JP2841423B2 - タングステン膜の選択的形成方法 - Google Patents
タングステン膜の選択的形成方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 以下の順序に従って本発明を説明する。
A.産業上の利用分野 B.発明の概要 C.従来技術 D.発明が解決しようとする問題点［第５図］ E.問題点を解決するための手段 F.作用 G.実施例［第１図］ H.発明の効果［第２図乃至第４図］ （A.産業上の利用分野） 本発明はタングステン膜の選択的形成方法、特に表面
に絶縁膜が選択的に形成された導体の露出部上にタング
ステン膜を成長させるタングステン膜の選択的形成方法
に関する。
に絶縁膜が選択的に形成された導体の露出部上にタング
ステン膜を成長させるタングステン膜の選択的形成方法
に関する。
（B.発明の概要） 本発明は、上記のタングステン膜の選択的形成方法に
おいて、 タングステン膜の還元法による選択的形成をボイドの
発生やタングステンの異常成長を伴うことなく行なうこ
とができるようにするため、 加熱された硫酸過水（硫酸と過酸化水素との混合溶
液）による前処理と自然酸化膜の除去を行なったうえで
タングステン膜の形成を行なうものである。
おいて、 タングステン膜の還元法による選択的形成をボイドの
発生やタングステンの異常成長を伴うことなく行なうこ
とができるようにするため、 加熱された硫酸過水（硫酸と過酸化水素との混合溶
液）による前処理と自然酸化膜の除去を行なったうえで
タングステン膜の形成を行なうものである。
（C.従来技術） タングステン膜の選択的形成は一般に、半導体基板の
表面にSiO2膜を形成し、該SiO2膜をフォトエッチングす
ることにより半導体基板の表面を選択的に露出させ、そ
の後、水素還元法あるいはシリコン還元法等によりタン
グステン膜を半導体基板の露出部上に気相成長させると
いう方法で行なわれる。
表面にSiO2膜を形成し、該SiO2膜をフォトエッチングす
ることにより半導体基板の表面を選択的に露出させ、そ
の後、水素還元法あるいはシリコン還元法等によりタン
グステン膜を半導体基板の露出部上に気相成長させると
いう方法で行なわれる。
（D.発明が解決しようとする問題点）［第５図］ ところで、タングステン膜の形成をする場合に第５図
（Ａ）に示すようにタングステン膜が異常成長したり、
同図（Ｂ）に示すようにタングステン膜の異常成長によ
りボイドが生じたりするという問題があった。同図にお
いて、ａはｐ型シリコン半導体基板、ｂは半導体基板ａ
の表面部に形成されたn+型拡散層、ｃはSiO2からなる絶
縁膜、ｄは該絶縁膜ｃに形成されたコンタクトホール、
ｅは上記拡散層ｂの上記コンタクトホールｄに露出した
部分に成長したタングステン膜、ｆ、ｆは異常成長した
タングステン、ｇは異常成長したタングステンｆ、ｆに
より上部を塞がれたためコンタクトホールｄ内に生じた
ボイド（す）である。
（Ａ）に示すようにタングステン膜が異常成長したり、
同図（Ｂ）に示すようにタングステン膜の異常成長によ
りボイドが生じたりするという問題があった。同図にお
いて、ａはｐ型シリコン半導体基板、ｂは半導体基板ａ
の表面部に形成されたn+型拡散層、ｃはSiO2からなる絶
縁膜、ｄは該絶縁膜ｃに形成されたコンタクトホール、
ｅは上記拡散層ｂの上記コンタクトホールｄに露出した
部分に成長したタングステン膜、ｆ、ｆは異常成長した
タングステン、ｇは異常成長したタングステンｆ、ｆに
より上部を塞がれたためコンタクトホールｄ内に生じた
ボイド（す）である。
このようにタングステンが異常成長すると断線等の原
因となるので好ましくない。このようにタングステンが
異常成長するのは、フォトエッチング後レジスト膜を除
去した状態ではナトリウムNa、鉄Fe、カーボンＣ等が残
り、それが還元法によりタングステン膜を成長させる際
に活性水素を発生する源となり延いては還元反応を生ぜ
しめ、タングステン異常成長の核となるためである。
因となるので好ましくない。このようにタングステンが
異常成長するのは、フォトエッチング後レジスト膜を除
去した状態ではナトリウムNa、鉄Fe、カーボンＣ等が残
り、それが還元法によりタングステン膜を成長させる際
に活性水素を発生する源となり延いては還元反応を生ぜ
しめ、タングステン異常成長の核となるためである。
また、拡散層ｂのコンタクトホールｄの表面に露出し
た部分に自然酸化膜がある場合にはタングステン膜の成
長がスムーズに行なわれないという問題もあった。
た部分に自然酸化膜がある場合にはタングステン膜の成
長がスムーズに行なわれないという問題もあった。
本発明はこのような問題点を解決すべく為されたもの
であり、タングステン膜の還元法による選択的形成をボ
イドの発生やタングステンの異常成長を伴うことなく行
なうことができるようにすることを目的とする。
であり、タングステン膜の還元法による選択的形成をボ
イドの発生やタングステンの異常成長を伴うことなく行
なうことができるようにすることを目的とする。
（E.問題点を解決するための手段） 本発明タングステン膜の選択的形成方法は上記問題点
を解決するため、加熱された硫酸過水（硫酸と過酸化水
素との混合溶液）による前処理と自然酸化膜の除去を行
なったうえで還元法によるタングステン膜の形成を行な
うことを特徴とする。
を解決するため、加熱された硫酸過水（硫酸と過酸化水
素との混合溶液）による前処理と自然酸化膜の除去を行
なったうえで還元法によるタングステン膜の形成を行な
うことを特徴とする。
（F.作用） 本発明タングステン膜の選択的形成方法によれば、還
元法によるタングステン膜の形成前に、加熱した硫酸過
水による前処理によりタングステンの異常成長の核とな
る不純物を除去するので、タングステンの異常成長を防
止することができる。
元法によるタングステン膜の形成前に、加熱した硫酸過
水による前処理によりタングステンの異常成長の核とな
る不純物を除去するので、タングステンの異常成長を防
止することができる。
また、タングステン膜の形成前に自然酸化膜を除去す
るので導体の露出部上にタングステン膜を支障なく成長
させることができる。
るので導体の露出部上にタングステン膜を支障なく成長
させることができる。
（G.実施例）［第１図］ 以下、本発明タングステン膜の選択的形成方法を図示
実施例に従って詳細に説明する。
実施例に従って詳細に説明する。
第１図（Ａ）乃至（Ｆ）は本発明タングステン膜の選
択的形成方法の一つの実施例を工程順に示す断面図であ
る。
択的形成方法の一つの実施例を工程順に示す断面図であ
る。
（Ａ）ｐ型のシリコン半導体基板１の表面部を選択的に
酸化することによりフィールド絶縁膜２を形成し、次い
で半導体基板１の表面部にn+型拡散層３を形成し、その
後SiO2から成る絶縁膜４を形成する。第１図（Ａ）は絶
縁膜４形成後の状態を示す。
酸化することによりフィールド絶縁膜２を形成し、次い
で半導体基板１の表面部にn+型拡散層３を形成し、その
後SiO2から成る絶縁膜４を形成する。第１図（Ａ）は絶
縁膜４形成後の状態を示す。
（Ｂ）次に、絶縁膜４表面上にフォトレジスト膜５を形
成し、該フォトレジスト膜５に対して露光処理、現像処
理を施し、その後、該フォトレジスト膜５をマスクとし
て絶縁膜４をエッチングすることにより第１図（Ｂ）に
示すように拡散層３の表面を露出させるコンタクトホー
ル６を形成する。７、７、…は還元法によりタングステ
ン膜の選択成長を行なう際に水素ラジカルを発生しやす
くするナトリウムNa、鉄Fe、炭素Ｃ等の不純物である。
成し、該フォトレジスト膜５に対して露光処理、現像処
理を施し、その後、該フォトレジスト膜５をマスクとし
て絶縁膜４をエッチングすることにより第１図（Ｂ）に
示すように拡散層３の表面を露出させるコンタクトホー
ル６を形成する。７、７、…は還元法によりタングステ
ン膜の選択成長を行なう際に水素ラジカルを発生しやす
くするナトリウムNa、鉄Fe、炭素Ｃ等の不純物である。
（Ｃ）次に、第１図（Ｃ）示すようにO2アッシングによ
りフォトレジスト膜５を除去する。該フォトレジスト膜
５のアッシングをしても不純物７、７、・・・（タング
ステンの異常成長の要因となるところのタングステン膜
の選択形成の際に水素ラジカルの発生を容易にする不純
物）は残存する。また、拡散層３の上記コンタクトホー
ル６に露出した部分の表面に自然酸化膜８が生じる。
りフォトレジスト膜５を除去する。該フォトレジスト膜
５のアッシングをしても不純物７、７、・・・（タング
ステンの異常成長の要因となるところのタングステン膜
の選択形成の際に水素ラジカルの発生を容易にする不純
物）は残存する。また、拡散層３の上記コンタクトホー
ル６に露出した部分の表面に自然酸化膜８が生じる。
尚、このアッシングは酸素ガスO2により行なっても良
いが、オゾンO3により、即ち、オゾンO3アッシングによ
り行なっても良い。また、このアッシングを行なわない
で次の工程（Ｄ）に移る方法もある。しかし、フォトレ
ジスト膜をより完全に除去するにはアッシングを行った
方が良い。
いが、オゾンO3により、即ち、オゾンO3アッシングによ
り行なっても良い。また、このアッシングを行なわない
で次の工程（Ｄ）に移る方法もある。しかし、フォトレ
ジスト膜をより完全に除去するにはアッシングを行った
方が良い。
（Ｄ）次に、第１図（Ｄ）に示すように半導体基板１を
ボイルされた硫酸過水、即ち硫酸と過酸化水素との混合
溶液９に浸漬する前処理を行なう。すると、上記タング
ステンの異常成長の原因となる不純物７、７、…は完全
に除去される。
ボイルされた硫酸過水、即ち硫酸と過酸化水素との混合
溶液９に浸漬する前処理を行なう。すると、上記タング
ステンの異常成長の原因となる不純物７、７、…は完全
に除去される。
尚、この前処理は半導体基板１をボイルした硫酸過水
９中に浸漬するのではなく硫酸過水９から発生する蒸気
に晒すことにより行なうようにしても良い。また、硫酸
過水９を完全に沸騰させなくても比較的高い温度になる
ように加熱すれば前処理が可能である。尚、アッシング
を行うことなく本工程（Ｄ）に移行した場合には、本工
程、即ち加熱した硫酸過水による前処理がフォトレジス
トの除去と不純物７、７、・・・の除去を兼ねることに
なる。
９中に浸漬するのではなく硫酸過水９から発生する蒸気
に晒すことにより行なうようにしても良い。また、硫酸
過水９を完全に沸騰させなくても比較的高い温度になる
ように加熱すれば前処理が可能である。尚、アッシング
を行うことなく本工程（Ｄ）に移行した場合には、本工
程、即ち加熱した硫酸過水による前処理がフォトレジス
トの除去と不純物７、７、・・・の除去を兼ねることに
なる。
（Ｅ）次に、同図（Ｅ）に示すようにSiO2から成る絶縁
膜に対するライトエッチングにより自然酸化膜８を除去
する。このエッチングはエッチング液に半導体基板１を
浸漬するライトエッチングにより行なっても良いが、フ
ッ素系ラジカルが発生するプラズマエッチングにより行
なうようにしても良い。要するに、タングステン膜の成
長を妨げる自然酸化膜８をコンタクトホール６に露出す
る拡散層３お表面から除去することができればどのよう
な方法であっても良い。
膜に対するライトエッチングにより自然酸化膜８を除去
する。このエッチングはエッチング液に半導体基板１を
浸漬するライトエッチングにより行なっても良いが、フ
ッ素系ラジカルが発生するプラズマエッチングにより行
なうようにしても良い。要するに、タングステン膜の成
長を妨げる自然酸化膜８をコンタクトホール６に露出す
る拡散層３お表面から除去することができればどのよう
な方法であっても良い。
（Ｆ）その後、同図（Ｆ）に示すようにタングステン膜
10をCVDにより選択的に形成する。この選択的形成は、
例えばエンクローチメントの少ないSiH4＋WF6＋H2のガ
スを供給することにより行なうことができる。この場
合、CVD初期（例えば膜厚が100〜200Å程度になるま
で）には選択性の良いシリコン還元を生ぜしめ、その後
はシランSiH4還元を生ぜしめることができる。
10をCVDにより選択的に形成する。この選択的形成は、
例えばエンクローチメントの少ないSiH4＋WF6＋H2のガ
スを供給することにより行なうことができる。この場
合、CVD初期（例えば膜厚が100〜200Å程度になるま
で）には選択性の良いシリコン還元を生ぜしめ、その後
はシランSiH4還元を生ぜしめることができる。
（H.発明の効果）［第２図乃至第４図］ 以上に述べたところから明らかなように、本発明タン
グステン膜の選択的形成方法は、タングステン膜の選択
的形成を行なう前にタングステンの異常成長の核となる
ところの水素ラジカルを発生させる不純物を加熱した硫
酸過水を用いての前処理により除去することができるの
で、タングステンの異常成長を防止することができる。
更に、タングステン膜の成長の妨げになる自然酸化膜を
選択的形成の前に除去しておくのでタングステン膜を導
体の露出する部分上に円滑に成長させることができる。
グステン膜の選択的形成方法は、タングステン膜の選択
的形成を行なう前にタングステンの異常成長の核となる
ところの水素ラジカルを発生させる不純物を加熱した硫
酸過水を用いての前処理により除去することができるの
で、タングステンの異常成長を防止することができる。
更に、タングステン膜の成長の妨げになる自然酸化膜を
選択的形成の前に除去しておくのでタングステン膜を導
体の露出する部分上に円滑に成長させることができる。
第２図乃至第４図は本発明の効果を示すところの各別
の例を示すものであり、各図の（Ａ）は加熱した硫酸過
水による前処理を行なったうえでタングステン膜の選択
的形成を行なった場合を、即ち、本発明の場合を示し、
各図の（Ｂ）はかかる前処理を行なうことなくタングス
テン膜の選択的形成を行なった場合を、すなわち本発明
によらない場合を示し、各図において（Ａ）と（Ｂ）と
を比較することにより本発明の効果が解る。具体的に
は、第２図（Ａ）、（Ｂ）はコンタクトホール６にその
深さの60〜80％程度の厚み分のタングステン膜10を形成
した段階のものの斜視図であるが、硫酸過水による前処
理を行なわないところの同図（Ｂ）に示す場合はコンタ
クトホール６の上縁に沿ってタングステンの異常成長の
峰10aが形成されるが、本発明によるところの同図
（Ａ）に示す場合にはそのようなものは発生せず、コン
タクトホール６の内側面が見える。
の例を示すものであり、各図の（Ａ）は加熱した硫酸過
水による前処理を行なったうえでタングステン膜の選択
的形成を行なった場合を、即ち、本発明の場合を示し、
各図の（Ｂ）はかかる前処理を行なうことなくタングス
テン膜の選択的形成を行なった場合を、すなわち本発明
によらない場合を示し、各図において（Ａ）と（Ｂ）と
を比較することにより本発明の効果が解る。具体的に
は、第２図（Ａ）、（Ｂ）はコンタクトホール６にその
深さの60〜80％程度の厚み分のタングステン膜10を形成
した段階のものの斜視図であるが、硫酸過水による前処
理を行なわないところの同図（Ｂ）に示す場合はコンタ
クトホール６の上縁に沿ってタングステンの異常成長の
峰10aが形成されるが、本発明によるところの同図
（Ａ）に示す場合にはそのようなものは発生せず、コン
タクトホール６の内側面が見える。
また、第３図（Ａ）、（Ｂ）は別の例の断面図であ
り、硫酸過水による前処理を行なわない同図（Ｂ）に示
す場合はコンタクトホール６の上縁から異常成長したタ
ングステン10b、10bによってコンタクトホール６が上方
を塞がれ、内部にボイド（す）11ができる。それに対し
て、本発明によるところの同図（Ａ）に示す場合はボイ
ド（す）が全く生じない。
り、硫酸過水による前処理を行なわない同図（Ｂ）に示
す場合はコンタクトホール６の上縁から異常成長したタ
ングステン10b、10bによってコンタクトホール６が上方
を塞がれ、内部にボイド（す）11ができる。それに対し
て、本発明によるところの同図（Ａ）に示す場合はボイ
ド（す）が全く生じない。
第４図（Ａ）、（Ｂ）は更に別の例における断面図で
あり、この例では硫酸過水による前処理を行なわない同
図（Ｂ）に示す場合でもボイドが生じていないが、しか
し、タングステン膜10はかなり異常な成長のしかたをし
ている。しかし、本発明によるところの同図Ａ（Ａ）に
示す場合にはタングステン膜10にほとんど異常成長性が
認められない。
あり、この例では硫酸過水による前処理を行なわない同
図（Ｂ）に示す場合でもボイドが生じていないが、しか
し、タングステン膜10はかなり異常な成長のしかたをし
ている。しかし、本発明によるところの同図Ａ（Ａ）に
示す場合にはタングステン膜10にほとんど異常成長性が
認められない。
このように、本発明によればタングステン膜に対する
信頼度を高くすることができるという効果を奏すること
ができる。そして、この本発明の効果は半導体基板上に
タングステン膜を選択的に形成する場合に限らず、アル
ミニウム等の金属からなる導体膜上にタングステン膜を
選択的に形成する場合にも奏することができることが確
認されている。
信頼度を高くすることができるという効果を奏すること
ができる。そして、この本発明の効果は半導体基板上に
タングステン膜を選択的に形成する場合に限らず、アル
ミニウム等の金属からなる導体膜上にタングステン膜を
選択的に形成する場合にも奏することができることが確
認されている。
第１図（Ａ）乃至（Ｆ）は本発明タングステン膜の選択
的形成方法の一つの実施例を工程順に示す断面図、第２
図（Ａ）、（Ｂ）は本発明の効果を示す第１の例の斜視
図で、同図（Ａ）は硫酸過水による前処理をしたうえで
タングステン膜を選択的に形成した本発明による場合
を、同図（Ｂ）はかかる前処理をしないでタングステン
膜を形成した場合を示し、第３図（Ａ）、（Ｂ）は本発
明の効果を示す第２の例の断面図で、同図（Ａ）は前処
理をした本発明による場合を、同図（Ｂ）は前処理をし
なかった場合を示し、第４図（Ａ）、（Ｂ）は本発明の
効果を示す第３の例の断面図で、同図（Ａ）は前処理を
した本発明による場合を、同図（Ｂ）は前処理をしなか
った場合を示し、第５図（Ａ）、（Ｂ）は発明が解決し
ようとする問題点を示す断面図である。 符号の説明 １、３……導体、４……絶縁膜、 ８……自然酸化膜、 10……タングステン膜。
的形成方法の一つの実施例を工程順に示す断面図、第２
図（Ａ）、（Ｂ）は本発明の効果を示す第１の例の斜視
図で、同図（Ａ）は硫酸過水による前処理をしたうえで
タングステン膜を選択的に形成した本発明による場合
を、同図（Ｂ）はかかる前処理をしないでタングステン
膜を形成した場合を示し、第３図（Ａ）、（Ｂ）は本発
明の効果を示す第２の例の断面図で、同図（Ａ）は前処
理をした本発明による場合を、同図（Ｂ）は前処理をし
なかった場合を示し、第４図（Ａ）、（Ｂ）は本発明の
効果を示す第３の例の断面図で、同図（Ａ）は前処理を
した本発明による場合を、同図（Ｂ）は前処理をしなか
った場合を示し、第５図（Ａ）、（Ｂ）は発明が解決し
ようとする問題点を示す断面図である。 符号の説明 １、３……導体、４……絶縁膜、 ８……自然酸化膜、 10……タングステン膜。
Claims (1)
- 【請求項１】導体の表面に絶縁膜を選択的に形成し、 次に、加熱された硫酸過水（硫酸と過酸化水素との混合
溶液）による前処理を施し、 次に、上記導体の露出部表面の自然酸化膜を除去し、 その後、タングステン膜を還元法により上記導体の露出
部上に成長させる ことを特徴とするタングステン膜の選択的形成方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3478389A JP2841423B2 (ja) | 1989-02-13 | 1989-02-13 | タングステン膜の選択的形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3478389A JP2841423B2 (ja) | 1989-02-13 | 1989-02-13 | タングステン膜の選択的形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02213126A JPH02213126A (ja) | 1990-08-24 |
| JP2841423B2 true JP2841423B2 (ja) | 1998-12-24 |
Family
ID=12423879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3478389A Expired - Lifetime JP2841423B2 (ja) | 1989-02-13 | 1989-02-13 | タングステン膜の選択的形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2841423B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001358089A (ja) * | 2001-05-10 | 2001-12-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1989
- 1989-02-13 JP JP3478389A patent/JP2841423B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02213126A (ja) | 1990-08-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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