JP2907776B2 - 再生信号増幅装置及び中心値信号生成回路 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、微小信号を増幅す
る再生信号増幅装置に関し、特に、磁気記録装置の微小
信号の増幅に用いる再生信号増幅装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】図１９は従来の磁気記録装置における再
生信号増幅装置の構成図である。図１９に示すように、
磁気記録装置１０１は、所望の情報を磁気信号として記
録する磁気ディスク装置１０２と、該磁気信号から微小
な電気信号に変換された信号を増幅する再生信号増幅装
置１０３とを備えている。

【０００３】磁気ディスク装置１０２は、情報が磁気信
号として記録されている複数の磁気媒体１０４，１０
４，…と、各磁気媒体１０４に記録されている磁気信号
を微小な電圧の変化又は電流の変化である電気信号に変
換する薄膜誘導型ヘッド又は磁気抵抗効果（MR）ヘッド
等よりなる複数の再生ヘッド１０５，１０５，…とを有
している。

【０００４】再生信号増幅装置１０３は、磁気ディスク
装置１０２ののうちの１つの再生ヘッド１０５により読
み出された微小な電気信号が入力され、信号処理時に適
当な振幅になるように増幅する増幅回路１０６を有して
いる。

【０００５】増幅回路１０６により増幅された再生信号
は、図示はされていないが、後段の信号処理装置に入力
され、磁気信号の変化として記録されている情報を再生
する。

【０００６】磁気記録装置１０１において、記録容量を
増やすには、磁気媒体１０４上の磁気記録密度を高める
ことが考えられる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の磁気記録装置１０１における再生信号増幅装置１０
３は、各磁気媒体１０４上の磁気記録密度を高めると、
１情報当たりの磁気エネルギーが小さくなるため、各再
生ヘッド１０５が変換する電気信号は磁気エネルギーに
応じて小さくなる。その結果、該電気信号に雑音が混入
した場合に、雑音の振幅が同一であっても再生信号の振
幅に対して雑音の振幅が相対的に大きくなる。何らかの
要因により、正常な入力信号に対して急激に変化する大
きな振幅の雑音が入力信号に付加された場合に、入力信
号の直流成分（＝バイアス信号成分）が大きく変動する
ため、記録された磁気信号本来の情報を正しく再生する
ことができないという問題を有していた。

【０００８】本発明は、前記従来の問題を解決し、入力
信号に対し急激に変化する大きな振幅の雑音が入力信号
に付加された場合であっても、記録情報を誤りなく再生
できるようにすることを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明は、増幅回路が出力する増幅信号の中心値を
検出して中心値信号を出力する中心値信号生成回路を備
え、増幅信号及び中心値信号の差を求める構成とするも
のである。

【００１０】具体的に、本発明に係る再生信号増幅装置
は、入力信号を増幅して増幅信号を出力する増幅回路
と、前記増幅信号の入力を受け、入力された前記増幅信
号の交流成分を平滑化することにより、前記増幅信号の
中心値である中心値信号を生成して出力する中心値信号
生成回路と、前記増幅信号及び前記中心値信号の入力を
受け、入力された前記増幅信号と前記中心値信号との差
である再生信号を出力する減算回路とを備えている。

【００１１】本発明の再生信号増幅装置によると、中心
値信号は増幅信号の交流成分が平滑化されているため、
増幅信号の直流成分とほぼ等しくなり、また、減算回路
は増幅信号と該増幅信号の直流成分とほぼ等しい中心値
信号との差分を求めることになる。

【００１２】本発明の再生信号増幅装置は、前記増幅信
号の入力を受け、入力された前記増幅信号をその位相を
遅延させて前記減算回路に出力する遅延回路をさらに備
えていることが好ましい。このようにすると、増幅信号
の位相を遅延させる遅延回路をさらに備えているため、
減算回路に入力される増幅信号は、中心値信号の位相に
合わせることができる。

【００１３】本発明の再生信号増幅装置は、前記中心値
信号生成回路の動作の開始又は停止を指示するオンオフ
制御手段をさらに備えていることが好ましい。このよう
にすると、中心値信号生成回路の動作をオンオフするオ
ンオフ制御手段をさらに備えているため、必要に応じて
中心値信号生成回路を動作させることができる。

【００１４】本発明の再生信号増幅装置は、前記増幅回
路の利得を増減する利得制御手段をさらに備えているこ
とが好ましい。このようにすると、増幅回路の利得を増
減する利得制御手段をさらに備えているため、必要に応
じて増幅回路の利得を適当な値に調整することができ
る。

【００１５】本発明の再生信号増幅装置は、前記増幅信
号の入力を受け、入力された増幅信号における振幅のピ
ーク値を検出して該ピーク値を前記中心値信号生成回路
に出力するピーク値検出回路をさらに備えていることが
好ましい。このようにすると、増幅回路から出力される
増幅信号の振幅のピーク値を検出して該ピーク値を中心
値信号生成回路に出力するピーク値検出回路をさらに備
えているため、増幅信号のバイアス成分の信号レベルが
変更になった場合であっても、中心値信号生成回路は増
幅信号の信号レベルの変更に対応することができる。

【００１６】本発明の再生信号増幅装置は、前記ピーク
値検出回路が検出する前記ピーク値を記憶する記憶回路
をさらに備えていることが好ましい。このようにする
と、ピーク値を記憶する記憶回路をさらに備えているた
め、増幅回路から出力される増幅信号のバイアス成分の
信号レベルが変更された場合に、変更された信号レベル
のピーク値を記憶しておくことができる。

【００１７】本発明の再生信号増幅装置は、前記記憶回
路に記憶されている前記ピーク値を参照又は変更するピ
ーク値制御手段をさらに備えていることが好ましい。こ
のようにすると、増幅回路から出力される増幅信号のバ
イアス成分の信号レベルが変更されたピーク値を参照又
は変更するピーク値制御手段をさらに備えているため、
必要に応じて該ピーク値を読み出したり所定の値に書き
換えたりすることができる。

【００１８】本発明の再生信号増幅装置において、前記
中心値信号生成回路が、前記増幅信号の電位とほぼ同じ
電位の電圧を生成して出力する電圧生成回路と、前記電
圧生成回路から出力された電圧により充電又は放電さ
れ、入力された増幅信号の交流成分を平滑化するコンデ
ンサとを有していることが好ましい。このようにする
と、中心値信号生成回路は、急激に変化する大きな振幅
の雑音が入力信号に付加された場合であっても、振幅の
変化に追随することができる電圧生成回路と、低域通過
フィルタとなるコンデンサを有しているため、直流成分
のみを確実に得ることができる。

【００１９】本発明の再生信号増幅装置において、前記
中心値信号生成回路が、前記電圧生成回路と前記コンデ
ンサとを有している場合に、前記中心値信号生成回路に
入力される増幅信号に対して設定されているしきい値を
検出し、前記増幅信号における前記しきい値を越えるし
きい値超過信号成分を出力するしきい値検出回路と、前
記しきい値超過信号成分に応じて、前記コンデンサに対
して充電又は放電を行なう充放電回路とをさらに有して
いることが好ましい。このようにすると、中心値信号生
成回路は、入力信号に対するしきい値を検出してしきい
値超過信号成分を出力するしきい値検出回路と、しきい
値超過信号成分に応じて、コンデンサに対して充電又は
放電を行なう充放電回路とをさらに有しているため、あ
らかじめ設定されているしきい値を越える大きな振幅の
信号が入力された場合に、コンデンサに対して高速に充
電又は放電を行なうことができる。

【００２０】この場合、前記しきい値が、ヒステリシス
特性生成回路によりヒステリシス特性を生成されること
が好ましい。このようにすると、しきい値にヒステリシ
ス特性が生成されるため、例えば、増幅信号の交流成分
が、あらかじめ設定されているしきい値を越えた直後に
該しきい値よりも小さくなる信号に対しても、充放電回
路は安定して動作することができる。

【００２１】本発明の再生信号増幅装置において、前記
中心値信号生成回路が、前記電圧生成回路と前記コンデ
ンサとを有している場合に、前記中心値信号生成回路に
入力される増幅信号の正の信号成分に対して設定されて
いる正のしきい値を検出し、前記正の信号成分における
前記正のしきい値を越える正のしきい値超過信号成分を
出力する正のしきい値検出回路と、前記増幅信号の負の
信号成分に対して設定されている負のしきい値を検出
し、前記負の信号成分における前記負のしきい値を越え
る負のしきい値超過信号成分を出力する負のしきい値検
出回路と、前記正のしきい値超過信号成分に応じて前記
コンデンサに充電を行なう充電回路と、前記負のしきい
値超過信号成分に応じて前記コンデンサから放電を行な
う放電回路とをさらに有し、前記正のしきい値と前記負
のしきい値とはそれぞれ独立に設定されていることが好
ましい。このようにすると、中心値信号生成回路が、コ
ンデンサの充電側には正のしきい値検出回路及び充電回
路を有しており、また、コンデンサの放電側には負のし
きい値検出回路及び放電回路を有しており、正のしきい
値と負のしきい値とをそれぞれ独立して設定できるた
め、増幅信号の交流成分に対して、正又は負のしきい値
を増幅信号の特性を考慮して設定することができる。

【００２２】この場合、前記正のしきい値検出回路が複
数設けられており、前記複数の正のしきい値検出回路は
互いに異なる正のしきい値を有し、前記充電回路が前記
正のしきい値検出回路のそれぞれと対応するように複数
設けられていることが好ましい。このようにすると、異
なるしきい値に対応する正のしきい値検出回路及び充電
回路を備えているため、複数の正のしきい値のうち、増
幅信号の交流成分の正方向の振幅が小さい側から大きい
側に向かって順次正のしきい値に達する度に、各正のし
きい値に対応する各充電回路からコンデンサに対してそ
れぞれ充電が行なわれる。

【００２３】さらに、前記負のしきい値検出回路が複数
設けられており、前記複数の負のしきい値検出回路は互
いに異なる負のしきい値を有し、前記充電回路が前記負
のしきい値検出回路のそれぞれと対応するように複数設
けられていることが好ましい。このようにすると、異な
るしきい値に対応する負のしきい値検出回路及び放電回
路を備えているため、複数の負のしきい値のうち、増幅
信号の交流成分の負方向の振幅が小さい側から大きい側
に向かって順次負のしきい値に達する度に、コンデンサ
から各負のしきい値に対応する各放電回路を通してそれ
ぞれ放電が行なわれる。

【００２４】また、前記正のしきい値が、正のヒステリ
シス特性生成回路によりヒステリシス特性を生成され、
前記負のしきい値が、負のヒステリシス特性生成回路に
よりヒステリシス特性を生成されることが好ましい。こ
のようにすると、正又は負のしきい値ごとにヒステリシ
ス特性が生成されるため、正又は負のしきい値を越えた
直後に該しきい値よりも振幅が小さくなる増幅信号の交
流成分に対しても、充電回路又は放電回路は安定して動
作することができる。

【００２５】本発明に係る中心値信号生成回路は、入力
信号の中心値である中心値信号を生成する中心値信号生
成回路を対象とし、前記入力信号の電位を検出し、該入
力信号の電位とほぼ同じ電位の電圧を生成して電圧信号
を出力する電圧生成回路と、前記電圧信号の入力を受
け、該電圧信号から高周波成分を除去して中心値信号を
生成する低域通過フィルタとを備えている。

【００２６】本発明の中心値信号生成回路において、前
記電圧生成回路が、ベースに前記入力信号が入力され、
エミッタが第１の電流源を介して電圧電源に接続され、
コレクタが接地されている第１のＰＮＰトランジスタ
と、ベースに前記入力信号が入力され、エミッタが第２
の電流源を介して接地され、コレクタが電圧電源に接続
されている第１のＮＰＮトランジスタと、エミッタが前
記第１の電流源を介して電圧電源に接続され、コレクタ
が接地される第２のＰＮＰトランジスタと、エミッタが
前記第２の電流源を介して接地され、コレクタが電圧電
源に接続されている第２のＮＰＮトランジスタと、前記
第２のＰＮＰトランジスタのベースと前記第２のＮＰＮ
トランジスタのベースとが接続されており、前記増幅信
号を出力する出力端子とを有し、前記低域通過フィルタ
は、一方の電極が前記出力端子に接続され、他方の電極
が接地されているコンデンサからなることが好ましい。

【００２７】

【発明の実施の形態】（第１の実施形態） 本発明に係る第１の実施形態を図面を参照しながら説明
する。

【００２８】図１は本発明の第１の実施形態に係る磁気
記録装置における再生信号増幅装置の構成図である。図
１に示すように、磁気記録装置１１は、所望の情報を磁
気信号として記録する磁気ディスク装置１２と、該磁気
信号から微小な電気信号に変換された信号を増幅する再
生信号増幅装置１３とから構成されている。

【００２９】磁気ディスク装置１２は、アルミニウム等
よりなる円板が複数重ねられ、該円板の両面に情報が磁
気信号として記録されている磁気媒体１４，１４，…
と、各磁気媒体１４に記録されている磁気信号を微小な
電圧の変化又は電流の変化である電気信号に変換する薄
膜誘導型ヘッド又は磁気抵抗効果（MR）ヘッド等よりな
る再生ヘッド１５，１５，…とを有している。

【００３０】再生信号増幅装置１３は、磁気ディスク装
置１２のうちの１つの再生ヘッド１５により読み出され
た微小な電気信号が入力される入力端子１６と、該入力
端子１６から入力された微小な電気信号を適当な振幅に
なるように増幅する増幅回路１７と、該増幅回路１７か
ら出力される増幅信号の交流成分の中心値を検出して増
幅信号の直流成分よりなる中心値信号を出力する中心値
信号生成回路としての中心値検出回路１８と、増幅信号
と中心値信号との差を求めて再生信号を出力する減算回
路１９と、該再生信号を出力するための出力端子２０と
を有している。

【００３１】減算回路１９から出力される再生信号は図
示はされていないが後段の信号処理装置に入力され、磁
気信号の変化として記録されている情報を再生する。

【００３２】以下、前記のように構成された磁気記録装
置１１及び再生信号増幅装置１３の動作を説明する。

【００３３】まず、図１に示すように、磁気ディスク装
置１２の磁気媒体１４に記録されている磁気信号は、再
生ヘッド１５により微小な電気信号として読み出され、
再生信号増幅装置１３の入力端子１６に入力される。次
に、微小な電気エネルギーを有する入力信号は増幅回路
１７に入力されて増幅された後、減算回路１９の一方の
端子に増幅信号として入力される。また、増幅信号は、
増幅回路１７と減算回路１９との間に直列に接続されて
いる中心値検出回路１８に同時に入力され、増幅信号の
交流成分の中心値、すなわち、該増幅信号の交流成分が
除去されたバイアスレベルの直流成分が検出され、中心
値信号に変換して出力された後、減算回路１９の他方の
入力端子に入力される。次に、減算回路１９において、
増幅信号から中心値信号である該増幅信号のバイアスレ
ベルの直流成分を差し引くことにより、増幅信号のバイ
アスレベルの変動分が除去される。なぜなら、急激に変
化する大きな振幅の雑音とは、該増幅信号のバイアスレ
ベルを大きく変動させる成分を有しているからである。

【００３４】これにより、正常な入力信号に比べ急激に
変化する大きな振幅の雑音が入力信号に付加された場合
に、該雑音を除去することができるので、再生誤りの少
ない再生信号を得ることできる。

【００３５】なお、本発明に係る再生信号増幅装置は、
本実施形態に示すハードディスク装置に限るものではな
く、例えば磁気フロッピーディスク装置、磁気テープ装
置、磁気ＶＴＲ装置等の磁気的に記録された信号を再生
する装置であればよい。

【００３６】さらに、磁気記録装置に限らず、記録媒体
に記録されている信号が微小であって、急激に変化する
大きな振幅の雑音が該信号に重畳されるような記録装置
の再生信号増幅装置に有効である。

【００３７】（第２の実施形態） 以下、本発明に係る第２の実施形態を図面を参照しなが
ら説明する。

【００３８】図２は本発明の第２の実施形態に係る磁気
記録装置における再生信号増幅装置の構成図である。図
２において、図１に示した構成要素と同一の構成要素に
は同一の符号を付すことにより説明を省略する。

【００３９】本実施形態の特徴として、再生信号増幅装
置１３は、増幅回路１７から出力される増幅信号を直接
外部に出力する増幅信号出力端子２１と、中心値検出回
路１８から出力される中心値信号を直接後段に出力する
中心値信号出力端子２２とを有している。

【００４０】これにより、図２に示すように、増幅信号
出力端子２１から出力される増幅信号と中心値信号出力
端子２２から出力される中心値信号との差分を後段の減
算回路１９Ａによって求めることにより、急激に変化す
る大きな振幅の雑音成分を除去するだけでなく、さら
に、後段の信号処理回路において減算回路１９Ａに入力
される前に、例えば、該中心値信号をモニタしたりする
ことも可能となるので、後段における再生信号の信号処
理の自由度が高くなる。

【００４１】（第３の実施形態） 以下、本発明に係る第３の実施形態を図面を参照しなが
ら説明する。

【００４２】図３は本発明の第３の実施形態に係る磁気
記録装置における再生信号増幅装置の構成図である。図
３において、図１に示した構成要素と同一の構成要素に
は同一の符号を付すことにより説明を省略する。

【００４３】本実施形態の特徴として、再生信号増幅装
置１３は、増幅回路１７と減算回路１９との間に直列に
接続され、増幅回路１７から出力される増幅信号の位相
を遅延させる遅延回路２３を有している。

【００４４】これにより、中心値検出回路１８に増幅信
号を通すことにより、該中心値検出回路１８の出力信号
である中心値信号の位相が増幅回路１７の増幅信号の位
相よりも遅れることがあっても、遅延回路２３によって
増幅信号の位相を遅らせることができるので、より確実
に雑音成分を除去することができる。

【００４５】（第４の実施形態） 以下、本発明に係る第４の実施形態を図面を参照しなが
ら説明する。

【００４６】図４は本発明の第４の実施形態に係る磁気
記録装置における再生信号増幅装置の構成図である。図
４において、図１に示した構成要素と同一の構成要素に
は同一の符号を付すことにより説明を省略する。

【００４７】本実施形態の特徴として、再生信号増幅装
置１３は、中心値検出回路１８の動作の開始又は動作の
停止を指示するオンオフ制御手段に接続されているオン
オフ制御端子２４を有している。

【００４８】これにより、減算回路１９によって急激に
変化する大きな振幅の雑音成分が除去されると共に、中
心値検出回路１８の動作を停止させることが可能となる
ため、増幅回路１７から出力される増幅信号をそのまま
再生信号として後段に出力することができる。従って、
増幅回路１７の種類や形態によっては、増幅信号を加工
せずにそのまま利用したい場合が生じたとしても、中心
値検出回路１８の動作を停止することにより、なんら加
工しない増幅信号を出力するという状況に対応すること
ができる。

【００４９】（第５の実施形態） 以下、本発明に係る第５の実施形態を図面を参照しなが
ら説明する。

【００５０】図５は本発明の第５の実施形態に係る磁気
記録装置における再生信号増幅装置の構成図である。図
５において、図１に示した構成要素と同一の構成要素に
は同一の符号を付すことにより説明を省略する。

【００５１】本実施形態の特徴として、再生信号増幅装
置１３は、増幅回路１７と中心値検出回路１８とに並列
に接続され、増幅回路１７の利得を増減する利得制御手
段に接続されている利得制御端子２５を有している。

【００５２】これにより、再生時には、減算回路１９に
よって急激に変化する大きな振幅の雑音成分が除去され
ると共に、磁気媒体１４に信号を書き込む記録モードと
磁気媒体１４から信号を読み出す再生モードとのモード
を切り換える前に、増幅回路１７の利得を減少させるこ
とにより、記録又は再生モードの切り換え時に発生しや
すい信号の急激な変化に起因する雑音を最小限に抑える
ことができるので、後段の信号処理回路等の誤動作を防
止することができる。

【００５３】（第６の実施形態） 以下、本発明に係る第６の実施形態を図面を参照しなが
ら説明する。

【００５４】図６は本発明の第６の実施形態に係る磁気
記録装置における再生信号増幅装置の構成図である。図
６において、図１に示した構成要素と同一の構成要素に
は同一の符号を付すことにより説明を省略する。

【００５５】本実施形態の特徴として、再生信号増幅装
置１３は、増幅回路１７と中心値検出回路１８との間に
直列に接続され、増幅回路１７の増幅信号の振幅のピー
ク値を検出して、該ピーク値を中心値検出回路１８に出
力するピーク値検出回路２６を有している。

【００５６】再生ヘッド１５の変換特性又は増幅回路１
７の利得特性等が変更されると、増幅回路１７から出力
される増幅信号のバイアスレベルのピーク値が変化し
て、中心値検出回路１８が所定の特性からずれてしまう
ことも想定される。ピーク値検出回路２６は、増幅信号
のピーク値を検出し、該検出結果を中心値検出回路１８
に出力するので、中心値検出回路１８は該検出結果に基
づいて所定の特性を得られるようにすることができる。

【００５７】これにより、減算回路１９によって急激に
変化する大きな振幅の雑音成分が除去されると共に、中
心値検出回路１８はピーク値検出回路２６から入力され
る振幅のバイアスレベルのピーク値に基づいて、入力信
号の中心値の検出特性及び生成特性を調整することがで
きるため、増幅回路１７から出力される増幅信号から確
実に中心値を検出することができる。

【００５８】その結果、減算回路１９によって急激に変
化する大きな振幅の雑音成分をより確実に除去すること
ができる。

【００５９】（第７の実施形態） 以下、本発明に係る第７の実施形態を図面を参照しなが
ら説明する。

【００６０】図７は本発明の第７の実施形態に係る磁気
記録装置における再生信号増幅装置の構成図である。図
７において、図６に示した構成要素と同一の構成要素に
は同一の符号を付すことにより説明を省略する。

【００６１】本実施形態の特徴として、再生信号増幅装
置１３は、ピーク値検出回路２６が検出する、増幅回路
１７から出力される増幅信号の振幅のピーク値を記憶す
るフラッシュＥＥＰＲＯＭ等の不揮発正メモリよりなる
記憶回路２７を有している。

【００６２】該記憶回路２７は磁気記録装置１１の起動
時には、記憶回路２７が記憶している増幅信号のバイア
スレベルのピーク値データを初期値としてピーク値検出
回路２６を経由して中心値検出回路１８に出力する。ま
た、増幅回路１７の増幅信号の振幅のピーク値が変更さ
れた場合には、ピーク値検出回路２６が該変更を検出し
て記憶回路２７に保持されている既存のピーク値を変更
されたピーク値で更新する。

【００６３】これにより、記憶回路２７は磁気記録装置
１１の電源の投入状態にかかわらず、増幅回路１７から
出力される増幅信号の振幅のピーク値を常時記憶してい
るため、増幅信号のピーク値の変化に対応することがで
きるため、より確実に中心値を検出することができる。
従って、正常な入力信号に比べ急激に変化する大きな振
幅の雑音が入力信号に付加された場合に、該雑音を除去
し再生誤りの少ない再生信号を得ることができる。

【００６４】（第８の実施形態） 以下、本発明に係る第８の実施形態を図面を参照しなが
ら説明する。

【００６５】図８は本発明の第８の実施形態に係る磁気
記録装置における再生信号増幅装置の構成図である。図
８において、図７に示した構成要素と同一の構成要素に
は同一の符号を付すことにより説明を省略する。

【００６６】本実施形態の特徴として、再生信号増幅装
置１３は、記憶回路２７が記憶している増幅回路１７が
出力する増幅信号のバイアスレベルのピーク値を参照又
は変更するピーク値制御手段に接続されているピーク値
制御端子２８を有している。

【００６７】これにより、記憶回路２７が記憶している
ピーク値を参照したり、直接変更したりすることができ
るため、増幅回路１７が出力する出力信号の中心値をよ
り確実に検出することができるので、該出力信号に重畳
される急激に変動する振幅の大きな雑音を確実に除去す
ることができる。

【００６８】（第９の実施形態） 以下、本発明に係る第９の実施形態を図面を参照しなが
ら説明する。

【００６９】図９は本発明の第９の実施形態に係る中心
値検出回路の構成図である。図９に示すように、中心値
信号生成回路としての中心値検出回路は、入力信号の電
位とほぼ同じ電位を生成して出力する電圧生成回路１８
ａと、該電圧生成回路１８ａから出力される出力信号の
交流成分を平滑化するコンデンサ１８ｂとを有してい
る。

【００７０】図１０は第９の実施形態に係る中心値検出
回路の回路図である。図１０に示すように、入力側にお
ける、第１のＰＮＰトランジスタＱ１は、ベースが入力
端子ＩＮに接続され、エミッタが第１の抵抗Ｒ１及び第
１の電流源Ｉ１を介して電源ＶＣＣに接続され、コレク
タが接地されている。

【００７１】第１のＮＰＮトランジスタＱ２は、ベース
が入力端子ＩＮに接続され、エミッタが第２の抵抗Ｒ２
及び第２の電流源Ｉ２を介して接地され、コレクタが電
源ＶＣＣに接続されている。

【００７２】出力側における、第２のＰＮＰトランジス
タＱ３は、エミッタが第３の抵抗Ｒ３及び第１の電流源
Ｉ１を介して電源ＶＣＣに接続され、コレクタが接地さ
れ、ベースが出力端子ＯＵＴに接続されている。

【００７３】第２のＮＰＮトランジスタＱ４は、エミッ
タが第４の抵抗Ｒ４及び第２の電流源Ｉ２を介して接地
され、コレクタが電源ＶＣＣに接続され、ベースが出力
端子ＯＵＴに接続されている。

【００７４】低域通過フィルタとしてのコンデンサＣ１
は、一方の電極が出力端子ＯＵＴに接続され、他方の電
極が接地されている。

【００７５】なお、第１のＰＮＰトランジスタＱ１と第
２のＰＮＰトランジスタＱ３とはトランジスタのサイズ
が同一であり、第１のＮＰＮトランジスタＱ２と第２の
ＮＰＮトランジスタＱ４とはトランジスタのサイズが同
一である。また、第１の抵抗Ｒ１と第３の抵抗Ｒ３、第
２の抵抗Ｒ２と第４の抵抗Ｒ４とはそれぞれ抵抗値が同
一である（以下に説明する各実施形態においても同様の
条件とする）。

【００７６】以下、前記のように構成された中心値検出
回路の動作を図面に基づいて説明する。

【００７７】まず、図１０において、該中心値検出回路
が安定的に動作をしている場合は、第１のＰＮＰトラン
ジスタＱ１及び第２のＰＮＰトランジスタＱ３はサイズ
が同一で、且つ、第１の抵抗Ｒ１及び第３の抵抗Ｒ３の
抵抗値が同一であって、また、第１の電流源Ｉ１は常時
一定の電流を流し続ける能力を有するため、第１のＰＮ
ＰトランジスタＱ１のエミッタに注入される電流をエミ
ッタ電流ｉ１とし、第２のＰＮＰトランジスタＱ３のエ
ミッタに注入される電流をエミッタ電流ｉ３とすると、 Ｉ１＝ｉ１＋ｉ３ …（１） ｉ１＝ｉ３ …（２） の関係が成り立っている。

【００７８】同様に、第１のＮＰＮトランジスタＱ２及
び第２のＮＰＮトランジスタＱ４はサイズが同一で、且
つ、第２の抵抗Ｒ２及び第４の抵抗Ｒ４の抵抗値が同一
であって、また、電流源Ｉ２は常時一定の電流を流し続
ける能力を有するため、第１のＮＰＮトランジスタＱ２
のエミッタから出力される電流をエミッタ電流ｉ２と
し、第２のＮＰＮトランジスタＱ４のエミッタから出力
される電流をエミッタ電流ｉ４とすると、 Ｉ２＝ｉ２＋ｉ４ …（３） ｉ２＝ｉ４ …（４） の関係が成り立っている。

【００７９】次に、入力端子ＩＮに通常のレベルよりも
高い電圧が印加された場合は、第１のＰＮＰトランジス
タＱ１及び第１のＮＰＮトランジスタＱ２との入力側ベ
ース電位Ｖ_BIが印加された電圧に応じて上昇する。入力
側ベース電位Ｖ_BIが上昇すると、第１のＰＮＰトランジ
スタＱ１のエミッタ電流ｉ１が減少するため、式（２）
に示すように電流源Ｉ１から等分に供給されていたエミ
ッタ電流ｉ１とエミッタ電流ｉ３とは、 ｉ１＜ｉ３ …（５） の関係になる。

【００８０】また、第１のＮＰＮトランジスタＱ２の入
力側ベース電位Ｖ_BIが上昇すると、エミッタ電流ｉ２が
増加するため、式（４）に示すように第２の電流源Ｉ２
に等分に供給されていたエミッタ電流ｉ２とエミッタ電
流ｉ４とは、 ｉ２＞ｉ４ …（６） の関係になる。

【００８１】従って、式（５）及び（６）の関係から、
入力端子ＩＮに通常よりも高い電圧が印加されると、第
２のＰＮＰトランジスタＱ３のエミッタ電流ｉ３が増加
し、且つ、第２のＮＰＮトランジスタＱ４のエミッタ電
流ｉ４が減少するため、出力側ベース電位Ｖ_BOの電位が
上昇する。その結果、コンデンサＣ１に電荷が充電され
る。電荷が充電され、入力側ベース電位Ｖ_BIと電圧生成
回路の出力端子の電位である出力側ベース電位Ｖ_BOとが
同電位になると、該中心値検出回路の動作は安定する。

【００８２】また、コンデンサＣ１が低域通過フィルタ
として機能するため、バイアス信号成分に重畳されてい
る高周波成分を含む実際の情報（例えば、第１の実施形
態では、磁気媒体上の記録信号が電気信号として変換さ
れた０又は１よりなる情報）が除去され、直流成分に近
い電圧を出力する。

【００８３】逆に、入力端子ＩＮに通常のレベルよりも
低い電圧が印加された場合は、前記と逆の動作となるた
め、エミッタ電流ｉ１とエミッタ電流ｉ３とは、 ｉ１＞ｉ３ …（７） の関係になり、エミッタ電流ｉ２とエミッタ電流ｉ４と
は、 ｉ２＜ｉ４ …（８） の関係になる。

【００８４】従って、式（７）及び（８）の関係から、
入力端子ＩＮに通常よりも低い電圧が印加されると、出
力側ベース電位Ｖ_BOの電位が下降するため、コンデンサ
Ｃ１から電荷が放電される。電荷が放電され、入力側ベ
ース電位Ｖ_BIと出力側ベース電位Ｖ_BOとが同電位になる
と、該中心値検出回路の動作は安定する。

【００８５】ここで、各抵抗Ｒ１〜Ｒ４は入力信号の電
圧と中心値検出回路の出力信号の電圧との差に対する第
１のＰＮＰトランジスタＱ１，第１のＮＰＮトランジス
タＱ２のベース電流並びに第２のＰＮＰトランジスタＱ
３，第２のＮＰＮトランジスタＱ４のコレクタ電流のダ
イナミックレンジを調整するために用いている。

【００８６】これにより、入力信号の交流成分が平滑化
されるため、該入力信号の中心値を確実に生成すること
ができる。

【００８７】本実施形態の特徴として、入力端子ＩＮ側
と出力端子ＯＵＴ側とは電気的に分離されているため、
入力信号になんら影響を与えないことはいうまでもな
く、さらに、入力信号をバイポーラトランジスタのベー
スに入力する構成としているため、入力信号の微小な変
化に対して感度が高く設定できるので、磁気記録媒体に
記録されているような微小信号を扱うのに適している。

【００８８】なお、本発明の再生信号増幅装置に用いる
中心値検出回路は、本実施形態に限らず、ＲＣ回路等に
より構成され、微小信号に敏感なＤＣ検出回路であって
もよい。

【００８９】（第１０の実施形態） 以下、本発明に係る第１０の実施形態を図面を参照しな
がら説明する。

【００９０】図１１は本発明の第１０の実施形態に係る
再生信号増幅装置における中心値検出回路の構成図であ
る。図１１において、中心値検出回路は、電圧生成回路
１８ａに接続され、通常レベルよりも高い電圧、すなわ
ち、所定の正のしきい値を越える信号が入力された際
に、該所定の正のしきい値を検出する正のしきい値検出
回路１８ｃと、正のしきい値超過信号成分に基づく検出
結果が入力され、コンデンサ１８ｂに充電する充電回路
１８ｄとを有している。さらに、電圧生成回路１８ａに
接続され、通常レベルよりも低い電圧、すなわち、所定
の負のしきい値を絶対値として越える信号が入力された
際に、該所定の負のしきい値を検出する負のしきい値検
出回路１８ｅと、負のしきい値超過信号成分に基づく検
出結果が入力され、コンデンサ１８ｂを放電させる放電
回路１８ｆとを有している。

【００９１】ここで、しきい値とは、例えば、入力信号
の交流成分の振幅が±１０ｍＶであると仮定すると、＋
６ｍＶを正のしきい値に、−６ｍＶを負のしきい値にそ
れぞれ設定する設定値をいう。

【００９２】図１２は第１０の実施形態に係る中心値検
出回路の回路図である。図１２において、図１０に示し
た第９の実施形態と同様に、Ｑ１は第１のＰＮＰトラン
ジスタ、Ｑ２は第１のＮＰＮトランジスタ、Ｑ３は第２
のＰＮＰトランジスタ、Ｑ４は第２のＮＰＮトランジス
タ、Ｒ１は第１の抵抗、Ｒ２は第２の抵抗、Ｒ３は第３
の抵抗、Ｒ４は第４の抵抗、Ｉ１は第１の電流源、Ｉ２
は第２の電流源、Ｃ１はコンデンサ、ＩＮは入力端子及
びＯＵＴは出力端子である。

【００９３】また、Ｑ６，Ｑ７，Ｑ９，Ｑ１２はその他
のＰＮＰトランジスタ、Ｑ５，Ｑ８，Ｑ１０，Ｑ１１は
その他のＮＰＮトランジスタ、Ｉ３〜Ｉ６はその他の電
流源及びＲ５〜Ｒ１２はその他の抵抗である。

【００９４】図１２に示すように、電圧生成回路１１０
は、第１のＰＮＰトランジスタＱ１、第１のＮＰＮトラ
ンジスタＱ２、第２のＰＮＰトランジスタＱ３、第２の
ＮＰＮトランジスタＱ４、第１の抵抗Ｒ１、第２の抵抗
Ｒ２、第３の抵抗Ｒ３、第４の抵抗Ｒ４及び電流源Ｉ
１，Ｉ２とから構成されている。

【００９５】正のしきい値検出回路１１１は、入力信号
の交流成分の正方向の振幅が示す電圧に対して正のしき
い値を設定する手段である、抵抗Ｒ１１及び電流源Ｉ５
とを有している。抵抗Ｒ１１は一端が電源ＶＣＣに接続
され、他端が電流源Ｉ５の入力側に接続されており、該
電流源Ｉ５の出力側は接地されている。

【００９６】さらに正のしきい値検出回路１１１は、正
のしきい値を検出する、抵抗Ｒ８、ＮＰＮトランジスタ
Ｑ８，Ｑ１１及び電流源Ｉ３を有している。抵抗Ｒ８は
一端が電源ＶＣＣに接続され、他端が第１のＮＰＮトラ
ンジスタＱ２のコレクタに接続されている。ＮＰＮトラ
ンジスタＱ８はベースが第１のＮＰＮトランジスタＱ２
のコレクタに接続され、コレクタが電源ＶＣＣに接続さ
れ、エミッタが電流源Ｉ３の入力側に接続されている。
ＮＰＮトランジスタＱ１１はベースが電流源Ｉ５の入力
側に接続され、コレクタが後述する充電回路１１２に接
続され、エミッタが電流源Ｉ３の入力側に接続されてい
る。

【００９７】充電回路１１２は、抵抗Ｒ６，Ｒ９、及び
ＰＮＰトランジスタＱ６，Ｑ９よりなるカレントミラー
回路であり、電圧生成回路１１０に比べてコンデンサＣ
１に電荷を高速に充電する。抵抗Ｒ６は一端が電源ＶＣ
Ｃに接続され、他端がＰＮＰトランジスタＱ６のエミッ
タに接続されている。ＰＮＰトランジスタＱ６はベース
がＰＮＰトランジスタＱ９のベースに接続され、コレク
タが出力端子ＯＵＴに接続されている。抵抗Ｒ９は一端
が電源ＶＣＣに接続され、他端がＰＮＰトランジスタＱ
９のエミッタに接続されている。ＰＮＰトランジスタＱ
９はベースが該ＰＮＰトランジスタＱ９のコレクタに接
続されると共にＰＮＰトランジスタＱ６のベースに接続
され、コレクタがＮＰＮトランジスタＱ１１のコレクタ
に接続されている。

【００９８】一方、放電側の回路は構成要素のみを説明
することにする。負のしきい値検出回路は、入力信号の
交流成分の負方向の振幅が示す電圧に対して負のしきい
値を設定する手段である、抵抗Ｒ１２及び電流源Ｉ６と
を有し、さらに、負のしきい値を検出する、抵抗Ｒ７、
ＰＮＰトランジスタＱ７，Ｑ１２及び電流源Ｉ４を有し
ている。

【００９９】放電回路１１４は、抵抗Ｒ５，Ｒ１０、及
びＮＰＮトランジスタＱ５，Ｑ１０よりなるカレントミ
ラー回路であり、電圧生成回路１１０に比べてコンデン
サＣ１から該コンデンサＣ１に充電されている電荷を高
速に放電する。

【０１００】以下、前記のように構成された中心値検出
回路の動作を説明する。

【０１０１】まず、中心値検出回路の充電側の動作を説
明する。

【０１０２】図１２に示すように、正のしきい値検出回
路１１１の抵抗Ｒ８を流れる電流は、第１のＮＰＮトラ
ンジスタＱ２のコレクタ電流である。該コレクタ電流に
より、入力端子ＩＮに入力される入力信号の電位と、出
力端子ＯＵＴの電位との正の差に比例した電圧がＮＰＮ
トランジスタＱ８のベースに印加されている。

【０１０３】ここで、例えば、入力信号の電位が安定状
態のときよりも高くなったとすると、前記の第９の実施
形態において述べたように、第２の抵抗Ｒ２を流れる電
流が増加するため、第１のＮＰＮトランジスタＱ２のコ
レクタ電流が増加するので、その結果、ＮＰＮトランジ
スタＱ８のベースに印加されるベース電圧が抵抗Ｒ８の
電圧降下によって低下する。これにより、ＮＰＮトラン
ジスタＱ８のベース電圧がしきい値（＝前記の正のしき
い値に関連する別のパラメータ）を越えて低くなった場
合に、ＮＰＮトランジスタＱ１１のコレクタ電流が増加
するため、充電回路１１２のＰＮＰトランジスタＱ９の
コレクタ電流が増加することになる。従って、カレント
ミラー回路の特性として、ＰＮＰトランジスタＱ９のコ
レクタ電流が増加したタイミングで充電回路１１２のＰ
ＮＰトランジスタＱ６のコレクタ電流が増加するので、
コンデンサＣ１に電荷を高速に充電することができる。

【０１０４】次に、中心値検出回路の放電側の動作を説
明する。

【０１０５】負のしきい値検出回路１１３の抵抗Ｒ７を
流れる電流は、第１のＰＮＰトランジスタＱ１のコレク
タ電流である。該コレクタ電流により、入力端子ＩＮに
入力される入力信号の電位と、出力端子ＯＵＴの電位と
の負の差に比例した電圧がＰＮＰトランジスタＱ７のベ
ースに印加されている。

【０１０６】ここで、例えば、入力信号の電位が安定状
態のときよりも低くなったとすると、第１の抵抗Ｒ１を
流れる電流が増加するため、第１のＰＮＰトランジスタ
Ｑ１のコレクタ電流が増加するので、その結果、ＰＮＰ
トランジスタＱ７のベースに印加されるベース電圧が上
昇する。これにより、ＰＮＰトランジスタＱ７のベース
電圧がしきい値を越えて高くなった場合に、ＰＮＰトラ
ンジスタＱ１２のコレクタ電流が増加するため、放電回
路１１４のＮＰＮトランジスタＱ１０のコレクタ電流が
増加することになる。従って、カレントミラー回路の特
性として、ＮＰＮトランジスタＱ１０のコレクタ電流が
増加したタイミングで該放電回路１１４のＮＰＮトラン
ジスタＱ５のコレクタ電流が増加するので、コンデンサ
Ｃ１から充電されていた電荷を高速に放電することがで
きる。

【０１０７】また、本実施形態によると、正のしきい値
及び負のしきい値はそれぞれ独立に設定できるため、入
力信号の特性に応じて充電側と放電側とで同一の値に
も、それぞれ異なる値にも設定することができるので、
入力信号の交流成分を確実に滑らかにすることができ
る。

【０１０８】（第１１の実施形態） 以下、本発明に係る第１１の実施形態を図面を参照しな
がら説明する。

【０１０９】図１３は本発明の第１１の実施形態に係る
再生信号増幅装置における中心値検出回路の構成図であ
る。図１３において、図１１に示す第１０の実施形態に
新たに追加された構成要素のみを説明すると、１８ｇは
第１の正のしきい値検出回路１８ｃに並列に接続された
第ｎの正のしきい値検出回路であり、１８ｈは第ｎの正
のしきい値検出回路１８ｇとコンデンサ１８ｂとの間に
接続されている第ｎの充電回路である。また、１８ｉは
第１の負のしきい値検出回路１８ｅに並列に接続された
第ｎの負のしきい値検出回路であり、１８ｊは第ｎの負
のしきい値検出回路１８ｉとコンデンサ１８ｂとの間に
接続されている第ｎの放電回路である。

【０１１０】なお、ｎは２以上の正の整数とし、充電側
と放電側との設定数ｎは必ずしも一致している必要はな
く、入力信号の特性に応じて設定すればよい。

【０１１１】図１４は第１１の実施形態に係る中心値検
出回路の回路図である。本実施形態に係る中心値検出回
路は正及び負のしきい値の設定数ｎを共に２に設定した
例である。図１４において、図１２に示す第１０の実施
形態に新たに追加された構成要素のみを説明する。すな
わち、第２の正のしきい値検出回路１１５及び第２の充
電回路１１６並びに第２の負のしきい値検出回路１１７
及び第２の放電回路１１８を説明する。

【０１１２】新たな構成要素であって、Ｑ３３，Ｑ３
４，Ｑ３６，Ｑ３９はＰＮＰトランジスタ、Ｑ３２，Ｑ
３５，Ｑ３７，Ｑ３８はＮＰＮトランジスタ、Ｉ１５〜
Ｉ１８は電流源及びＲ３０〜Ｒ３５は抵抗である。

【０１１３】第２の正のしきい値検出回路１１５は、入
力信号の交流成分の正方向の振幅が示す電圧に対して第
１のしきい値よりも大きな第２の正のしきい値を設定す
る手段である、抵抗Ｒ３４及び電流源Ｉ１７とを有して
おり、第２の正のしきい値を検出する、ＮＰＮトランジ
スタＱ３５，Ｑ３８及び電流源Ｉ１５を有している。

【０１１４】第２の充電回路１１６は、抵抗Ｒ３１，Ｒ
３２、及びＰＮＰトランジスタＱ３３，Ｑ３６よりなる
カレントミラー回路であり、電圧生成回路１１０に比べ
てコンデンサＣ１を高速に充電する。

【０１１５】第２の負のしきい値検出回路１１７は、入
力信号の交流成分の負方向の振幅が示す電圧に対して第
２の負のしきい値を設定する手段である、抵抗Ｒ３５及
び電流源Ｉ１８とを有し、さらに、第２の負のしきい値
を検出する、ＰＮＰトランジスタＱ３４，Ｑ３９及び電
流源Ｉ１６を有している。

【０１１６】第２の放電回路１１８は、抵抗Ｒ３０，Ｒ
３３、及びＮＰＮトランジスタＱ３２，Ｑ３７よりなる
カレントミラー回路であり、電圧生成回路１１０に比べ
てコンデンサＣ１を高速に放電する。

【０１１７】以下、前記のように構成された中心値検出
回路の動作を説明する。

【０１１８】なお、第１の正のしきい値検出回路及び第
１の充電回路並びに第１の負のしきい値検出回路及び第
１の放電回路は、第１０の実施形態における正のしきい
値検出回路及び充電回路並びに負のしきい値検出回路及
び放電回路と同一である。

【０１１９】中心値検出回路の充電側の動作を説明す
る。

【０１２０】まず、図１４に示すように、第１の正のし
きい値検出回路１１１の抵抗Ｒ１１及び電流源Ｉ５の電
流値に基づいて第１の正のしきい値を設定しておき、同
様に第２の正のしきい値検出回路１１５の抵抗Ｒ３４及
び電流源Ｉ１７の電流値に基づいて第２の正のしきい値
を設定しておく。

【０１２１】第１の正のしきい値検出回路１１１に含ま
れる抵抗Ｒ８を流れる電流は、第１のＮＰＮトランジス
タＱ２のコレクタ電流である。該コレクタ電流により、
入力端子ＩＮに入力される入力信号の電位と、出力端子
ＯＵＴの電位との正の差に比例した電圧がＮＰＮトラン
ジスタＱ８及びＮＰＮトランジスタＱ３５のベースにそ
れぞれ印加されている。

【０１２２】ここで、例えば、入力信号の電位が安定状
態のときよりも高くなったとすると、第２の抵抗Ｒ２を
流れる電流が増加するため、第１のＮＰＮトランジスタ
Ｑ２のコレクタ電流が増加するので、その結果、ＮＰＮ
トランジスタＱ８のベースに印加されるベース電圧が抵
抗Ｒ８の電圧降下によって低下する。これにより、ＮＰ
ＮトランジスタＱ８のベース電圧が第１の正のしきい値
を越え、且つ、第２の正のしきい値を越えない場合は、
前記の第１０の実施形態に説明したように、第１の充電
回路１１２がコンデンサＣ１に対して電圧生成回路１１
０よりも高速に充電する。

【０１２３】さらに、前記の場合よりも入力信号の電位
が高くなり、第２の正のしきい値を越えた場合は、第２
の正のしきい値検出回路１１５のＮＰＮトランジスタＱ
３８のコレクタ電流が増加するため、第２の充電回路１
１６のＰＮＰトランジスタＱ３６のコレクタ電流が増加
することになる。従って、カレントミラー回路の特性に
より、第２の充電回路１１６のＰＮＰトランジスタＱ３
３のコレクタ電流が、ＰＮＰトランジスタＱ３６と同じ
タイミングで増加するため、第１の充電回路１１２のＰ
ＮＰトランジスタＱ６のコレクタ電流と共にコンデンサ
Ｃ１の充電に寄与するので、コンデンサＣ１に対してよ
り高速な充電が可能になる。

【０１２４】次に、前記第１０の実施形態にも示したよ
うに、放電側における第１，第２の負のしきい値検出回
路１１３，１１７及び第１，第２の放電回路１１４，１
１８のそれぞれの動作は、それぞれ対応する充電側の第
１，第２の正のしきい値検出回路１１１，１１５及び第
１，第２の充電回路１１２，１１６を構成するトランジ
スタの極性をそれぞれ反転させた構成であるため、動作
の説明を省略する。

【０１２５】このように、本実施形態によると、第１及
び第２の正のしきい値を独立に設定することができると
共に、第１及び第２の負のしきい値をそれぞれ独立に設
定できるため、入力信号に付加される雑音の特性に応じ
て充電側のしきい値と放電側のしきい値とを、同一の値
にも、また、互いに異なる値にも設定することができ
る。これにより、入力信号の急激な変化に対しても高速
に且つ確実に中心値信号を検出して生成することができ
る。

【０１２６】（第１２の実施形態） 以下、本発明に係る第１２の実施形態を図面を参照しな
がら説明する。

【０１２７】図１５は本発明の第１２の実施形態に係る
再生信号増幅装置における中心値検出回路の構成図であ
る。図１５において、図１１に示す第１０の実施形態の
構成要素との差異のみを説明すると、１８ｋは正のしき
い値検出回路の正のしきい値にヒステリシス特性を持た
せた正のヒステリシス特性生成回路としての正方向ヒス
テリシス回路、１８ｌは負のしきい値検出回路の負のし
きい値にヒステリシス特性を持たせた負のヒステリシス
特性生成回路としての負方向ヒステリシス回路である。

【０１２８】図１６は第１２の実施形態に係る中心値検
出回路の回路図である。図１６において、図１２に示す
第１０の実施形態と異なる構成要素のみを説明する。す
なわち、正方向ヒステリシス回路１１９及び負方向ヒス
テリシス回路１２１を説明する。

【０１２９】新たな構成要素であって、Ｑ１９，Ｑ２
０，Ｑ２２，Ｑ２５及びＱ２７はＰＮＰトランジスタ、
Ｑ１８，Ｑ２１，Ｑ２３，Ｑ２４及びＱ２６はＮＰＮト
ランジスタ、Ｉ７〜Ｉ１０は電流源及びＲ１８〜Ｒ２５
は抵抗である。

【０１３０】正方向ヒステリシス回路１１９は、入力信
号の交流成分の正方向の振幅が示す電圧に対して第１の
正のしきい値を設定する手段である、抵抗Ｒ２１、電流
源Ｉ７、ＮＰＮトランジスタＱ２６、抵抗Ｒ２４及び電
流源Ｉ９と、第１の正のしきい値にヒステリシス特性を
持たせるための第２の正のしきい値を設定する手段であ
る、ＮＰＮトランジスタＱ２６、抵抗Ｒ２４及び電流源
Ｉ９と、第１及び第２の正のしきい値を検出する、ＮＰ
ＮトランジスタＱ２１，Ｑ２４及び電流源Ｉ７を有して
いる。

【０１３１】充電回路１２０は、抵抗Ｒ１９，Ｒ２２、
及びＰＮＰトランジスタＱ１９，Ｑ２２よりなるカレン
トミラー回路であり、電圧生成回路１１０よりも高速に
コンデンサＣ１を充電することができる。

【０１３２】負方向ヒステリシス回路１２１は、入力信
号の交流成分の負方向の振幅が示す電圧に対して第１の
負のしきい値を設定する手段である、抵抗Ｒ２０、電流
源Ｉ８、ＰＮＰトランジスタＱ２７、抵抗Ｒ２５及び電
流源Ｉ１０と、第１の負のしきい値にヒステリシス特性
を持たせるための第２の負のしきい値を設定する手段で
ある、ＰＮＰトランジスタＱ２７、抵抗Ｒ２５及び電流
源Ｉ１０と、第１及び第２の負のしきい値を検出する、
ＰＮＰトランジスタＱ２０，Ｑ２５及び電流源Ｉ８を有
している。

【０１３３】放電回路１２２は、抵抗Ｒ１８，Ｒ２３、
及びＮＰＮトランジスタＱ１８，Ｑ２３よりなるカレン
トミラー回路であり、電圧生成回路１１０よりも高速に
コンデンサＣ１を放電することができる。

【０１３４】以下、前記のように構成された中心値検出
回路の動作を説明する。

【０１３５】中心値検出回路の充電側の動作を説明す
る。

【０１３６】まず、図１６に示すように、正方向ヒステ
リシス回路１１９の抵抗Ｒ２１、電流源Ｉ７、ＮＰＮト
ランジスタＱ２６のベースエミッタ電圧Ｖ_BE、抵抗Ｒ２
４及び電流源Ｉ９の電流値に基づいて第１の正のしきい
値を設定しておき、ＮＰＮトランジスタＱ２６のベース
エミッタ電圧Ｖ_BE、抵抗Ｒ２４及び電流源Ｉ９の電流値
に基づいて第１の正のしきい値にヒステリシス特性を付
与する第２の正のしきい値を設定しておく。

【０１３７】正方向ヒステリシス回路１１９の抵抗Ｒ８
を流れる電流は、第１のＮＰＮトランジスタＱ２のコレ
クタ電流である。該コレクタ電流により、入力端子ＩＮ
に入力される入力信号の電位と、出力端子ＯＵＴの電位
との正の差に比例した電圧がＮＰＮトランジスタＱ２１
のベースに印加されている。

【０１３８】ここで、例えば、入力信号の電位が安定状
態のときよりも高くなったとすると、第２の抵抗Ｒ２を
流れる電流が増加するため、第１のＮＰＮトランジスタ
Ｑ２のコレクタ電流が増加するので、その結果、ＮＰＮ
トランジスタＱ２１のベースに印加されるベース電圧が
抵抗Ｒ８の電圧降下によって低下する。これにより、Ｎ
ＰＮトランジスタＱ２１のベース電圧が第１の正のしき
い値を越える場合は、前記の第１０の実施形態に説明し
たように、充電回路のＰＮＰトランジスタＱ１９がコン
デンサＣ１に高速に充電する。

【０１３９】同時に、ＮＰＮトランジスタＱ２１のコレ
クタ電流が減少するため、ＮＰＮトランジスタＱ２１の
コレクタと接続されているＮＰＮトランジスタＱ２６の
ベース電位が上昇するので、抵抗Ｒ２４を流れる電流値
は増加する。抵抗Ｒ２４の電流値が増加することによ
り、第１の正のしきい値に対してヒステリシスが付与さ
れることになり、第１の正のしきい値の設定値よりも下
がるため、入力信号が第２の正のしきい値まで戻るまで
の間は充電回路１２０が動作し続けることになる。

【０１４０】このように、充電回路１２０を起動する第
１の正のしきい値にヒステリシス特性が付与されるた
め、第１の正のしきい値近傍で入力信号が変化するよう
な場合であっても、充電回路１２０にチャタリング現象
が生じないので、入力信号の中心値信号を高速に且つ高
精度に行なえると共に、中心値検出回路の動作を安定さ
せることができる。

【０１４１】なお、放電側における負方向ヒステリシス
回路１２１及び放電回路１２２の動作は、充電側の正方
向ヒステリシス回路１１９及び充電回路１２０を構成す
るトランジスタの極性をそれぞれ反転させた構成である
ため、動作の説明を省略する。

【０１４２】（第１３の実施形態） 以下、本発明に係る第１３の実施形態を図面を参照しな
がら説明する。

【０１４３】図１７は本発明の第１３の実施形態に係る
再生信号増幅装置における中心値検出回路の構成図であ
る。図１７において、図１５に示す第１２の実施形態に
新たに追加された構成要素のみを説明すると、１８ｍは
第１の正方向ヒステリシス回路１８ｋに並列に接続され
た第ｎの正方向ヒステリシス回路であり、１８ｈは第ｎ
の正方向ヒステリシス回路１８ｍとコンデンサ１８ｂと
の間に接続されている第ｎの充電回路である。また、１
８ｎは第１の負方向ヒステリシス回路１８ｌに並列に接
続された第ｎの負方向ヒステリシス回路であり、１８ｊ
は第ｎの負方向ヒステリシス回路１８ｎとコンデンサ１
８ｂとの間に接続されている第ｎの放電回路である。

【０１４４】なお、ｎは中心値検出回路の充電側及び放
電側のそれぞれに設定されるしきい値の設定数を表わし
ており、本実施形態では２以上の正の整数とする。充電
側と放電側との設定数ｎは必ずしも一致している必要は
なく、入力信号の特性に応じて設定すればよい。

【０１４５】図１８は第１３の実施形態に係る中心値検
出回路の回路図である。本実施形態に係る中心値検出回
路は正及び負のしきい値の設定数ｎを共に２に設定した
例であり、正及び負のしきい値のそれぞれにヒステリシ
ス特性が付与されている。図１８において、図１６に示
す第１２の実施形態に新たに追加された構成要素のみを
説明する。すなわち、第２の正方向ヒステリシス回路１
２３及び第２の充電回路１２４並びに第２の負方向ヒス
テリシス回路１２５及び第２の放電回路１２６を説明す
る。

【０１４６】新たな構成要素であって、Ｑ４５，Ｑ４
６，Ｑ４８，Ｑ５１及びＱ５３はＰＮＰトランジスタ、
Ｑ４４，Ｑ４７，Ｑ４９，Ｑ５０及びＱ５２はＮＰＮト
ランジスタ、Ｉ１９〜Ｉ２２は電流源及びＲ４０〜Ｒ４
７は抵抗である。

【０１４７】第２の正方向ヒステリシス回路１２３は、
入力信号の交流成分の正方向の振幅が示す電圧に対して
第１の正のしきい値を設定する手段である、抵抗Ｒ４
３、電流源Ｉ９、ＮＰＮトランジスタＱ５２、抵抗Ｒ４
６及び電流源Ｉ２１と、第１の正のしきい値にヒステリ
シス特性を持たせるための第２の正のしきい値を設定す
る手段である、ＮＰＮトランジスタＱ５２、抵抗Ｒ４６
及び電流源Ｉ２１と、第１及び第２の正のしきい値を検
出する、ＮＰＮトランジスタＱ４７，Ｑ５０及び電流源
Ｉ１９を有している。

【０１４８】第２の充電回路１２４は、抵抗Ｒ４１，Ｒ
４４、及びＰＮＰトランジスタＱ４５，Ｑ４８よりなる
カレントミラー回路であり、電圧生成回路１１０よりも
高速にコンデンサＣ１を充電することができる。

【０１４９】一方、負方向ヒステリシス回路１２５は、
入力信号の交流成分の負方向の振幅が示す電圧に対して
第１の負のしきい値を設定する手段である、抵抗Ｒ４
２、電流源Ｉ２０、ＰＮＰトランジスタＱ５３、抵抗Ｒ
４７及び電流源Ｉ２２と、第１の負のしきい値にヒステ
リシス特性を持たせるための第２の負のしきい値を設定
する手段である、ＰＮＰトランジスタＱ５３、抵抗Ｒ４
７及び電流源Ｉ２２と、第１及び第２の負のしきい値を
検出する、ＰＮＰトランジスタＱ４６，Ｑ５１及び電流
源Ｉ２０を有している。

【０１５０】第２の放電回路１２６は、抵抗Ｒ４０，Ｒ
４５、及びＮＰＮトランジスタＱ４４，Ｑ４９よりなる
カレントミラー回路であり、電圧生成回路１１０よりも
高速にコンデンサＣ１を放電することができる。

【０１５１】以下、前記のように構成された中心値検出
回路の動作を説明する。

【０１５２】中心値検出回路の充電側の動作を説明す
る。

【０１５３】第２の正方向ヒステリシス回路１２３のみ
を説明すると、まず、図１８に示すように、第２の正方
向ヒステリシス回路１２３の抵抗Ｒ４３、電流源Ｉ１
９、ＮＰＮトランジスタＱ５２のベースエミッタ電圧Ｖ
_BE、抵抗Ｒ４６及び電流源Ｉ２１の電流値に基づいて第
１の正のしきい値を設定しておき、ＮＰＮトランジスタ
Ｑ５２のベースエミッタ電圧Ｖ_BE、抵抗Ｒ４６及び電流
源Ｉ２１の電流値に基づいて第１の正のしきい値にヒス
テリシス特性を付与する第２の正のしきい値を設定して
おく。

【０１５４】第１の正方向ヒステリシス回路１１９に含
まれる抵抗Ｒ８を流れる電流は、第１のＮＰＮトランジ
スタＱ２のコレクタ電流である。該コレクタ電流によ
り、入力端子ＩＮに入力される入力信号の電位と、出力
端子ＯＵＴの電位との正の差に比例した電圧がＮＰＮト
ランジスタＱ４７のベースに印加されている。

【０１５５】ここで、例えば、入力信号の電位が安定状
態のときよりも高くなったとすると、第２の抵抗Ｒ２を
流れる電流が増加するため、第１のＮＰＮトランジスタ
Ｑ２のコレクタ電流が増加するので、その結果、ＮＰＮ
トランジスタＱ４７のベースに印加されるベース電圧が
抵抗Ｒ８の電圧降下によって低下する。これにより、Ｎ
ＰＮトランジスタＱ４７のベース電圧が第１の正のしき
い値を越える場合は、第２の充電回路１２４のＰＮＰト
ランジスタＱ４５が電圧生成回路１１０よりもコンデン
サＣ１に高速に充電する。

【０１５６】同時に、ＮＰＮトランジスタＱ４７のコレ
クタ電流が減少するため、ＮＰＮトランジスタＱ４７の
コレクタと接続されているＮＰＮトランジスタＱ５２の
ベース電位が上昇するので、抵抗Ｒ４６を流れる電流値
は増加する。抵抗Ｒ４６の電流値が増加することによ
り、第１の正のしきい値に対してヒステリシスが付与さ
れることになり、第１の正のしきい値の設定値よりも下
がるため、入力信号が第２の正のしきい値まで戻るまで
の間は第２の充電回路１２４が動作し続けることにな
る。

【０１５７】このように、第２の充電回路１２４を起動
する第１の正のしきい値にヒステリシス特性が付与され
るため、第１の正のしきい値近傍で入力信号が変化する
ような場合であっても、第２の充電回路１２４にチャタ
リング現象が生じないので、入力信号の中心値信号を高
速に且つ高精度に行なえると共に、中心値検出回路の動
作を安定させることができる。

【０１５８】なお、放電側における第２の負方向ヒステ
リシス回路１２５及び第２の放電回路１２６の動作は、
充電側の第２の正方向ヒステリシス回路１２３及び第２
の充電回路１２４を構成するトランジスタの極性をそれ
ぞれ反転させた構成であるため、動作の説明を省略す
る。

【０１５９】本実施形態の特徴として、例えば、第１の
正方向ヒステリシス回路１１９の第１の正のしきい値よ
りも第２の正方向ヒステリシス回路１２３の第１の正の
しきい値を高く設定すると共に、第１の正方向ヒステリ
シス回路１１９の第２の正のしきい値よりも第２の正方
向ヒステリシス回路１２３の第２の正のしきい値を高く
設定することにより、入力信号の交流成分の電圧に応じ
た、より最適な電流によってコンデンサに対して充電又
は放電を行なうことができる。従って、入力信号が急激
に大きく変化したとしても高速に且つ高精度に入力信号
の中心値を検出し生成することができる。

【０１６０】

【発明の効果】本発明の再生信号増幅装置によると、中
心値信号は増幅信号の交流成分が平滑化されているた
め、増幅信号の直流成分とほぼ等しくなる。減算回路は
増幅信号と該中心値信号との差分を求めているため、減
算回路から出力される再生信号は、増幅信号に付加さ
れ、正常な増幅信号に比べ急激に変化する大きな振幅の
雑音が除かれるので、再生誤りの少ない再生信号を得る
ことができる。

【０１６１】本発明の再生信号増幅装置が、増幅信号の
入力を受け、入力された増幅信号をその位相を遅延させ
て減算回路に出力する遅延回路をさらに備えていると、
減算回路に入力される増幅信号は、中心値信号の位相に
合わせることができるため、減算回路から出力される再
生信号が入力信号に一層忠実な信号となる。

【０１６２】本発明の再生信号増幅装置が、中心値信号
生成回路の動作の開始又は停止を指示するオンオフ制御
手段をさらに備えていると、必要に応じて中心値信号生
成回路を動作させることができるため、増幅回路から出
力される増幅信号を再生信号として得たい場合にも対処
することができる。

【０１６３】本発明の再生信号増幅装置が、増幅回路の
利得を増減する利得制御手段をさらに備えていると、必
要に応じて増幅回路の利得を適当な値に調整することが
できるため、例えば、記録モードや再生モード等の動作
モードの切り換え時に発生しやすい、急激に変化する大
きな振幅の雑音を、あらかじめ抑止することができる。

【０１６４】本発明の再生信号増幅装置が、増幅信号の
入力を受け、入力された増幅信号における振幅のピーク
値を検出して該ピーク値を中心値信号生成回路に出力す
るピーク値検出回路をさらに備えていると、増幅信号の
バイアス成分の信号レベルが変更になった場合であって
も、中心値信号生成回路は増幅信号のバイアス成分の信
号レベルの変更に対応することができるため、増幅信号
から中心値信号を確実に得ることができる。

【０１６５】本発明の再生信号増幅装置が、ピーク値検
出回路が検出するピーク値を記憶する記憶回路をさらに
備えていると、変更されたバイアス成分の信号レベルの
ピーク値を記憶しておくことができるため、装置の電源
がオフにされたり動作モードが変更されたりした場合
に、変更された信号レベルに適応させるという調整を再
度行なう必要がない。

【０１６６】本発明の再生信号増幅装置が、記憶回路に
記憶されているピーク値を参照又は変更するピーク値制
御手段をさらに備えていると、必要に応じてバイアス成
分の信号レベルのピーク値を読み出したり所定の値に書
き換えたりすることができるため、増幅信号から生成す
る中心値信号の精度を高めることができる。

【０１６７】本発明の再生信号増幅装置において、中心
値信号生成回路が、増幅信号の電位とほぼ同じ電位の電
圧を生成して出力する電圧生成回路と、電圧生成回路か
ら出力された電圧により充電又は放電され、入力された
増幅信号の交流成分を平滑化するコンデンサとを有して
いると、中心値信号生成回路が、振幅の変化に追随する
ことができる電圧生成回路と、増幅信号の交流成分を平
滑化するコンデンサを有しているため、直流成分のみを
確実に得ることができるので、再生誤りの少ない再生信
号を得ることができる本発明の再生信号増幅装置におい
て、中心値信号生成回路が、電圧生成回路とコンデンサ
とを有している場合に、中心値信号生成回路に入力され
る増幅信号に対して設定されているしきい値を検出し、
増幅信号におけるしきい値を越えるしきい値超過信号成
分を出力するしきい値検出回路と、しきい値超過信号成
分に応じて、コンデンサに対して充電又は放電を行なう
充放電回路とをさらに有していると、あらかじめ設定さ
れているしきい値を絶対値として越える大きな振幅の信
号が入力された場合に、コンデンサに対して高速に充電
又は放電を行なうことができるので、増幅信号の交流成
分を確実に平滑化することができる。

【０１６８】この場合に、しきい値が、ヒステリシス特
性生成回路によりヒステリシス特性を生成されると、増
幅信号の交流成分が、あらかじめ設定されているしきい
値を越えた直後に該しきい値よりも小さくなる信号に対
しても、充放電回路は安定して動作するため、増幅信号
の交流成分をより確実に平滑化することができる。

【０１６９】本発明の再生信号増幅装置において、中心
値信号生成回路が、電圧生成回路とコンデンサとを有し
ている場合に、中心値信号生成回路に入力される増幅信
号の正の信号成分に対して設定されている正のしきい値
を検出し、正の信号成分における正のしきい値を越える
正のしきい値超過信号成分を出力する正のしきい値検出
回路と、増幅信号の負の信号成分に対して設定されてい
る負のしきい値を検出し、負の信号成分における負のし
きい値を越える負のしきい値超過信号成分を出力する負
のしきい値検出回路と、正のしきい値超過信号成分に応
じてコンデンサに充電を行なう充電回路と、負のしきい
値超過信号成分に応じてコンデンサから放電を行なう放
電回路とをさらに有し、正のしきい値と負のしきい値と
はそれぞれ独立に設定されていると、増幅信号の交流成
分に対して、正又は負のしきい値を増幅信号の特性を考
慮して独立に設定することができるため、増幅信号の交
流成分をより確実に平滑化することができる。

【０１７０】この場合に、正のしきい値検出回路が複数
設けられており、複数の正のしきい値検出回路が互いに
異なる正のしきい値を有し、充電回路が正のしきい値検
出回路のそれぞれと対応するように複数設けられている
と、増幅信号の交流成分の振幅が小さい側から大きい側
に向かって順次正のしきい値に達する度に、各正のしき
い値に対応する各充電回路からコンデンサに対してそれ
ぞれ充電が行なわれるため、コンデンサは高速に充電さ
れることになる。従って、増幅信号の交流成分の正方向
の振幅の変化に確実に追随できるので、増幅信号の正の
交流成分をより一層確実に平滑化することができる。

【０１７１】さらに、負のしきい値検出回路が複数設け
られており、複数の負のしきい値検出回路は互いに異な
る負のしきい値を有し、充電回路が負のしきい値検出回
路のそれぞれと対応するように複数設けられていると、
増幅信号の交流成分の振幅が小さい側から大きい側に向
かって順次負のしきい値に達する度に、各負のしきい値
に対応する各放電回路を通してコンデンサからそれぞれ
放電が行なわれるため、コンデンサは高速に放電される
ことになる。従って、増幅信号の交流成分の負方向の振
幅の変化に確実に追随できるので、増幅信号の負の交流
成分をより一層確実に平滑化することができる。

【０１７２】また、正のしきい値が、正のヒステリシス
特性生成回路によりヒステリシス特性を生成され、負の
しきい値が、負のヒステリシス特性生成回路によりヒス
テリシス特性を生成されると、正又は負のしきい値を越
えた直後に該しきい値よりも振幅が小さくなる増幅信号
の交流成分に対しても、充電回路又は放電回路は安定し
て動作することができるため、増幅信号の交流成分をよ
り確実に平滑化することができる。

【０１７３】本発明の中心値信号生成回路によると、電
圧生成回路は入力信号から該入力信号の電位を検出し、
該入力信号の電位とほぼ同等の電位を有する電圧信号を
出力した後、低域通過フィルタが該電圧信号の高周波成
分を除去するため、入力信号の直流成分を得ることがで
きる。

【０１７４】本発明の中心値信号生成回路において、電
圧生成回路が、ベースに入力信号が入力され、エミッタ
が第１の電流源を介して電圧電源に接続され、コレクタ
が接地されている第１のＰＮＰトランジスタと、ベース
に入力信号が入力され、エミッタが第２の電流源を介し
て接地され、コレクタが電圧電源に接続されている第１
のＮＰＮトランジスタと、エミッタが第１の電流源を介
して電圧電源に接続され、コレクタが接地される第２の
ＰＮＰトランジスタと、エミッタが第２の電流源を介し
て接地され、コレクタが電圧電源に接続されている第２
のＮＰＮトランジスタと、第２のＰＮＰトランジスタの
ベースと第２のＮＰＮトランジスタのベースとが接続さ
れており、増幅信号を出力する出力端子とを有し、低域
通過フィルタは、一方の電極が出力端子に接続され、他
方の電極が接地されているコンデンサからなると、電圧
生成回路における、第１のＰＮＰトランジスタはエミッ
タが第１の電流源を介して電圧電源に接続されコレクタ
が接地されており、第１のＮＰＮトランジスタはエミッ
タが第２の電流源を介して接地されコレクタが電圧電源
に接続されており、共通に接続された第１のＰＮＰトラ
ンジスタのベースと第１のＮＰＮトランジスタのベース
とに入力信号が入力されるため、微小信号に対して高感
度となる。

【０１７５】また、電圧生成回路における、第２のＰＮ
Ｐトランジスタはエミッタが第１の電流源を介して電圧
電源に接続されコレクタが接地されており、第２のＮＰ
Ｎトランジスタはエミッタが第２の電流源を介して接地
されコレクタが電圧電源に接続されており、第２のＰＮ
Ｐトランジスタのベースと第２のＮＰＮトランジスタの
ベースとが接続されているため、出力信号の電位は入力
信号の電位とほぼ等しくなる。

【０１７６】また、低域通過フィルタは、一方の電極が
出力端子に接続され、他方の電極が接地されているコン
デンサからなるため、電圧生成回路の出力信号の交流成
分を平滑化して、入力信号の中心値信号を生成すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係る磁気記録装置に
おける再生信号増幅装置の構成図である。

【図２】本発明の第２の実施形態に係る磁気記録装置に
おける再生信号増幅装置の構成図である。

【図３】本発明の第３の実施形態に係る磁気記録装置に
おける再生信号増幅装置の構成図である。

【図４】本発明の第４の実施形態に係る磁気記録装置に
おける再生信号増幅装置の構成図である。

【図５】本発明の第５の実施形態に係る磁気記録装置に
おける再生信号増幅装置の構成図である。

【図６】本発明の第６の実施形態に係る磁気記録装置に
おける再生信号増幅装置の構成図である。

【図７】本発明の第７の実施形態に係る磁気記録装置に
おける再生信号増幅装置の構成図である。

【図８】本発明の第８の実施形態に係る磁気記録装置に
おける再生信号増幅装置の構成図である。

【図９】本発明の第９の実施形態に係る中心値検出回路
の構成図である。

【図１０】本発明の第９の実施形態に係る中心値検出回
路の回路図である。

【図１１】本発明の第１０の実施形態に係る中心値検出
回路の構成図である。

【図１２】本発明の第１０の実施形態に係る中心値検出
回路の回路図である。

【図１３】本発明の第１１の実施形態に係る中心値検出
回路の構成図である。

【図１４】本発明の第１１の実施形態に係る中心値検出
回路の回路図である。

【図１５】本発明の第１２の実施形態に係る中心値検出
回路の構成図である。

【図１６】本発明の第１２の実施形態に係る中心値検出
回路の回路図である。

【図１７】本発明の第１３の実施形態に係る中心値検出
回路の構成図である。

【図１８】本発明の第１３の実施形態に係る中心値検出
回路の回路図である。

【図１９】従来の磁気記録装置における再生信号増幅装
置の構成図である。

【符号の説明】

１１ 磁気記録再生装置 １２ 磁気ディスク装置 １３ 再生信号増幅装置 １４ 磁気媒体 １５ 再生ヘッド １６ 入力端子 １７ 増幅回路 １８ 中心値検出回路（中心値信号生成回路） １９ 減算回路 １９Ａ 減算回路 ２０ 出力端子 ２１ 増幅信号出力端子 ２２ 中心値信号出力端子 ２３ 遅延回路 ２４ オンオフ制御端子 ２５ 利得制御端子 ２６ ピーク値検出回路 ２７ 記憶回路 ２８ ピーク値制御端子 １８ａ 電圧生成回路 １８ｂ コンデンサ １８ｃ 正のしきい値検出回路 １８ｄ 充電回路（第１の充電回路） １８ｅ 負のしきい値検出回路（第１の負のしきい値
検出回路） １８ｆ 放電回路（第１の放電回路） １８ｇ 第ｎの正のしきい値検出回路 １８ｈ 第ｎの充電回路 １８ｉ 第ｎの負のしきい値検出回路 １８ｊ 第ｎの放電回路 １８ｋ 正方向ヒステリシス回路（第１の正方向ヒス
テリシス回路） １８ｌ 負方向ヒステリシス回路（第１の負方向ヒス
テリシス回路） １８ｍ 第ｎの正方向ヒステリシス回路 １８ｎ 第ｎの負方向ヒステリシス回路 １１０ 電圧生成回路 １１１ 正のしきい値検出回路 １１２ 充電回路 １１３ 負のしきい値検出回路（第１の負のしきい値
検出回路） １１４ 放電回路（第１の放電回路） １１５ 第２の正のしきい値検出回路 １１６ 第２の充電回路 １１７ 第２の負のしきい値検出回路 １１８ 第２の放電回路 １１９ 正方向ヒステリシス回路（第１の正方向ヒス
テリシス回路） １２０ 充電回路 １２１ 負方向ヒステリシス回路（第１の負方向ヒス
テリシス回路） １２２ 放電回路 １２３ 第２の正方向ヒステリシス回路 １２４ 第２の充電回路 １２５ 第２の負方向ヒステリシス回路 １２６ 第２の放電回路 Ｑ１ 第１のＰＮＰトランジスタ Ｑ２ 第１のＮＰＮトランジスタ Ｑ３ 第２のＰＮＰトランジスタ Ｑ４ 第２のＮＰＮトランジスタ Ｃ１ コンデンサ Ｒ１ 第１の抵抗 Ｒ２ 第２の抵抗 Ｒ３ 第３の抵抗 Ｒ４ 第４の抵抗 Ｖ_BI 入力側ベース電位 Ｖ_BO 出力側ベース電位 Ｉ１ 第１の電流源 Ｉ２ 第２の電流源 ＶＣＣ 電源 ｉ１ 第１のＰＮＰトランジスタのエミッタ電流 ｉ２ 第１のＮＰＮトランジスタのエミッタ電流 ｉ３ 第２のＰＮＰトランジスタのエミッタ電流 ｉ４ 第２のＮＰＮトランジスタのエミッタ電流

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 須志原 公治 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−279607（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−42411（ＪＰ，Ａ) 特開 昭49−22837（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−154209（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−120743（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−265804（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−171108（ＪＰ，Ａ) 特開 昭49−66262（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−60544（ＪＰ，Ａ) 実開 平４−132656（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) H03F 1/00 - 3/72

Claims (10)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 磁気記録装置から出力される微小信号を
   増幅して再生する再生信号増幅装置において、 前記微小信号を一の入力端子で受け、入力された微小信
   号を増幅して増幅信号を出力する増幅回路と、 前記増幅信号の入力を受け、入力された前記増幅信号の
   交流成分を平滑化することにより、前記増幅信号の中心
   値である中心値信号を生成して出力する中心値信号生成
   回路と、 前記増幅信号及び前記中心値信号の入力を受け、入力さ
   れた前記増幅信号と前記中心値信号との差である再生信
   号を出力する減算回路と、 前記中心値信号生成回路の動作の開始又は停止を指示す
   るオンオフ制御手段と を備えていることを特徴とする再
   生信号増幅装置。
2. 【請求項２】 磁気記録装置から出力される微小信号を
   増幅して再生する再生信号増幅装置において、 前記微小信号を一の入力端子で受け、入力された微小信
   号を増幅して増幅信号を出力する増幅回路と、 前記増幅信号の入力を受け、入力された前記増幅信号の
   交流成分を平滑化することにより、前記増幅信号の中心
   値である中心値信号を生成して出力する中心値信号生成
   回路と、 前記増幅信号及び前記中心値信号の入力を受け、入力さ
   れた前記増幅信号と前記中心値信号との差である再生信
   号を出力する減算回路と、 前記増幅信号の入力を受け、入力された増幅信号におけ
   る振幅のピーク値を検出して該ピーク値を前記中心値信
   号生成回路に出力するピーク値検出回路と、 前記ピーク値検出回路が検出する前記ピーク値を記憶す
   る記憶回路と、 前記記憶回路に記憶されている前記ピーク値を参照又は
   変更するピーク値制御手段とを備えていることを特徴と
   する再生信号増幅装置。
3. 【請求項３】 前記中心値信号生成回路は、 前記増幅信号の電位とほぼ同じ電位の電圧を生成して出
   力する電圧生成回路と、 前記電圧生成回路から出力された電圧により充電又は放
   電され、入力された増幅信号の交流成分を平滑化するコ
   ンデンサと、 前記中心値信号生成回路に入力される増幅信号に対して
   設定されているしきい値を検出し、前記増幅信号におけ
   る前記しきい値を越えるしきい値超過信号成分を出力す
   るしきい値検出回路と、 前記しきい値超過信号成分に応じて、前記コンデンサに
   対して充電又は放電を行なう充放電回路と を有している
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載の再生信号増幅
   装置。
4. 【請求項４】 前記しきい値は、ヒステリシス特性生成
   回路によりヒステリシス特性を生成されることを特徴と
   する請求項３に記載の再生信号増幅装置。
5. 【請求項５】 前記中心値信号生成回路は、 前記中心値信号生成回路に入力される増幅信号の正の信
   号成分に対して設定されている正のしきい値を検出し、
   前記正の信号成分における前記正のしきい値を越える正
   のしきい値超過信号成分を出力する正のしきい値検出回
   路と、 前記増幅信号の負の信号成分に対して設定されている負
   のしきい値を検出し、前記負の信号成分における前記負
   のしきい値を越える負のしきい値超過信号成分を出力す
   る負のしきい値検出回路と、 前記正のしきい値超過信号成分に応じて前記コンデンサ
   に充電を行なう充電回路と、 前記負のしきい値超過信号成分に応じて前記コンデンサ
   から放電を行なう放電回路とをさらに有し、 前記正のしきい値と前記負のしきい値とはそれぞれ独立
   に設定されていることを特徴とする請求項３に記載の再
   生信号増幅装置。
6. 【請求項６】 前記正のしきい値検出回路は複数設けら
   れており、 前記複数の正のしきい値検出回路は互いに異なる正のし
   きい値を有し、 前記充電回路は前記正のしきい値検出回路のそれぞれと
   対応するように複数設けられていることを特徴とする請
   求項５に記載の再生信号増幅装置。
7. 【請求項７】 前記負のしきい値検出回路は複数設けら
   れており、 前記複数の負のしきい値検出回路は互いに異なる負のし
   きい値を有し、 前記放電回路は前記負のしきい値検出回路のそれぞれと
   対応するように複数設けられていることを特徴とする請
   求項５に記載の再生信号増幅装置。
8. 【請求項８】 前記正のしきい値は、正のヒステリシス
   特性生成回路によりヒステリシス特性を生成され、 前記負のしきい値は、負のヒステリシス特性生成回路に
   よりヒステリシス特性を生成されることを特徴とする請
   求項５に記載の再生信号増幅装置。
9. 【請求項９】 入力信号の中心値である中心値信号を生
   成する中心値信号生成回路であって、 前記入力信号の電位を検出し、該入力信号の電位とほぼ
   同じ電位の電圧を生成して電圧信号を出力する電圧生成
   回路と、 前記電圧信号の入力を受け、該電圧信号から高周波成分
   を除去して中心値信号を生成する低域通過フィルタと、 前記入力信号に対して設定されているしきい値を検出
   し、前記入力信号における前記しきい値を越えるしきい
   値超過信号成分を出力するしきい値検出回路と、 前記しきい値超過信号成分に応じて、前記低域通過フィ
   ルタに対して充電又は放電を行なう充放電回路とを備え
   ていることを特徴とする中心値信号生成回路。
10. 【請求項１０】 前記電圧生成回路は、 ベースに前記入力信号が入力され、エミッタが第１の電
    流源を介して電圧電源に接続され、コレクタが接地され
    ている第１のＰＮＰトランジスタと、 ベースに前記入力信号が入力され、エミッタが第２の電
    流源を介して接地され、コレクタが電圧電源に接続され
    ている第１のＮＰＮトランジスタと、 エミッタが前記第１の電流源を介して電圧電源に接続さ
    れ、コレクタが接地される第２のＰＮＰトランジスタ
    と、 エミッタが前記第２の電流源を介して接地され、コレク
    タが電圧電源に接続されている第２のＮＰＮトランジス
    タと、 前記第２のＰＮＰトランジスタのベースと前記第２のＮ
    ＰＮトランジスタのベースとが接続されており、前記増
    幅信号を出力する出力端子とを有し、 前記低域通過フィルタは、一方の電極が前記出力端子に
    接続され、他方の電極が接地されているコンデンサから
    なることを特徴とする請求項９に記載の中心値信号生成
    回路。