JP2831664B2 - ひずみの多点測定回路 - Google Patents

ひずみの多点測定回路

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JP2831664B2 JP27444888A JP27444888A JP2831664B2 JP 2831664 B2 JP2831664 B2 JP 2831664B2 JP 27444888 A JP27444888 A JP 27444888A JP 27444888 A JP27444888 A JP 27444888A JP 2831664 B2 JP2831664 B2 JP 2831664B2
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Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明はびずみゲージを用いてびずみの多点測定を行
うための回路に関する。
(従来の技術) 通常、金属材料等のひずみをひずみゲージを用いて測
定する場合には、例えば第5図示のように抵抗R1及び抵
抗R2を直列に接続したものと材料(図示しない)の測定
点に装着したひずみゲージ1及び抵抗R3を直列に接続し
たものとを並列に接続してホイートストンブリッジ回路
2を構成し、抵抗R1及び抵抗R2の間の中点とひずみゲー
ジ1及び抵抗R3間の中点とを一対の出力端O+,O-として
入力端I+,I-間に電源3により入力電圧Vinを印加し、出
力端O+,O-間の出力電圧Voutを測定する。この時、各抵
抗R1,R2,R3の抵抗値がひずみゲージ1の通常状態のそれ
に等しければブリッジ回路2の平衡条件が満足され、材
料のひずみによるひずみゲージ1の抵抗値の変化分は該
ひずみ量に比較するので出力電圧Voutもひずみ量にほぼ
比例し、この比例関係を利用してひずみが測定される。
上記の測定方法は一般に1ゲージ法と呼ばれるもので
あって、この他のさらに前記抵抗R3をひずみゲージ1で
置き換えてブリッジ回路2を構成した2ゲージ法や抵抗
R1,R2,R3を全てびずみゲージ1で置き換えてブリッジ回
路2を構成した4ゲージ法が知られており、いずれの方
法において出力電圧Voutが材料のひずみ量に比例するこ
とを利用してひずみの測定が行われる。
かかる方法を用いて材料のひずみの多点測定を行うた
めのびずみ測定器では、ブリッジ回路2を構成する部分
の代表的な回路としては第6図(a),(b)示のもの
が知られている。
第6図(a)示の回路では、ひずみゲージ1を接続し
てブリッジ回路2を構成するための端子T1〜T7からなる
端子群Ta及び端子T5〜T7に結線された抵抗R1〜R3からな
る抵抗群Raが、スイッチS1〜S4からなるスイッチ群Sa
介して、電源3に接続された入力端I+・I-及び増幅アン
プ4の入力側に接続された出力端O+,O-に結線され、こ
れらの端子群Ta及び抵抗群Ra,スイッチ群Saが並列に複
数設けられている。そして、各端子群Taにおいて、一つ
又は複数のひずみゲージ1と端子T1〜T4との接続及び端
子T1〜T7間の結線を適当に選択することによって上記の
いずれの方法でもブリッジ回路2を構成可能としてい
る。
第6図(a)で、各端子群Taにおける接続は上から順
に4ゲージ法、2ゲージ法、1ゲージ法による接続を示
し、これらの接続により材料の測定点毎にブリッジ回路
2が各端子群Taにおいて構成されている。そして、各ブ
リッジ回路2に対応するスイッチ群Saをオン状態とする
ことによって該ブリッジ回路2に第5図示のように入力
電圧Vinが付与されると共に出力電圧Voutが増幅アンプ
4により増幅されて測定され、これによってひずみ測定
が行われる。従って、該スイッチ群Saを順次オン状態と
することによってひずみの多点測定が行われる。
一方、第6図(b)示の回路では、ひずみゲージ1を
接続する端子T1〜T4からなる端子群TbがスイッチS1〜S4
からなるスイッチ群Sbを介して電源3及び増幅アンプ4
を備えた主回路部5に結線され、1ゲージ法又は2ゲー
ジ法において各端子群Tbに接続されたひずみゲージ1と
共にブリッジ回路2を構成するために必要な抵抗R1〜R3
は主回路部5において電源3に直結されている。そし
て、該主回路部5には適当な位置にスイッチS5〜S8が設
けられ、上記のいずれかの方法でひずみゲージ1を接続
した端子群Tbに対応してスイッチS5〜S8のそれぞれを適
当にオン、オフさせることによっていずれの方法でもブ
リッジ回路2を構成可能とし、抵抗R1〜R3を各端子群Tb
に対して共通化している。
第6図(b)で、各端子群Tbにおける接続は上から順
に4ゲージ法、2ゲージ法、1ゲージ法でのひずみゲー
ジ1の接続を示し、各端子群Tbでのひずみの測定は、ス
イッチ群Sbを順次オン状態とすると共に、これと連動さ
せてスイッチS5〜S8のそれぞれを各方法に応じてオン、
オフさせることによって行われる。例えば、4ゲージ法
による測定では、第6図(b)示のようにスイッチS5,S
7がオン状態とされ、スイッチS6,S8がオフ状態とされ
る。
ひずみ測定器におけるブリッジ回路2の構成は通常、
上記の第6図(a)及び(b)のいずれかの結線方法が
用いられるが、第6図(a)示の結線方法では、各端子
群Taごとに抵抗群Ra設けるため多数の抵抗R1〜R3を使用
しなければならず、特に高精度の要求されるひずみ測定
器では抵抗値の精度に優れた高価な抵抗R1〜R3を多数使
用しなければならず、測定器が高価なものとなる。ま
た、各端子群Taの端子数が多いため誤結線が起こり易い
と共に接続に手間がかかる。
これに対して、第6図(b)示の結線方法では、各端
子群Tbに対して抵抗R1〜R3が共通化されているため、抵
抗R1〜R3が少なくて済み、廉価な測定器を製造すること
が可能となる。また、端子数も少ないので誤結線が起こ
り難くなると共にひずみゲージ1の接続を容易に行うこ
とができる。
しかしながら、第6図(b)示の結線方法では、特
に、2ゲージ法及び1ゲージ法による測定において、ス
イッチS1〜S8のいくつかがブリッジ回路2内に含まれて
しまうため、ブリッジ回路2の平衡条件を維持するため
にはオン抵抗の小さいスイッチをスイッチS1〜S8に使用
しなければならない。
そのため、スイッチS1〜S8として、従来はオン抵抗が
数mΩと小さいリードリレー等を使用していたが、近
年、測定器の高速測定化及び多機能化に伴ってこれらの
スイッチS1〜S8の使用頻度が極端に増加し、リードリレ
ー等の機械式のスイッチではその十分な耐久性を確保す
ることが困難であると共に高速化にも限界があった。
そこで、半導体スイッチ等の使用が望まれていたが、
半導体スイッチはオン抵抗が数十Ω〜数百Ωとリードリ
レーに較べて非常に大きい。従って、第4図(b)示の
結線方法において半導体スイッチを使用するためには、
ブリッジ回路2内に含まれるスイッチにおける電圧降下
分をなんらかの方法で補償してやり、等価的にスイッチ
を含まないブリッジ回路2としてやる必要がある。
このような補償は、2ゲージ法においては従来よく知
られているリモートセンシング等によって容易に行うこ
とが可能であり、その一例を第7図に示す。第7図は第
6図(b)示の結線で2ゲージ法によるブリッジ回路2
において補償を行った回路の等価回路である。
第6図(b)示の回路において2ゲージ法によるブリ
ッジ回路2ではスイッチS6,S7がオン状態とされ、スイ
ッチS5,S8がオフ状態とされ、端子群Tbで直列に接続さ
れたひずみゲージ1,1を併せた部分の一端がスイッチS1
を介して、他端がスイッチS3,S7を介して電源3に接続
された回路となり、ブリッジ回路2の平衡条件を維持す
るためにはひずみゲージ1,1の両端間の電圧を電源3の
電圧Vinに等しくしなければならない。
そこで、第7図示のようにスイッチS1のオン抵抗値に
等しい抵抗をr1、スイッチS3,S7のオン抵抗を併せた値
に等しい抵抗をr3+7として、抵抗r1,r3+7と電源3との
間にそれぞれオペアンプA1,A2を設け、その出力側を抵
抗r1,r3+7に接続し、入力側には抵抗r1,r3+7のひずみゲ
ージ1,1側の一端と電源3とを接続する。これによって
スイッチS1のオン抵抗r1とスイッチS3,S7のオン抵抗r
3+7とによる電圧降下分はそれぞれオペアンプA1,A3にフ
ィードバックされ、ひずみゲージ1,1の両端間の電圧は
電源3の電圧Vinに等しくすることができる。
しかしながら、第6図(b)示の結線方法において1
ゲージ法によるブリッジ回路2では、ひずみゲージ1が
スイッチS3を介して抵抗R3に直列接続されるため、上記
のリモードセンシングではスイッチS3のオン抵抗による
電圧降下分を補償してやることができなかった。
(解決しようとする課題) 本発明は、かかる不都合を解消し、1ゲージ法または
2ゲージ法によるびずみ測定においてブリッジ回路を構
成するために必要な抵抗を備えた主回路部にスイッチを
介してひずみゲージを接続することによって1ゲージ法
及び2ゲージ法、4ゲージ法のいずれの方法でもひずみ
の測定が可能な多点測定用のひずみ測定回路において、
特に、1ゲージ法により構成したブリッジ回路内に含ま
れるスイッチのオン抵抗による電圧降下分を補償するこ
とができ、該ブリッジ回路の平衡条件を維持して精度よ
くひずみ測定を行うことのできる回路を提供することを
目的とする。
(課題を解決する手段) 本発明のひずみの多点測定回路は、かかる目的を達成
するために、主回路部にスイッチ群を介して結線された
複数の端子群のそれぞれの所定の端子に一つ又は複数の
ひずみゲージを接続することにより各端子群毎に該主回
路部と併せてひずみを測定するための1ゲージ又は2ゲ
ージ又は4ゲージのホイートストンブリッジ回路を前記
スイッチ群の切り換えにより構成可能であって、少なく
とも一つのひずみゲージのみが接続された端子群に対応
する1ゲージのブリッジ回路は前記主回路部に設けられ
た第1抵抗及び第2抵抗を直列に接続した直列抵抗回路
の一端と該直列抵抗回路の他端に主回路部内で接続した
第3抵抗とにそれぞれ第1及び第2スイッチを介して該
ひずみゲージが接続されて構成され、該1ゲージのブリ
ッジ回路によるひずみの測定の際には該第1及び第2ス
イッチのオン状態において前記直列抵抗回路の両端を一
対の入力端として該入力端間に電源により入力電圧が付
与され、該付与時に該第1抵抗及び第2抵抗間の中点と
ひずみゲージ及び第3抵抗間の中点とを一対の出力端と
して該出力端間に発生する出力電圧によりひずみを測定
するひずみの測定回路において、前記1ゲージのブリッ
ジ回路によるひずみの測定の際に前記第1スイッチ及び
ひずみゲージ間の電位を前記直列抵抗回路のひずみゲー
ジ側の一端の電位と等しくさせる第1補償回路を介して
該第1スイッチと直列抵抗回路とを接続し、該ひずみゲ
ージ及び前記第2スイッチ、第3抵抗を併せた部分の両
端間の電圧を前記入力電圧よりも該第2スイッチのオン
抵抗による電圧降下分だけ増加させる第2補償回路を介
して前記直列抵抗回路と該第3抵抗とを接続し、前記出
力端のうち該ひずみゲージ及び第3抵抗間の中点を該ひ
ずみゲージ及び第2スイッチ間の中点としたことを特徴
とする。
また、前記第1補償回路が、前記第1スイッチ及び前
記ひずみゲージ間と前記直列抵抗回路のひずみゲージ側
の一端とに入力側を接続すると共に該第1スイッチの直
列抵抗回路の一端に出力側を接続した第1アンプから成
ることを特徴とする。
さらに、前記第2補償回路が、前記第3抵抗及び前記
第2スイッチ間に入力側を接続した第1バッファと、該
第1バッファの出力側から前記直列抵抗回路の第3抵抗
側の他端に直列に接続した第4及び第5抵抗と、該第2
スイッチ及び前記ひずみゲージ間に入力側を接続した第
2バッファと、該第2バッファの出力側から前記第3抵
抗の直列抵抗回路側の一端に直列に接続した第6及び第
7抵抗と、前記第4及び第5抵抗間の中点と前記第6及
び第7抵抗間の中点とに入力側を接続すると共に前記第
3抵抗の一端に出力側を接続した第2アンプとから成
り、該第4乃至第7抵抗として、該第4及び第5抵抗間
の中点の電位と該第6及び第7抵抗間の中点の電位とが
等しく、且つ該第2アンプの出力側の電位が前記ひずみ
ゲージ及び前記第2スイッチ、前記第3抵抗を併せた部
分の両端間の電圧を前記入力電圧よりも該第2スイッチ
のオン抵抗による電圧降下分だけ増加させる電位となる
ような抵抗値の抵抗を選択したことを特徴とする。
前記第1アンプ及び第2アンプとしてはオペアンプ等
の高入力インピーダンス且つ低出力インピーダンスのも
のが使用され、また、前記第1バッファ及び第2バッフ
ァも高入力インピーダンス且つ低出力インピーダンスの
ものが使用される。
(作用) かかる手段によれば、前記1ゲージのブリッジ回路に
よるひずみ測定の際には、前記第1補償回路によって、
該ひずみゲージ及び前記第1スイッチ間の電位が、前記
電源により入力電圧を付与された前記直列抵抗回路のひ
ずみゲージ側の一端の電位と等しくされると共に、前記
第2補償回路によって、該ひずみゲージ及び前記第2ス
イッチ、第3抵抗を併せた部分の両端間の電圧が前記入
力電圧よりも該第2スイッチのオン抵抗による電圧降下
分だけ増加されるので、該ひずみゲージ及び第3抵抗の
それぞれに付与される電圧は、該ひずみゲージ及び第3
抵抗をスイッチ等を介さずに直列接続したものに前記入
力電圧を付与したときのそれと等しくなり、且つ前記ひ
ずみゲージ及び第2スイッチ間の中点の電位は、該ひず
みゲージ及び第3抵抗をスイッチ等を介さずに直列接続
したものに前記入力電圧を付与したときの該ひずみゲー
ジ及び第3抵抗間の中点の電位と等しくなる。
従って、前記1ゲージのブリッジ回路によるひずみ測
定では、該ブリッジ回路内に第1及び第2スイッチを含
まないブリッジ回路による測定と同じ結果が得られる。
また、前記第1補償回路が、前記第1スイッチ及び前
記ひずみゲージ間と前記直列抵抗回路のひずみゲージ側
の一端とに入力側を接続すると共に該第1スイッチの直
列抵抗回路側の一端に出力測を接続した第1アンプから
成るときには、該第1スイッチのオン抵抗による電圧降
下分が該第1アンプの入力側にフィードバックされ、そ
の出力電位が該びずみゲージ及び前記第1スイッチ間の
電位を前記直列抵抗回路のひずみゲージ側の一端の電位
と等しくなるように調整される。
さらに、前記第2補償回路が、前記第3抵抗及び前記
第2スイッチ間に入力側を接続した第1バッファと、該
第1バッファの出力側から前記直列抵抗回路の第3抵抗
側の他端に直列に接続した第4及び第5抵抗と、該第2
スイッチ及び前記ひずみゲージ間に入力側を接続した第
2バッファと、該第2バッファの出力側から前記第3抵
抗の直列抵抗回路側の一端に直列に接続した第6及び7
抵抗と、前記第4及び第5抵抗間の中点と前記第6及び
第7抵抗間の中点とに入力側を接続すると共に前記第3
抵抗の一端に出力側を接続した第2アンプとから成ると
きには、該第4乃至第7抵抗として、該第4及び第5抵
抗間の中点の電位と該第6及び第7抵抗間の中点の電位
とが等しく、且つ該第2アンプの出力側の電位が前記ひ
ずみゲージ及び前記第2スイッチ、前記第3抵抗を併せ
た部分の両端間の電圧を前記入力電圧よりも該第2スイ
ッチのオン抵抗による電圧降下分だけ増加させる電位と
なるような抵抗値の抵抗を選択することによって、該第
2スイッチにおける電圧降下分が補償される。
(実施例) 本発明のひずみの多点測定回路の一例を第1図に従っ
て説明する。第1図は該測定回路の回路図である。
第1図で、5は主回路部、Tcは該主回路部5にスイッ
チ群SCを介して結線されたひずみゲージ1を接続するた
めの端子群、6,7はそれぞれ主回路部5に設けられた第
1補償回路及び第2補償回路である。
各端子群Tcは端子T1〜T4から成り、各端子T1〜T4はそ
れぞれスイッチ群ScのスイッチS1〜S4を介して主回路部
5に結線され、さらに端子T1,T3はそれぞれスイッチS1,
S3と並列にスイッチS1a,S3aを介して主回路部5に結線
されている。
主回路部5はびずみゲージ1の通常状態の抵抗値に等
しい抵抗R1,R2を直列に接続した直列抵抗回路8と、同
様に同抵抗値の抵抗R3とを備え、該直列抵抗回路8の抵
抗R1側及び抵抗R2側はそれぞれ主回路部5に設けられた
電源3の−側及び+側に接続され、抵抗R3は前記スイッ
チS3に接続されている。
前記第1補償回路6は高入力インピーダンス且つ低出
力インピーダンスのオペアンフ9から成り、オペアンプ
9の入力側はスイッチS1a及び直列抵抗回路8の抵抗R2
側に接続され、その出力側はスイッチS1に接続されてい
る。
前記第2補償回路7は高入力インピーダンス且つ低出
力インピーダンスンのバッファアンプ10,11及びオペア
ンプ12を備え、バッファアンプ10の入力側は抵抗R3及び
スイッチS3間に接続され、その出力側は列に接続された
同抵抗値の抵抗R4,R5を順に介して前記直列抵抗回路8
の抵抗R1側に接続されている。
バッファアンプ11の入力側は前記スイッチS3aに接続
され、その出力側は直列に接続された同抵抗値の抵抗
R6,R7を順に介して抵抗R3のスイッチS3側でない一端に
接続されている。
オペアンプ12の入力側には切り換えスイッチSW1,SW2
が結線され、スイッチSW1は前記抵抗R4,R5の中点に結線
された端子a1と前記直列抵抗回路8の抵抗R1側に結線さ
れた端子b1とのいずれか一方に該アンプ12の入力側を接
続可能とし、スイッチSW2は前記抵抗R6,R7間の中点に結
線された端子a2と前記バッファアンプ11の入力側に結線
された端子b2とのいずれか一方に該アンプ12の入力側を
接続可能としている。そして、オペアンプ12の出力側は
抵抗R3の前記抵抗R7を接続した一端に接続されている。
また、主回路部5は前記端子群Tcに接続されたひづみ
ゲージ1と併せて構成されるホイートストンブリッジ回
路2の出力を増幅するための高入力インピーダンスの増
幅アンプ4を備え、その入力側には切り換えスイッチSW
3,SW4,が結線されている。そして、スイッチSW3は前記
抵抗R1,R2間の中点に結線された端子a3と前記スイッチS
4に結線された端子b3とのいずれか一方に該アンプ4の
入力側を接続可能とし、スイッチSW4は前記バッファア
ンプ11の入力側に結線された端子a4と前記スイッチS2
結線された端子b4とのいずれか一方にアンプ4の入力側
を接続可能としている。
尚、アンプ4の出力側は、図示しないが例えばひずみ
測定値の表示等の処理を行う処理回路等に接続される。
かかる構成のひずみの多点測定回路ではひずみゲージ
1を各端子群Tcの所定の位置に接続することによって前
記した第6図(b)示の回路と同様に1ゲージ法及び2
ゲージ法、4ゲージ法のいずれの方法でもひずみの多点
測定が可能である。この時、切り換えスイッチSW1〜SW4
は各端子群TCにおける測定方法に対応して所定の位置に
順次切り換えられ、これによって、該端子群Tcに接続さ
れたひずみゲージ1と主回路部5とを併せてひずみ測定
のためのブリッジ回路2が構成される。
第1図で各端子群Tcへのひずみゲージ1の接続は上か
ら順に1ゲージ法、1ゲージ3線法、2ゲージ法、4ゲ
ージ法における接続を示す。ここで、1ゲージ3線法は
一般に知られているように、1ゲージ法によるひずみ測
定において接続リード線の抵抗値の温度変化を考慮して
より精密な測定を行う際に該温度変化を補償するために
ひずみゲージ1の一端から直接出力ラインを引き出して
ブリッジ回路2の出力を測定する方法であって基本的に
は1ゲージ法と同じである。
これらの各測定方法における切り換えスイッチSW1〜S
W4の切り換え位置を第1表に示す。
第1図及び第1表で、例えば1ゲージ法によるひずみ
測定では、第1図示のようにひずみゲージ1が端子T1,T
3間に接続され、スイッチSW1〜SW4はそれぞれ前記端子a
1,a2,a3,a4に接続される。
次に、1ゲージ法によるひずみ測定における上記の測
定回路の作動について第2図に従って説明する。第2図
は該測定回路の等価回路である。
1ゲージ法によるひずみ測定では上記したようにひず
みゲージ1が接続されてそれに対応したスイッチ群Sc
オン状態とされるので、第2図示のようにひずみゲージ
1の一端はスイッチS1を介して前記オペアンプ9の出力
側に、スイッチS1aを介してオペアンプ9の入力側に接
続され、ひずみゲージ1の他端はスイッチS3を介して前
記第3抵抗R3に、スイッチS3aを介して前記バッファア
ンプ11の入力側に接続される。そして、第1表示のよう
に前記オペアンプ12の入力側は前記抵抗R4,R5の間の中
点及び前記抵抗R6,R7間の中点にそれぞれSW1,SW2を介し
て接続され、これによってブリッジ回路2が構成され
る。
また、前記直列抵抗回路8の両端が入力端I+,I+とさ
れて電源3により入力電圧Vinが付与され、抵抗R1,R2
の中点及びバッファアンプ11の入力側が出力端O+,O-
されてそれぞれスイッチSW3,SW4を介して増幅アンプ4
に接続される。この時、増幅アンプ4は高入力インピー
ダンスであるので、スイッチS3aにおける電圧降下は無
視できるので出力端O-の電位はひずみゲージ1及びスイ
ッチS3間の電位と一致する。
ここで、入力端I-の電位を0Vとして、まず、前記第1
補償回路6の作動について説明する。
この第1補償回路6は前記したリモートセンシングの
回路であって、オペアンプ9の入力側には入力端I+の電
位Vinが入力され、且つ、ひずみゲージ1及びスイッチS
1間の電位V1がスイッチS1aを介して該アンプ9にフィー
ドバックされる。この時、オペアンプ9は入力インピー
ダンスが高いため、スイッチs1aにおける電圧降下は無
視できる。そして、オペアンプ9ではその二つの入力が
等しくなるようにその出力が調整されてその出力電位は
スイッチS1における電圧降下分をe1とするとVin+e1
なり、従って、V1=Vinとなる。すなわち、スイッチS1
における電圧降下分e1がオペアンプ9によって補償され
る。
また、第2補償回路7のバッファアンプ10の入力側の
電位は、ひずみゲージ1及びスイッチS3間の電位をV2
スイッチS3における電圧降下分をe2とするとV2−e2とな
り、この電位V2−e2はそのままバッファアンプ10の出力
電位となる。そして、前記抵抗R4,R5の抵抗値は等しい
ので該抵抗R4,R5間の中点の電位V3はV3=(V2−e2)/2
となる。
一方、バッファアンプ11の入力側の電位は、該バッフ
ァアンプ11の入力インピーダンスが高くてスイッチS3a
における電圧降下分が無視できるので、ひずみゲージ1
及びスイッチS3間の電位V2に等しく、この電位V2はその
ままバッファアンプ11の出力電位となる。そして、前記
抵抗R6,R7抵抗値は等しいので該抵抗R6,R7間の中点の電
位V4はオペアンプ12の出力電位をV5としてV4=(V2
V5)/2となる。
前記抵抗R4,R5間の中点の電位V3及び前記抵抗R6,R7
の中点の電位V4はそれぞれ前記スイッチSW1,SW2を介し
てオペアンプ12に入力される。この時、オペアンプ12は
入力インピーダンスが高いためスイッチSW1,SW2におけ
る電圧降下は無視できる。そして、該オペアンプ12では
これらの入力電位V3,V4が等しくなるようにその出力が
調整され、V5=−e2となる。
従って、ひずみゲージ1及びスイッチS3,抵抗R3を併
せた部分の両端間の電位差はV1+e2となり、且つ前記し
たようにV1=Vinであるので、第2図示のブリッジ回路
2は前記した第5図示のブリッジ回路と等価である。す
なわち、スイッチS1,S3における電圧降下分e1,e2が補償
されてひずみ測定が行われる。
本実施例では、第2補償回路7において前記抵抗R4,R
5の抵抗値及び前記抵抗R6,R7の抵抗値をそれぞれ同抵抗
値としたが、これらの抵抗R4,R5,R6,R7として、オペア
ンプ12の入力電位V3,V4が等しく、且つその出力電位V5
がV5=−e2となるような他の抵抗値のものを選択してス
イッチS3における電圧降下分e2補償することも可能であ
る。
尚、1ゲージ3線法ではひずみゲージ1のスイッチS3
側の電位がスイッチS2を介して増幅アンプ4に直接入力
されてひずみ測定が行われる。
次に、2ゲージ法によるひずみ測定における上記の測
定回路の作動について第1図及び第3図に従って説明す
る。第3図は該測定回路の等価回路である。
第1図で、2ゲージ法によるひずみ測定では、第1表
に示したようにSW1〜SW4が接続されるため、この測定回
路は第3図示の回路となる。第3図で、オペアンプ9は
明らかに前記第1補償回路6と同じ作動をし、ひずみゲ
ージ1及びスイッチS1間の電位は直列抵抗回路8の抵抗
R2側の電位と一致する。そして、オペアンプ12の入力側
には直列抵抗回路8の抵抗R1側の電位とひずみゲージ1
及びスイッチS3の間の電位が入力されるので、オペアン
プ9と同様の作動をし、ひずみゲージ1及びスイッチS3
間の電位は直列抵抗回路8の抵抗R1側の電位と一致す
る。
従って、スイッチS1,S3における電圧降下分が補償さ
れ、この回路におけるひずみ測定はひずみゲージ1,1及
び抵抗R1,R2のみから構成されたブリッジ回路2による
測定と同じ結果から得られる。
次に、4ゲージ法におけるひずみ測定における等価回
路は第4図示の回路となる。ブリッジ回路2は端子群Tc
で構成されてスイッチを含まず、その入力端I+はスイッ
チS1及びオペアンプ9を介して電源3の+側に接続さ
れ、入力端I-はスイッチS3及びオペアンプ12を介して電
源3の−側に接続される。そして、該入力端I+,I-の電
位はそれぞれオペアンプ9及びオペアンプ12にフィード
バックされているので、該入力端I+,I-間には電源3電
圧Vinが入力され、これによってひずみ測定が行われ
る。
以上説明したように本実施例のひずみの多点測定回路
によれば、1ゲージ法及び2ゲージ法、4ゲージ法のい
ずれの方法でもひずみ測定を行うことができると共にブ
リッジ回路2内に含まれるスイッチにおける電圧降下分
が補償されるので、スイッチS1〜S4として半導体スイッ
チ等の比較的オン抵抗の大きいスイッチを使用すること
ができる。
(効果) 上記の説明から明らかなように、本発明のひずみの多
点測定回路によれば、主回路部にスイッチ群を介して結
線された端子群にひずみゲージを接触することにより1
ゲージ法及び2ゲージ法、4ゲージ法のいずれの方法で
もひずみの多点測定を行うことができると共に、特に1
ゲージ法によるひずみ測定においてホイートストンブリ
ッジ回路のひずみゲージの両端位置に含まれるスイッチ
における電圧降下分を第1補償回路及び第2補償回路に
より補償することによって、該ブリッジ回路の平衡条件
を維持して精度よくひずみ測定を行うことができる。
そして、ブリッジ回路内に含まれるスイッチにおける
電圧降下分が補償されることによって、前記スイッチ群
の各スイッチとして半導体スイッチ等を使用することが
でき、高速測定化及び多機能化したひずみ測定器を提供
することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のひずみの多点測定回路の一例の回路
図、第2図乃至第4図はそれぞれ1ゲージ法、2ゲージ
法、4ゲージ法における測定回路の等価回路図、第5図
はひずみ測定のための基本回路の回路図、第6図
(a),(b)は従来のひずみの多点測定回路の回路
図、第7図は第6図(b)の回路での2ゲージ法による
測定においてホイートストンブリッジ回路内に含まれる
スイッチでの電圧降下分を補償する回路の一例の回路図
である。 1……ひずみゲージ 2……ホイートストンブリッジ回路 3……電源、5……主回路部 6……第1補償回路、7……第2補償回路 8……直列抵抗回路、9……第1アンプ 10……第1バッファ、11……第2バッファ 12……第2アンプ I+,I-……入力端、O+,O-……出力端 R1……第1抵抗、R2……第2抵抗 R3……第3抵抗、R4……第4抵抗 R5……第5抵抗、R6……第6抵抗 R7……第7抵抗、Sc……スイッチ群 S1……第1スイッチ、S3……第2スイッチ Tc……端子群

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】主回路部にスイッチ群を介して結線された
    複数の端子群のそれぞれの所定の端子に一つ又は複数の
    ひずみゲージを接続することにより各端子群毎に該主回
    路部と併せてひずみを測定するための1ゲージ又は2ゲ
    ージ又は4ゲージのホイートストンブリッジ回路を前記
    スイッチ群の切り換えにより構成可能であって、少なく
    とも一つのひずみゲージのみが接続された端子群に対応
    する1ゲージのブリッジ回路は前記主回路部に設けられ
    た第1抵抗及び第2抵抗を直列に接続した直列抵抗回路
    の一端と該直列抵抗回路の他端に主回路部内で接続した
    第3抵抗とにそれぞれ第1及び第2スイッチを介して該
    ひずみケージが接続されて構成され、該1ゲージのブリ
    ッジ回路によるひずみの測定の際には該第1及び第2ス
    イッチのオン状態において前記直列抵抗回路の両端を一
    対の入力端として該入力端間に電源により入力電圧が付
    与され、該付与時に該第1抵抗及び第2抵抗間の中点と
    ひずみゲージ及び第3抵抗間の中点とを一対の出力端と
    して該出力端間に発生する出力電圧によりひずみを測定
    するひずみの測定回路において、前記1ゲージのブリッ
    ジ回路によるひずみの測定の際に前記第1スイッチ及び
    ひずみゲージ間の電位を前記直列抵抗回路のひずみゲー
    ジ側の一端の電位と等しくさせる第1補償回路を介して
    該第1スイッチと直列抵抗回路とを接続し、該ひずみゲ
    ージ及び前記第2スイッチ、第3抵抗を併せた部分の両
    端間の電圧を前記入力電圧よりも該第2スイッチのオン
    抵抗による電圧降下分だけ増加させる第2補償回路を介
    して前記直列抵抗回路と該第3抵抗とを接続し、前記出
    力端のうち該ひずみゲージ及び第3抵抗間の中点を該ひ
    ずみゲージ及び第2スイッチ間の中点としたことを特徴
    とするひずみの多点測定回路。
  2. 【請求項2】前記第1補償回路が、前記第1スイッチ及
    び前記ひずみゲージ間と前記直列抵抗回路のひずみゲー
    ジ側の一端とに入力側を接続すると共に該第1スイッチ
    の直列抵抗回路側の一端に出力側を接続した第1アンプ
    から成ることを特徴とする請求項1記載のひずみの多点
    測定回路。
  3. 【請求項3】前記第2補償回路が、前記第3抵抗及び前
    記第2スイッチ間に入力側を接続した第1バッファと、
    該第1バッファの出力側から前記直列抵抗回路の第3抵
    抗側の他端に直列に接続した第4及び第5抵抗と、該第
    2スイッチ及び前記ひずみゲージ間に入力側を接続した
    第2バッファと、該第2バッファの出力側から前記第3
    抵抗の直列抵抗回路側の一端に直列に接続した第6及び
    第7抵抗と、前記第4及び第5抵抗間の中点と前記第6
    及び第7抵抗間の中点とに入力側を接続すると共に前記
    第3抵抗の一端に出力側を接続した第2アンプとから成
    り、該第4乃至第7抵抗として、該第4及び第5抵抗間
    の中点の電位と該第6及び第7抵抗間の中点の電位とが
    等しく、且つ該第2アンプの出力側の電位が前記ひずみ
    ゲージ及び前記第2スイッチ、前記第3抵抗を併せた部
    分の両端間の電圧を前記入力電圧よりも該第2スイッチ
    のオン抵抗による電圧降下分だけ増加させる電位となる
    ような抵抗値の抵抗を選択したことを特徴とする請求項
    1記載のびずみの多点測定回路。
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