JPH05102094A - 銅膜のエツチング方法 - Google Patents
銅膜のエツチング方法Info
- Publication number
- JPH05102094A JPH05102094A JP3263600A JP26360091A JPH05102094A JP H05102094 A JPH05102094 A JP H05102094A JP 3263600 A JP3263600 A JP 3263600A JP 26360091 A JP26360091 A JP 26360091A JP H05102094 A JPH05102094 A JP H05102094A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- film
- copper
- iodide
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 銅膜の異方性エッチングを、高精度で、且つ
高選択比で行なうことを達成させる。 【構成】 半導体基板上に形成したＣｕ膜２５を、以下
の条件で反応性イオンエッチングする。 エッチングガス：ヨウ化メチル（１００SCCM），圧力：
０．０２Ｔｏｒｒ，ＲＦパワー：２５０Ｗ，基板温度：
１７０℃ このようなエッチングにより、銅はヨウ素又はヨウ素ラ
ジカルと反応しヨウ化銅となりエッチングされる。ま
た、ヨウ化メチルに含まれるカーボンは配線側壁に付着
して保護膜として作用するが、マイクロ波ダウンフロー
アッシング装置を用いてレジスト除去する際に除去する
ことができる。このようなエッチングにより、精高の良
い銅膜のエッチングが達成できる。
高選択比で行なうことを達成させる。 【構成】 半導体基板上に形成したＣｕ膜２５を、以下
の条件で反応性イオンエッチングする。 エッチングガス：ヨウ化メチル（１００SCCM），圧力：
０．０２Ｔｏｒｒ，ＲＦパワー：２５０Ｗ，基板温度：
１７０℃ このようなエッチングにより、銅はヨウ素又はヨウ素ラ
ジカルと反応しヨウ化銅となりエッチングされる。ま
た、ヨウ化メチルに含まれるカーボンは配線側壁に付着
して保護膜として作用するが、マイクロ波ダウンフロー
アッシング装置を用いてレジスト除去する際に除去する
ことができる。このようなエッチングにより、精高の良
い銅膜のエッチングが達成できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、銅膜のエッチング方
法に関し、更に詳しくは、半導体装置に用いられる銅配
線のドライエッチングによる形成方法に係わる。
法に関し、更に詳しくは、半導体装置に用いられる銅配
線のドライエッチングによる形成方法に係わる。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年、
ＬＳＩの高集積化に伴い電極配線は、微細化傾向にあ
る。電極配線材料としては、ＡｌあるいはＡｌ合金が多
用されているが、線幅が減少するにつれてエレクトロマ
イグレーションが激しく、信頼性を保証することが難し
くなってきている。そこで、Ａｌに代わる配線材料とし
て、Ｍｏ，Ｗなどの高融点金属が試されているが、その
抵抗はバルクでＡｌの２倍以上と高く、薄膜ではさらに
高い。従って、エレクトロマイグレーションに強く、低
抵抗な材料が要求されている。そこで、Ａｌに代わる配
線材料としてＣｕを用いることが考えられている。この
Ｃｕは、低抵抗でエレクトロマイグレーションに強く、
微細デバイスを可能にする。
ＬＳＩの高集積化に伴い電極配線は、微細化傾向にあ
る。電極配線材料としては、ＡｌあるいはＡｌ合金が多
用されているが、線幅が減少するにつれてエレクトロマ
イグレーションが激しく、信頼性を保証することが難し
くなってきている。そこで、Ａｌに代わる配線材料とし
て、Ｍｏ，Ｗなどの高融点金属が試されているが、その
抵抗はバルクでＡｌの２倍以上と高く、薄膜ではさらに
高い。従って、エレクトロマイグレーションに強く、低
抵抗な材料が要求されている。そこで、Ａｌに代わる配
線材料としてＣｕを用いることが考えられている。この
Ｃｕは、低抵抗でエレクトロマイグレーションに強く、
微細デバイスを可能にする。
【０００３】しかしながら、Ｃｕ配線がこれまでにデバ
イスに適用されなかった理由の一つは、ドライエッチン
グが困難であったためであった。従来のＣｕ膜のエッチ
ング技術としては、硝酸，過硫酸アンモニウムさらに塩
化鉄含有の塩酸溶液等でエッチングする方法と、Ａｒイ
オンビームを用いたエッチングがある（第４７回秋季応
用物理学会予稿集３０ｐ−Ｎ−１２，第５１３頁１９８
６）。前者はアンダーカットが生じて微細加工に向か
ず、後者は低エッチングレート，下地へのダメージ，レ
ジストとの選択比が少ない等の問題を生じていた。
イスに適用されなかった理由の一つは、ドライエッチン
グが困難であったためであった。従来のＣｕ膜のエッチ
ング技術としては、硝酸，過硫酸アンモニウムさらに塩
化鉄含有の塩酸溶液等でエッチングする方法と、Ａｒイ
オンビームを用いたエッチングがある（第４７回秋季応
用物理学会予稿集３０ｐ−Ｎ−１２，第５１３頁１９８
６）。前者はアンダーカットが生じて微細加工に向か
ず、後者は低エッチングレート，下地へのダメージ，レ
ジストとの選択比が少ない等の問題を生じていた。
【０００４】また、特開平２−８３９３０号公報には、
Ｃｕの異方性エッチングについて開示されており、エッ
チングガスとして、Ａｒ＋ＣＣｌ4を用いている。Ａｒ
によって物理的スパッタでＣｕ膜を叩くため、基板への
ダメージが入ることと、十分な選択比がとれないという
問題がある。さらに、側壁保護膜として、塩化銅が形成
されるとしているが、この塩素が内部に進行して反応す
るため、サブミクロン領域での加工精度は低いものとな
る。
Ｃｕの異方性エッチングについて開示されており、エッ
チングガスとして、Ａｒ＋ＣＣｌ4を用いている。Ａｒ
によって物理的スパッタでＣｕ膜を叩くため、基板への
ダメージが入ることと、十分な選択比がとれないという
問題がある。さらに、側壁保護膜として、塩化銅が形成
されるとしているが、この塩素が内部に進行して反応す
るため、サブミクロン領域での加工精度は低いものとな
る。
【０００５】本発明は、このような従来の問題点に着目
して創案されたものであり、下地へのダメージが無く、
選択比も十分に有し、側壁保護効果を伴なう銅膜のエッ
チング方法を得んとするものである。
して創案されたものであり、下地へのダメージが無く、
選択比も十分に有し、側壁保護効果を伴なう銅膜のエッ
チング方法を得んとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】そこで、請求項１記載の
発明は、分子中に、ヨウ素（Ｉ）と炭素（Ｃ）を含むガ
スを、エッチングガスとして用いて銅膜をエッチングす
ることを、その解決方法としている。
発明は、分子中に、ヨウ素（Ｉ）と炭素（Ｃ）を含むガ
スを、エッチングガスとして用いて銅膜をエッチングす
ることを、その解決方法としている。
【０００７】請求項２記載の発明は、ヨウ素（Ｉ）を含
むガス及び炭素（Ｃ）を含むガスを、エッチングガスと
して用いて銅膜をエッチングすることを、その解決方法
としている。
むガス及び炭素（Ｃ）を含むガスを、エッチングガスと
して用いて銅膜をエッチングすることを、その解決方法
としている。
【０００８】
【作用】本発明では精度の高い銅膜のドライエッチング
を達成するために、反応ガスに分子中にヨウ素（Ｉ）と
炭素（Ｃ）を含むアルキル・ヨーダイドを用いたＲＩＥ
技術によって行う。アルキル・ヨーダイドは、アルキル
基とヨウ素との化合物である。
を達成するために、反応ガスに分子中にヨウ素（Ｉ）と
炭素（Ｃ）を含むアルキル・ヨーダイドを用いたＲＩＥ
技術によって行う。アルキル・ヨーダイドは、アルキル
基とヨウ素との化合物である。
【０００９】このアルキル・ヨーダイドとしては、例え
ば、ヨウ化メチル（ＣＨ3Ｉ），ヨウ化メチル（Ｃ2Ｈ5
Ｉ），ヨウ化プロピル（Ｃ3Ｈ7Ｉ），ヨウ化プチル（Ｃ
4Ｈ9Ｉ），ヨウ化アルミ（Ｃ5Ｈ11Ｉ），ヨウ化ヘキシ
ル（Ｃ5Ｈ13Ｉ）等がある。
ば、ヨウ化メチル（ＣＨ3Ｉ），ヨウ化メチル（Ｃ2Ｈ5
Ｉ），ヨウ化プロピル（Ｃ3Ｈ7Ｉ），ヨウ化プチル（Ｃ
4Ｈ9Ｉ），ヨウ化アルミ（Ｃ5Ｈ11Ｉ），ヨウ化ヘキシ
ル（Ｃ5Ｈ13Ｉ）等がある。
【００１０】このようなドライエッチングにおいて、エ
ッチング中に、銅はヨウ素イオンあるいはヨウ素ラジカ
ルと反応しヨウ化銅を形成する。また、基板を１５０℃
以上に加熱すると、反応生成物の基板からの離脱が促進
される。そして、エッチング中にアルキル・ヨーダイド
に含まれるカーボンが配線側壁に付着する。このカーボ
ン付着によって側壁が保護され異方性エッチングが成さ
れる。
ッチング中に、銅はヨウ素イオンあるいはヨウ素ラジカ
ルと反応しヨウ化銅を形成する。また、基板を１５０℃
以上に加熱すると、反応生成物の基板からの離脱が促進
される。そして、エッチング中にアルキル・ヨーダイド
に含まれるカーボンが配線側壁に付着する。このカーボ
ン付着によって側壁が保護され異方性エッチングが成さ
れる。
【００１１】図３にヨウ化銅の蒸気圧曲線を示す。例え
ば１０-2Ｔｏｒｒの圧力下では、２９０℃でヨウ化銅は
蒸発する。反応性イオンエッチング中に基板表面では加
熱による温度の他に、イオン照射による温度上昇がある
ため、実際に基板を加熱する温度は２９０℃は必要でな
く、１５０℃以上であれば良い。
ば１０-2Ｔｏｒｒの圧力下では、２９０℃でヨウ化銅は
蒸発する。反応性イオンエッチング中に基板表面では加
熱による温度の他に、イオン照射による温度上昇がある
ため、実際に基板を加熱する温度は２９０℃は必要でな
く、１５０℃以上であれば良い。
【００１２】また、アルキル・ヨーダイド以外の、ヨウ
素と炭素を含むエッチングガスを用いても、同様の作用
を得ることは可能である。
素と炭素を含むエッチングガスを用いても、同様の作用
を得ることは可能である。
【００１３】さらに、請求項２記載の発明は、ヨウ素を
含むガスと炭素を含むガスを混合して用いることによ
り、銅はヨウ素イオン若しくはヨウ素ラジカルと反応し
て、ヨウ化銅を形成し、炭素を含むガスから炭素が側壁
に付着し、保護膜として作用し、異方性加工を可能にす
る。
含むガスと炭素を含むガスを混合して用いることによ
り、銅はヨウ素イオン若しくはヨウ素ラジカルと反応し
て、ヨウ化銅を形成し、炭素を含むガスから炭素が側壁
に付着し、保護膜として作用し、異方性加工を可能にす
る。
【００１４】
【実施例】以下、本発明に係る銅膜のエッチング方法の
詳細を図面に示す実施例に基づいて説明する。
詳細を図面に示す実施例に基づいて説明する。
【００１５】（実施例１）以下に本発明の実施例１を説
明する。図２は、本発明で用いるＲＩＥ装置の略図であ
る。図において、１１は真空チャンバー、１２は試料
台、１３は内部ヒーター、１４は対向電極、１５はガス
導入管、１６は排気管、１７はＲＦ電源を示す。通常の
ＲＩＥ装置であるが、ガス系としてヨウ化メチルを用い
る。基板側の電極には内部ヒーター１３が組み込まれて
おり、基板を加熱することが出来る。排気はターボ分子
ポンプを用いる。以下にエッチング条件の一例を示す。
明する。図２は、本発明で用いるＲＩＥ装置の略図であ
る。図において、１１は真空チャンバー、１２は試料
台、１３は内部ヒーター、１４は対向電極、１５はガス
導入管、１６は排気管、１７はＲＦ電源を示す。通常の
ＲＩＥ装置であるが、ガス系としてヨウ化メチルを用い
る。基板側の電極には内部ヒーター１３が組み込まれて
おり、基板を加熱することが出来る。排気はターボ分子
ポンプを用いる。以下にエッチング条件の一例を示す。
【００１６】 ○ガス…ヨウ化メチル１００SCCM ○圧力…０．０２Ｔｏｒｒ ○ＲＦパワー…２５０Ｗ ○基板温度…１７０℃ 上記のエッチング条件でＣｕをエッチングすると、約
０．３μｍ／分のエッチンググレートが得られる。エッ
チングレートを高めるためには、ＲＦパワーを上げれば
よい。
０．３μｍ／分のエッチンググレートが得られる。エッ
チングレートを高めるためには、ＲＦパワーを上げれば
よい。
【００１７】以下、図１を参照してＣｕのエッチング過
程を説明する。図１（Ａ）において、所定の素子を形成
した半導体基板２１にＳｉＯ2膜２２を形成したのちコ
ンタクトホールを開孔し、コンタクトホールの自然酸化
膜を除去したのち、ＤＣマグネトロンスパッタ法でＣｕ
膜２５，ＴｉＮ膜２４，Ｔｉ膜２３の三層膜を図のよう
に連続形成する。ここでＴｉＮ膜２４は銅の拡散バリア
メタルとして働き、Ｔｉ膜２３はコンタクトホールでオ
ーミック接触をとるために用いる。それぞれの膜厚は、
Ｃｕ膜２５が５０００Å，ＴｉＮ膜２４が１０００Å，
Ｔｉ膜２３が２５０Åとする。Ｃｕ膜２５，ＴｉＮ膜２
４，Ｔｉ膜２３の三層膜の膜厚は推奨値を示したもので
ありこれに一致する必要はない。次に、通常のフォトリ
ソグラフィー技術を用いてＣｕ銅膜２５上にレジストパ
ターン２６を形成する。図１（Ｂ）はエッチング中の状
態を示している。上述したように、エッチング中にＣｕ
はヨウ素イオンあるいはヨウ素ラジカルと反応しヨウ化
銅を形成する。基板を１５０℃以上に加熱することによ
ってヨウ化銅が基板から離脱し、エッチングがなされ
る。アルキル・ヨーダイド（実施例ではＣＨ3Ｉ）はカ
ーボンを含むガスであるから、エッチング中にカーボン
が配線側壁に付着し、側壁保護膜２７を形成する。図１
（Ｃ）はエッチング後の状態を示している。カーボンは
銅配線の側壁だけでなくレジストの側壁にも付着する。
こうして断面矩形性を有するＣｕ配線が得られる。次
に、レジストアッシング技術によってレジストを剥離す
る。銅は酸化されやすい物質であるため、アッシングは
低温で処理できるマイクロ波ダウンフローアッシング装
置を用いる。酸素３００SCCM，圧力２Ｔｏｒｒ，基板温
度１５０℃，マイクロ波パワー４００Ｗでレジストは除
去される。レジストの除去時に配線側壁に付着したカー
ボンを除去することが出来る（図１（Ｄ）参照）。
程を説明する。図１（Ａ）において、所定の素子を形成
した半導体基板２１にＳｉＯ2膜２２を形成したのちコ
ンタクトホールを開孔し、コンタクトホールの自然酸化
膜を除去したのち、ＤＣマグネトロンスパッタ法でＣｕ
膜２５，ＴｉＮ膜２４，Ｔｉ膜２３の三層膜を図のよう
に連続形成する。ここでＴｉＮ膜２４は銅の拡散バリア
メタルとして働き、Ｔｉ膜２３はコンタクトホールでオ
ーミック接触をとるために用いる。それぞれの膜厚は、
Ｃｕ膜２５が５０００Å，ＴｉＮ膜２４が１０００Å，
Ｔｉ膜２３が２５０Åとする。Ｃｕ膜２５，ＴｉＮ膜２
４，Ｔｉ膜２３の三層膜の膜厚は推奨値を示したもので
ありこれに一致する必要はない。次に、通常のフォトリ
ソグラフィー技術を用いてＣｕ銅膜２５上にレジストパ
ターン２６を形成する。図１（Ｂ）はエッチング中の状
態を示している。上述したように、エッチング中にＣｕ
はヨウ素イオンあるいはヨウ素ラジカルと反応しヨウ化
銅を形成する。基板を１５０℃以上に加熱することによ
ってヨウ化銅が基板から離脱し、エッチングがなされ
る。アルキル・ヨーダイド（実施例ではＣＨ3Ｉ）はカ
ーボンを含むガスであるから、エッチング中にカーボン
が配線側壁に付着し、側壁保護膜２７を形成する。図１
（Ｃ）はエッチング後の状態を示している。カーボンは
銅配線の側壁だけでなくレジストの側壁にも付着する。
こうして断面矩形性を有するＣｕ配線が得られる。次
に、レジストアッシング技術によってレジストを剥離す
る。銅は酸化されやすい物質であるため、アッシングは
低温で処理できるマイクロ波ダウンフローアッシング装
置を用いる。酸素３００SCCM，圧力２Ｔｏｒｒ，基板温
度１５０℃，マイクロ波パワー４００Ｗでレジストは除
去される。レジストの除去時に配線側壁に付着したカー
ボンを除去することが出来る（図１（Ｄ）参照）。
【００１８】本実施例においてはレジストをエッチング
マスクとして用いたが、エッチングレートを高める為
に、基板温度を更に高温にする必要があれば、シリコン
酸化膜あるいはシリコン窒化膜等の耐熱性をもったマス
クを用いてもよい。
マスクとして用いたが、エッチングレートを高める為
に、基板温度を更に高温にする必要があれば、シリコン
酸化膜あるいはシリコン窒化膜等の耐熱性をもったマス
クを用いてもよい。
【００１９】（実施例２）銅のエッチングガスとしてア
ルキル・ヨーダイドにカーボンを含むガスを添加した例
を説明する。以下にエッチング条件を示す。
ルキル・ヨーダイドにカーボンを含むガスを添加した例
を説明する。以下にエッチング条件を示す。
【００２０】 ○ガス…ＣＨ3Ｉ（７０SCCM）＋ＣＨ4（３０SCCM） ○圧力…０．０２Ｔｏｒｒ ＲＦパワー…２５０Ｗ 基板温度…１７０℃ 上記条件で約０．２μｍ／分のエッチングレートが得ら
れる。この際の側壁保護膜の形成メカニズムは実施例１
と同様であるが、ＣＨ4の添加により実施例１（ＣＨ3Ｉ
単独）よりもガス中のカーボン濃度が高くなるため側壁
保護膜が強固に形成される。０．３μｍ以下の配線幅の
エッチングにおいて有用である。添加するカーボンを含
むガスは、ＣＨ4以外にＣＨＦ3，ＣＦ4，Ｃ2Ｆ5等が良
い。
れる。この際の側壁保護膜の形成メカニズムは実施例１
と同様であるが、ＣＨ4の添加により実施例１（ＣＨ3Ｉ
単独）よりもガス中のカーボン濃度が高くなるため側壁
保護膜が強固に形成される。０．３μｍ以下の配線幅の
エッチングにおいて有用である。添加するカーボンを含
むガスは、ＣＨ4以外にＣＨＦ3，ＣＦ4，Ｃ2Ｆ5等が良
い。
【００２１】（実施例３）銅のエッチングガスとしてア
ルキル・ヨーダイドを不活性ガスで希釈した例を説明す
る。以下に、エッチング条件を示す。
ルキル・ヨーダイドを不活性ガスで希釈した例を説明す
る。以下に、エッチング条件を示す。
【００２２】 ○ガス…ＣＨ3Ｉ（３０SCCM）＋Ｎ2（７０SCCM） ○圧力…０．０２Ｔｏｒｒ ○ＲＦパワー…４００Ｗ ○基板温度…１５０℃ 上記条件で約０．３μｍ／分エッチングレートが得られ
る。窒素の希釈によって、アルキル・ヨーダイドと銅の
反応性は低下するが、物理的スパッタエッチングの要素
が高まり、ヨウ素イオンは基板に垂直に入射する。希釈
によって、反応ガス中のカーボン濃度が低くなるため、
側壁保護膜は上記実施例１に比べて薄くなるが、先に述
べたようにイオンの垂直入射成分が多いため銅は垂直に
エッチングされる。この実施例ではイオンエネルギーを
高めるためにＲＦパワーを４００Ｗに上げた。さらに、
エッチングは主として物理的スパッタエッチングによっ
てなされるため基板加熱温度を下げることができる。レ
ジストの耐熱性を考えると低温であればあるほど、精度
のよいエッチングができるわけである。０．３μｍ以下
の配線幅のエッチングにおいて有用である。希釈するガ
スはＮ2以外にＡｉ，Ｈｅ，Ｎｅ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｒｎ等
が良い。
る。窒素の希釈によって、アルキル・ヨーダイドと銅の
反応性は低下するが、物理的スパッタエッチングの要素
が高まり、ヨウ素イオンは基板に垂直に入射する。希釈
によって、反応ガス中のカーボン濃度が低くなるため、
側壁保護膜は上記実施例１に比べて薄くなるが、先に述
べたようにイオンの垂直入射成分が多いため銅は垂直に
エッチングされる。この実施例ではイオンエネルギーを
高めるためにＲＦパワーを４００Ｗに上げた。さらに、
エッチングは主として物理的スパッタエッチングによっ
てなされるため基板加熱温度を下げることができる。レ
ジストの耐熱性を考えると低温であればあるほど、精度
のよいエッチングができるわけである。０．３μｍ以下
の配線幅のエッチングにおいて有用である。希釈するガ
スはＮ2以外にＡｉ，Ｈｅ，Ｎｅ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｒｎ等
が良い。
【００２３】以上、実施例について説明したが、本発明
は、これらに限定されるものではなく、構成の要旨に付
随する各種の設計変更が可能である。
は、これらに限定されるものではなく、構成の要旨に付
随する各種の設計変更が可能である。
【００２４】上記実施例の他に、例えば、ヨソ化水素
（ＨＩ）と四フッ化炭素（ＣＦ4）を用いて、反応性イ
オンエッチングを行なってもよい。この場合、例えば、
基板温度１７０℃，ＨＩの流量１００SCCM，ＣＦ4の流
量１００SCCM，圧力０．０２Ｔｏｒｒ，ＲＦ電力２５０
Ｗの条件で、約０．２〜０．４μｍ／分のエッチングレ
ートが得られる。また、このエッチングメカニズムは、
上記実施例と同様である。
（ＨＩ）と四フッ化炭素（ＣＦ4）を用いて、反応性イ
オンエッチングを行なってもよい。この場合、例えば、
基板温度１７０℃，ＨＩの流量１００SCCM，ＣＦ4の流
量１００SCCM，圧力０．０２Ｔｏｒｒ，ＲＦ電力２５０
Ｗの条件で、約０．２〜０．４μｍ／分のエッチングレ
ートが得られる。また、このエッチングメカニズムは、
上記実施例と同様である。
【００２５】また、本発明により形成される銅膜の下地
に高融点金属を形成することにより、エレクトロマイグ
レーション耐性を、さらに高めることが可能となる。
に高融点金属を形成することにより、エレクトロマイグ
レーション耐性を、さらに高めることが可能となる。
【００２６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、以下のような効果が得られる。
によれば、以下のような効果が得られる。
【００２７】銅とアルキル・ヨーダイドとの反応により
ヨウ化銅（Ｃｕ2Ｉ2）が生成し銅のドライエッチングが
可能となる効果がある。
ヨウ化銅（Ｃｕ2Ｉ2）が生成し銅のドライエッチングが
可能となる効果がある。
【００２８】基板加熱を行うと反応・離脱が促進されて
高エッチレートが得られる効果がある。
高エッチレートが得られる効果がある。
【００２９】化学的反応性が高いため物理的スパッタエ
ッチング等と異なり、銅と下地の酸化膜との高いエッチ
ング選択比を得ることができる。
ッチング等と異なり、銅と下地の酸化膜との高いエッチ
ング選択比を得ることができる。
【００３０】アルキル・ヨーダイドのカーボンによって
側壁保護効果が生じ垂直形状をもつ銅配線が得られる。
側壁保護効果が生じ垂直形状をもつ銅配線が得られる。
【００３１】レジストとの選択比も高く、精度良くエッ
チング出来、０．３５ミクロンルールでの銅配線の適用
が可能となる。
チング出来、０．３５ミクロンルールでの銅配線の適用
が可能となる。
【００３２】銅配線の実用化が可能となり、Ｃｕのもつ
高いポテンシャルによって高信頼性の高密度デバイスの
実現が可能となる。
高いポテンシャルによって高信頼性の高密度デバイスの
実現が可能となる。
【図１】（Ａ）〜（Ｄ）は本発明の実施例の工程を示す
断面図。
断面図。
【図２】実施例で用いたＲＩＥ装置の説明図。
【図３】ヨウ化銅の蒸気圧曲線を示すグラフ。
２１…半導体基板、２２…ＳｉＯ2膜、２３…Ｔｉ膜、
２４…ＴｉＮ膜、２５…Ｃｕ膜、２７…側壁保護膜。
２４…ＴｉＮ膜、２５…Ｃｕ膜、２７…側壁保護膜。
Claims (2)
- 【請求項１】 分子中に、ヨウ素（Ｉ）と炭素（Ｃ）を
含むガスを、エッチングガスとして用いて銅膜をエッチ
ングすることを特徴とする銅膜のエッチング方法。 - 【請求項２】 ヨウ素（Ｉ）を含むガス及び炭素（Ｃ）
を含むガスを、エッチングガスとして用いて銅膜をエッ
チングすることを特徴とする銅膜のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26360091A JP3191344B2 (ja) | 1991-10-11 | 1991-10-11 | 銅膜のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26360091A JP3191344B2 (ja) | 1991-10-11 | 1991-10-11 | 銅膜のエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05102094A true JPH05102094A (ja) | 1993-04-23 |
| JP3191344B2 JP3191344B2 (ja) | 2001-07-23 |
Family
ID=17391797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26360091A Expired - Fee Related JP3191344B2 (ja) | 1991-10-11 | 1991-10-11 | 銅膜のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3191344B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05171471A (ja) * | 1991-12-17 | 1993-07-09 | Nec Corp | ３ｄ遷移金属を含む物質のエッチング方法 |
| US5780359A (en) * | 1995-12-11 | 1998-07-14 | Applied Materials, Inc. | Polymer removal from top surfaces and sidewalls of a semiconductor wafer |
| KR100450128B1 (ko) * | 2002-06-20 | 2004-09-30 | 동부전자 주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 |
| JP2012169657A (ja) * | 2007-07-05 | 2012-09-06 | Imec | 銅の光子誘起除去 |
-
1991
- 1991-10-11 JP JP26360091A patent/JP3191344B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05171471A (ja) * | 1991-12-17 | 1993-07-09 | Nec Corp | ３ｄ遷移金属を含む物質のエッチング方法 |
| US5780359A (en) * | 1995-12-11 | 1998-07-14 | Applied Materials, Inc. | Polymer removal from top surfaces and sidewalls of a semiconductor wafer |
| KR100450128B1 (ko) * | 2002-06-20 | 2004-09-30 | 동부전자 주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 |
| JP2012169657A (ja) * | 2007-07-05 | 2012-09-06 | Imec | 銅の光子誘起除去 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3191344B2 (ja) | 2001-07-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5277750A (en) | Method for anisotropic dry etching of metallization layers, containing aluminum or aluminum alloys, in integrated semiconductor circuits | |
| US5007982A (en) | Reactive ion etching of silicon with hydrogen bromide | |
| US5397432A (en) | Method for producing semiconductor integrated circuits and apparatus used in such method | |
| US6489247B1 (en) | Copper etch using HCl and HBR chemistry | |
| EP0497023A1 (en) | Process for anisotropic etching of thin films | |
| JP3170791B2 (ja) | Ａｌ系材料膜のエッチング方法 | |
| KR100493486B1 (ko) | 개선된 전도층 엣칭방법 및 장치 | |
| JP3318801B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| KR970001203B1 (ko) | 폴리실리콘 막 에칭 방법 | |
| JP3381076B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JP2891952B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3067737B2 (ja) | 酸化バナジウム膜のプラズマエッチング方法 | |
| JP3191344B2 (ja) | 銅膜のエッチング方法 | |
| US5277757A (en) | Dry etching method | |
| JPH04350939A (ja) | 銅配線の形成方法 | |
| JP2006228986A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3082396B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3353462B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPH0513534B2 (ja) | ||
| JP3696655B2 (ja) | 配線形成方法 | |
| JP3326868B2 (ja) | アルミニウム系パターンの形成方法 | |
| US6461971B1 (en) | Method of residual resist removal after etching of aluminum alloy filmsin chlorine containing plasma | |
| JPH07263426A (ja) | 積層配線のドライエッチング方法 | |
| JPH10116830A (ja) | 配線形成方法 | |
| JPH07273120A (ja) | 半導体基板の処理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090525 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |