JP2829310B2 - Method for producing vapor phase synthetic diamond tool - Google Patents
Method for producing vapor phase synthetic diamond toolInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は気相合成ダイヤモンド膜を装着した切削工具
ならびに耐摩耗工具などの工具の製造方法に関するもの
である。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for manufacturing tools such as cutting tools and wear-resistant tools provided with a vapor-phase synthetic diamond film.
［従来の技術］ 近年、ダイヤモンド工具として、気相合成法によるダ
イヤモンド膜を金属製又は超硬合金製基体上に析出させ
て、切削工具及び耐摩耗工具の用途に適用しようとする
新しい試みがある。しかし、この試みにより実用に耐え
得る工具を製造することに必ずしも成功していない。[Prior Art] In recent years, as a diamond tool, there has been a new attempt to deposit a diamond film by a vapor phase synthesis method on a metal or cemented carbide substrate, and to apply the diamond film to cutting tools and wear-resistant tools. . However, this attempt has not always succeeded in producing a practically usable tool.
すなわち、ダイヤモンド膜の厚さを厚くすればする程
それだけ基板との接着強度は低下する傾向にある。例え
ば、超硬合金上にダイヤモンドをコーティングした切削
用チップは、切削加工中にダイヤモンド膜がすぐに剥離
する欠点がある上、さらに、気相合成法によるダイヤモ
ンド膜の合成は鉄系金属上には析出し難いなど、基体の
種類によって大きく影響を及ぼされ、どのような基体上
にもダイヤモンドが析出するとは限らず、基体物質の種
類の選択に制約される欠点がある。That is, the larger the thickness of the diamond film, the lower the adhesive strength to the substrate tends to be. For example, a cutting tip coated with diamond on a cemented carbide has the disadvantage that the diamond film peels off immediately during cutting, and furthermore, the synthesis of diamond film by vapor phase synthesis method is not suitable for ferrous metals. It is greatly affected by the type of the substrate, such as the difficulty in precipitation, and diamond is not always deposited on any substrate, and there is a drawback that the choice of the type of substrate material is restricted.
［発明が解決しようとする課題］ 本発明は、全く新しい発想によりこれらの問題点を解
決して、気相合成法によるダイヤモンド膜を装着した工
具を提供することを目的とする。[Problems to be Solved by the Invention] An object of the present invention is to solve these problems by a completely new idea and to provide a tool provided with a diamond film formed by a vapor phase synthesis method.
［課題を解決するための手段］ 本発明者らは、上記ダイヤモンド膜と基体との接着力
並びに基体種類の制約などの問題点を解決するために、
ダイヤモンドが最も析出しやすい析出基板上に、ダイヤ
モンド膜を厚く成膜させ、物理的又は化学的方法によっ
て析出基板を除去した後、厚いダイヤモンド膜を所望の
基体上にロウ付けする間接的蒸着手法に想到して、本発
明を完成させた。Means for Solving the Problems The present inventors have set out to solve problems such as the adhesion between the diamond film and the substrate and restrictions on the type of the substrate.
A diamond film is formed thick on a deposition substrate on which diamond is most likely to be deposited, and after removing the deposition substrate by a physical or chemical method, an indirect vapor deposition technique is used in which a thick diamond film is brazed onto a desired substrate. With this in mind, the present invention has been completed.
すなわち、本発明は、工具基体と同一表面形状を多数
個有する析出基体に、気相合成法により150〜5000μｍ
の厚さにダイヤモンド膜を析出させ、次いで、析出基体
を除去する工程とダイヤモンド膜をレーザにより工具基
体１個の表面毎に切断する工程を経て、そのダイヤモン
ド膜を工具基体上にロウ付けすることを特徴とする気相
合成ダイヤモンド工具の製造方法を提供するものであ
る。That is, the present invention provides a deposition substrate having a large number of the same surface shape as the tool substrate, by a gas phase synthesis method to 150 to 5000 μm
And then brazing the diamond film on the tool substrate through a step of removing the deposited substrate and a step of cutting the diamond film into individual tool substrates using a laser. The present invention provides a method for producing a vapor phase synthetic diamond tool characterized by the following.
本発明は、例えば、切削バイト、スローアウェイチッ
プ、ドリル、エンドミルなどの切削工具ならびに硬度と
耐摩耗性を必要とする工具類の製造方法の総てに適用す
ることができる。INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be applied to, for example, all cutting tools such as cutting tools, indexable inserts, drills, and end mills, as well as methods for manufacturing tools requiring hardness and wear resistance.
本発明に用いる最初にダイヤモンド膜を析出させる析
出基板は、ダイヤモンドが析出しやすく、析出したダイ
ヤモンドを化学的又は物理的手法で剥離しやすいもので
あればどのようなものでも使用できる。また、工具基体
が複雑な形状の場合は、加工しやすいものが望ましい。As the deposition substrate on which a diamond film is first deposited for use in the present invention, any substrate can be used as long as diamond is easily deposited and the deposited diamond is easily peeled off by a chemical or physical method. If the tool base has a complicated shape, it is desirable that the tool base be easy to machine.
本発明において、このような析出基板として、例え
ば、シリコン、モリブデン、タングステンなどを好適に
使用することができる。In the present invention, for example, silicon, molybdenum, tungsten, or the like can be suitably used as such a deposition substrate.
本発明における第一の特徴は、、ダイヤモンドが析出
しやすい析出基板を用いて、気相合成法によりダイヤモ
ンドを該基板の上に厚く析出させるところにあり、材質
が限定された工具基体の上に直接成膜する場合と異な
り、析出基板の上ではダイヤモンド膜を厚く成膜するこ
とが比較的容易である。The first feature of the present invention is that, using a deposition substrate on which diamond is easily deposited, diamond is deposited thickly on the substrate by a vapor phase synthesis method, and on a tool base with limited material. Unlike the case of direct film formation, it is relatively easy to form a thick diamond film on the deposition substrate.
本発明に用いる析出基板上のダイヤモンド膜の気相合
成は、物理蒸着法及び化学蒸着法を使用することがで
き、化学蒸着（CVD）では、熱分解CVD、プラズマCVD、
イオンビームCVD、マイクロウェーブCVD法など公知のダ
イヤモンド気相成長法を採用することができる。The vapor phase synthesis of the diamond film on the deposition substrate used in the present invention can use physical vapor deposition and chemical vapor deposition. In chemical vapor deposition (CVD), pyrolysis CVD, plasma CVD,
Known diamond vapor deposition methods such as ion beam CVD and microwave CVD can be employed.
本発明に用いる工具基体は、強度的に工具としての使
用に堪える硬度及び強度を有し、ダイヤモンドをロウ付
けすることができるものであれば、どのような材質の工
具基体でも使用することができる。The tool base used in the present invention can have any hardness and strength enough to withstand use as a tool, and can be any tool base as long as diamond can be brazed. .
従来より、工具又は工具の基体として使用されている
もの、例えば炭化タングステンなどの超硬合金基体、炭
素工具鋼、合金工具鋼、高速度工具鋼などの金属基体又
はアルミナ、ジルコニアなどの非金属ファインセラミッ
クよりなる基体などを使用することができる。Conventionally used as a tool or a tool base, such as a cemented carbide base such as tungsten carbide, a metal base such as carbon tool steel, alloy tool steel, and high-speed tool steel, or a non-metallic fine base such as alumina and zirconia A substrate made of ceramic or the like can be used.
本発明の第二の特徴は、析出基体の表面をロウ付けす
べき工具表面と一致させて、ダイヤモンド析出後、析出
基体除去して得たダイヤモンド膜を所望の工具基体上に
かぶせ、ロウ付けすることにより、単なる蒸着による接
着と異なり、ダイヤモンド膜と工具基体とは強固に接着
することができる点にある。A second feature of the present invention is that the surface of the deposition substrate is matched with the tool surface to be brazed, and after diamond deposition, the diamond film obtained by removing the deposition substrate is covered on a desired tool substrate and brazed. Thus, unlike the adhesion by simple vapor deposition, the diamond film and the tool base can be firmly adhered.
本発明においてロウ付けに用いるロウ材は、融点700
〜1200℃程度のものが望ましく、ダイヤモンド膜と使用
する基体との良好な接着を行うものであれば特に制限は
ないが、通常、単結晶ダイヤモンドを接着するときに使
用されていたものは総て好適に使用することができる。In the present invention, the brazing material used for brazing has a melting point of 700.
The temperature is preferably about 1200 ° C., and there is no particular limitation as long as it provides good adhesion between the diamond film and the substrate to be used. It can be suitably used.
本発明においては、使用する工具基体の種類に応じ
て、ロウ材の種類を選択する必要がある。In the present invention, it is necessary to select the type of the brazing material according to the type of the tool base to be used.
本発明において金属製工具基体又は超鋼合金製工具基
体との間に使用するロウ材として、Ti−Cu−Ag系ロウ
材、Cu−Ni−Ti系ロウ材、Ag−Cu−Pd系ロウ材、Au−Ni
−Cr系ロウ材などを挙げることができる。In the present invention, as a brazing material used between a metal tool substrate and a super steel alloy tool substrate, Ti-Cu-Ag-based brazing material, Cu-Ni-Ti-based brazing material, Ag-Cu-Pd-based brazing material , Au-Ni
-Cr-based brazing material and the like.
また、本発明において、ファインセラミック製工具基
体とダイヤモンド膜との接着に用いるロウ材としては、
Ti−Cu−Ag系ロウ材が接合強度の点から適している。Further, in the present invention, as a brazing material used for bonding the fine ceramic tool base and the diamond film,
Ti-Cu-Ag based brazing material is suitable from the viewpoint of bonding strength.
本発明の他の材質の工具基体を用いたときは、それに
対応して適宜ロウ材を選択して使用することができる。When a tool base of another material of the present invention is used, a brazing material can be appropriately selected and used correspondingly.
本発明のロウ付けは、常法により溶融ロウ材を介在さ
せて、両者の面を押し付けて接着することにより行う。The brazing of the present invention is carried out by interposing a molten brazing material by a conventional method and pressing and bonding both surfaces.
本発明に用いる工具基体は、平板状のものに限定され
ない。本発明におけるダイヤモンドの気相合成法の特徴
は、どのような形の曲面であっても成膜によりその曲面
通りに膜を製造できる点にある。The tool base used in the present invention is not limited to a flat plate. The feature of the diamond vapor phase synthesis method according to the present invention is that a film can be manufactured according to the curved surface by forming a film, regardless of the shape of the curved surface.
従って、曲面又は角面を有する工具基体であってもこ
れを型にとり、この型に合わせて析出基板を形成して、
これに気相合成によりダイヤモンド膜を蒸着させれば、
曲面又は角面を有する工具基体にも適合するダイヤモン
ド膜を基体の上に接着することができる。Therefore, even a tool substrate having a curved surface or a square surface is taken into a mold, and a deposition substrate is formed in accordance with the mold,
If a diamond film is deposited on this by vapor phase synthesis,
A diamond film that is also compatible with a tool substrate having a curved or angular surface can be adhered onto the substrate.
本発明製造方法において、厚さの大きいダイヤモンド
膜を工具１個毎に、ダイヤモンドの気相合成により製造
するのは、効率的でない。In the production method of the present invention, it is not efficient to produce a diamond film having a large thickness for each tool by vapor phase synthesis of diamond.
そこで析出基体としては、１種又は２種以上の工具表
面を多数個有する析出基体の表面にダイヤモンド膜を析
出させ、析出基体を除去してから、又は除去する前に、
得られたダイヤモンド膜をレーザで切断して、工具１個
の表面の大きさのダイヤモンド膜を得てこれを工具にロ
ウ付けすることができる。通常用いられている100μｍ
以下の厚さのダイヤモンド膜では、ダイヤモンド膜が曲
がって破損するので、これらの加工処理を実施すること
はできない。Therefore, as a deposition substrate, a diamond film is deposited on the surface of a deposition substrate having a large number of one or more tool surfaces, and after or after removing the deposition substrate,
The obtained diamond film is cut by a laser to obtain a diamond film having a surface size of one tool, which can be brazed to the tool. 100 μm commonly used
With a diamond film having the following thickness, the diamond film bends and breaks, so that such processing cannot be performed.
これらの剥離、切断及びロウ付け作業総てを行うため
には、ダイヤモンド膜は150〜5000μｍであることが必
要であり、150μｍ未満では作業中にダイヤモンド膜が
割れて作業が困難である。この観点からは、厚さが厚い
ほど有利であり、250μｍ以上にすると作業が非常に容
易になるので特に望ましい。In order to perform all of these stripping, cutting and brazing operations, the diamond film needs to have a thickness of 150 to 5000 μm, and if it is less than 150 μm, the diamond film is broken during the operation, making the operation difficult. From this point of view, it is more advantageous for the thickness to be larger, and it is particularly desirable to make the thickness 250 μm or more, since the work becomes very easy.
また、5000μｍ以上にすることはできるが、機能上及
び加工性の向上の効果が膜圧に比例して顕著でなく、ダ
イヤモンド膜の析出に時間がかかる割りに効率的でな
い。Although the thickness can be set to 5000 μm or more, the effect of improving the function and workability is not remarkable in proportion to the film pressure, and it is not efficient in spite of the time required for depositing the diamond film.
［実施例］ 本発明を実施例により、さらに詳細に説明する。[Example] The present invention will be described in more detail with reference to examples.
実施例１ 厚さ1mmの寸法10×10mmのシリコン析出基板上に直流
プラズマCVD法により、圧力200Torr、温度800℃、メタ
ン濃度１％、時間25hrの条件で、ダイヤモンド膜を500
μｍの厚さに成膜した。Example 1 A diamond film was formed on a silicon deposition substrate having a thickness of 1 mm and a size of 10 × 10 mm by DC plasma CVD under the conditions of a pressure of 200 Torr, a temperature of 800 ° C., a methane concentration of 1%, and a time of 25 hours for 500 hours.
A film was formed to a thickness of μm.
これを、レーザによって、切削工具の形状に合わせて
切断して、第１図の側面図で示すシリコン析出基体１と
ダイヤモンド膜２からなる構造体を製造し、次に第２図
に示すようにシリコン析出基板１を研磨加工によって除
去し、ダイヤモンド膜のみとした。This is cut by a laser according to the shape of the cutting tool to produce a structure composed of the silicon deposition substrate 1 and the diamond film 2 shown in the side view of FIG. 1, and then as shown in FIG. The silicon deposition substrate 1 was removed by polishing, leaving only a diamond film.
しかる後、第３図に示すようにダイヤモンド膜２を超
硬合金の切削チップ３上に直接、真空ロウ付けした。Thereafter, as shown in FIG. 3, the diamond film 2 was vacuum brazed directly on the cemented carbide cutting tip 3.
ダイヤモンド膜２と工具基体３の接合は、Ti−Cu−Ag
系のロウ材（WESGO社製TICUSIL）を用い、10-4〜10-5To
rrで真空ロウ付けを、常法に従って行い、ロウ付け部４
により接合した。The bonding between the diamond film 2 and the tool base 3 is made of Ti-Cu-Ag
10 -4 to 10 -5 To using a brazing material (TICUSIL manufactured by WESGO)
Vacuum brazing is performed in the usual manner with rr, and the brazing portion 4
And joined.
ロウ付け後さらに刃付けを行うことによって第４図に
示すように気相合成ダイヤモンドスローアウェイチップ
を作製した。After brazing, further cutting was performed to produce a vapor-phase synthetic diamond throw-away tip as shown in FIG.
この気相合成ダイヤモンドスローアウェイチップのバ
イトを装着した大隅株式会社製LS施盤を用いて、Al−22
％Si合金の切削試験を行った。Using an LS lathe manufactured by Osumi Co., Ltd. equipped with a tool of this vapor-phase synthetic diamond throwaway tip, Al-22
% Si alloy cutting test was performed.
本実施例の切削条件は切削速度500m/min、送り0.05mm
/rev、切り込み0.3mmとした。その結果、この気相合成
ダイヤモンドチップの逃げ面摩耗は100分間の連続切削
後40μｍであり、焼結体ダイヤモンドチップと同等の性
能を示した。The cutting conditions of this embodiment are as follows: cutting speed 500m / min, feed 0.05mm
/ rev, with a notch of 0.3 mm. As a result, the flank wear of the vapor phase synthetic diamond chip was 40 μm after continuous cutting for 100 minutes, and showed the same performance as that of the sintered diamond chip.
実施例２ 厚さ1mm、寸法25×25mmのモリブデン製析出基板に、E
ACVD法により、圧力40Torr、温度850℃、メタン濃度１
％、時間1000hrの条件でダイヤモンドを1000μｍの厚さ
に成膜し、フッ硝酸によってモリブデン析出基板を除去
した。しかる後、高速度鋼バイト工具基体３の寸法に合
わせて、ダイヤモンド膜をレーザにより切断し、得られ
たダイヤモンド膜２を高速度鋼バイト工具基体３上に直
接、真空ロウ付けした。さらに刃付けを行うことによっ
て第５図に示すような気相合成ダイヤモンドバイトを作
製した。Example 2 A molybdenum deposition substrate having a thickness of 1 mm and a size of 25 × 25 mm was coated with E
ACVD method, pressure 40 Torr, temperature 850 ° C, methane concentration 1
% And a time of 1000 hours, a diamond film was formed to a thickness of 1000 μm, and the molybdenum deposition substrate was removed with hydrofluoric nitric acid. Thereafter, the diamond film was cut by a laser according to the dimensions of the high-speed steel cutting tool base 3, and the obtained diamond film 2 was directly vacuum-brazed onto the high-speed steel cutting tool base 3. Further, a gas-phase synthetic diamond bite as shown in FIG. 5 was produced by further sharpening.
この気相合成ダイヤモンドバイトにて、実施例１と同
様な条件でAl−22％Si合金の切削試験を行った結果、天
然ダイヤモンドバイトと同等の遜色のない切削性能が得
られた。As a result of performing a cutting test of an Al-22% Si alloy with the same gas-phase synthetic diamond tool under the same conditions as in Example 1, a cutting performance comparable to that of a natural diamond tool was obtained.
実施例３ ダイヤモンドの析出基体をタングステンとし、実施例
２と同様にダイヤモンドを500μｍの厚さに成膜し、タ
ングステン析出基体を研磨加工によって除去し、ダイヤ
モンド膜をダイス鋼製ブロックシュー上に直接、真空ロ
ウ付けし、第６図に示す耐摩耗工具を作製した。Example 3 Tungsten was used as a diamond deposition substrate, a diamond film was formed to a thickness of 500 μm in the same manner as in Example 2, the tungsten deposition substrate was removed by polishing, and the diamond film was directly formed on a die steel block shoe. Vacuum brazing was performed to produce a wear-resistant tool shown in FIG.
実施例４ ダイヤモンドの析出基体をシリコンとし、実施例１と
同様にダイヤモンドを1500μｍの厚さに成膜し、シリコ
ン析出基体を研磨加工によって除去した。しかる後、ダ
イヤモンド膜をステンレス鋼製ボンディングツール上に
直接、真空ロウ付けし、第７図に示す気相合成ダイヤモ
ンドボンディングツールを作製した。Example 4 Silicon was used as a diamond deposition substrate, and a diamond film was formed to a thickness of 1500 μm as in Example 1, and the silicon deposition substrate was removed by polishing. Thereafter, the diamond film was directly vacuum-brazed on the stainless steel bonding tool to produce a vapor-phase synthetic diamond bonding tool shown in FIG.
実施例５ ダイヤモンドの析出基体をモリブデンとし、実施例２
と同様にダイヤモンドを2000μｍの厚さに成膜し、モリ
ブデン析出基体をフッ硝酸によって除去した。しかる
後、ダイヤモンド膜をステンレス鋼製センタレスブレー
ド（250L−4W）に直接、ロウ付けした。第８図に示す気
相合成ダイヤモンドセンタレスブレードを作製した。Example 5 Example 2 was carried out using molybdenum as a diamond deposition substrate.
In the same manner as described above, a diamond film was formed to a thickness of 2000 μm, and the molybdenum deposition substrate was removed with hydrofluoric nitric acid. Thereafter, the diamond film was directly brazed to a stainless steel centerless blade (250 L-4 W). A gas-phase synthetic diamond centerless blade shown in FIG. 8 was produced.
実施例６ ダイヤモンドピン工具基体の表面と同じ曲率の円筒曲
面を５個有する波型のモリブデン製析出基体を作成し
た。該析出基体の厚さは2mm、寸法は10×50mmであっ
た。Example 6 A corrugated molybdenum deposition substrate having five cylindrical curved surfaces having the same curvature as the surface of the diamond pin tool substrate was prepared. The thickness of the deposition substrate was 2 mm, and the size was 10 × 50 mm.
この析出基体の上に、EACVD法により、圧力40Torr、
温度850℃、メタン濃度１％、時間1000hrの条件でダイ
ヤモンドを1000μｍの厚さに成膜し、フッ硝酸によって
モリブデン析出基板を除去し、厚さ1000μｍの波型ダイ
ヤモンド膜を得た。A pressure of 40 Torr,
A diamond film was formed to a thickness of 1000 μm under the conditions of a temperature of 850 ° C., a methane concentration of 1%, and a time of 1000 hours, and the molybdenum deposition substrate was removed with hydrofluoric nitric acid to obtain a 1000 μm-thick corrugated diamond film.
しかる後、ダイヤモンドピン工具基体の寸法に合わせ
て、ダイヤモンド膜をレーザにより切断し、円筒曲面を
有するダイヤモンド膜を得た。Thereafter, the diamond film was cut by a laser in accordance with the dimensions of the diamond pin tool base to obtain a diamond film having a cylindrical curved surface.
これを該工具上に直接、真空ロウ付けし、第９図に示
すような気相合成ダイヤモンドピンを作製した。This was directly vacuum-brazed onto the tool to produce a vapor-phase synthetic diamond pin as shown in FIG.
［発明の効果］ 本発明によれば、バインダーを含有しない緻密なダイ
ヤモンド膜を工具基体の種類に制約されることなくしか
も基体と強固に接着することができるので、その効果は
顕著である。[Effects of the Invention] According to the present invention, a dense diamond film containing no binder can be firmly adhered to the substrate without being restricted by the type of the tool substrate, and the effect is remarkable.
気相合成により作製したダイヤモンド膜は緻密な多結
晶体であり、ダイヤモンド焼結体のようにCoなどのバイ
ンダーを含有しないので極めて高い耐摩耗性を有する一
方、単結晶ダイヤモンドのような異方性がないので、刃
付け加工などが容易で安定した性能を有する。The diamond film produced by vapor phase synthesis is a dense polycrystalline material and has extremely high wear resistance because it does not contain a binder such as Co unlike a diamond sintered body, but has anisotropy like single crystal diamond Since there is no blade, it has easy and stable performance.
さらに、気相合成法ダイヤモンド膜は、形状に関係な
く蒸着することができるので、どのような形の工具も本
発明の製造法により作製できる。Further, since the vapor phase synthetic diamond film can be deposited irrespective of the shape, any shape tool can be manufactured by the manufacturing method of the present invention.
第１図、第２図、第３図及び第４図は本発明の実施例の
工具を製造する手順を示す工程説明図であり、第５図は
本発明の他の実施例の気相合成ダイヤモンドバイトの斜
視図であり、第６図は本発明の実施例に係る気相合成ダ
イヤモンドブロックシューの斜視図であり、第７図は本
発明の実施例に係る気相合成ダイヤモンドボンディング
ツールの斜視図であり、第８図は本発明の実施例に係る
気相合成ダイヤモンドセンタレスブレードの斜視図であ
り、第９図は本発明の実施例に係る気相合成ダイヤモン
ドピンの斜視図である。 図中の符号は、1;析出基体、2;ダイヤモンド膜、3;工具
基体、4;ロウ付け部である。FIGS. 1, 2, 3, and 4 are process explanatory views showing a procedure for manufacturing a tool according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a gas phase synthesis according to another embodiment of the present invention. FIG. 6 is a perspective view of a diamond bite, FIG. 6 is a perspective view of a vapor phase synthetic diamond block shoe according to an embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a perspective view of a vapor phase synthetic diamond bonding tool according to an embodiment of the present invention. FIG. 8 is a perspective view of a vapor phase synthetic diamond centerless blade according to the embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a perspective view of a vapor phase synthetic diamond pin according to the embodiment of the present invention. The reference numerals in the figure are 1; precipitation base, 2; diamond film, 3; tool base, 4; brazing portion.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) B23P 15/28 B23B 27/20 C30B 25/02 C30B 29/04──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) B23P 15/28 B23B 27/20 C30B 25/02 C30B 29/04
Claims (1)
出基体に、気相合成法により150〜5000μｍの厚さにダ
イヤモンド膜を析出させ、次いで、析出基体を除去する
工程とダイヤモンド膜をレーザにより工具基体１個の表
面毎に切断する工程を経て、そのダイヤモンド膜を工具
基体上にロウ付けすることを特徴とする気相合成ダイヤ
モンド工具の製造方法。1. A step of depositing a diamond film to a thickness of 150 to 5000 μm on a deposited substrate having a large number of the same surface shape as a tool substrate by a vapor phase synthesis method, and then removing the deposited substrate. And cutting the diamond film on the tool substrate through a step of cutting for each surface of the tool substrate.
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|---|---|
| JPH03149140A (en) | 1991-06-25 |
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