JPH07263426A - 積層配線のドライエッチング方法 - Google Patents
積層配線のドライエッチング方法Info
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- JPH07263426A JPH07263426A JP5616594A JP5616594A JPH07263426A JP H07263426 A JPH07263426 A JP H07263426A JP 5616594 A JP5616594 A JP 5616594A JP 5616594 A JP5616594 A JP 5616594A JP H07263426 A JPH07263426 A JP H07263426A
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- layer
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- etched
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ａｌ層上にＷ層が形成された、マイグレーシ
ョン耐性に優れた積層配線を、スループット低下や汚染
の発生なく異方性エッチングする。 【構成】 Ｗ等の高融点金属層４をイオウまたはポリチ
アジルの側壁保護膜７を形成しながらパターニング後、
Ａｌ系金属層３を同一装置内で連続的にエッチングす
る。 【効果】 側壁保護膜の効果により、特別の基板冷却を
用いることなしにＦ* によるサイドエッチングを防止で
きる。続けて基板温度を切り替えることなしにＡｌ系金
属層をエッチングするので、エッチングレートの確保が
できる。エッチング終了後は側壁保護膜は昇華除去でき
るので、パーティクル汚染の虞れがない。エッチングレ
ートのパターン密度依存性もなく均一にエッチングでき
る。
ョン耐性に優れた積層配線を、スループット低下や汚染
の発生なく異方性エッチングする。 【構成】 Ｗ等の高融点金属層４をイオウまたはポリチ
アジルの側壁保護膜７を形成しながらパターニング後、
Ａｌ系金属層３を同一装置内で連続的にエッチングす
る。 【効果】 側壁保護膜の効果により、特別の基板冷却を
用いることなしにＦ* によるサイドエッチングを防止で
きる。続けて基板温度を切り替えることなしにＡｌ系金
属層をエッチングするので、エッチングレートの確保が
できる。エッチング終了後は側壁保護膜は昇華除去でき
るので、パーティクル汚染の虞れがない。エッチングレ
ートのパターン密度依存性もなく均一にエッチングでき
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置等に用いる内
部配線のドライエッチング方法に関し、更に詳しくはＡ
ｌ系金属層上に高融点金属層が形成された構造を含む積
層配線のドライエッチング方法に関する。
部配線のドライエッチング方法に関し、更に詳しくはＡ
ｌ系金属層上に高融点金属層が形成された構造を含む積
層配線のドライエッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ等の半導体装置のデザインルール
がハーフミクロンからクォータミクロンのレベルへと微
細化されるに伴い、内部配線のパターン幅も縮小されつ
つある。従来内部配線材料として、低抵抗のＡｌやＡｌ
系合金が多く用いられてきたが、かかる配線幅の減少に
より、エレクトロマイグレーションやストレスマイグレ
ーションによる断線が発生し、デバイス信頼性の上で大
きな問題となってきている。
がハーフミクロンからクォータミクロンのレベルへと微
細化されるに伴い、内部配線のパターン幅も縮小されつ
つある。従来内部配線材料として、低抵抗のＡｌやＡｌ
系合金が多く用いられてきたが、かかる配線幅の減少に
より、エレクトロマイグレーションやストレスマイグレ
ーションによる断線が発生し、デバイス信頼性の上で大
きな問題となってきている。
【０００３】このような各種マイグレーションの対策の
１つとして、Ａｌ−ＣｕやＡｌ−Ｓｉ−ＣｕのようにＣ
ｕ等の低抵抗金属との合金化や、ＴｉＮ等のバリアメタ
ルとの積層化等の方法が採用されている。また近年で
は、より効果的な配線構造としてＷ、ＭｏやＴａ等の高
融点金属やその合金、化合物等、導電性がありかつ高剛
性の配線層をＡｌ系金属層の上層に形成した積層配線が
検討されている。Ｗ等の高融点金属は、Ａｌ系金属に比
較して著しくエレクトロマイグレーション耐性が高いこ
とが例えば第３５回応用物理学関係連合講演会（１９８
８年春期年会）講演予稿集ｐ６４２、講演番号２９ｐ−
Ｖ−９に報告があり、広く認識されているところであ
る。ただＷはＡｌに比して電気抵抗が高く、単層では使
いづらいことから両者を組み合わせ、たとえＡｌ系金属
層が断線しても上層の高融点金属層が存在するので、そ
の冗長効果により配線層全体としては断線を回避しうる
という考え方に基づいている。なかでもＷを用いる場合
は、高融点金属層の中では比較的低抵抗の材料であり、
ブランケットＣＶＤによる成膜法が確立されていること
から、今後の高信頼性積層配線構造として期待される。
１つとして、Ａｌ−ＣｕやＡｌ−Ｓｉ−ＣｕのようにＣ
ｕ等の低抵抗金属との合金化や、ＴｉＮ等のバリアメタ
ルとの積層化等の方法が採用されている。また近年で
は、より効果的な配線構造としてＷ、ＭｏやＴａ等の高
融点金属やその合金、化合物等、導電性がありかつ高剛
性の配線層をＡｌ系金属層の上層に形成した積層配線が
検討されている。Ｗ等の高融点金属は、Ａｌ系金属に比
較して著しくエレクトロマイグレーション耐性が高いこ
とが例えば第３５回応用物理学関係連合講演会（１９８
８年春期年会）講演予稿集ｐ６４２、講演番号２９ｐ−
Ｖ−９に報告があり、広く認識されているところであ
る。ただＷはＡｌに比して電気抵抗が高く、単層では使
いづらいことから両者を組み合わせ、たとえＡｌ系金属
層が断線しても上層の高融点金属層が存在するので、そ
の冗長効果により配線層全体としては断線を回避しうる
という考え方に基づいている。なかでもＷを用いる場合
は、高融点金属層の中では比較的低抵抗の材料であり、
ブランケットＣＶＤによる成膜法が確立されていること
から、今後の高信頼性積層配線構造として期待される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ａｌ系
金属層上にＷ等の高融点金属層を形成した構造を含む積
層配線のパターニングは、異なる複数の材料層に対し共
に異方性加工を施す必要があることから、ドライエッチ
ングプロセスに新たな困難をもたらした。すなわち、エ
ッチング反応生成物であるハロゲン化物の蒸気圧の差に
より、Ｗ層はＦ系ガスで、Ａｌ系金属層はＣｌ系ガスに
切り替えてパターニングを行っている。このエッチング
ガスの切り替えに基づくプロセス上の問題点を図２
（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する。
金属層上にＷ等の高融点金属層を形成した構造を含む積
層配線のパターニングは、異なる複数の材料層に対し共
に異方性加工を施す必要があることから、ドライエッチ
ングプロセスに新たな困難をもたらした。すなわち、エ
ッチング反応生成物であるハロゲン化物の蒸気圧の差に
より、Ｗ層はＦ系ガスで、Ａｌ系金属層はＣｌ系ガスに
切り替えてパターニングを行っている。このエッチング
ガスの切り替えに基づくプロセス上の問題点を図２
（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する。
【０００５】まず図２（ａ）に示すように、半導体基板
１上の絶縁膜２上にＡｌ系金属層３、高融点金属層４、
反射防止層５をこの順に被着し、パターニング用のレジ
ストマスク６を形成する。次にＦ系エッチングガスによ
り、反射防止層５と高融点金属層４をエッチングする。
このときエッチングのスループット向上のため、Ｆラジ
カル（Ｆ* ）を主体とするラジカルモードのエッチング
を施すと、図２（ｂ）に示すように高融点金属層４にサ
イドエッチングが入る。続けてＣｌ系ガスに切り替えて
Ａｌ系金属層３をエッチングし、図２（ｃ）に示すよう
に積層配線のパターニングを完了するのである。
１上の絶縁膜２上にＡｌ系金属層３、高融点金属層４、
反射防止層５をこの順に被着し、パターニング用のレジ
ストマスク６を形成する。次にＦ系エッチングガスによ
り、反射防止層５と高融点金属層４をエッチングする。
このときエッチングのスループット向上のため、Ｆラジ
カル（Ｆ* ）を主体とするラジカルモードのエッチング
を施すと、図２（ｂ）に示すように高融点金属層４にサ
イドエッチングが入る。続けてＣｌ系ガスに切り替えて
Ａｌ系金属層３をエッチングし、図２（ｃ）に示すよう
に積層配線のパターニングを完了するのである。
【０００６】高融点金属層４のサイドエッチングは、特
にサブハーフミクロン以下の微細な設計ルールにおいて
は、配線抵抗値の設計値からの乖離や層間絶縁膜のステ
ップカバリッジの悪化、あるいはストレスマイグレーシ
ョン耐性の低下等様々な問題を含んでいる。サイドエッ
チング防止には、被エッチング基板を例えばマイナス数
十℃に低温冷却しラジカル反応を抑制することが効果的
である。しかし低温エッチングは、下層のＡｌ系金属層
のエッチングも含め、エッチングプロセス全体のレート
を下げ、スループットの低下を招く結果となる。基板ス
テージの温度制御を２段階とし、高融点金属層３は低温
で、Ａｌ系金属層３はプラス数十℃に昇温してエッチン
グすればエッチングレートの問題は解決するが、昇温／
降温のサイクルに時間をとられる別の問題が生じる。現
在の高精度ドライエッチング装置の主流である枚葉式ド
ライエッチング装置においてはこの問題は無視できな
い。
にサブハーフミクロン以下の微細な設計ルールにおいて
は、配線抵抗値の設計値からの乖離や層間絶縁膜のステ
ップカバリッジの悪化、あるいはストレスマイグレーシ
ョン耐性の低下等様々な問題を含んでいる。サイドエッ
チング防止には、被エッチング基板を例えばマイナス数
十℃に低温冷却しラジカル反応を抑制することが効果的
である。しかし低温エッチングは、下層のＡｌ系金属層
のエッチングも含め、エッチングプロセス全体のレート
を下げ、スループットの低下を招く結果となる。基板ス
テージの温度制御を２段階とし、高融点金属層３は低温
で、Ａｌ系金属層３はプラス数十℃に昇温してエッチン
グすればエッチングレートの問題は解決するが、昇温／
降温のサイクルに時間をとられる別の問題が生じる。現
在の高精度ドライエッチング装置の主流である枚葉式ド
ライエッチング装置においてはこの問題は無視できな
い。
【０００７】別の解決策として、個別に温度制御された
専用のエッチング装置を複数台設け、ゲートバルブを介
して被エッチング基板の搬送が可能な連続多室エッチン
グ装置の導入が考えられる。しかしこれは被エッチング
基板の搬送に要する時間、クリンールーム内の設置所要
面積や設備投資コストの面で難点がある。
専用のエッチング装置を複数台設け、ゲートバルブを介
して被エッチング基板の搬送が可能な連続多室エッチン
グ装置の導入が考えられる。しかしこれは被エッチング
基板の搬送に要する時間、クリンールーム内の設置所要
面積や設備投資コストの面で難点がある。
【０００８】そこで本発明の課題は、Ａｌ系金属層上に
高融点金属層が形成された構造を含む積層配線をパター
ニングするドライエッチング方法において、サイドエッ
チングの発生のない形状制御性のすぐれた異方性ドライ
エッチング方法を提供することである。
高融点金属層が形成された構造を含む積層配線をパター
ニングするドライエッチング方法において、サイドエッ
チングの発生のない形状制御性のすぐれた異方性ドライ
エッチング方法を提供することである。
【０００９】また本発明の課題は、単一のエッチングチ
ャンバ内で連続的にパターニング可能であり、スループ
ットにすぐれ、パーティクル汚染の虞れのないクリーン
な上記積層配線の異方性ドライエッチング方法を提供す
ることである。。本発明の上記以外の課題は、本願明細
書および添付図面の説明により明らかにされる。
ャンバ内で連続的にパターニング可能であり、スループ
ットにすぐれ、パーティクル汚染の虞れのないクリーン
な上記積層配線の異方性ドライエッチング方法を提供す
ることである。。本発明の上記以外の課題は、本願明細
書および添付図面の説明により明らかにされる。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のドライエッチン
グ方法は、上述の課題を解決するために発案したもので
あり、Ａｌ系金属層上に高融点金属層が形成された構造
を含む積層配線のドライエッチング方法において、エッ
チングされたパターン側壁にイオウ層を形成しながら高
融点金属層エッチング後、連続的にＡｌ系金属層をエッ
チングするものである。
グ方法は、上述の課題を解決するために発案したもので
あり、Ａｌ系金属層上に高融点金属層が形成された構造
を含む積層配線のドライエッチング方法において、エッ
チングされたパターン側壁にイオウ層を形成しながら高
融点金属層エッチング後、連続的にＡｌ系金属層をエッ
チングするものである。
【００１１】イオウ層は、放電解離条件下でプラズマ中
に遊離のイオウを生成するガス、例えばＳ2 Ｆ2 、ＳＦ
2 、ＳＦ4 およびＳ2 Ｆ10等のフッ化イオウ系ガスの放
電解離により形成する。
に遊離のイオウを生成するガス、例えばＳ2 Ｆ2 、ＳＦ
2 、ＳＦ4 およびＳ2 Ｆ10等のフッ化イオウ系ガスの放
電解離により形成する。
【００１２】また本発明のドライエッチング方法は、Ａ
ｌ系金属層上に高融点金属層が形成された積層配線のド
ライエッチング方法において、エッチングされたパター
ン側壁にポリチアジル層を形成しながら高融点金属層エ
ッチング後、連続的にＡｌ系金属層をエッチングするも
のである。
ｌ系金属層上に高融点金属層が形成された積層配線のド
ライエッチング方法において、エッチングされたパター
ン側壁にポリチアジル層を形成しながら高融点金属層エ
ッチング後、連続的にＡｌ系金属層をエッチングするも
のである。
【００１３】ポリチアジル層は、放電解離条件下でプラ
ズマ中に遊離のイオウを生成するガス、例えばＳ
2 Ｆ2 、ＳＦ2 、ＳＦ4 およびＳ2 Ｆ10等のフッ化イオ
ウ系ガスと、Ｎ系ガスとの放電解離により形成する。Ｎ
系ガスとしては、Ｎ2 、ＮＦ3 およびＮ2 Ｈ4 等を例示
できる。ＮＨ3 ガスは、イオウ系化合物と反応してドラ
イプロセスでは除去困難な硫化アンモニウムを形成する
虞れがあるので好ましくない。
ズマ中に遊離のイオウを生成するガス、例えばＳ
2 Ｆ2 、ＳＦ2 、ＳＦ4 およびＳ2 Ｆ10等のフッ化イオ
ウ系ガスと、Ｎ系ガスとの放電解離により形成する。Ｎ
系ガスとしては、Ｎ2 、ＮＦ3 およびＮ2 Ｈ4 等を例示
できる。ＮＨ3 ガスは、イオウ系化合物と反応してドラ
イプロセスでは除去困難な硫化アンモニウムを形成する
虞れがあるので好ましくない。
【００１４】フッ化イオウ系ガスとして広く用いられて
いるＳＦ6 は、一分子中のフッ素原子とイオウ原子の比
を示すＦ／Ｓ比が６と大きく、プラズマ中に遊離のイオ
ウを生成する効果がないこと、およびプラズマ中に大量
のＦ* を生成しサイドエッチングを誘起する等、本発明
の目的には適合しないものである。
いるＳＦ6 は、一分子中のフッ素原子とイオウ原子の比
を示すＦ／Ｓ比が６と大きく、プラズマ中に遊離のイオ
ウを生成する効果がないこと、およびプラズマ中に大量
のＦ* を生成しサイドエッチングを誘起する等、本発明
の目的には適合しないものである。
【００１５】
【作用】本発明のポイントは、高融点金属層のドライエ
ッチング時にエッチングされたパターン側壁にイオウ層
またはポリチアジル層を形成し、これを側壁保護膜とし
て利用しながらエッチングすることにある。先に挙げた
Ｓ2 Ｆ2 、ＳＦ2 、ＳＦ 4 およびＳ2 Ｆ10等のフッ化イ
オウ系ガスはプラズマ中に遊離のイオウを生成し、これ
を被エッチング基板上に堆積する。Ｎ系ガスのプラズマ
が存在する場合には、プラズマ中にチアジル（ＳＮ）を
最初に形成し、これが次々に重合してポリチアジル（Ｓ
Ｎ）n となり被エッチング基板上に堆積する。
ッチング時にエッチングされたパターン側壁にイオウ層
またはポリチアジル層を形成し、これを側壁保護膜とし
て利用しながらエッチングすることにある。先に挙げた
Ｓ2 Ｆ2 、ＳＦ2 、ＳＦ 4 およびＳ2 Ｆ10等のフッ化イ
オウ系ガスはプラズマ中に遊離のイオウを生成し、これ
を被エッチング基板上に堆積する。Ｎ系ガスのプラズマ
が存在する場合には、プラズマ中にチアジル（ＳＮ）を
最初に形成し、これが次々に重合してポリチアジル（Ｓ
Ｎ）n となり被エッチング基板上に堆積する。
【００１６】一方、プラズマ中に生成するＦ* によるラ
ジカル反応は、ＳＦx + 等のイオン入射にアシストされ
る形で異方性エッチングを進行させる。イオン入射に垂
直面に堆積するイオウ層ないしポリチアジル層は、直ち
にスパッタ除去されるのでエッチングの進行を妨げな
い。イオン入射に平行面、すなわちパターン側面に堆積
したイオウ層ないしポリチアジル層は、イオン入射の影
響を受けづらいので、そのまま残り、側壁保護膜として
機能する。
ジカル反応は、ＳＦx + 等のイオン入射にアシストされ
る形で異方性エッチングを進行させる。イオン入射に垂
直面に堆積するイオウ層ないしポリチアジル層は、直ち
にスパッタ除去されるのでエッチングの進行を妨げな
い。イオン入射に平行面、すなわちパターン側面に堆積
したイオウ層ないしポリチアジル層は、イオン入射の影
響を受けづらいので、そのまま残り、側壁保護膜として
機能する。
【００１７】イオウ層ないしポリチアジル層からなる側
壁保護膜は、Ａｌ系金属層のエッチング時にもそのまま
付着して残り、その機能を果たす。Ａｌ系金属層のエッ
チング終了後は、減圧雰囲気中で被エッチング基板の温
度を上昇すれば、イオウ層ないしポリチアジル層は昇華
し、その痕跡なく除去できるので、パーティクル汚染等
の懸念はない。昇華温度は、イオウは約９０℃以上、ポ
リチアジルでは約１３０℃以上である。
壁保護膜は、Ａｌ系金属層のエッチング時にもそのまま
付着して残り、その機能を果たす。Ａｌ系金属層のエッ
チング終了後は、減圧雰囲気中で被エッチング基板の温
度を上昇すれば、イオウ層ないしポリチアジル層は昇華
し、その痕跡なく除去できるので、パーティクル汚染等
の懸念はない。昇華温度は、イオウは約９０℃以上、ポ
リチアジルでは約１３０℃以上である。
【００１８】これから明らかなように、高融点金属層の
エッチング時には被エッチング基板を昇華温度以下に制
御することがイオウ層ないしポリチアジル層の側壁保護
膜を利用する上で重要な点である。
エッチング時には被エッチング基板を昇華温度以下に制
御することがイオウ層ないしポリチアジル層の側壁保護
膜を利用する上で重要な点である。
【００１９】またイオウ層ないしポリチアジル層による
側壁保護膜は、気相中から供給され堆積するので、被エ
ッチング基板上のレジストマスクのパターン密度に関係
なく均一に形成されるメリットがある。これは、レジス
トの分解生成物によるカーボン系ポリマによる側壁保護
膜が、マイクロローディング効果を起こし易いことに比
較して、有利な点である。
側壁保護膜は、気相中から供給され堆積するので、被エ
ッチング基板上のレジストマスクのパターン密度に関係
なく均一に形成されるメリットがある。これは、レジス
トの分解生成物によるカーボン系ポリマによる側壁保護
膜が、マイクロローディング効果を起こし易いことに比
較して、有利な点である。
【００２０】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例につき添付図面
を参照しながら説明する。
を参照しながら説明する。
【００２１】実施例１ 本実施例は、高融点金属層側面にイオウ層を側壁保護膜
として形成した例であり、このプロセスを図１（ａ）〜
（ｄ）を参照して説明する。なお、図１では従来例の説
明に用いた図２と同様の部分には同じ参照番号を付すも
のとする。
として形成した例であり、このプロセスを図１（ａ）〜
（ｄ）を参照して説明する。なお、図１では従来例の説
明に用いた図２と同様の部分には同じ参照番号を付すも
のとする。
【００２２】まず図１（ａ）に示すように、５インチ径
のＳｉ等の半導体基板１上にＳｉＯ 2 等の絶縁膜２、ス
パッタリングによりＡｌ−１％ＳｉからなるＡｌ系金属
層３、ブランケットＣＶＤによりＷからなる高融点金属
層４、スパッタリングによりＴｉＯＮからなる反射防止
層５を順次形成する。絶縁膜２に形成された図示しない
接続孔により半導体基板１と上層のＡｌ系金属層３が接
続されていてもよい。もちろん半導体基板１は多結晶Ｓ
ｉ等やＡｌ合金等からなる下層配線層であってもよい。
各層の厚さは、例えばＡｌ系金属層３は５００ｎｍ、高
融点金属層４が２００ｎｍ、反射防止層５は３５ｎｍで
ある。なお、反射防止層５は高融点金属層４表面に段差
が形成されている場合に、露光光のハレーションによる
レジストマスク６のパターン精度低下を防ぐために必要
なものである。
のＳｉ等の半導体基板１上にＳｉＯ 2 等の絶縁膜２、ス
パッタリングによりＡｌ−１％ＳｉからなるＡｌ系金属
層３、ブランケットＣＶＤによりＷからなる高融点金属
層４、スパッタリングによりＴｉＯＮからなる反射防止
層５を順次形成する。絶縁膜２に形成された図示しない
接続孔により半導体基板１と上層のＡｌ系金属層３が接
続されていてもよい。もちろん半導体基板１は多結晶Ｓ
ｉ等やＡｌ合金等からなる下層配線層であってもよい。
各層の厚さは、例えばＡｌ系金属層３は５００ｎｍ、高
融点金属層４が２００ｎｍ、反射防止層５は３５ｎｍで
ある。なお、反射防止層５は高融点金属層４表面に段差
が形成されている場合に、露光光のハレーションによる
レジストマスク６のパターン精度低下を防ぐために必要
なものである。
【００２３】つぎに、一例としてネガ型３成分系の化学
増幅型フォトレジストであるシプレー社製ＳＡＬ−６０
１とＫｒＦエキシマレーザリソグラフィにより、０．３
５μｍ幅のレジストマスク６を形成する。ここまで形成
した試料を被エッチング基板と呼ぶこととする。
増幅型フォトレジストであるシプレー社製ＳＡＬ−６０
１とＫｒＦエキシマレーザリソグラフィにより、０．３
５μｍ幅のレジストマスク６を形成する。ここまで形成
した試料を被エッチング基板と呼ぶこととする。
【００２４】この被エッチング基板を、基板バイアス印
加型ＥＣＲプラズマエッチング装置により、一例として
下記エッチング条件でまず反射防止層５と高融点金属層
４をエッチングする。 Ｓ2 Ｆ2 ３０ ｓｃｃｍ ガス圧力 １．５ Ｐａ マイクロ波パワー １２００ Ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦバイアスパワー ３００ Ｗ（２ＭＨｚ） 基板温度 ２０ ℃ 本エッチング過程では、反射防止層５と高融点金属層４
はＴｉＯx Ｆy 、ＷＦ x 等蒸気圧の大きな反応生成物を
形成して除去される一方、高融点金属層４パターン側面
にはイオウ層が側壁保護膜７として形成されエッチング
側面をＦ* のアタックから保護するので、エッチングは
異方的に進む。
加型ＥＣＲプラズマエッチング装置により、一例として
下記エッチング条件でまず反射防止層５と高融点金属層
４をエッチングする。 Ｓ2 Ｆ2 ３０ ｓｃｃｍ ガス圧力 １．５ Ｐａ マイクロ波パワー １２００ Ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦバイアスパワー ３００ Ｗ（２ＭＨｚ） 基板温度 ２０ ℃ 本エッチング過程では、反射防止層５と高融点金属層４
はＴｉＯx Ｆy 、ＷＦ x 等蒸気圧の大きな反応生成物を
形成して除去される一方、高融点金属層４パターン側面
にはイオウ層が側壁保護膜７として形成されエッチング
側面をＦ* のアタックから保護するので、エッチングは
異方的に進む。
【００２５】次にエッチングガスをＣｌ系に切り替え、
一例として下記条件によりＡｌ系金属層３をエッチング
する。基板温度は変化させない。 ＢＣｌ3 ６０ ｓｃｃｍ Ｃｌ2 ９０ ｓｃｃｍ ガス圧力 １．５ Ｐａ マイクロ波パワー １２００ Ｗ（２．４５ＧＨｚ） 基板温度 ２０ ℃ 本エッチング過程では、Ｃｌ* を主エッチャントとする
ラジカル反応がＣｌ+、ＢＣｌx + 等のイオン入射にア
シストされる形で異方的にエッチングが進行する。イオ
ウ層はそのまま側壁保護膜７として高融点金属層４の側
面に付着している。この結果、図１（ｃ）に示すように
Ａｌ系金属層３上に高融点金属層４が形成された構造を
含む積層配線パターンが形成された。反射防止層５は、
この後に形成する層間絶縁膜（図示せず）の一部として
そのまま残すことも可能である。
一例として下記条件によりＡｌ系金属層３をエッチング
する。基板温度は変化させない。 ＢＣｌ3 ６０ ｓｃｃｍ Ｃｌ2 ９０ ｓｃｃｍ ガス圧力 １．５ Ｐａ マイクロ波パワー １２００ Ｗ（２．４５ＧＨｚ） 基板温度 ２０ ℃ 本エッチング過程では、Ｃｌ* を主エッチャントとする
ラジカル反応がＣｌ+、ＢＣｌx + 等のイオン入射にア
シストされる形で異方的にエッチングが進行する。イオ
ウ層はそのまま側壁保護膜７として高融点金属層４の側
面に付着している。この結果、図１（ｃ）に示すように
Ａｌ系金属層３上に高融点金属層４が形成された構造を
含む積層配線パターンが形成された。反射防止層５は、
この後に形成する層間絶縁膜（図示せず）の一部として
そのまま残すことも可能である。
【００２６】この後、被エッチング基板を約９０℃以上
に加熱すれば側壁保護膜７は昇華除去され、その痕跡は
残らない。同時にこの基板加熱により、基板上に付着し
ているＡｌ系金属層３エッチング時の反応生成物ＡｌＣ
ｌx （図示せず）をも除去する。続けてレジストマスク
６をアッシングまたはレジスト剥離液により除去し、積
層配線を完成する。なおイオウ層からなる側壁保護膜
は、アッシングによっても除去可能である。
に加熱すれば側壁保護膜７は昇華除去され、その痕跡は
残らない。同時にこの基板加熱により、基板上に付着し
ているＡｌ系金属層３エッチング時の反応生成物ＡｌＣ
ｌx （図示せず）をも除去する。続けてレジストマスク
６をアッシングまたはレジスト剥離液により除去し、積
層配線を完成する。なおイオウ層からなる側壁保護膜
は、アッシングによっても除去可能である。
【００２７】本実施例では、高融点金属層の異方性エッ
チングにイオウの堆積を側壁保護膜７に利用している
が、Ｓ2 Ｆ2 ガスにＨ2 等Ｈ系ガスを添加しＦ* を消費
する方法をとれば、見掛け上のＦ／Ｓ比をさらに低下す
るのでイオウはより一層効果的に堆積できる。このよう
なガスは、他にＳｉＨ4 、Ｈ2 Ｓ等がある。
チングにイオウの堆積を側壁保護膜７に利用している
が、Ｓ2 Ｆ2 ガスにＨ2 等Ｈ系ガスを添加しＦ* を消費
する方法をとれば、見掛け上のＦ／Ｓ比をさらに低下す
るのでイオウはより一層効果的に堆積できる。このよう
なガスは、他にＳｉＨ4 、Ｈ2 Ｓ等がある。
【００２８】本実施例によれば、イオウ層による側壁保
護膜の効果によりサイドエッチングのない積層配線のパ
ターニングが可能となる。特別の基板冷却や基板温度の
切り替えを必要としないので、Ａｌ系金属層４のエッチ
ングレートも高く、スループット低下等の虞れがない。
護膜の効果によりサイドエッチングのない積層配線のパ
ターニングが可能となる。特別の基板冷却や基板温度の
切り替えを必要としないので、Ａｌ系金属層４のエッチ
ングレートも高く、スループット低下等の虞れがない。
【００２９】実施例２ 本実施例は、高融点金属層４をエッチングするにあた
り、イオウの堆積に加えてレジストマスクの分解生成物
をも側壁保護膜に利用した例であり、同じく図１（ａ）
〜（ｃ）を参照して説明する。
り、イオウの堆積に加えてレジストマスクの分解生成物
をも側壁保護膜に利用した例であり、同じく図１（ａ）
〜（ｃ）を参照して説明する。
【００３０】図１（ａ）に示す被エッチング基板は実施
例１と同じであるので重複する説明を省略する。この被
エッチング基板を基板バイアス印加型ＥＣＲプラズマエ
ッチング装置により、一例として下記エッチング条件で
まず反射防止層５と高融点金属層４をエッチングする。 Ｓ2 Ｆ2 ３０ ｓｃｃｍ ＣＨＦ3 ４０ ｓｃｃｍ ガス圧力 １．５ Ｐａ マイクロ波パワー １２００ Ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦバイアスパワー ２５０ Ｗ（２ＭＨｚ） 基板温度 ２０ ℃ 本エッチング過程では、反射防止層５と高融点金属層４
はＦ* をメインエッチャントとするラジカル反応が、強
いイオン性を示すＣＦx + やＳＦx + 等のイオンにアシ
ストされてエッチングが進行するとともに、レジストマ
スク６がスパッタされ、レジスト分解生成物がイオウと
共に側壁保護膜７を形成する。このため、高融点金属層
４のエッチングは異方的に進行する。
例１と同じであるので重複する説明を省略する。この被
エッチング基板を基板バイアス印加型ＥＣＲプラズマエ
ッチング装置により、一例として下記エッチング条件で
まず反射防止層５と高融点金属層４をエッチングする。 Ｓ2 Ｆ2 ３０ ｓｃｃｍ ＣＨＦ3 ４０ ｓｃｃｍ ガス圧力 １．５ Ｐａ マイクロ波パワー １２００ Ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦバイアスパワー ２５０ Ｗ（２ＭＨｚ） 基板温度 ２０ ℃ 本エッチング過程では、反射防止層５と高融点金属層４
はＦ* をメインエッチャントとするラジカル反応が、強
いイオン性を示すＣＦx + やＳＦx + 等のイオンにアシ
ストされてエッチングが進行するとともに、レジストマ
スク６がスパッタされ、レジスト分解生成物がイオウと
共に側壁保護膜７を形成する。このため、高融点金属層
４のエッチングは異方的に進行する。
【００３１】続けて、実施例１と同様にＡｌ系金属層３
をエッチングする。レジスト分解物とイオウとからなる
側壁保護膜７は、９０℃以上の基板加熱によりイオウ成
分を昇華してからレジストマスクと共にアッシング除去
可能である。この複合化した側壁保護膜は、アッシング
のみで除去してもよい。
をエッチングする。レジスト分解物とイオウとからなる
側壁保護膜７は、９０℃以上の基板加熱によりイオウ成
分を昇華してからレジストマスクと共にアッシング除去
可能である。この複合化した側壁保護膜は、アッシング
のみで除去してもよい。
【００３２】本実施例によれば、レジスト分解生成物で
あるカーボン系ポリマと、イオウとからなる強固な側壁
保護膜の効果により、基板バイアスを実施例１より下げ
たにもかかわらず、極めて異方性の強いパターニングが
可能である。また側壁保護膜をカーボン系ポリマのみに
依存した時に問題となる、レジストマスクのパターン密
度依存性による均一性の低下や、パーティクルレベルの
悪化の懸念がない。
あるカーボン系ポリマと、イオウとからなる強固な側壁
保護膜の効果により、基板バイアスを実施例１より下げ
たにもかかわらず、極めて異方性の強いパターニングが
可能である。また側壁保護膜をカーボン系ポリマのみに
依存した時に問題となる、レジストマスクのパターン密
度依存性による均一性の低下や、パーティクルレベルの
悪化の懸念がない。
【００３３】実施例３ 本実施例は、高融点金属層４をエッチングするにあた
り、ポリチアジル層を側壁保護膜に利用した例であり、
再度図１（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する。
り、ポリチアジル層を側壁保護膜に利用した例であり、
再度図１（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する。
【００３４】図１（ａ）に示す被エッチング基板は実施
例１と同じであるので重複する説明を省略する。この被
エッチング基板を基板バイアス印加型ＥＣＲプラズマエ
ッチング装置により、一例として下記エッチング条件で
まず反射防止層５と高融点金属層４をエッチングする。 Ｓ2 Ｆ2 ３０ ｓｃｃｍ Ｎ2 ２０ ｓｃｃｍ ガス圧力 １．５ Ｐａ マイクロ波パワー １２００ Ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦバイアスパワー ２００ Ｗ（２ＭＨｚ） 基板温度 ２０ ℃ 本エッチング過程では、反射防止層５と高融点金属層４
はＦ* をメインエッチャントとするラジカル反応が、Ｓ
Ｆx + 、Ｎ+ 等のイオンにアシストされる形でエッチン
グが進行する。同時に、気相中で生成するチアジルは重
合して被エッチング基板上に強固なポリチアジルとなっ
て堆積するので、高融点金属層４のパターン側面はサイ
ドエッチングから保護される。
例１と同じであるので重複する説明を省略する。この被
エッチング基板を基板バイアス印加型ＥＣＲプラズマエ
ッチング装置により、一例として下記エッチング条件で
まず反射防止層５と高融点金属層４をエッチングする。 Ｓ2 Ｆ2 ３０ ｓｃｃｍ Ｎ2 ２０ ｓｃｃｍ ガス圧力 １．５ Ｐａ マイクロ波パワー １２００ Ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦバイアスパワー ２００ Ｗ（２ＭＨｚ） 基板温度 ２０ ℃ 本エッチング過程では、反射防止層５と高融点金属層４
はＦ* をメインエッチャントとするラジカル反応が、Ｓ
Ｆx + 、Ｎ+ 等のイオンにアシストされる形でエッチン
グが進行する。同時に、気相中で生成するチアジルは重
合して被エッチング基板上に強固なポリチアジルとなっ
て堆積するので、高融点金属層４のパターン側面はサイ
ドエッチングから保護される。
【００３５】続けて、実施例１と同様にＡｌ系金属層３
をエッチングする。エッチング終了後、ポリチアジルか
らなる側壁保護膜７は、約１３０℃以上の基板加熱によ
り昇華し、ポリチアジルの痕跡を残すことはない。同時
に、基板上に付着しているＡｌ系金属層３エッチング時
の反応生成物ＡｌＣｌx （図示せず）をもこの基板加熱
により除去する。続けてレジストマスク６をアッシング
またはレジスト剥離液により除去し、積層配線を完成す
る。なおポリチアジル層からなる側壁保護膜は、アッシ
ングによっても除去可能である。
をエッチングする。エッチング終了後、ポリチアジルか
らなる側壁保護膜７は、約１３０℃以上の基板加熱によ
り昇華し、ポリチアジルの痕跡を残すことはない。同時
に、基板上に付着しているＡｌ系金属層３エッチング時
の反応生成物ＡｌＣｌx （図示せず）をもこの基板加熱
により除去する。続けてレジストマスク６をアッシング
またはレジスト剥離液により除去し、積層配線を完成す
る。なおポリチアジル層からなる側壁保護膜は、アッシ
ングによっても除去可能である。
【００３６】本実施例によれば、極めて強固なポリチア
ジルによる側壁保護膜の効果により、基板バイアスを実
施例２よりさらに低下したにもかかわらず、異方性にす
ぐれた高融点金属層５のパターニングが可能である。ま
た、基板バイアス低減効果により、高融点金属層４のオ
ーバーエッチング時に下層のＡｌ系金属層３をスパッタ
して側壁保護膜７上に再付着膜を形成することがないの
で、一層のパーティクル低減に寄与する。
ジルによる側壁保護膜の効果により、基板バイアスを実
施例２よりさらに低下したにもかかわらず、異方性にす
ぐれた高融点金属層５のパターニングが可能である。ま
た、基板バイアス低減効果により、高融点金属層４のオ
ーバーエッチング時に下層のＡｌ系金属層３をスパッタ
して側壁保護膜７上に再付着膜を形成することがないの
で、一層のパーティクル低減に寄与する。
【００３７】以上、３例の実施例をもって本発明を説明
したが本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。
したが本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。
【００３８】高融点金属層としてブランケットＣＶＤに
よるＷを例示したが、Ｔａ、Ｍｏ等他の高融点金属やそ
の合金、シリサイドを用いても良い。Ａｌ系金属層とし
てＡｌ−１％Ｓｉを用いたがＡｌ−ＣｕやＡｌ−Ｓｉ−
Ｃｕ等他のＡｌ合金を使用してもよい。
よるＷを例示したが、Ｔａ、Ｍｏ等他の高融点金属やそ
の合金、シリサイドを用いても良い。Ａｌ系金属層とし
てＡｌ−１％Ｓｉを用いたがＡｌ−ＣｕやＡｌ−Ｓｉ−
Ｃｕ等他のＡｌ合金を使用してもよい。
【００３９】反射防止層としてＴｉＯＮを用いたが、こ
れはＳｉＯＮ、ＳｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ 4 、ＳｉＣ、ａ−Ｓ
ｉ等を適宜用いてよい。反射防止層は省略することも可
能である。また、Ａｌ系金属層３と絶縁膜２の間に、Ｔ
ｉ、ＴｉＮ等の密着層やバリアメタル層を介在させるこ
とも特に接続孔でのオーミック性確保等の観点から有効
である。
れはＳｉＯＮ、ＳｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ 4 、ＳｉＣ、ａ−Ｓ
ｉ等を適宜用いてよい。反射防止層は省略することも可
能である。また、Ａｌ系金属層３と絶縁膜２の間に、Ｔ
ｉ、ＴｉＮ等の密着層やバリアメタル層を介在させるこ
とも特に接続孔でのオーミック性確保等の観点から有効
である。
【００４０】エッチングガス系についても、実施例にあ
げた例に限定するものではない。高融点金属層のエッチ
ングにはＮＦ3 、ＸｅＦ2 等他のＦ系ガスを併用しても
よい。ＡｒやＨｅ等希ガスの添加はプラズマの安定性や
エッチングレートの向上に役立つ。ＨＢｒやＨＩ、ＣＯ
ガスの添加はレジストマスクとの選択比向上に寄与す
る。
げた例に限定するものではない。高融点金属層のエッチ
ングにはＮＦ3 、ＸｅＦ2 等他のＦ系ガスを併用しても
よい。ＡｒやＨｅ等希ガスの添加はプラズマの安定性や
エッチングレートの向上に役立つ。ＨＢｒやＨＩ、ＣＯ
ガスの添加はレジストマスクとの選択比向上に寄与す
る。
【００４１】Ａｌ系金属層のエッチングには、ＣＣ
ｌ4 、ＳｉＣｌ4 等他のＣｌ系ガスを用いてもよい。ま
た本願出願人が先に出願した特願平４−３２９５６７号
明細書で開示したＳ2 Ｃｌ等塩化イオウ系ガスを用いれ
ば、ここでもイオウ系の側壁保護膜を用いた異方性にす
ぐれた低パーティクルエッチングが可能となる。勿論希
ガスを添加してもよい。その他、エッチング装置も平行
平板型ＲＩＥ装置、マグネトロンＲＩＥ装置、ヘリコン
波プラズマエッチング装置、ＴＣＰエッチング装置、Ｉ
ＣＰエッチング装置等、任意の装置の使用が可能であ
る。
ｌ4 、ＳｉＣｌ4 等他のＣｌ系ガスを用いてもよい。ま
た本願出願人が先に出願した特願平４−３２９５６７号
明細書で開示したＳ2 Ｃｌ等塩化イオウ系ガスを用いれ
ば、ここでもイオウ系の側壁保護膜を用いた異方性にす
ぐれた低パーティクルエッチングが可能となる。勿論希
ガスを添加してもよい。その他、エッチング装置も平行
平板型ＲＩＥ装置、マグネトロンＲＩＥ装置、ヘリコン
波プラズマエッチング装置、ＴＣＰエッチング装置、Ｉ
ＣＰエッチング装置等、任意の装置の使用が可能であ
る。
【００４２】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
はＡｌ系金属層上に高融点金属層が形成された構造を含
む積層配線をパターニングするドライエッチング方法に
おいて、高融点金属層にサイドエッチングが入ることな
く、異方性にすぐれた加工が可能となる。
はＡｌ系金属層上に高融点金属層が形成された構造を含
む積層配線をパターニングするドライエッチング方法に
おいて、高融点金属層にサイドエッチングが入ることな
く、異方性にすぐれた加工が可能となる。
【００４３】本発明のドライエッチングは、極低温等特
別の基板冷却や基板温度の切り替え等を必要とせずに室
温近傍での連続的エッチングが可能であるので、エッチ
ングレートの低下や基板温度変更による時間ロスがな
い。またマルチチャンバエッチング装置を必要としない
ので、基板搬送によるスループット低下の虞れがなく、
クリーンルームの省スペース化やコスト低減にも貢献す
る。本発明は、一連の工程をすべて同一エッチング装置
内でガスの切り替えのみで連続して行えるので、プロセ
ス全体としてのスループットに優れる。
別の基板冷却や基板温度の切り替え等を必要とせずに室
温近傍での連続的エッチングが可能であるので、エッチ
ングレートの低下や基板温度変更による時間ロスがな
い。またマルチチャンバエッチング装置を必要としない
ので、基板搬送によるスループット低下の虞れがなく、
クリーンルームの省スペース化やコスト低減にも貢献す
る。本発明は、一連の工程をすべて同一エッチング装置
内でガスの切り替えのみで連続して行えるので、プロセ
ス全体としてのスループットに優れる。
【００４４】上記効果により、Ａｌ系金属層上に高融点
金属層が形成された構造を含む積層配線を信頼性高く加
工することができるようになり、特に例えば０．５μｍ
以下の微細なデサインルールにもとづく積層配線構造を
有する半導体装置の製造プロセスにおいて極めて有効で
ある。
金属層が形成された構造を含む積層配線を信頼性高く加
工することができるようになり、特に例えば０．５μｍ
以下の微細なデサインルールにもとづく積層配線構造を
有する半導体装置の製造プロセスにおいて極めて有効で
ある。
【図１】本発明を適用した実施例１、２および３を、そ
の工程順に説明する概略断面図であり、（ａ）はレジス
トマスクが形成された被エッチング基板の状態、（ｂ）
は高融点金属層をパターニングしてレジストマスク側面
にイオウまたはポリチアジルからなる側壁保護膜が形成
された状態、（ｃ）続けてＡｌ系金属層をエッチングし
た状態である。
の工程順に説明する概略断面図であり、（ａ）はレジス
トマスクが形成された被エッチング基板の状態、（ｂ）
は高融点金属層をパターニングしてレジストマスク側面
にイオウまたはポリチアジルからなる側壁保護膜が形成
された状態、（ｃ）続けてＡｌ系金属層をエッチングし
た状態である。
【図２】従来の積層配線のドライエッチングにおける問
題点を説明する概略断面図であり、（ａ）はレジストマ
スクが形成された被エッチング基板の断面図、（ｂ）は
高融点金属層をパターニングしてサイドエッチングが入
った状態、（ｃ）は続けてＡｌ系金属層をエッチングし
た状態である。
題点を説明する概略断面図であり、（ａ）はレジストマ
スクが形成された被エッチング基板の断面図、（ｂ）は
高融点金属層をパターニングしてサイドエッチングが入
った状態、（ｃ）は続けてＡｌ系金属層をエッチングし
た状態である。
１ 半導体基板 ２ 絶縁膜 ３ Ａｌ系金属層 ４ 高融点金属層 ５ 反射防止層 ６ レジストマスク ７ 側壁保護膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/3205 Ｈ０１Ｌ 21/88 Ｎ
Claims (7)
- 【請求項１】 Ａｌ系金属層上に高融点金属層が形成さ
れた構造を含む積層配線をパターニングするドライエッ
チング方法において、 パターンの側面にイオウ層を形成しながら前記高融点金
属層をエッチング後、連続的にＡｌ系金属層をエッチン
グすることを特徴とする、積層配線のドライエッチング
方法。 - 【請求項２】 イオウ層は、放電解離条件下でプラズマ
中に遊離のイオウを生成する化合物を含むガスを用いて
形成することを特徴とする、請求項１記載の積層配線の
ドライエッチング方法。 - 【請求項３】 イオウ層は、Ｓ2 Ｆ2 、ＳＦ2 、ＳＦ4
およびＳ2 Ｆ10からなる群から選ばれる少なくとも１種
のガスの放電解離により形成することを特徴とする、請
求項１記載の積層配線のドライエッチング方法。 - 【請求項４】 Ａｌ系金属層上に高融点金属層が形成さ
れた構造を含む積層配線をパターニングするドライエッ
チング方法において、 パターンの側面にポリチアジル層を形成しながら前記高
融点金属層をエッチング後、連続的にＡｌ系金属層をエ
ッチングすることを特徴とする、積層配線のドライエッ
チング方法。 - 【請求項５】 ポリチアジル層は、放電解離条件下でプ
ラズマ中に遊離のイオウを生成する化合物を含むガス
と、Ｎ系ガスとを用いて形成することを特徴とする、請
求項４記載の積層配線のドライエッチング方法。 - 【請求項６】 ポリチアジル層は、Ｓ2 Ｆ2 、ＳＦ2 、
ＳＦ4 およびＳ2 Ｆ10からなる群から選ばれる少なくと
も１種のガスと、Ｎ系ガスとの放電解離により形成する
ことを特徴とする、請求項４記載の積層配線のドライエ
ッチング方法。 - 【請求項７】 積層配線のパターン幅は、０．５μｍ以
下であることを特徴とする、請求項１および４記載の積
層配線のドライエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5616594A JPH07263426A (ja) | 1994-03-25 | 1994-03-25 | 積層配線のドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5616594A JPH07263426A (ja) | 1994-03-25 | 1994-03-25 | 積層配線のドライエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07263426A true JPH07263426A (ja) | 1995-10-13 |
Family
ID=13019488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5616594A Pending JPH07263426A (ja) | 1994-03-25 | 1994-03-25 | 積層配線のドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07263426A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11111687A (ja) * | 1997-10-01 | 1999-04-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 低ガス圧プラズマエッチング方法 |
| JP2003059928A (ja) * | 2001-08-14 | 2003-02-28 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| WO2006126520A1 (ja) * | 2005-05-24 | 2006-11-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | ドライエッチング方法、微細構造形成方法、モールド及びその製造方法 |
| JP2007211322A (ja) * | 2006-02-13 | 2007-08-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ドライエッチング方法、微細構造形成方法、モールド及びその製造方法 |
| WO2007094087A1 (ja) * | 2006-02-13 | 2007-08-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | ドライエッチング方法、微細構造形成方法、モールド及びその製造方法 |
-
1994
- 1994-03-25 JP JP5616594A patent/JPH07263426A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11111687A (ja) * | 1997-10-01 | 1999-04-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 低ガス圧プラズマエッチング方法 |
| JP2003059928A (ja) * | 2001-08-14 | 2003-02-28 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| WO2006126520A1 (ja) * | 2005-05-24 | 2006-11-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | ドライエッチング方法、微細構造形成方法、モールド及びその製造方法 |
| US7919005B2 (en) | 2005-05-24 | 2011-04-05 | Panasonic Corporation | Dry etching method, fine structure formation method, mold and mold fabrication method |
| JP2007211322A (ja) * | 2006-02-13 | 2007-08-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ドライエッチング方法、微細構造形成方法、モールド及びその製造方法 |
| WO2007094087A1 (ja) * | 2006-02-13 | 2007-08-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | ドライエッチング方法、微細構造形成方法、モールド及びその製造方法 |
| US7906030B2 (en) | 2006-02-13 | 2011-03-15 | Panasonic Corporation | Dry etching method, fine structure formation method, mold and mold fabrication method |
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