JP2839483B2 - トリクロロメトキシベンゼンの製造方法 - Google Patents

トリクロロメトキシベンゼンの製造方法

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JP2839483B2
JP2839483B2 JP9310973A JP31097397A JP2839483B2 JP 2839483 B2 JP2839483 B2 JP 2839483B2 JP 9310973 A JP9310973 A JP 9310973A JP 31097397 A JP31097397 A JP 31097397A JP 2839483 B2 JP2839483 B2 JP 2839483B2
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anisole
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ケイ ココマン マリー
エム オパリンスキー ウォルター
エス ダーウィン ウィリアム
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    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C41/00Preparation of ethers; Preparation of compounds having groups, groups or groups
    • C07C41/01Preparation of ethers
    • C07C41/18Preparation of ethers by reactions not forming ether-oxygen bonds
    • C07C41/22Preparation of ethers by reactions not forming ether-oxygen bonds by introduction of halogens; by substitution of halogen atoms by other halogen atoms

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、化学線の存在下
で、アニソールと塩素遊離基源とを反応させて、トリク
ロロメトキシベンゼンを製造する方法に関し、特に、そ
の反応において、ベンゾトリフルオリドを主体とした溶
媒の使用に関する。
【0002】
【従来の技術】トリクロロメトキシベンゼンは、紫外線
の存在下で、アニソールと塩素ガスとを反応させる事に
よって製造されている。この反応は、四塩化炭素の存在
下で行われる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】然しながら、四塩化炭
素は毒性のある事が分かっており、オゾン減少剤であ
り、その使用は、厳しく査定され、規制されており、代
替溶媒の探索努力が続けられている。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明者は、使用される
溶媒が、ベンゾトリフルオリド(BTF)、α,α,α
−トリフルオロメチルベンゼンを主体とする場合に、ア
ニソールは、芳香族環の顕著な塩素化無しに、光塩素化
される事を発見した。無溶媒又はその他一般の溶媒の使
用は、芳香族環の顕著な塩素化を引き起こすが、この反
応を、本発明の溶媒を使用して行う時は、5モル%未満
の芳香族環しか塩素化されない。更に、本発明者は、ア
ニソールの芳香族環の塩素化は、アニソールと塩素と
を、別々に溶媒に添加する事によって、尚更に減少出来
る事を発見した。本発明者は、この意外な改善について
説明する事は出来ない。
【0005】
【発明の実施の態様】本発明の方法において、アニソー
ルは、BTF溶媒中で、塩素遊離基と反応してトリクロ
ロメトキシベンゼン(TCMB)を製造する。塩素が使
用されると、反応は、次式の様に進む。
【0006】
【化1】
【0007】アニソールは液体で、約10〜約70重量
%のBTF溶媒と混合する事が出来、それによって反応
速度を調節する。少なくとも約10重量%(全溶媒+ア
ニソール重量を基準にして)のアニソールが、効率的方
法として使用されなければならず、アニソールの重量%
が60より大きい場合は、環塩素化が生起する可能性が
ある。好ましくは、アニソールの量は、約30〜約50
重量%である。塩素遊離基源は、例えば、元素状塩素ガ
ス又は液化塩素、又は液体塩化スルフリルである事が出
来る。ガス状塩素は、副生成物が少なく、安価であり、
良く作用するので好ましい。塩素遊離基源の少なくとも
化学量論量が必要であるが(即ち、アニソール1モル当
たり、Cl2 3モル)、完全な反応を確実にし、環塩素
化を減少する為には、僅かに過剰(1〜5モル%)であ
る事が好ましい。
【0008】本発明で使用出来るBTF溶媒としては、
BTF、オルトクロロベンゾトリフリオリド、メタクロ
ロベンゾトリフリオリド、パラクロロベンゾトリフリオ
リド(PCBTF)及びジクロロベンゾトリフリオリド
が挙げられる。BTF及びPCBTFは、これらが良く
作用する事が分かっているので好ましい。これらの溶媒
の使用は、環塩素化を減少させる為には必須である。ア
ニソール、溶媒及び塩素遊離基源は、どの様な形式でで
も、例えば、塩素遊離基源をアニソールと溶媒の混合物
に添加する事により、或いは、アニソールと塩素遊離基
源を、別々に溶媒に添加する事により、又は溶媒の一部
とアニソールを最初混合し、次いでその混合物と塩素遊
離基源を、別々に溶媒に添加する事によって、一緒に混
合する事が出来る。理由は不明であるが、アニソールと
塩素遊離基源を、それらが溶媒に混合されるまで別々に
保つと、環塩素化が減少する事が分かった。
【0009】又、環塩素化は、低温で増加し、従って、
実用的な高温で反応を行う事が好ましい事が分かった。
一般に、従って、反応中は、溶媒を還流させる事が好ま
しい。これは、塩化水素を除去して環塩素化を減少す
る。ベンゾトリフリオリドに対しては、反応は、約10
5℃で、パラベンゾトリフリオリドに対しては、反応
は、約136℃で行われる。化学線、即ち、
【0010】
【化2】
【0011】の様な反応で、塩素遊離基を生成する放射
が使用出来る。化学線の例としては、例えば、紫外線、
高周波、X−線又は遊離基開始剤が挙げられる。紫外線
は、一般的であり且つ使い易いので好ましい。約320
〜約340nmの紫外線波長が適当である。紫外線は、
混合物中に深く侵入しないので、紫外線源は、出来るだ
け混合物の近くに置かなければならない。これは、例え
ば、紫外線源を、反応器の内側にあるウエル中に置く事
によって達成される。混合物は、混合物の全部分を紫外
線に曝露してハロゲン遊離基の連続的な発生を確保する
為に、攪拌しなけらばならない。
【0012】反応混合物が金属と接触する場合は、金属
イオンが副生成物の製造を触媒しないように、約5〜約
500ppm(混合物重量を基準にして)の金属スキャ
ベンジャーを混合物に添加する事が望ましいかも知れな
い。適当な金属スキャベンジャーの例としては、N,N
−ジアルキルアルキルアミド(C.P.Hall C
o.から、「Hallcomid」として市販されてい
る)及びエチレンジアミン四酢酸(EDTA)が挙げら
れる。反応は、バッチ、連続又は半連続方法で行う事が
出来るが、効率的で且つ環塩素化が少ない連続方法が好
ましい。又、連続方法で、アニソールをモノ−、ジ−及
びトリクロロメトキシベンゼンの混合物に部分的に塩素
化し、次いでこの混合物をバッチ反応器に移して塩素化
を完了する事も可能である。好ましい連続方法では、ア
ニソールと塩素化剤とは、紫外線源を通過して移動する
流れに、別々に添加される。連続方法で、流れに対する
添加速度は、反応を最適化する為に選択されなければな
らない。
【0013】トリクロロメトキシベンゼン生成物は、化
学的中間体として有用である。例えば、フッ化水素と反
応して、除草剤及びペクチサイドを造るのに使用出来る
トリフルオロメトキシベンゼンを製造する事が出来る。
以下に、更に、実施例を以て、本発明を例示する。特に
断らない限り、使用した反応器は、100W中圧ハノビ
ア紫外線(空冷)、還流コンデンサー、温度計及び塩素
導入口を備えた350mlの光塩素化装置であった。
【0014】
【実施例】〔比較例1〕フレオン113中での反応 反応器に、71gのアニソール及び400mlの1,2
−ジクロロトリフルオロエタン(Dupont社より、"Freon
113" として市販されている) 溶媒を、5重量%のN,
N−ジメチルカプロアミド、50重量%のN,N−カプ
リルアミド、40重量%のN,N−カプルアミド及び5
重量%のN,N−ジメチルラウルアミドの混合物(金属
封止剤)(C.P.Hall Co.から、「Hall
comid M8−10」として市販されている)50
0ppmと一緒に入れた。反応器を、還流(50℃)ま
で加熱し、紫外線を回転させ、塩素を吹き込んだ。GC
分析は、主に環塩素化物から成る、36.1重量%の副
生成物の形成を示した。側鎖塩素化物は、63.9重量
%の収率で形成され、モノ−、ジ−及びトリクロロメト
キシベンゼンの混合物であった。
【0015】〔比較例2〕氷酢酸中での反応 反応器に、53.1gのアニソール及び250mlの氷
酢酸を、「Hallcomide M8−10」500
ppmと一緒に入れた。反応器を、還流(122℃)ま
で加熱し、紫外線を回転させ、塩素を吹き込んだ。GC
分析は、主に環塩素化物から成る、36.1重量%の副
生成物の形成を示した。所望の生成物は形成されなかっ
た。
【0016】〔比較例3〕溶媒無しでの反応 反応器に、292gのアニソールを、「Hallcom
ide M8−10」500ppmと一緒に入れた。反
応器を、還流(133℃)まで加熱し、紫外線を回転さ
せ、塩素を吹き込んだ。GC分析は、30.5重量%の
未反応アニソールと共に、44.9重量%の環塩素化物
と、24.6gのモノ−、ジ−及びトリクロロメトキシ
ベンゼンの混合物の側鎖塩素化物の形成を示した。
【0017】〔比較例4〕三塩化燐を添加しての反応 反応器に、284gのアニソールを、「Hallcom
ide M8−10」500ppmと1.0gの三塩化
燐と一緒に入れた。反応器を、還流(136℃)まで加
熱し、紫外線を回転させ、塩素を吹き込んだ。GC分析
は、27.3重量%の環塩素化物の形成と、26.5重
量%のモノ−及びジクロロメトキシベンゼンの混合物の
側鎖塩素化物の収率、及び46.2重量%の未反応アニ
ソールを示した。
【0018】〔比較例5〕ベンゾトリクロリド中での反
反応器に、53gのアニソールと250mlのベンゾト
リクロリドを、「Hallcomide M8−10」
500ppmと一緒に入れた。反応器を、還流(136
℃)まで加熱し、紫外線を回転させ、塩素を吹き込ん
だ。溶液は光分解によって暗黒色となり、反応は直ちに
停止した。比較実施例1〜5は、或る種の溶媒は、それ
らが、その他の副生成物を伴って、高水準の環塩素化を
引き起こす為に、アニソールの光塩素化には使用出来な
い事を示す。又、溶媒不存在化で行う光塩素化反応は、
受入れ難い水準の環塩素化を引き起こす。
【0019】アニソール及び溶媒が、反応開始時に一緒
に添加される反応 〔実施例1〕ベンゾトリフルオリド(BTF)中での反
反応器に、53gのアニソールと250mlのBTF
を、「Hallcomide M8−10」500pp
mと一緒に入れた。反応器を、還流(108℃)まで加
熱し、紫外線を回転させ、塩素を、120ml/分で5
分間吹き込んだ。GC分析は、アニソールの完全な消費
と、83.9重量%の収率のトリクロロメトキシベンゼ
ンの形成を示した。環塩素化生成物は、15.7重量%
であり、残部が0.4重量%のジクロロメトキシベンゼ
ンであった。
【0020】〔実施例2〕パラクロロベンゾトリフルオ
リド(PCBTF)中での反応 反応器に、53gのアニソールと250mlのパラクロ
ロベンゾトリフルオリド(4−クロロ−α,α,α,−
トリフルオロメチルベンゼン)を、「Hallcomi
de M8−10」500ppmと一緒に入れた。反応
器を、還流(135℃)まで加熱し、紫外線を回転さ
せ、塩素を、120ml/分で5分間吹き込んだ。GC
分析は、アニソールの完全な消費と、92.8重量%の
収率のトリクロロメトキシベンゼンの形成を示した。環
塩素化生成物は、7.2重量%であった。実施例1及び
2は、塩素化前に、BTF溶媒に予め混合されたアニソ
ールが、遊離基条件化において、所望のトリクロロメト
キシベンゼン生成物の高収率をもたらす事を示す。
【0021】実施例3〜12では、アニソールと溶媒
(全てPCBTF)は、反応開始時に一緒に添加され
た。塩素添加時間は、理論量の塩素(3モル/アニソー
ル1モル)が添加される時間である。
【0022】
【表1】 表1 実施例 % 温度 Hallocomide 塩素添加時間 アニソール ( ℃) (ppm) (hr) 3 30 135 0.1 10 4 30 80 0.5 10 5 15 135 0.5 5 6 15 135 0.1 10 7 30 107 0.1 5 8 15 90 0.1 5 9 30 80 0.1 5 10 15 80 0.1 5 11 15 80 0.5 10 12 30 135 0.5 5
【0023】
【表2】 表1(続き) 実施例 側鎖塩素化生成物 環塩素化生成物 (%) (%) 3 77.8 22.2 4 4.5 95.5 5 88.5 11.5 6 85.8 14.2 7 24.2 75.8 8 35.5 64.5 9 7.2 92.8 10 2.8 97.2 11 10.8 89.2 12 73.3 26.7
【0024】実施例3〜12は、高温(実施例3、5、
6及び12)が、低温で実施の反応よりも側鎖塩素化生
成物の高水準をもたらす事を示す。アニソールが、塩素と共に溶媒に添加される反応 〔実施例13〕PCBTF中での反応 反応器に、「Hallcomide M8−10」60
0ppmと一緒に、124mlのPCBTFを入れた。
反応器を、還流(135℃)まで加熱し、紫外線を回転
させ、塩素とアニソールとを一緒に添加した。塩素は、
42g/時の速度で添加した。又、アニソール(125
g、PCBTFの50重量%)を、42g/時の速度で
添加した。全部のアニソールを添加したら、追加の塩素
を、反応が完結するまで吹き込んだ。GC分析は、9
4.2重量%の所望のトリクロロメトキシベンゼン及び
5.7重量%の環塩素化物質を示した。アニソールは存
在しなかった。
【0025】〔実施例14〕BTF中での反応 100W中圧ハノビア紫外線光(空冷、ライトウエルの
内側はパイレックスフィルター)、還流冷却器、アニソ
ール添加用漏斗、温度計及び塩素導入口を備えた3リッ
トリ光塩素化装置の中に、1500gのBTFを入れ、
反応器を、還流(105℃)まで加熱し、紫外線を回転
させ、塩素とアニソールとを一緒に添加した。塩素は、
1200ml/分の速度で添加した。アニソール(15
00g、PCBTFの50重量%)は、150〜200
g/時の速度で添加した。全部のアニソールを添加した
ら、追加の塩素を、反応が完結するまで吹き込んだ。G
C分析は、87.8重量%の所望のトリクロロメトキシ
ベンゼン、1.9重量%のジクロロメトキシベンゼン及
び10.3重量%の環塩素化物質を示した。アニソール
は存在しなかった。
【0026】以下の実施例は、アニソールと塩素とが、
溶媒の還流温度(BTFでは105℃、PCBTFでは
135℃)で、反応器に同時に添加された場合の結果の
纏めである。以下の表において、%溶液は、アニソール
/溶媒の重量/重量%であり、アニソール添加時間は、
アニソールを溶媒中に完全に添加するのに必要な時間で
あり、塩素速度は、標準のcm3/分であり、使用される紫
外線は、100又は400W中圧ハノビアランプであ
り、%側及び環生成物は、GCで分析されたものであ
り、反応規模は、使用された光化学反応器の大きさであ
る。
【0027】
【表3】 表2 実施例 使用溶媒 %溶媒 Hallcomide アニソール 塩素速度 (wt/wt) (ppm) 添加時間(hr) (cm3/分) 15 PCBTF 30 600 3.0 55 16 PCBTF 15 600 3.0 60-120 17 PCBTF 30 600 3.0 150-200 18 PCBTF 30 600 3.0 175-200 19 PCBTF 50 600 3.0 175-275 20 PCBTF 30 600 3.0 175-275 21 PCBTF 50 50 3.0 225-325 22 PCBTF 50 300 3.0 225-325 23 PCBTF 50 300 3.0 225-325 24 PCBTF 50 300 3.0 1400-1700 25 PCBTF 50 600 4.0 1000-1700 26 PCBTF 50 600 3.0 175-275 27 PCBTF 21 600 2.0 175-275 28 PCBTF 50 600 3.0 175-275 29 PCBTF 50 600 3.0 275-400 30 PCBTF 50 600 4.5 900-1500 31 PCBTF 50 600 8.0 200-300 32 BTF 50 0 3.0+2.0 175-275 33 PCBTF 30 600 4.5 100-275 34 PCBTF 50 600 中断 175 35 PCBTF 30 600 3.5 175 36 PCBTF 30 500 3.5 175-150 37 PCBTF 30 500 4.5 175 38 PCBTF 30 0 5.0 175 39 PCBTF 50 0 8.5 175-150 40 BTF 23 0 6.5 1100 41 BTF 23 0 5.5 1100 42 BTF 23 0 5.0 1200-1400 43 BTF 41 0 7.0 1300 44 BTF 50 0 12.0 1200
【0028】
【表4】 表2(続き) 実施例 残留アニソ 側鎖生成 環生成物 使用光線 反応規模 ール(%) 物(%) (%) 15 23 61.2 15.8 100W 350 16 0 96.3 3.7 100W 350 17 0 85.8 14.2 100W 350 18 0 92.1 7.9 100W 350 19 0 94.3 5.7 100W 350 20 0 94.0 6.0 100W 350 21 0 79.0 21.0 100W 350 22 10.5 72.9 16.6 100W 350 23 0 86.7 13.7 100W 350 24 0 63.4 36.6 100W 3000 25 0 68.9 31.1 400W 3000 26 0 74.4 25.6 100W 350 27 0 93.8 6.2 100W 350 28 0 89.9 11.2 100W 350 29 0 89.2 11.8 100W 350 30 0 61.9 38.1 100W 3000 31 16.4 59.1 24.5 100W 3000 32 0 89.0 11.0 100W 350 33 0.25 71.41 28.32 100W 350 34 15.07 10.59 74.34 100W 350 35 18.96 32.00 49.04 100W 350 36 0 93.13 6.87 100W 350 37 0 85.79 14.21 100W 350 38 0 93.04 6.96 100W 350 39 0 71.14 28.86 100W 350 40 0 84.9 15.1 100W 350 41 0 94.6 5.4 100W 3000 42 0 97.2 2.8 100W 3000 43 0 82.2 17.8 100W 3000 44 0 89.7 10.3 100W 3000
【0029】
【表5】 表2(続き) 実施例 コメント 15 反応完結 16 反応完結 17 反応完結 18 反応完結 19 反応完結 20 反応完結 21 還流の光を一層強くする事が考えられる 22 還流の光を一層強くする事が考えられる 23 厳しい還流で実施例22を繰り返した 24 反応完結 25 アニソールを添加しながら頂部から抜き取った 26 27 反応完結 28 反応完結 29 塩素ガス速度を早くした以外は実施例28と同じ 30 反応完結 31 最初〜12%のアニソールを添加し、次いで、それ以上を添加 32 30%アニソール添加、次いで、50%まで 33 反応完結 34 トリフェニルホスフィンを添加した 35 反応完結 36 反応完結 37 反応完結 38 反応完結 39 反応を中断した 40 ウエルの周りに遅い空気流 41 光ウエルの周りに速い空気流 42 パイレックスフィルターを使用した。光ウエルの周りのスカムは認め られなかった 43 パイレックスフィルターを使用した。一層早くアニソールを添加した 44 パイレックスフィルターを使用した。光を止めた時、95%であった 実施例13〜44は、遊離基発生条件下で、塩素流、温
度及び濃度等が変動する異なる方法でのアニソールと塩
素とのBTFの還流溶液への同時添加が、トリクロロメ
トキシベンゼンの良好な選択性及び収率をもたらす事を
示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マリー ケイ ココマン アメリカ合衆国 ニューヨーク州 14072 グランド アイランド フェア ウェイ レーン 287 (72)発明者 ウォルター エム オパリンスキー アメリカ合衆国 ニューヨーク州 14150 トナワンダ マルディナー 77 (72)発明者 ウィリアム エス ダーウィン アメリカ合衆国 ニューヨーク州 14220 バッファロー ヘウシー アベ ニュー 56 (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) C07C 43/225 C07C 41/22 CA(STN) CAOLD(STN) REGISTRY(STN)

Claims (20)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】トリクロロメトキシベンゼンの製造方法で
    あって、(A)アニソールと塩素遊離基源との混合物
    を、ベンゾトリフルオリド、オルトクロロベンゾトリフ
    ルオリド、メタクロロベンゾトリフルオリド、パラクロ
    ロベンゾトリフルオリド及びジクロロベンゾトリフルオ
    リドから成る群から選ばれる溶媒中で調製する工程、及
    び、(B)前記塩素遊離基を、前記混合物中で発生させ
    る工程、を含む事を特徴とする方法。
  2. 【請求項2】前記塩素遊離基源が、塩素及び塩化スルフ
    リルから成る群から選ばれる、請求項1記載の方法。
  3. 【請求項3】前記塩素遊離基源が、塩素ガスである、請
    求項1記載の方法。
  4. 【請求項4】前記溶媒が、ベンゾトリフルオリドであ
    る、請求項1記載の方法。
  5. 【請求項5】前記溶媒が、パラクロロベンゾトリフルオ
    リドである、請求項1記載の方法。
  6. 【請求項6】前記溶媒が、その還流温度に在る、請求項
    1記載の方法。
  7. 【請求項7】前記トリクロロメトキシベンゼンとフッ化
    水素とで、トリフルオロメトキシベンゼンを製造する追
    加の最終工程を含む、請求項1記載の方法。
  8. 【請求項8】前記塩素遊離基源が、前記アニソールと前
    記溶媒との混合物に添加される、請求項1記載の方法。
  9. 【請求項9】前記アニソールと前記塩素遊離基源とが、
    前記溶媒に、別々に添加される、請求項1記載の方法。
  10. 【請求項10】少量のアニソールが、前記溶媒と最初に
    混合される、請求項9記載の方法。
  11. 【請求項11】アニソールの量が、アニソールと溶媒と
    の全重量の約10〜約60重量%である、請求項1記載
    の方法。
  12. 【請求項12】前記方法が、金属と接触させながら行わ
    れ、約5〜約500ppmの金属スキャベンジャーを前
    記混合物に添加することを含む、請求項1記載の方法。
  13. 【請求項13】トリクロロメトキシベンゼンの製造方法
    であって、(A)(1)約30〜約50重量%のアニソ
    ール、(2)約50〜約90重量%のベンゾトリフルオ
    リド又はパラクロロベンゾトリフルオリド、及び、
    (3)少なくとも化学量論量の塩素ガス、の混合物を調
    製する工程、(B)前記混合物を、ほぼ還流まで加熱す
    る工程、(C)前記混合物を、塩素遊離基を形成するの
    に十分なエネルギーの紫外線で照射する工程、を含む事
    を特徴とする方法。
  14. 【請求項14】前記成分(2)が、ベンゾトリフルオリ
    ドである、請求項13記載の方法。
  15. 【請求項15】前記成分(2)が、パラクロロベンゾト
    リフルオリドである、請求項13記載の方法。
  16. 【請求項16】前記アニソール及び前記塩素ガスが、前
    記溶媒に、別々に添加される、請求項13記載の方法。
  17. 【請求項17】少量の前記成分(2)が、前記アニソー
    ルと最初に混合される、請求項16記載の方法。
  18. 【請求項18】トリクロロメトキシベンゼンの製造方法
    であって、(A)アニソールと塩素ガスとを、ほぼ還流
    に加熱されているベンゾトリフルオリド又はパラクロロ
    ベンゾトリフルオリドの移動流に、連続的に、別々に添
    加する工程であって、前記移動流に対するアニソールの
    重量比が、約0.3〜約0.5であり、前記塩素ガス
    が、約1〜約5モル%の化学量論量である工程、(B)
    前記移動流を、約320〜約340nmの波長を有する
    紫外線に曝露する工程、を含む事を特徴とする方法。
  19. 【請求項19】前記工程(A)で、ベンゾトリフルオリ
    ドを使用する、請求項18記載の方法。
  20. 【請求項20】前記工程(A)で、パラクロロベンゾト
    リフルオリドを使用する、請求項18記載の方法。
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