JP2843259B2 - シリコン半導体ウエハの切断方法 - Google Patents
シリコン半導体ウエハの切断方法Info
- Publication number
- JP2843259B2 JP2843259B2 JP6139970A JP13997094A JP2843259B2 JP 2843259 B2 JP2843259 B2 JP 2843259B2 JP 6139970 A JP6139970 A JP 6139970A JP 13997094 A JP13997094 A JP 13997094A JP 2843259 B2 JP2843259 B2 JP 2843259B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- silicon semiconductor
- cutting
- wafer
- plastic sheet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はシリコン半導体ウエハの
表裏両面にパターンが形成され、その厚み幅の中央部よ
り枚葉式に二分割する切断方法に係り、詳しくは切断時
の外力によるウエハ面上のパターンの損傷防止と、切断
中の内周刃による切り離される側のウエハの切断傷痕を
防止して安定したウエハを加工し得る切断方法に関す
る。
表裏両面にパターンが形成され、その厚み幅の中央部よ
り枚葉式に二分割する切断方法に係り、詳しくは切断時
の外力によるウエハ面上のパターンの損傷防止と、切断
中の内周刃による切り離される側のウエハの切断傷痕を
防止して安定したウエハを加工し得る切断方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】シリコン半導体ウエハの表裏両面にパタ
ーン（素子領域）を形成し、原材料としての素材ウエハ
の使用低減、及び拡散工程等における両面同時加工の必
然的な容易性に着目し、「シリコン半導体ウエハの表裏
両面にパターンを形成し、これを二分割切断し、半導体
装置を形成する」という基本的な概念は特開昭５３−１
８９５１号公報に開示されている。
ーン（素子領域）を形成し、原材料としての素材ウエハ
の使用低減、及び拡散工程等における両面同時加工の必
然的な容易性に着目し、「シリコン半導体ウエハの表裏
両面にパターンを形成し、これを二分割切断し、半導体
装置を形成する」という基本的な概念は特開昭５３−１
８９５１号公報に開示されている。
【０００３】しかしながら、シリコン半導体ウエハの表
裏両面にパターンを形成するという生産方式の変更に伴
う装置上及び方法上の問題に加え、元来薄性体であるシ
リコン半導体ウエハをその表裏両面に形成したパターン
を損傷することなく、且つ高い収率で安定して加工し得
る方法は実現されるまでには至っていない。何故なら、
元来切断対象としているシリコン半導体ウエハは表裏両
面のパターンを保護するためパッシベーション膜で全面
が被覆保護されてはいるものの、ミクロン単位以下の薄
膜であるため切断時のウエハ面上への機械的外力（真空
保持力等）に対しては無力で、パターンを損傷するとい
った問題点を有し、且つ例えば特開昭５０−１１２８７
８号公報、特開昭６０−２３１０号公報、特開昭６２−
５６１０８号公報に述べられている様な切断中のウエハ
が主にその内周刃刃先の状態に起因する表裏の加工歪の
強弱により、又はパッシベーション膜例えばＳｉＯ2 膜
の伸張力により内周刃に接触する弯曲を形成する弊害等
が解決されていない。
裏両面にパターンを形成するという生産方式の変更に伴
う装置上及び方法上の問題に加え、元来薄性体であるシ
リコン半導体ウエハをその表裏両面に形成したパターン
を損傷することなく、且つ高い収率で安定して加工し得
る方法は実現されるまでには至っていない。何故なら、
元来切断対象としているシリコン半導体ウエハは表裏両
面のパターンを保護するためパッシベーション膜で全面
が被覆保護されてはいるものの、ミクロン単位以下の薄
膜であるため切断時のウエハ面上への機械的外力（真空
保持力等）に対しては無力で、パターンを損傷するとい
った問題点を有し、且つ例えば特開昭５０−１１２８７
８号公報、特開昭６０−２３１０号公報、特開昭６２−
５６１０８号公報に述べられている様な切断中のウエハ
が主にその内周刃刃先の状態に起因する表裏の加工歪の
強弱により、又はパッシベーション膜例えばＳｉＯ2 膜
の伸張力により内周刃に接触する弯曲を形成する弊害等
が解決されていない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は表裏両面にパ
ターンを形成したシリコン半導体ウエハを高い収率で安
定して切断加工する方法を課題とし、具体的には微小な
凹凸を有するシリコン半導体ウエハ表面のパターンの損
傷防止を計った切断方法と、シリコン半導体ウエハの二
分割切断の進行と共に、素材ウエハ表裏に形成されてい
るパッシベーション膜の性状又は刃先の「切れ」の状態
により切り離される側のウエハが弯曲して内周刃に接触
し、振動伝達によって切断面の状態が悪化（切断傷痕）
し、最悪な場合はウエハを割れ等に至らしめるウエハの
弯曲を矯正しながら切断することが出来る切断方法を課
題とする。
ターンを形成したシリコン半導体ウエハを高い収率で安
定して切断加工する方法を課題とし、具体的には微小な
凹凸を有するシリコン半導体ウエハ表面のパターンの損
傷防止を計った切断方法と、シリコン半導体ウエハの二
分割切断の進行と共に、素材ウエハ表裏に形成されてい
るパッシベーション膜の性状又は刃先の「切れ」の状態
により切り離される側のウエハが弯曲して内周刃に接触
し、振動伝達によって切断面の状態が悪化（切断傷痕）
し、最悪な場合はウエハを割れ等に至らしめるウエハの
弯曲を矯正しながら切断することが出来る切断方法を課
題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために本発明が講じた請求項１に係る技術的手段は、表
裏両面にパターンを形成したシリコン半導体ウエハの両
面に接着剤層を有するプラスチックシートを貼り付け、
接着剤層で表面の微小な凹凸（段差）を吸収すると共
に、プラスチックシートでシリコン半導体ウエハに形成
されたパターン全域を覆い、しかる後二分割切断するこ
とを特徴とする。
ために本発明が講じた請求項１に係る技術的手段は、表
裏両面にパターンを形成したシリコン半導体ウエハの両
面に接着剤層を有するプラスチックシートを貼り付け、
接着剤層で表面の微小な凹凸（段差）を吸収すると共
に、プラスチックシートでシリコン半導体ウエハに形成
されたパターン全域を覆い、しかる後二分割切断するこ
とを特徴とする。
【０００６】又、請求項２に係る技術的手段は、素材ウ
エハがもともと有している性状又は内周刃の刃先の状態
によりシリコン半導体ウエハを二分割切断して切り離さ
れる側のウエハに発生する弯曲の大きさをその程度によ
り強制的に修正できる熱収縮性を有するプラスチックシ
ートを切り離されるシリコン半導体ウエハの表面に貼り
付け、所定の加熱処理でプラスチックシートに収縮しよ
うとする収縮力を加えて切断の進行と共に切り離される
側のウエハの解放端が内周刃から離反する方向に弯曲さ
せながら切断することを特徴とする。尚、表裏両面にパ
ターンが形成されたシリコン半導体ウエハを厚み幅の中
央部で二分割切断する方法は、シリコン半導体ウエハの
表裏面のうちの片面を吸着手段等で保持し、補強部も含
めて完全に切断分離される前に切り落とされる側のウエ
ハを吸着保持しておく内周刃式切断装置で枚葉式に切断
する方法とする。
エハがもともと有している性状又は内周刃の刃先の状態
によりシリコン半導体ウエハを二分割切断して切り離さ
れる側のウエハに発生する弯曲の大きさをその程度によ
り強制的に修正できる熱収縮性を有するプラスチックシ
ートを切り離されるシリコン半導体ウエハの表面に貼り
付け、所定の加熱処理でプラスチックシートに収縮しよ
うとする収縮力を加えて切断の進行と共に切り離される
側のウエハの解放端が内周刃から離反する方向に弯曲さ
せながら切断することを特徴とする。尚、表裏両面にパ
ターンが形成されたシリコン半導体ウエハを厚み幅の中
央部で二分割切断する方法は、シリコン半導体ウエハの
表裏面のうちの片面を吸着手段等で保持し、補強部も含
めて完全に切断分離される前に切り落とされる側のウエ
ハを吸着保持しておく内周刃式切断装置で枚葉式に切断
する方法とする。
【０００７】
【作用】請求項１による手段によれば、シリコン半導体
ウエハの表裏両面に貼り付けられているプラスチックシ
ートはウエハ全域をカバーして完全な保護壁としての作
用をなすと共に、シリコン半導体ウエハとプラスチック
シートとの間の接着剤層は流動的でウエハ表面に形成さ
れたパターンの微細な段差を吸収することができ２分割
切断はもとより表面の微細な段差により加工中のワレに
直結しやすいシリコン半導体ウエハの切断後の切断面の
平面研削加工に対しても十分対応できる。
ウエハの表裏両面に貼り付けられているプラスチックシ
ートはウエハ全域をカバーして完全な保護壁としての作
用をなすと共に、シリコン半導体ウエハとプラスチック
シートとの間の接着剤層は流動的でウエハ表面に形成さ
れたパターンの微細な段差を吸収することができ２分割
切断はもとより表面の微細な段差により加工中のワレに
直結しやすいシリコン半導体ウエハの切断後の切断面の
平面研削加工に対しても十分対応できる。
【０００８】請求項２による手段によれば、シリコン半
導体ウエハに貼り付けられるプラスチックシートが、加
熱処理によりシリコン半導体ウエハの切り落される側の
ウエハ外面に収縮力を加えているため、その切り離され
るウエハを切断の進行に伴い内周刃から離反する方向に
強制的に弯曲させることができる。このことは体験的に
も習得されているがシリコン半導体ウエハの切断の基本
原理にも叶い、極めて良好なウエハを安定して加工する
ことが可能となる。
導体ウエハに貼り付けられるプラスチックシートが、加
熱処理によりシリコン半導体ウエハの切り落される側の
ウエハ外面に収縮力を加えているため、その切り離され
るウエハを切断の進行に伴い内周刃から離反する方向に
強制的に弯曲させることができる。このことは体験的に
も習得されているがシリコン半導体ウエハの切断の基本
原理にも叶い、極めて良好なウエハを安定して加工する
ことが可能となる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１は表裏両面にパターンが形成されたシリコン
半導体ウエハ１に接着剤層３（例えば、25μ）を有する
プラスチックシート２（例えば、塩化ビニルシート100
μ）が貼り付けられて一体化され、図１(b) に示すプラ
スチックシート２が両面に貼り付け固着された積層半導
体ウエハ１′が得られる。それにより、シリコン半導体
ウエハ１の両面に形成されたパターンはプラスチックシ
ート２によって完全に保護すると共に、接着剤層が微細
な段差を吸収し、パターンの損傷を防止することが出来
る。又、シリコン半導体ウエハ１にプラスチックシート
２を貼り付ける実作業は市販の「ウエハテープラミネー
ト機」を利用して行うことができ、より収縮性の強い方
向をウエハの切断方向と一致させるのがよい。
する。図１は表裏両面にパターンが形成されたシリコン
半導体ウエハ１に接着剤層３（例えば、25μ）を有する
プラスチックシート２（例えば、塩化ビニルシート100
μ）が貼り付けられて一体化され、図１(b) に示すプラ
スチックシート２が両面に貼り付け固着された積層半導
体ウエハ１′が得られる。それにより、シリコン半導体
ウエハ１の両面に形成されたパターンはプラスチックシ
ート２によって完全に保護すると共に、接着剤層が微細
な段差を吸収し、パターンの損傷を防止することが出来
る。又、シリコン半導体ウエハ１にプラスチックシート
２を貼り付ける実作業は市販の「ウエハテープラミネー
ト機」を利用して行うことができ、より収縮性の強い方
向をウエハの切断方向と一致させるのがよい。
【００１０】図１(c) は通常のプラスチックシート２を
真空保持側とし、熱収縮性を有するプラスチックシート
４をシリコン半導体ウエハ１の切り離される側に貼り付
け、そのプラスチックシート４に約７０℃の加熱処理を
施して該プラスチックシート４の収縮力によシリコン半
導体ウエハが弯曲された状態を示し、実際には厚さ１ｍ
ｍ前後の素材ウエハに対しては外見上観えにくいが誇張
して示したものである。尚、収縮性のないプラスチック
シートでも切断方向に一定の引っ張り力を加えて貼り付
けることにより同様の効果を得ることができる。
真空保持側とし、熱収縮性を有するプラスチックシート
４をシリコン半導体ウエハ１の切り離される側に貼り付
け、そのプラスチックシート４に約７０℃の加熱処理を
施して該プラスチックシート４の収縮力によシリコン半
導体ウエハが弯曲された状態を示し、実際には厚さ１ｍ
ｍ前後の素材ウエハに対しては外見上観えにくいが誇張
して示したものである。尚、収縮性のないプラスチック
シートでも切断方向に一定の引っ張り力を加えて貼り付
けることにより同様の効果を得ることができる。
【００１１】次に切断前の準備工作として上記の如く構
成される積層半導体ウエハ１′の切り終り相当部に切断
終了時点の外周部の破損防止及び切り落される側のウエ
ハの回収を容易ならしめるための補強部を同時に多数組
形成する方法としては、図２及び図３に示すように逆台
形状の凹部６を有する基台５に、積層シリコン半導体ウ
エハ１′とテフロン等材質の中間板10を鉛直状に立てて
交互に並列し、並列方向の両側から押し板７で加圧しシ
リコン半導体ウエハ１′の頂部と両側の中間板10との間
の隙間に、接着剤を塗布した合成樹脂製（例えばエポキ
シ樹脂）の補強部材８を圧着し、硬化後押し板７の加圧
を解き、分離すれば図２及び図３に示すような積層半導
体ウエハ１′の補強部を同時に多数組形成することがで
きる。尚プラスチックシート２，４も中間板10も半導体
ウエハ１より口径が大きいのはプラスチックシート表面
が切断時及びそれに引き続く平面研削加工時の基準面と
なるため接着剤の盛り上り等を規制するためである。
成される積層半導体ウエハ１′の切り終り相当部に切断
終了時点の外周部の破損防止及び切り落される側のウエ
ハの回収を容易ならしめるための補強部を同時に多数組
形成する方法としては、図２及び図３に示すように逆台
形状の凹部６を有する基台５に、積層シリコン半導体ウ
エハ１′とテフロン等材質の中間板10を鉛直状に立てて
交互に並列し、並列方向の両側から押し板７で加圧しシ
リコン半導体ウエハ１′の頂部と両側の中間板10との間
の隙間に、接着剤を塗布した合成樹脂製（例えばエポキ
シ樹脂）の補強部材８を圧着し、硬化後押し板７の加圧
を解き、分離すれば図２及び図３に示すような積層半導
体ウエハ１′の補強部を同時に多数組形成することがで
きる。尚プラスチックシート２，４も中間板10も半導体
ウエハ１より口径が大きいのはプラスチックシート表面
が切断時及びそれに引き続く平面研削加工時の基準面と
なるため接着剤の盛り上り等を規制するためである。
【００１２】上記の如く構成した積層半導体ウエハ１′
を内周刃式切断装置で枚葉式にするが、この時は図４に
示すように積層半導体ウエハ１′の片面を真空保持盤９
で吸着保持し、内周刃11でシリコン半導体ウエハ１の厚
み幅の中央部より切断する。その切断が進行するに伴い
真空保持盤９で保持されたウエハから切り離される側の
ウエハ1aはその切り離される側のウエハ表面に貼り付け
られているプラスチックシート４の収縮力により徐々に
弯曲し、それにより切断で切り離された先端側は内周刃
11より離反するように変位（δ）し、同時に内周刃刃先
の２番角にも接触することもなく、切断面の状態が良好
で外周部の破損のないウエハを切断加工することが出来
る。前述の実施例では口径100 φで厚さ325 μで弯曲の
ないウエハを加熱処理直後で250 μ〜350 μの弯曲を発
生させる収縮力を有している。
を内周刃式切断装置で枚葉式にするが、この時は図４に
示すように積層半導体ウエハ１′の片面を真空保持盤９
で吸着保持し、内周刃11でシリコン半導体ウエハ１の厚
み幅の中央部より切断する。その切断が進行するに伴い
真空保持盤９で保持されたウエハから切り離される側の
ウエハ1aはその切り離される側のウエハ表面に貼り付け
られているプラスチックシート４の収縮力により徐々に
弯曲し、それにより切断で切り離された先端側は内周刃
11より離反するように変位（δ）し、同時に内周刃刃先
の２番角にも接触することもなく、切断面の状態が良好
で外周部の破損のないウエハを切断加工することが出来
る。前述の実施例では口径100 φで厚さ325 μで弯曲の
ないウエハを加熱処理直後で250 μ〜350 μの弯曲を発
生させる収縮力を有している。
【００１３】
【発明の効果】本発明の切断方法は請求項１記載の切断
方法により、シリコン半導体ウエハのパターンが形成さ
れた両面は接着剤層を有するプラスチックシートで覆わ
れパターンの微細な段差を吸収し切断加工時の機械的外
力、又はその他ウエハ取扱い上の外力等に対し強靭な保
護壁の役目をなし、パターンの損傷を防止することがで
きる。それにより、二分割切断、及びそれに引き続く加
工（切断面側の平面研削）を支障なく行うことができ
る。
方法により、シリコン半導体ウエハのパターンが形成さ
れた両面は接着剤層を有するプラスチックシートで覆わ
れパターンの微細な段差を吸収し切断加工時の機械的外
力、又はその他ウエハ取扱い上の外力等に対し強靭な保
護壁の役目をなし、パターンの損傷を防止することがで
きる。それにより、二分割切断、及びそれに引き続く加
工（切断面側の平面研削）を支障なく行うことができ
る。
【００１４】又、請求項２に示すように熱収縮性を有す
るプラスチックシートを切り落される側のシリコン半導
体ウエハのパターン形成面に貼り付け、その後で加熱処
理して収縮力を与えることにより、切断の進行にともな
い元来内周刃に接触する様な弯曲であっても切り離され
る側のウエハにその程度に応じて内周刃より離反する方
向に強制的に修正することができ、切断面の安定した品
質を確保する事ができると共に、シリコン半導体材料の
低減を計ることができる。
るプラスチックシートを切り落される側のシリコン半導
体ウエハのパターン形成面に貼り付け、その後で加熱処
理して収縮力を与えることにより、切断の進行にともな
い元来内周刃に接触する様な弯曲であっても切り離され
る側のウエハにその程度に応じて内周刃より離反する方
向に強制的に修正することができ、切断面の安定した品
質を確保する事ができると共に、シリコン半導体材料の
低減を計ることができる。
【図１】本発明の切断方法に供される積層半導体ウエハ
の一実施例を示す断面図で、(a) は貼り合わせ前の状
態、(b) は貼り合わせた状態、(c) はプラスチックシー
トに加熱処理を施して収縮力を与え、シリコン半導体ウ
エハを弯曲させた状態を示す。
の一実施例を示す断面図で、(a) は貼り合わせ前の状
態、(b) は貼り合わせた状態、(c) はプラスチックシー
トに加熱処理を施して収縮力を与え、シリコン半導体ウ
エハを弯曲させた状態を示す。
【図２】複数の積層半導体に補強部を同時に形成する状
態を示す断面図である。
態を示す断面図である。
【図３】図２の同側面図である。
【図４】積層半導体ウエハを内周刃で二分割切断する状
態を示す断面図である。
態を示す断面図である。
１…シリコン半導体ウエハ ２、４…プラスチッ
クシート ３…接着剤層 １′…積層半導体
ウエハ
クシート ３…接着剤層 １′…積層半導体
ウエハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/304 B28D 5/02
Claims (2)
- 【請求項１】 表裏両面にパターンを形成したシリコン
半導体ウエハを、その外周の一部に補強部を形成し、且
つ表裏面の一方の面のみを保持して内周刃式切断装置で
枚葉式にその厚み幅の中央部より二分割に切断する方法
において、該シリコン半導体ウエハの口径と同等以上の
口径を有するプラスチックシートを接着剤層を介して前
記シリコン半導体ウエハの表裏両面に貼り付けて固着し
たのち二分割切断することを特徴とするシリコン半導体
ウエハの切断方法。 - 【請求項２】 上記の切断方法において、少なくとも切
り離される側に貼り付けられるプラスチックシートは熱
収縮性を有し、貼り付け後該プラスチックシートへの加
熱処理により発生する収縮力を該シリコン半導体ウエハ
の片面に加えたまま切断することを特徴とする請求項１
記載のシリコン半導体ウエハの切断方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6139970A JP2843259B2 (ja) | 1994-06-22 | 1994-06-22 | シリコン半導体ウエハの切断方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6139970A JP2843259B2 (ja) | 1994-06-22 | 1994-06-22 | シリコン半導体ウエハの切断方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH088215A JPH088215A (ja) | 1996-01-12 |
| JP2843259B2 true JP2843259B2 (ja) | 1999-01-06 |
Family
ID=15257916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6139970A Expired - Fee Related JP2843259B2 (ja) | 1994-06-22 | 1994-06-22 | シリコン半導体ウエハの切断方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2843259B2 (ja) |
-
1994
- 1994-06-22 JP JP6139970A patent/JP2843259B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH088215A (ja) | 1996-01-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6657515B2 (ja) | ウェーハを処理する方法および該方法で使用するための保護シート | |
| TWI470727B (zh) | 附有接著劑之晶片的製造方法 | |
| KR102351842B1 (ko) | 웨이퍼 처리 방법 | |
| US20020025432A1 (en) | Process for producing a chip | |
| JP2019169727A (ja) | ウェハ処理方法 | |
| JP2000061785A (ja) | 保護シート貼付半導体ウエハ及び半導体ウエハの研削方法 | |
| JP2843259B2 (ja) | シリコン半導体ウエハの切断方法 | |
| CN1624879A (zh) | 半导体装置及其制造方法 | |
| JP4563257B2 (ja) | 粘着シート及び電子部品製造方法 | |
| US6869830B2 (en) | Method of processing a semiconductor wafer | |
| JP2843256B2 (ja) | シリコン半導体ウエハの切断方法 | |
| US11823941B2 (en) | Method of processing a substrate | |
| JP4462940B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP6362484B2 (ja) | 半導体ウエハのダイシング方法 | |
| JPH0917756A (ja) | 半導体用保護テープおよびその使用方法 | |
| JPS61152358A (ja) | 半導体ウエハの研削方法 | |
| JP2006156567A (ja) | 表面保護テープおよび半導体装置の製造方法 | |
| JP7325357B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| TWI804947B (zh) | 處理基板的方法 | |
| JP3733091B2 (ja) | 半導体ウエハ分離装置 | |
| JP2020043216A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US20080257474A1 (en) | Adhesive film bonding method | |
| JP2005057052A (ja) | 半導体基板の加工方法 | |
| KR100689811B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 가공용 테이프 | |
| TW556280B (en) | Method of preventing silicon powder residue after wafer dicing |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081023 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081023 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091023 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |