JP2828326B2 - 多層リードフレームおよびその製造方法 - Google Patents
多層リードフレームおよびその製造方法Info
- Publication number
- JP2828326B2 JP2828326B2 JP2184993A JP18499390A JP2828326B2 JP 2828326 B2 JP2828326 B2 JP 2828326B2 JP 2184993 A JP2184993 A JP 2184993A JP 18499390 A JP18499390 A JP 18499390A JP 2828326 B2 JP2828326 B2 JP 2828326B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating sheet
- lead frame
- insulating
- ground plane
- plane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Insulating Bodies (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は多層リードフレームおよびその製造方法に関
する。
する。
（従来の技術） 高速で消費電力も２〜3Wと大きいマイクロプロセッサ
やゲート・アレイなどの半導体素子を搭載するパッケー
ジは従来セラミック製のピン・グリッド・アレイ（PG
A）タイプのものしか使えなかったが、近年これに代わ
り得る樹脂封止型パッケージが出現した。
やゲート・アレイなどの半導体素子を搭載するパッケー
ジは従来セラミック製のピン・グリッド・アレイ（PG
A）タイプのものしか使えなかったが、近年これに代わ
り得る樹脂封止型パッケージが出現した。
この樹脂封止型パッケージは、第１図に示すような多
層リードフレーム10を用いる。この多層リードフレーム
10は、ダイパッドのないリードフレーム12（信号層）
と、この信号層12の窓より少し小さめの窓があいた枠状
の電源プレーン14と、接地プレーン16の３層からなり、
各層を枠状の絶縁シート18a、18bを介して積層してい
る。絶縁シート18a、18bは、ポリイミドフィルムの両面
に接着剤を塗布したものを用いている。
層リードフレーム10を用いる。この多層リードフレーム
10は、ダイパッドのないリードフレーム12（信号層）
と、この信号層12の窓より少し小さめの窓があいた枠状
の電源プレーン14と、接地プレーン16の３層からなり、
各層を枠状の絶縁シート18a、18bを介して積層してい
る。絶縁シート18a、18bは、ポリイミドフィルムの両面
に接着剤を塗布したものを用いている。
上記の多層リードフレーム10によれば、パッケージ内
に信号層12と別に面積の大きな電源プレーン14と接地プ
レーン16をもっているため、信号層に対してはマイクロ
ストリップ・ラインとしてクロストークを抑えられるう
え、電源系に対してはインダクタンスが低くなるため、
また電源プレーン14と接地プレーン16との間に絶縁シー
トを介してデカップリング・コンデンサが形成されるた
め、バウンスとよばれる一種の電源雑音を小さくでき
る。半導体素子のスイッチングに伴って生ずる電源系、
接地系の電位変動を小さくできる。また、接地プレーン
16を銅系の合金で形成することにより、放熱性を高めら
れ、熱抵抗を小さくすることができる。さらにはセラミ
ックパッケージに比べて大幅なコストダウンが実現でき
るなどの多大なメリットを有する。
に信号層12と別に面積の大きな電源プレーン14と接地プ
レーン16をもっているため、信号層に対してはマイクロ
ストリップ・ラインとしてクロストークを抑えられるう
え、電源系に対してはインダクタンスが低くなるため、
また電源プレーン14と接地プレーン16との間に絶縁シー
トを介してデカップリング・コンデンサが形成されるた
め、バウンスとよばれる一種の電源雑音を小さくでき
る。半導体素子のスイッチングに伴って生ずる電源系、
接地系の電位変動を小さくできる。また、接地プレーン
16を銅系の合金で形成することにより、放熱性を高めら
れ、熱抵抗を小さくすることができる。さらにはセラミ
ックパッケージに比べて大幅なコストダウンが実現でき
るなどの多大なメリットを有する。
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、昨今のデバイスの益々の高速化によ
り、入出力バッファの同時スイッチングによる電源系、
接地系に生ずる電圧降下が大きくなっており、誤動作す
るおそれが高くなっている。
り、入出力バッファの同時スイッチングによる電源系、
接地系に生ずる電圧降下が大きくなっており、誤動作す
るおそれが高くなっている。
すなわち、上記の電圧降下（Ｅ＝Ldi/dt）は、高速化
による急激な立ち上がりによる時間当りの電流変化分di
/dtが大きくなってきていることから、自己インダクタ
ンスを低下させただけでは電圧降下を低く抑えられなく
なっているのである。この電圧降下を低減するために
は、電源ラインと接地ライン間にコンデンサを介装すれ
ばよいが、従来はこのコンデンサはパッケージ外に設け
ていたので、パッケージ内のリードフレームパターンに
よる電圧降下分は避けることができなかった。パッケー
ジ内の前記電源プレーン14と接地プレーン16との間に絶
縁シートを介して形成されるデカップリング・コンデン
サも容量が100pF程度の小容量のものであるので、高速
化による電圧降下は避けられない事情にある。
による急激な立ち上がりによる時間当りの電流変化分di
/dtが大きくなってきていることから、自己インダクタ
ンスを低下させただけでは電圧降下を低く抑えられなく
なっているのである。この電圧降下を低減するために
は、電源ラインと接地ライン間にコンデンサを介装すれ
ばよいが、従来はこのコンデンサはパッケージ外に設け
ていたので、パッケージ内のリードフレームパターンに
よる電圧降下分は避けることができなかった。パッケー
ジ内の前記電源プレーン14と接地プレーン16との間に絶
縁シートを介して形成されるデカップリング・コンデン
サも容量が100pF程度の小容量のものであるので、高速
化による電圧降下は避けられない事情にある。
そこで本発明は上記問題点を解消すべくなされたもの
であり、その目的とするところは、より高速化に対応し
うる多層リードフレーム、その製造方法を提供するにあ
る。
であり、その目的とするところは、より高速化に対応し
うる多層リードフレーム、その製造方法を提供するにあ
る。
（課題を解決するための手段） 本発明に係る多層リードフレームは、信号層、電源プ
レーン、接地プレーンが絶縁シートを介して積層された
多層リードフレームにおいて、前記電源プレーンと接地
プレーンとの間の絶縁シートが、絶縁性樹脂層中に酸化
タンタル粉末またはチタン酸バリウム粉末が分散された
絶縁シートであることを特徴としている。
レーン、接地プレーンが絶縁シートを介して積層された
多層リードフレームにおいて、前記電源プレーンと接地
プレーンとの間の絶縁シートが、絶縁性樹脂層中に酸化
タンタル粉末またはチタン酸バリウム粉末が分散された
絶縁シートであることを特徴としている。
また、信号層、電源プレーン、接地プレーンが絶縁シ
ートを介して積層された多層リードフレームにおいて、
前記電源プレーンと接地プレーンとの間の絶縁シート
が、耐熱性フィルムの両面に絶縁性樹脂層が形成され、
該絶縁性樹脂層の少なくとも一方に酸化タンタル粉末ま
たはチタン酸バリウム粉末が分散された絶縁シートであ
ることを特徴としている。
ートを介して積層された多層リードフレームにおいて、
前記電源プレーンと接地プレーンとの間の絶縁シート
が、耐熱性フィルムの両面に絶縁性樹脂層が形成され、
該絶縁性樹脂層の少なくとも一方に酸化タンタル粉末ま
たはチタン酸バリウム粉末が分散された絶縁シートであ
ることを特徴としている。
さらに本発明に係る多層リードフレームの製造方法
は、信号層、電源プレーン、接地プレーンを絶縁シート
を介して積層する多層リードフレームの製造方法におい
て、前記電源プレーンと接地プレーンとの間の絶縁シー
トに、Ｂステージ化された絶縁性樹脂層中に酸化タンタ
ル粉末またはチタン酸バリウム粉末が分散された絶縁シ
ートを用い、この絶縁シートを電源プレーンと接地プレ
ーンとの間に介在させてキュアーすることにより両者を
接着することを特徴としている。
は、信号層、電源プレーン、接地プレーンを絶縁シート
を介して積層する多層リードフレームの製造方法におい
て、前記電源プレーンと接地プレーンとの間の絶縁シー
トに、Ｂステージ化された絶縁性樹脂層中に酸化タンタ
ル粉末またはチタン酸バリウム粉末が分散された絶縁シ
ートを用い、この絶縁シートを電源プレーンと接地プレ
ーンとの間に介在させてキュアーすることにより両者を
接着することを特徴としている。
また、信号層、電源プレーン、接地プレーンを絶縁シ
ートを介して積層する多層リードフレームの製造方法に
おいて、前記電源プレーンと接地プレーンとの間の絶縁
シートに、耐熱フィルムの両面にＢステージ化された絶
縁性樹脂層が形成され、該絶縁性樹脂層の少なくとも一
方に酸化タンタル粉末またはチタン酸バリウム粉末が分
散された絶縁シートを用い、この絶縁シートを電源プレ
ーンと接地プレーンとの間に介在させてキュアーするこ
とにより両者を接着することを特徴としている。
ートを介して積層する多層リードフレームの製造方法に
おいて、前記電源プレーンと接地プレーンとの間の絶縁
シートに、耐熱フィルムの両面にＢステージ化された絶
縁性樹脂層が形成され、該絶縁性樹脂層の少なくとも一
方に酸化タンタル粉末またはチタン酸バリウム粉末が分
散された絶縁シートを用い、この絶縁シートを電源プレ
ーンと接地プレーンとの間に介在させてキュアーするこ
とにより両者を接着することを特徴としている。
（作用） 酸化タンタル粉末およびチタン酸バリウム粉末は優れ
た誘電体であり、この酸化タンタル粉末またはチタン酸
バリウム粉末を絶縁性樹脂層中に分散した絶縁シートは
高誘電率のものとなる。
た誘電体であり、この酸化タンタル粉末またはチタン酸
バリウム粉末を絶縁性樹脂層中に分散した絶縁シートは
高誘電率のものとなる。
この高誘電率を有する絶縁シートを多層リードフレー
ムの電源プレーンと接地プレーンとを接着する絶縁シー
トとして用いることにより、電源プレーンと接地プレー
ンとの間、すなわち樹脂封止型半導体装置に形成した
際、パッケージ内となる部位に高容量のデカップリング
・コンデンサを形成することができ、リードフレームの
パッケージ内パターンによる電圧降下を低減することが
でき、より高速化に対応できるパッケージを提供でき
る。
ムの電源プレーンと接地プレーンとを接着する絶縁シー
トとして用いることにより、電源プレーンと接地プレー
ンとの間、すなわち樹脂封止型半導体装置に形成した
際、パッケージ内となる部位に高容量のデカップリング
・コンデンサを形成することができ、リードフレームの
パッケージ内パターンによる電圧降下を低減することが
でき、より高速化に対応できるパッケージを提供でき
る。
上記絶縁シートはＢステージ化しておくことにより、
電源プレーンと接地プレーンとを接着する際の接着剤を
も兼用できるので好都合である。
電源プレーンと接地プレーンとを接着する際の接着剤を
も兼用できるので好都合である。
（実施例） 以下では本発明の好適な実施例を添付図面に基づいて
詳細に説明する。
詳細に説明する。
絶縁シートは、第２図に示すとおり絶縁性樹脂層23の
単一層からなり、該絶縁性樹脂層23は絶縁性樹脂21を主
成分とし、酸化タンタル粉末またはチタン酸バリウム粉
末22が分散されてなる。
単一層からなり、該絶縁性樹脂層23は絶縁性樹脂21を主
成分とし、酸化タンタル粉末またはチタン酸バリウム粉
末22が分散されてなる。
絶縁性樹脂21には、NBR系接着剤、ポリエステル系接
着剤、ポリイミド系接着剤、エポキシ系接着剤に用いる
ことができる。接着剤が硬化型の場合にはＢステージの
半硬化状態になるまで乾燥すればよい。
着剤、ポリイミド系接着剤、エポキシ系接着剤に用いる
ことができる。接着剤が硬化型の場合にはＢステージの
半硬化状態になるまで乾燥すればよい。
絶縁シートの厚さは５〜50μｍ程度が好適である。
絶縁シートを作成するには、絶縁性樹脂中に酸化タン
タル粉末またはチタン酸バリウム粉末を分散させた分散
物を離型性シート上に溶融混練して押し出し、または塗
布乾燥して絶縁性樹脂層を形成させ、しかるのち該離型
性シートから絶縁性樹脂層を剥離して該絶縁性樹脂層の
単一層からなる絶縁シートを得る。
タル粉末またはチタン酸バリウム粉末を分散させた分散
物を離型性シート上に溶融混練して押し出し、または塗
布乾燥して絶縁性樹脂層を形成させ、しかるのち該離型
性シートから絶縁性樹脂層を剥離して該絶縁性樹脂層の
単一層からなる絶縁シートを得る。
また絶縁シートは第３図に示すように、耐熱性フィル
ム31の両面に絶縁性樹脂層32a、32bを設けてなり、該絶
縁性樹脂層は絶縁性樹脂33を主成分とし、両面の絶縁性
樹脂層の少なくとも一方に酸化タンタル粉末またはチタ
ン酸バリウム粉末34が分散されてなる。
ム31の両面に絶縁性樹脂層32a、32bを設けてなり、該絶
縁性樹脂層は絶縁性樹脂33を主成分とし、両面の絶縁性
樹脂層の少なくとも一方に酸化タンタル粉末またはチタ
ン酸バリウム粉末34が分散されてなる。
耐熱性フィルム31には、厚さ５〜300μｍ、好ましく
は12.5〜150μｍの例えば、ポリイミド、ポリエーテル
イミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエ
ーテルケトン、ポリパラバン酸、ポリエチレンテレフタ
レート等の耐熱性フィルムや、エポキシ樹脂−ガラスク
ロス、エポキシ樹脂−ポリイミド−ガラスクロス等の複
合耐熱フィルムを使用できる。
は12.5〜150μｍの例えば、ポリイミド、ポリエーテル
イミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエ
ーテルケトン、ポリパラバン酸、ポリエチレンテレフタ
レート等の耐熱性フィルムや、エポキシ樹脂−ガラスク
ロス、エポキシ樹脂−ポリイミド−ガラスクロス等の複
合耐熱フィルムを使用できる。
絶縁性樹脂33には、NBR系接着剤、ポリエステル系接
着剤、ポリイミド系接着剤、エポキシ系接着剤を用いる
ことができる。接着剤が硬化型の場合には、耐熱性フィ
ルム31上に塗布した後、Ｂステージの半硬化状態になる
まで乾燥すればよい。絶縁性樹脂層は、膜厚１〜150μ
ｍ、好ましくは５〜50μｍになるよう形成する。
着剤、ポリイミド系接着剤、エポキシ系接着剤を用いる
ことができる。接着剤が硬化型の場合には、耐熱性フィ
ルム31上に塗布した後、Ｂステージの半硬化状態になる
まで乾燥すればよい。絶縁性樹脂層は、膜厚１〜150μ
ｍ、好ましくは５〜50μｍになるよう形成する。
本発明に係る多層リードフレーム10は、第１図の絶縁
シート18a、18bのうち、電源プレーン14と接地プレーン
16の間の絶縁シート18bに上記の絶縁シートを用いるこ
とを特徴とする。
シート18a、18bのうち、電源プレーン14と接地プレーン
16の間の絶縁シート18bに上記の絶縁シートを用いるこ
とを特徴とする。
実施例では、絶縁性樹脂として帝国化学産業製アミド
系接着剤テイサンレジンSA−70Lを用い、これに対して
平均粒径３μｍの酸化タンタル粉末を約15wt％分散させ
た、厚さ約30μｍの絶縁シートを用いた。
系接着剤テイサンレジンSA−70Lを用い、これに対して
平均粒径３μｍの酸化タンタル粉末を約15wt％分散させ
た、厚さ約30μｍの絶縁シートを用いた。
上記のように絶縁性樹脂層中の酸化タンタル粉末を分
散させた絶縁シートの誘電率は全体として約15.0と高い
誘電率のものとなった。従来のポリイミドフィルムを主
体とする絶縁シートの誘電率は3.5程度と低いものでし
かなかった。
散させた絶縁シートの誘電率は全体として約15.0と高い
誘電率のものとなった。従来のポリイミドフィルムを主
体とする絶縁シートの誘電率は3.5程度と低いものでし
かなかった。
なお誘電率の測定は、室温にて１キロヘルツの周波数
で行った。
で行った。
上記実施例で得た絶縁シートを多層リードフレーム10
の絶縁シート18bに用いたところ、電源プレーン14と接
地プレーン16との間に高容易のデカップリッグ・コンデ
ンサが形成され、これによりパッケージ内のリードフレ
ームパターンによる電圧降下分を上記のコンデンサによ
り補充でき、デバイスの高速化に対処できるようになっ
た。
の絶縁シート18bに用いたところ、電源プレーン14と接
地プレーン16との間に高容易のデカップリッグ・コンデ
ンサが形成され、これによりパッケージ内のリードフレ
ームパターンによる電圧降下分を上記のコンデンサによ
り補充でき、デバイスの高速化に対処できるようになっ
た。
なお、信号層12と電源プレーン14との間の絶縁性シー
ト18aは外部信号線とのインピーダンスのマッチングが
図れればよいので、従来のポリイミドフィルムの両面に
接着剤を塗布した絶縁シートをそのまま用いることがで
きる。
ト18aは外部信号線とのインピーダンスのマッチングが
図れればよいので、従来のポリイミドフィルムの両面に
接着剤を塗布した絶縁シートをそのまま用いることがで
きる。
次に製造方法についての実施例を説明する。
バインダーとしてアミド系接着剤「テイサンレジ
ンSG−70L」（帝国化学産業株式会社製）を用い、これ
に溶剤としてメチルエチルケトン（MEK）を添加し、固
形分率20％となるようにした。
ンSG−70L」（帝国化学産業株式会社製）を用い、これ
に溶剤としてメチルエチルケトン（MEK）を添加し、固
形分率20％となるようにした。
添加用フィラーとして平均粒径３μｍの酸化タン
タル粉末を用意し、上記で調整した接着剤溶液100重
量部に対し、上記フィラーを３重量部添加し、サンドミ
ルにて十分に分散させ、絶縁性樹脂層用塗液を作成し
た。
タル粉末を用意し、上記で調整した接着剤溶液100重
量部に対し、上記フィラーを３重量部添加し、サンドミ
ルにて十分に分散させ、絶縁性樹脂層用塗液を作成し
た。
表面にシリコン離型処理を施したポリエチレンテ
レフタレート（PET）フィルム上に、乾燥後の絶縁性樹
脂層の厚さが約30μｍとなるように上記で調整したフィ
ラー入り絶縁性樹脂層用塗液を塗布し、熱風循環型オー
ブン中で150℃にて５分間乾燥して絶縁性樹脂層をＢス
テージ化した。
レフタレート（PET）フィルム上に、乾燥後の絶縁性樹
脂層の厚さが約30μｍとなるように上記で調整したフィ
ラー入り絶縁性樹脂層用塗液を塗布し、熱風循環型オー
ブン中で150℃にて５分間乾燥して絶縁性樹脂層をＢス
テージ化した。
Ｂステージとは、ゲル状、すなわち半固体状態をい
う。ここではMEKが完全には飛散せず、絶縁性樹脂層の
粘度の高い半溶液状態をいう。なお、バインダーとして
熱硬化性樹脂、例えばポリイミド系樹脂を用いた場合に
は、熱硬化反応が完全には完結しない段階をいう。した
がって再加熱すると一旦溶融して接着性を示し、次いで
硬化する。
う。ここではMEKが完全には飛散せず、絶縁性樹脂層の
粘度の高い半溶液状態をいう。なお、バインダーとして
熱硬化性樹脂、例えばポリイミド系樹脂を用いた場合に
は、熱硬化反応が完全には完結しない段階をいう。した
がって再加熱すると一旦溶融して接着性を示し、次いで
硬化する。
上記で作成したシートからPETを剥離して絶縁
性樹脂層の単一層からなる本発明の絶縁シートを得た。
性樹脂層の単一層からなる本発明の絶縁シートを得た。
多層リードフレーム10を形成するには、上記のように
して得た絶縁シートを電源プレーン14と接地プレーン16
との間に介在させて加熱、加圧して、該絶縁シートを溶
融させ、バインダーが熱可塑性樹脂の場合には冷却する
ことにより、またバインダーが熱硬化性樹脂の場合には
熱硬化させることにより両者を接着する。次いで、絶縁
シート18aにより、信号層12を電源プレーン14上に積層
することによって多層リードフレームを得る。
して得た絶縁シートを電源プレーン14と接地プレーン16
との間に介在させて加熱、加圧して、該絶縁シートを溶
融させ、バインダーが熱可塑性樹脂の場合には冷却する
ことにより、またバインダーが熱硬化性樹脂の場合には
熱硬化させることにより両者を接着する。次いで、絶縁
シート18aにより、信号層12を電源プレーン14上に積層
することによって多層リードフレームを得る。
なお、絶縁シート18aおよび上記のようにして得た絶
縁シートを共にＢステージ化した熱硬化性樹脂製のもの
を用いることによって、絶縁シート18a、上記のように
して得た絶縁シートを各々介在させて、信号層12、電源
プレーン14、接地プレーン16を同時に一工程で熱圧着す
ることもできる。
縁シートを共にＢステージ化した熱硬化性樹脂製のもの
を用いることによって、絶縁シート18a、上記のように
して得た絶縁シートを各々介在させて、信号層12、電源
プレーン14、接地プレーン16を同時に一工程で熱圧着す
ることもできる。
以上、本発明の好適な実施例について種々述べて来た
が、本発明は上述の実施例に限定されるのではなく、発
明の精神を逸脱しない範囲で多くの改変を施し得るのは
もちろんである。
が、本発明は上述の実施例に限定されるのではなく、発
明の精神を逸脱しない範囲で多くの改変を施し得るのは
もちろんである。
（発明の効果） 酸化タンタル粉末およびチタン酸バリウム粉末は優れ
た誘電体であり、この酸化タンタル粉末またはチタン酸
バリウム粉末を絶縁性樹脂中に分散した絶縁シートは高
誘電率のものとなる。
た誘電体であり、この酸化タンタル粉末またはチタン酸
バリウム粉末を絶縁性樹脂中に分散した絶縁シートは高
誘電率のものとなる。
この高誘電率を有する絶縁シートを、多層リードフレ
ームの電源プレーンと接地プレーンとを接着する絶縁シ
ートとして用いることにより、電源プレーンと接地プレ
ーンとの間、すなわち樹脂封止型半導体装置に形成した
際、パッケージ内となる部位に高容量のデカップリング
・コンデンサを形成することができ、リードフレームの
パッケージ内パターンでの電圧降下を低減することがで
き、より高速化に対応できるパッケージを提供できる。
ームの電源プレーンと接地プレーンとを接着する絶縁シ
ートとして用いることにより、電源プレーンと接地プレ
ーンとの間、すなわち樹脂封止型半導体装置に形成した
際、パッケージ内となる部位に高容量のデカップリング
・コンデンサを形成することができ、リードフレームの
パッケージ内パターンでの電圧降下を低減することがで
き、より高速化に対応できるパッケージを提供できる。
上記絶縁シートはＢステージ化しておくことにより、
電源プレーンと接地プレーンとを接着する際の接着剤を
も兼用できるので好都合である。
電源プレーンと接地プレーンとを接着する際の接着剤を
も兼用できるので好都合である。
第１図は多層リードフレームの組立図を示す。第２図お
よび第３図は絶縁シートの実施例を示す断面説明図を示
す。 10……多層リードフレーム、 12……信号層、14……電源プレーン、 16……接地プレーン、 18a、18b……絶縁シート、 21……絶縁性樹脂、22……酸化タンタル粉末またはチタ
ン酸バリウム粉末、 23……絶縁性樹脂層（単一層）、 31……耐熱性フィルム、 32a、32b……絶縁性樹脂層（積層）、 33……絶縁性樹脂、34……酸化タンタル粉末またはチタ
ン酸バリウム粉末。
よび第３図は絶縁シートの実施例を示す断面説明図を示
す。 10……多層リードフレーム、 12……信号層、14……電源プレーン、 16……接地プレーン、 18a、18b……絶縁シート、 21……絶縁性樹脂、22……酸化タンタル粉末またはチタ
ン酸バリウム粉末、 23……絶縁性樹脂層（単一層）、 31……耐熱性フィルム、 32a、32b……絶縁性樹脂層（積層）、 33……絶縁性樹脂、34……酸化タンタル粉末またはチタ
ン酸バリウム粉末。
フロントページの続き (72)発明者 武田 吉樹 長野県長野市大字栗田字舎利田711番地 新光電気工業株式会社内 (72)発明者 作本 征則 静岡県静岡市用宗巴町３番１号 株式会 社巴川製紙所技術研究所内 (72)発明者 横山 茂幸 静岡県静岡市用宗巴町３番１号 株式会 社巴川製紙所技術研究所内 (72)発明者 渋谷 章広 静岡県静岡市用宗巴町３番１号 株式会 社巴川製紙所技術研究所内 (72)発明者 越村 淳 静岡県静岡市用宗巴町３番１号 株式会 社巴川製紙所技術研究所内 (56)参考文献 特開 昭61−123519（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−246851（ＪＰ，Ａ) 実開 平１−145134（ＪＰ，Ｕ) 特公 昭54−18754（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 23/50,25/00 H01B 3/00
Claims (4)
- 【請求項１】信号層、電源プレーン、接地プレーンが絶
縁シートを介して積層された多層リードフレームにおい
て、 前記電源プレーンと接地プレーンとの間の絶縁シート
が、絶縁性樹脂層中に酸化タンタル粉末またはチタン酸
バリウム粉末が分散された絶縁シートであることを特徴
とする多層リードフレーム。 - 【請求項２】信号層、電源プレーン、接地プレーンが絶
縁シートを介して積層された多層リードフレームにおい
て、 前記電源プレーンと接地プレーンとの間の絶縁シート
が、耐熱性フィルムの両面に絶縁性樹脂層が形成され、
該絶縁性樹脂層の少なくとも一方に酸化タンタル粉末ま
たはチタン酸バリウム粉末が分散された絶縁シートであ
ることを特徴とする多層リードフレーム。 - 【請求項３】信号層、電源プレーン、接地プレーンを絶
縁シートを介して積層する多層リードフレームの製造方
法において、 前記電源プレーンと接地プレーンとの間の絶縁シート
に、Ｂステージ化された絶縁性樹脂層中に酸化タンタル
粉末またはチタン酸バリウム粉末が分散された絶縁シー
トを用い、この絶縁シートを電源プレーンと接地プレー
ンとの間に介在させてキュアーすることにより両者を接
着することを特徴とする多層リードフレームの製造方
法。 - 【請求項４】信号層、電源プレーン、接地プレーンを絶
縁シートを介して積層する多層リードフレームの製造方
法において、 前記電源プレーンと接地プレーンとの間の絶縁シート
に、耐熱性フィルムの両面にＢステージ化された絶縁性
樹脂層が形成され、該絶縁性樹脂層の少なくとも一方に
酸化タンタル粉末またはチタン酸バリウム粉末が分散さ
れた絶縁シートを用い、この絶縁シートを電源プレーン
と接地プレーンとの間に介在させてキュアーすることに
より両者を接着することを特徴とする多層リードフレー
ムの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2184993A JP2828326B2 (ja) | 1990-07-12 | 1990-07-12 | 多層リードフレームおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2184993A JP2828326B2 (ja) | 1990-07-12 | 1990-07-12 | 多層リードフレームおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0473825A JPH0473825A (ja) | 1992-03-09 |
| JP2828326B2 true JP2828326B2 (ja) | 1998-11-25 |
Family
ID=16162913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2184993A Expired - Lifetime JP2828326B2 (ja) | 1990-07-12 | 1990-07-12 | 多層リードフレームおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2828326B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2806729B2 (ja) * | 1993-03-26 | 1998-09-30 | 京セラ株式会社 | 半導体素子収納用パッケージ |
| KR950702068A (ko) * | 1993-04-06 | 1995-05-17 | 쓰지 가오루 | 반도체 소자용 패키지(package for semiconductor chip) |
| JPH06334105A (ja) * | 1993-05-24 | 1994-12-02 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 多層リードフレーム |
| JP5035580B2 (ja) * | 2001-06-28 | 2012-09-26 | ナガセケムテックス株式会社 | 弾性表面波デバイスおよびその製法 |
-
1990
- 1990-07-12 JP JP2184993A patent/JP2828326B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0473825A (ja) | 1992-03-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8007897B2 (en) | Insulating sheet and method for producing it, and power module comprising the insulating sheet | |
| US7388275B2 (en) | Electronic package with integrated capacitor | |
| JP3400677B2 (ja) | プリント回路基板内に埋め込まれたキャパシタを作製する方法、及びその埋め込まれたキャパシタを有するプリント回路基板 | |
| US6016598A (en) | Method of manufacturing a multilayer printed wire board | |
| JP2828326B2 (ja) | 多層リードフレームおよびその製造方法 | |
| US20130279119A1 (en) | Electronic assemblies and methods of fabricating electronic assemblies | |
| JPH0368149A (ja) | Ｉｃパッケージ | |
| JPS605589A (ja) | 高熱伝導性金属ベ−スプリント基板 | |
| JP2650072B2 (ja) | 多層プリント配線板の製造方法 | |
| WO2024095813A1 (ja) | 部品実装基板、部品実装基板の製造方法、電子モジュール、及び電子モジュールの製造方法 | |
| JPS605598A (ja) | 高熱伝導性金属ベ−スプリント基板の製造方法 | |
| JP2867056B2 (ja) | 半導体パッケージ用接着テープ | |
| JP3262106B2 (ja) | 樹脂付き銅箔及びそれを用いたプリント基板 | |
| JP2004127986A (ja) | 電磁干渉抑制体、その製造方法及びその使用方法 | |
| JP3150415B2 (ja) | 回路用金属基板 | |
| JPS6352496A (ja) | 回路用基板 | |
| WO2024095811A1 (ja) | 回路基板の製造方法 | |
| JPH07297509A (ja) | 金属ベース基板、およびその製造方法 | |
| JPH11100553A (ja) | Ｔａｂ用接着剤付きテープのロールおよびｔａｂ用接着剤付きテープの製造方法 | |
| CN117877824A (zh) | 耐高温绝缘薄膜 | |
| JP3538877B2 (ja) | 多層配線板の製造法 | |
| JPH06252284A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH07202364A (ja) | 金属ベース基板及びその製造方法 | |
| JPS61242098A (ja) | 金属ベ−スプリント基板の製造方法 | |
| JPS6330798B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080126 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 8 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090126 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 9 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100126 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110126 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120126 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130126 Year of fee payment: 12 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |