂの照度を測定するために用いられる。
【０００７】前記集光ランプ４，５には、その基端部に
冷却用のファン（図示せず）が装備されており、検査終
了後に集光ランプ４，５の電源スイッチをオフにする
と、タイマーが作動して該ファンが駆動し、これにより
集光ランプ４，５の熱を冷ますことができるようにされ
ている。また、集光ランプ４，５の基端部には、ファン
を覆う形で該ファンによって生じる風を外部に逃がすた
めのダクト８，９の一端が接続されており、該ダクト
８，９の他端は検査室の床下に導出されている。
冷却用のファン（図示せず）が装備されており、検査終
了後に集光ランプ４，５の電源スイッチをオフにする
と、タイマーが作動して該ファンが駆動し、これにより
集光ランプ４，５の熱を冷ますことができるようにされ
ている。また、集光ランプ４，５の基端部には、ファン
を覆う形で該ファンによって生じる風を外部に逃がすた
めのダクト８，９の一端が接続されており、該ダクト
８，９の他端は検査室の床下に導出されている。
【０００８】前記クリーンベンチ１内の左右両側には、
天井６に架設された桟７から吊り下げることによって２
台の光吸収体１０，１１が取り付けられている。ここ
で、光吸収体１０，１１は箱型に形成されており、その
表面には後方に延びて終端が閉塞された複数の長孔１３
が開口されている。そして、この光吸収体１０，１１
は、それぞれその開口面を半導体ウェーハ２０から出さ
れる反射光の方向に対向させてその位置が設定されてい
る。これにより、前記集光ランプ４，５から照射され、
半導体ウェーハ２０によって反射された光（図２の矢印
イ，ロ）は、光吸収体１０，１１の前記長孔１３内に吸
収されてしまうので、クリーンベンチ１の内部で散乱す
ることはなく、その結果、クリーンベンチ１内が明るく
なることを防止することができる。従って、検査の際に
は、半導体ウェーハ２０の表面のみを照らすことができ
るので、半導体ウェーハ２０の表面に発生したキズ等が
見え易くなり、その結果、検査をスムーズに行うことが
できる。
天井６に架設された桟７から吊り下げることによって２
台の光吸収体１０，１１が取り付けられている。ここ
で、光吸収体１０，１１は箱型に形成されており、その
表面には後方に延びて終端が閉塞された複数の長孔１３
が開口されている。そして、この光吸収体１０，１１
は、それぞれその開口面を半導体ウェーハ２０から出さ
れる反射光の方向に対向させてその位置が設定されてい
る。これにより、前記集光ランプ４，５から照射され、
半導体ウェーハ２０によって反射された光（図２の矢印
イ，ロ）は、光吸収体１０，１１の前記長孔１３内に吸
収されてしまうので、クリーンベンチ１の内部で散乱す
ることはなく、その結果、クリーンベンチ１内が明るく
なることを防止することができる。従って、検査の際に
は、半導体ウェーハ２０の表面のみを照らすことができ
るので、半導体ウェーハ２０の表面に発生したキズ等が
見え易くなり、その結果、検査をスムーズに行うことが
できる。
【０００９】次に、上記のように構成された外観検査装
置を用いて半導体ウェーハの外観を検査する方法につい
て説明する。まず、図１に示すように、検査位置Ｂに光
軸合わせ治具３を配置する。そして、集光ランプ４，５
の照射角度及び照射方向を調整して、該集光ランプ４，
５からの照射光を前記光軸合わせ治具３の上面で互いに
交わらせる。次いで、光軸合わせ治具３内に照度計１２
を収容し、検査部位Ｂの照度を５０±５（×１０４ルッ
クス）以内に設定する。
置を用いて半導体ウェーハの外観を検査する方法につい
て説明する。まず、図１に示すように、検査位置Ｂに光
軸合わせ治具３を配置する。そして、集光ランプ４，５
の照射角度及び照射方向を調整して、該集光ランプ４，
５からの照射光を前記光軸合わせ治具３の上面で互いに
交わらせる。次いで、光軸合わせ治具３内に照度計１２
を収容し、検査部位Ｂの照度を５０±５（×１０４ルッ
クス）以内に設定する。
【００１０】以上のようにして検査位置Ｂの照度を設定
したら、検査位置Ｂから光軸合わせ治具３を取り去り、
検査作業に移る。まず、検査者１４が容器１５（図１）
に収納された検査前の半導体ウェーハ２０を真空ピンセ
ット２１を用いて吸引保持し、該半導体ウェーハ２０を
検査位置Ｂに持っていく（図２）。そして、この半導体
ウェーハ２０を検査位置Ｂで水平移動させ、集光ランプ
４，５からの照射光を半導体ウェーハ２０の全面に走査
させる。これにより、半導体ウェーハ２０の表面にキズ
等が発生している場合には、そのキズ等によって照射光
が散乱され、その部分だけが輝いて見えるので、半導体
ウェーハ２０の表面に発生しているキズ等を目視するこ
とができる。この場合、本装置においては、左右２台の
集光ランプ４，５を設けているので、図３に示すよう
に、半導体ウェーハ２０の表面に切込み方向の異なる２
種類のキズＥ，Ｆが発生している場合には、キズＥによ
って集光ランプ４からの照射光が散乱され、キズＦによ
って集光ランプ５からの照射光が散乱されることにな
る。従って、どちらか一方のキズＥ，Ｆのみが発生して
いる場合にも、従来のように検査の途中で真空ピンセッ
ト２１による吸着箇所Ｃを変え、半導体ウェーハ２０の
向きを１８０°変えることなく、そのキズを発見するこ
とができ、その結果、半導体ウェーハ２０の外観検査を
短時間でスムーズに行うことができる。以上のようにし
て半導体ウェーハ２０の外観を検査したら、不良品は不
良品箱１６に、良品は良品箱１７（図１）に入れて選別
する。
したら、検査位置Ｂから光軸合わせ治具３を取り去り、
検査作業に移る。まず、検査者１４が容器１５（図１）
に収納された検査前の半導体ウェーハ２０を真空ピンセ
ット２１を用いて吸引保持し、該半導体ウェーハ２０を
検査位置Ｂに持っていく（図２）。そして、この半導体
ウェーハ２０を検査位置Ｂで水平移動させ、集光ランプ
４，５からの照射光を半導体ウェーハ２０の全面に走査
させる。これにより、半導体ウェーハ２０の表面にキズ
等が発生している場合には、そのキズ等によって照射光
が散乱され、その部分だけが輝いて見えるので、半導体
ウェーハ２０の表面に発生しているキズ等を目視するこ
とができる。この場合、本装置においては、左右２台の
集光ランプ４，５を設けているので、図３に示すよう
に、半導体ウェーハ２０の表面に切込み方向の異なる２
種類のキズＥ，Ｆが発生している場合には、キズＥによ
って集光ランプ４からの照射光が散乱され、キズＦによ
って集光ランプ５からの照射光が散乱されることにな
る。従って、どちらか一方のキズＥ，Ｆのみが発生して
いる場合にも、従来のように検査の途中で真空ピンセッ
ト２１による吸着箇所Ｃを変え、半導体ウェーハ２０の
向きを１８０°変えることなく、そのキズを発見するこ
とができ、その結果、半導体ウェーハ２０の外観検査を
短時間でスムーズに行うことができる。以上のようにし
て半導体ウェーハ２０の外観を検査したら、不良品は不
良品箱１６に、良品は良品箱１７（図１）に入れて選別
する。
【００１１】一通りの検査が終了したら、集光ランプ
４，５の電源スイッチをオフにする。すると、タイマー
が作動して集光ランプ４，５のファンが駆動し、集光ラ
ンプ４，５の熱を冷却する。ところで、従来において
は、このように集光ランプのファンを駆動させると、ク
リーンベンチ１内で塵埃等が飛び交い、それが良品の半
導体ウェーハに付着して欠陥品を発生させる虞れがあっ
た。しかしながら、本装置においては、集光ランプ４，
５の基端部にファンを覆う形でダクト８，９の一端を接
続し、該ダクト８，９の他端を検査室の床下に導出して
いるので、ファンが駆動してもクリーンベンチ１内で塵
埃等が飛び交うことはなく、その結果、外観検査によっ
て一旦良品として選別された半導体ウェーハ２０が不良
品化することはない。
４，５の電源スイッチをオフにする。すると、タイマー
が作動して集光ランプ４，５のファンが駆動し、集光ラ
ンプ４，５の熱を冷却する。ところで、従来において
は、このように集光ランプのファンを駆動させると、ク
リーンベンチ１内で塵埃等が飛び交い、それが良品の半
導体ウェーハに付着して欠陥品を発生させる虞れがあっ
た。しかしながら、本装置においては、集光ランプ４，
５の基端部にファンを覆う形でダクト８，９の一端を接
続し、該ダクト８，９の他端を検査室の床下に導出して
いるので、ファンが駆動してもクリーンベンチ１内で塵
埃等が飛び交うことはなく、その結果、外観検査によっ
て一旦良品として選別された半導体ウェーハ２０が不良
品化することはない。
【００１２】尚、上記実施例においては、集光ランプ
４，５及び光吸収体１０，１１が、クリーンベンチ１の
天井６に架設された桟７から吊り下げることによって取
り付けてあるが、必ずしもこのような取付方法に限定さ
れるものではなく、例えば、クリーンベンチ１の横壁に
掛けたり、あるいはクリーンベンチ１の作業台２の上に
立設するようにしてもよい。また、上記実施例において
は、光吸収体１０，１１として、箱型に形成し、その表
面に後方に延びて終端が閉塞された複数の長孔１３を開
口したものが使用されているが、必ずしもこの構造に限
定されるものではなく、例えば平板に単に複数の孔を穿
設したものでもよい。この場合、この光吸収体としての
平板は、半導体ウェーハ２０から出される反射光の方向
に対向させて設置される。
４，５及び光吸収体１０，１１が、クリーンベンチ１の
天井６に架設された桟７から吊り下げることによって取
り付けてあるが、必ずしもこのような取付方法に限定さ
れるものではなく、例えば、クリーンベンチ１の横壁に
掛けたり、あるいはクリーンベンチ１の作業台２の上に
立設するようにしてもよい。また、上記実施例において
は、光吸収体１０，１１として、箱型に形成し、その表
面に後方に延びて終端が閉塞された複数の長孔１３を開
口したものが使用されているが、必ずしもこの構造に限
定されるものではなく、例えば平板に単に複数の孔を穿
設したものでもよい。この場合、この光吸収体としての
平板は、半導体ウェーハ２０から出される反射光の方向
に対向させて設置される。
【００１３】
【発明の効果】以上のように本発明では、検査部位を中
心として左右両側に2台の集光ランプを設け、該2台の集
光ランプから照射される光が検査部位で互いに交わるよ
うにしたことにより、半導体ウェーハの表面に発生した
キズ等の切込み方向が一定していなくても、そのキズに
よってどちらか一方の照射光が散乱されるので、従来の
ように検査の途中で半導体ウェーハの向きを変えること
なく、そのキズを発見することができ、その結果、半導
体ウェーハの外観検査を短時間で、かつ検査者の疲労を
少なくスムーズに行うことができるというすぐれた効果
がある。また、被検査物である半導体ウェーハからの反
射光に対向させてクリーンベンチ内に光吸収体を設けた
ことにより、集光ランプから照射され、半導体ウェーハ
によって反射された光は、光吸収体によって吸収されて
しまうので、クリーンベンチ内において光が散乱するこ
とはなく、その結果、クリーンベンチ内が明るくなるこ
とはない。従って、検査の際には、半導体ウェーハの表
面のみを照らすことができるので、半導体ウェーハの表
面に発生したキズ等が見え易くなり、その結果、検査を
スムーズに行うことができるというすぐれた効果があ
る。
心として左右両側に2台の集光ランプを設け、該2台の集
光ランプから照射される光が検査部位で互いに交わるよ
うにしたことにより、半導体ウェーハの表面に発生した
キズ等の切込み方向が一定していなくても、そのキズに
よってどちらか一方の照射光が散乱されるので、従来の
ように検査の途中で半導体ウェーハの向きを変えること
なく、そのキズを発見することができ、その結果、半導
体ウェーハの外観検査を短時間で、かつ検査者の疲労を
少なくスムーズに行うことができるというすぐれた効果
がある。また、被検査物である半導体ウェーハからの反
射光に対向させてクリーンベンチ内に光吸収体を設けた
ことにより、集光ランプから照射され、半導体ウェーハ
によって反射された光は、光吸収体によって吸収されて
しまうので、クリーンベンチ内において光が散乱するこ
とはなく、その結果、クリーンベンチ内が明るくなるこ
とはない。従って、検査の際には、半導体ウェーハの表
面のみを照らすことができるので、半導体ウェーハの表
面に発生したキズ等が見え易くなり、その結果、検査を
スムーズに行うことができるというすぐれた効果があ
る。
【図１】本発明に係る半導体ウェーハの外観検査装置の
正面図である。
正面図である。
【図２】本発明に係る半導体ウェーハ用外観検査装置の
平面図である。
平面図である。
【図３】検査方法を示す正面図である。
【図４】従来技術を示す正面図である。
４ 集光ランプ ５ 集光ランプ １０ 光吸収体 １１ 光吸収体 ２０ 半導体ウェーハ
Claims (2)
- 【請求項１】 デバイス加工を施す前の半導体ウェーハ
に光を照射し、これにより生じる反射光を目視すること
により、半導体ウェーハの外観を検査する検査装置であ
って、半導体ウェーハの検査部位を中心として左右両側
に２台の集光ランプと、前記半導体ウェーハからの反射
光に対抗して配置された光吸収体とを、前記半導体ウェ
ーハを目視検査するクリーンベンチ内に設け、２台の前
記集光ランプからそれぞれ照射される光が、前記検査部
位で互いに交わるように配置され、その交差角度が前記
半導体ウェーハに水平な面および目視検査者に対面した
垂直な面において１８０度未満であることを特徴とする
半導体ウェーハの外観検査装置。 - 【請求項２】 集光ランプの基端部に冷却用のファンを
設けると共に、該基端部に該ファンを覆う形でダクトの
一端を接続し、該ダクトからの排気がクリーンベンチ外
になされるように設けたことを特徴とする請求項１記載
の半導体ウェーハの外観検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22317992A JP2847600B2 (ja) | 1992-07-08 | 1992-07-08 | 半導体ウェーハの外観検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22317992A JP2847600B2 (ja) | 1992-07-08 | 1992-07-08 | 半導体ウェーハの外観検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0627029A JPH0627029A (ja) | 1994-02-04 |
| JP2847600B2 true JP2847600B2 (ja) | 1999-01-20 |
Family
ID=16794046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22317992A Expired - Lifetime JP2847600B2 (ja) | 1992-07-08 | 1992-07-08 | 半導体ウェーハの外観検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2847600B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101984386B1 (ko) * | 2017-07-13 | 2019-05-30 | 에스케이실트론 주식회사 | 웨이퍼 세정장비의 육안검사장치 |
-
1992
- 1992-07-08 JP JP22317992A patent/JP2847600B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0627029A (ja) | 1994-02-04 |
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