JP2827913B2 - 回転ヘッド型磁気記録再生装置 - Google Patents

回転ヘッド型磁気記録再生装置

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JP2827913B2
JP2827913B2 JP6199186A JP19918694A JP2827913B2 JP 2827913 B2 JP2827913 B2 JP 2827913B2 JP 6199186 A JP6199186 A JP 6199186A JP 19918694 A JP19918694 A JP 19918694A JP 2827913 B2 JP2827913 B2 JP 2827913B2
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恭太郎 柳澤
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【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は回転ヘッド型磁気記録再
生装置に関し、特に特殊再生モード時に2個の回転ヘッ
ドのうち再生信号レベルの大きい方の出力を順次選択し
つつ再生出力とする機能を有する回転ヘッド型磁気記録
再生装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年の磁気記録再生装置(VTR)は、
記録密度を向上せしめるために、図5に示すように2個
の磁気ヘッドA,Bで構成されており、各ヘッドA,B
のアジマス角度は互いに異なるように設定されている。
また、早送り再生時やスローモーション再生時のように
複数のトラックを横切って磁気ヘッドが走査する特殊再
生時に、より良好な再生信号を得るために、磁気ヘッド
A,Bの近傍に夫々逆アジマスの補助ヘッドB′,A′
を設け、再生時にヘッドAとB′,BとA′の内再生信
号レベルの高いヘッドを順次選択して取り出すことが行
われている。
【0003】この様な構成の磁気記録再生装置は特開昭
61−92083号公報に示されており、図6にこの選
択回路の一例を示す。
【0004】図6において端子A1,A2,A3,A4
には夫々磁気ヘッドA,B,A′,B′が接続されてい
る。1,2,3,4は夫々増幅器であり、この増幅器
1,2の出力は第1の切換え回路5に、増幅器3,4の
出力は第2の切換え回路6に夫々接続されている。
【0005】この第1及び第2の切換え回路5,6は、
端子P3より入力される切換え信号により駆動される。
この切換え信号は回転ヘッドの回転位相に同期して作成
され、磁気テープと接して再生状態にあるヘッドAと
B′またはA′とBの出力が夫々第3の切換え回路11
に印加されると共に、増幅器7,8を介して比較回路9
に印加されるよう構成されている。
【0006】比較回路9は増幅器7,8を介して印加さ
れるヘッドAとB′またはA′とBの再生信号のエンベ
ロープを比較し、その大小関係に応じた2値の信号を端
子P1に出力する。端子P1に出力された信号は端子P
2を介して第3の切換え回路11に印加され、その第3
の切換え回路11の出力として、第1及び第2の切換え
回路5,6の出力のうち出力レベルの大きい方の信号が
端子B1に出力されるよう構成されている。
【0007】図7は比較回路9の具体的な構成例を示
す。図7において、V1,V2は増幅器7,8の出力端
子であり、91,92はエンベロープ検波回路,93は
レベル比較回路,94はヒステリシス特性を有するシュ
ミットトリガ回路である。
【0008】エンベロープ検波回路91及び92は共に
同一構成であり、増幅器7,8の各出力V1,V2をそ
れベース入力とするエミッタフォロワトランジスタQ
1,Q4と、これ等トランジスタQ1,Q4の動作電流
源となる定電流源I1,I2と、積分時定数を定める抵
抗R5,R6,R7,R8,R9と、外付けの積分用コ
ンデンサCA,CBとを有する。
【0009】また、レベル比較回路93はこれ等エンベ
ロープ検波回路91,92のエンベロープ出力を差動入
力とする差動トランジスタQ2,Q3と、これら差動ト
ランジスタQ2,Q3の動作電流を供給する定電流源I
3と、トランジスタQ2のコレクタ負荷抵抗R7とから
なり、この負荷抵抗R7によりレベル比較出力が導出さ
れる。
【0010】シュミットトリガ回路94はこのレベル比
較出力をベース入力とするエミッタフォロワトランジス
タQ5と、このトランジスタQ5の動作電流を供給する
定電流源I5と、トランジスタQ5のエミッタフォロワ
出力をベース入力とする差動トランジスタQ6及びQ7
と、この差動トランジスタQ6のコレクタ負荷抵抗R
と、差動トランジスタQ6,Q7の動作電流源となる定
電流源I5とを有する。
【0011】更に、このシュミットトリガ回路94は、
ヒステリシス特性を定める抵抗R2と、トランジスタQ
7のコレクタ電流を入力としてトランジスタQ8,Q9
からなるカレントミラー回路と、このカレントミラー回
路のミラー出力電流を電圧に変換する抵抗R3と、この
抵抗R3による変換電圧をベース入力としてコレクタか
らディジタルデータとして出力するトランジスタQ10
と、このトランジスタQ10のコレクタ負荷抵抗R4と
を含んでいる。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】ここで問題になるの
は、端子A1〜A4,B1,C1〜C2以外は集積回路
内部にあり、端子A1〜A4に入力される平均的な信号
レベルが、機種(例えばNTSC方式用VTRとPAL
方式用VTR)により異なる時は、図8,9にて説明す
る様な不都合が生じ、集積回路が複数必要かつ集積回路
のバラツキにより、そのつど外付け部品を選定しなけれ
ばならない。
【0013】図8において、A,Bは夫々増幅器7,8
の出力波形を模式的に示したものであり、図9のA,B
はそのエンペロープ検波出力を示す。
【0014】シュミットトリガ回路94は、切換え点近
傍においての切換え動作を安定するため、信号A,B間
に予め定められたスレッシュルド(閾値)レベルにT1
以上の差が生じた時に切換えられるようヒステリシスを
有するよう構成されている。
【0015】従って、図9(a)のt1の点で切換え信
号が生じ、第3の切換え回路11の出力は同図(b)の
ようになる。一方、増幅器7,8の平均出力レベルが同
図(c)のA′,B′に示すように小さい場合、スレシ
ョルドレベルのレベル差(ヒステリシス幅)T1が不変
であれば、t2の点で切換え信号が生じ、第3の切換え
回路11の出力は同図(d)のようになる。
【0016】この同図(b)と同図(d)の波形から明
らかなように、レベルの小さい入力の場合、両信号
A′,B′のレベルが一致した点から実際に切替える点
(同図(c)のt2の点)がt1の点に比べ遅れること
となり、それだけ再生信号レベルの小さい区間を実際に
使用することになる。
【0017】このスレッショルドレベルのレベル差であ
るヒステリシス幅T1は、実際外付け部品を調整すれば
可変できるが、集積回路のバラツキを考慮して、部品を
その都度選定し調整しなければならない。
【0018】また、このシュミットトリガ回路のスレッ
ショルドレベルを考えると、トランジスタQ6がオフで
トランジスタQ7がオンしている状態では、そのスレッ
ショルドレベルVAは、 VA=R2・VCC/(R1+R2) ……(1) となる。この状態で、入力電圧レベルが逆転してトラン
ジスタQ6がオンし、トランジスタQ7がオフすると、
このときのスレッショルド電圧VBは、 VB=VCC−(I5+Ib)・R1 ……(2) となる。尚、I5は定電流源I5の電流値,Ibは抵抗
R2に向かって流れる電流である。
【0019】これ等スレッショルド電圧VA,VBは電
源電圧VCCに依存しており、従ってヒステリシス幅T1
もこの電源電圧VCCに依存することになる。そのため
に、電源電圧が変動すると、スレッショルド電圧VA,
VBのみならず、ヒステリシス幅も変動することにな
り、よって、切換え回路の切換え特性も変化してしまう
という欠点がある。
【0020】この切換え特性は、先の特開昭61−92
083号に示す如く外付け部品を調整すれば可変とする
ことができるが、集積回路のバラツキを考慮し部品をそ
の都度調整しなければならないことは前述した如くであ
る。
【0021】本発明の目的は、レベル比較部のヒステリ
シス特性を外部から電圧を与えるのみで容易に変化自在
とした回転ヘッド型磁気記録再生装置を提供することで
ある。
【0022】本発明の他の目的は、レベル比較部のヒス
テリシス特性を電源電圧の変動に依存せず安定に設定可
変できる様にした回転ヘッド型磁気記録再生装置を提供
することである。
【0023】
【課題を解決するための手段】本発明による回転ヘッド
型磁気記録再生装置は、第1及び第2の磁気ヘッドの再
生信号を夫々検波して第1及び第2のエンロープを得
る検波手段と、これ等第1及び第2のエンロープのレ
ベル比較を行ってその大小に応じた比較結果を生成する
ヒステリシス特性の比較手段と、この比較結果に応じて
前記第1及び第2の磁気ヘッドの再生信号を択一的に導
出する切替え手段と、帰還電圧を含まない外部からの供
給電圧値に応じて前記比較手段のヒステリシス特性を
変化制御する制御手段とを有することを特徴とする。
【0024】
【作用】レベル比較のためのヒステリシス特性を有する
レベル比較回路において、外部からの供給電圧に応じて
ヒステリシス幅やスレッショルドレベルを変化制御する
ようにしたものであり、外付け部品が不要となって容易
な特性制御が可能となる。
【0025】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例について
説明する。
【0026】図1は本発明の実施例のブロック図であ
り、図6と同等部分は同一符号により示している。図6
と異なる部分について説明すると、ヒステリシス特性を
有する比較回路9のヒステリシス幅T1を外部より変化
制御すべくV―I変換回路10が設けられており、外部
端子P4に印加された任意の供給電圧V1を電流に変換
して、この電流により比較回路9のヒステリシス幅T1
を制御するようにしたものである。
【0027】図2はV―I変換回路10とレベル比較回
路9との具体例回路図であり、図7と同等部分は同一符
号にて示されている。先ず、V―I変換回路10は、ト
ランジスタQ15〜Q20及び定電流源I6からなる入
力段バッファ回路と、トランジスタQ15のベースに現
れる電圧を電流として導出する抵抗R12と、この電流
を入力電流としてミラー出力電流を生成するために、ト
ランジスタQ13,Q14、抵抗R10,R11からな
るカレントミラー回路とを有してる。
【0028】このカレントミラー回路のミラー出力電流
は、更に、トランジスタQ11,Q12,抵抗R13,
R14からなる第2のカレントミラー回路へ入力され、
このミラー出力電流が差動アンプ型式のシュミットトリ
ガ回路の差動定電流I5となっている。
【0029】かかる構成において、シュミットトリガ回
路のスレッショルドレベルであるトランジスタQ7のベ
ース電位VAは、(1)式と同様に、 VA=R2・VCC/(R1+R2) ……(3) として表わされる。トランジスタQ6のベース電位がV
Aを越えると、抵抗R1に電流(I5+Ib)が流れる
ので、トランジスタQ7のベース電位VBが、 VB=VCC−(I5+Ib)・R1 ……(4) に低下する。
【0030】従って、外部電圧供給端子P4の電圧を任
意に選ぶことにより、I5が設定されてシュミットトリ
ガ回路のヒステリシス特性であるヒストリシス幅を任意
に変化させることが可能となるのである。
【0031】図3は平均値レベルが小さい入力信号に対
して外部供給電圧(端子P4)を調整してヒステリシス
幅T2を調整することにより再生信号レベルの小さい区
間を使用しないようにしたものであり、図9(d)の波
形と図3(b)の波形とを比べればその効果は明らかと
なる。
【0032】図4は本発明の他の実施例の回路図であ
り、図2,7と同等部分は同一符号により示す。本例で
は、外部からの供給電圧によりヒステリシス特性を変化
できるようにすると共に、スレッショルドレベルが電源
電圧VCCに全く依存しない様に構成したものである。
【0033】この場合のシュミットトリガ回路94で
は、差動アンプ型式の差動対トランジスタQ7のベース
電圧レベルを、外部端子P4の供給電圧Vrに応じて変
化制御するようにしており、トランジスタQ7のベース
とアースとの間に抵抗R15とPNPトランジスタQ2
2との直列回路を設け、トランジスタQ22のベースへ
外部供給電圧Vrを印加する。
【0034】そして、トランジスタQ7の能動負荷とな
っているカレントミラー回路(トランジスタQ8,Q
9)の他に、更にトランジスタQ8と共にカレントミラ
ー回路を構成するトランジスタQ21を設け、このトラ
ンジスタQ21によるミラー出力電流と、更に設けられ
ている定電流源Iaの出力電流(Ia)とを合成して抵
抗R15の一端へ供給するようになっている。
【0035】かかる構成において、トランジスタQ6が
オンでトランジスタQ7がオフの時のスレッショルド電
圧VAは、 VA=Vr+VBE+Ia・R15 ……(5) となる。尚、VBEはトランジスタQ22のベースエミッ
タ間電圧である。
【0036】この状態でトランジスタQ6がオフ、トラ
ンジスタQ7がオンとなると、そのときのスレッショル
ド電圧VBは、 VB=Vr+VBE+(I15+Ia)・R15 ……(6) となる。
【0037】(5),(6)式から判るように、ヒステ
リシス特性は電源電圧VCCに全く無関係となり、安定な
特性を示すことになる。また、ヒステリシス幅はI15
・R15となって一定となり、これまたVCCに依存せず
安定となるのである。
【0038】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、レ
ベル比較器であるシュミットトリガ回路のヒステリシス
特性を外部からの供給電圧により変化自在としたので、
外付け部品が不要となり、この外付け部品のバラツキ等
の考慮をする必要がなくなって、極めて簡単に切換え特
性を可変できるという効果がある。
【0039】特に、電源電圧の変動の多い機器では、ヒ
ステリシス特性も変動して特性が悪化するが、本発明に
よれば、ヒステリシス特性が電源電圧に無関係となるの
で、安定性が向上するという効果もある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例のブロック図である。
【図2】本発明の一実施例の要部回路図である。
【図3】本発明の一実施例の動作を説明する図である。
【図4】本発明の他の実施例の要部回路図である。
【図5】VTRの磁気ヘッドの配置を示す平面図であ
る。
【図6】従来のVTRにおける再出力切換え機能のブロ
ック図である。
【図7】図6のブロックの要部回路図である。
【図8】図6のブロックの動作を説明する図である。
【図9】図6のブロックの動作を説明する図である。
【符号の説明】
1〜4,7,8 増幅器 5,6,11 切換え回路 9 比較回路 10 V―I変換回路 91,92 エンベロープ検波回路 93 比較回路 94 シュミットトリガ回路

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1及び第2の磁気ヘッドの再生信号を
    夫々検波して第1及び第2のエンロープを得る検波手
    段と、これ等第1及び第2のエンロープのレベル比較
    を行ってその大小に応じた比較結果を生成するヒステリ
    シス特性の比較手段と、この比較結果に応じて前記第1
    及び第2の磁気ヘッドの再生信号を択一的に導出する切
    替え手段と、帰還電圧を含まない外部からの供給電圧値
    に応じて前記比較手段のヒステリシス特性を直接変化制
    御する制御手段とを有することを特徴とする回転ヘッド
    型磁気記録再生装置。
  2. 【請求項2】 前記制御手段は、前記供給電圧値に応じ
    て前記比較手段のヒステリシス幅を変化制御するヒステ
    リシス幅制御手段を有することを特徴とする請求項1記
    載の回転ヘッド型磁気記録再生装置。
  3. 【請求項3】 前記比較手段は、定電流源を有するシュ
    ミットトリガ回路を含み、前記ヒステリシス幅制御手段
    は、前記供給電圧値を電流変換する変換手段と、この変
    換電流に応じて前記定電流源の電流値を変化制御する電
    流制御手段とを有することを特徴とする請求項2記載の
    回転ヘッド型磁気記録再生装置。
  4. 【請求項4】 前記制御手段は、前記供給電圧値に応じ
    て前記比較手段の閾値電圧レベルを制御する閾値電圧制
    御手段を有することを特徴とする請求項1記載の回転ヘ
    ッド型磁気記録再生装置。
  5. 【請求項5】 前記比較手段は、差動アンプ形式のシュ
    ミットトリガ回路と、前記シュミットトリガ回路の一出
    力電流を入力とするカレントミラー回路と、定電流源
    と、この定電流源の電流と前記カレントミラー回路の出
    力電流との合成電流が一端に供給されて前記シュミット
    トリガ回路の差動トランジスタの一方のベースバイアス
    を生成する抵抗素子と、この抵抗素子の他端へ前記供給
    電圧を印加する印加手段とを有することを特徴とする請
    求項4記載の回転ヘッド型磁気記録再生装置。
  6. 【請求項6】 前記印加手段はベースに前記供給電圧が
    印加され、コレクタに基準電圧が印加されており、エミ
    ッタに前記抵抗素子の他端が接続されていることを特徴
    とする請求項5記載の回転ヘッド型磁気記録再生装置。
JP6199186A 1994-08-24 1994-08-24 回転ヘッド型磁気記録再生装置 Expired - Lifetime JP2827913B2 (ja)

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JPH0863834A JPH0863834A (ja) 1996-03-08
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JPH0863834A (ja) 1996-03-08

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