JP2819892B2 - 表面層欠陥検出装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、基材とその表面に形成
された表面層とを有する被検査体の表面層、例えば複写
機、レーザプリンタなどの画像出力装置に使用される感
光体ドラム表面の感光層等の欠陥を検出する表面層欠陥
検出装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】複写機やレーザプリンタには感光体ドラ
ムまたは無端状の感光体ベルト等の感光部材が使用され
ている。次にこのような感光部材の構造および欠陥の種
類を図１４により説明する。図１４において、感光部材
０１は、アルミ等の基材０２とその表面に形成された感
光層０３とから構成され、感光層０３は前記基材０２上
に順次積層されたアンダーコート層０４、電荷発生層０
５、および電荷輸送層０６から構成されている。前記感
光部材０１の、感光層０３表面に発生する欠陥として
は、表面の微妙な凸凹０３aまたは感光層０３が全て剥
離し、基板０２が露出したような欠陥「機械傷」０３b
がある。また、感光層０３表面の電荷輸送層０６が透光
性を有する場合には、前記電荷輸送層０６または電荷発
生層０５の各膜厚の変化０５a，０６bや感光層０３中の
不純物０７により欠陥が発生する。

【０００３】このような感光部材０１はコピー画質上の
欠陥を防ぐために全数の表面検査により品質確保が行わ
れている。前記感光部材０１の機械傷０３bは感光部材
０１をユニットに組立てる時等に付く傷である。機械傷
０３bによりコピー画質上で例えば白紙コピーの状態で
黒点が表れたり、べた黒コピーにおいて白点等が発生し
たりする。前記機械傷の大きさとしては０．２ｍｍ以上
のもので基板上の感光部材が完全に剥離し、スリット光
に対して強い散乱光を発する。

【０００４】また前記感光部材０１を製作するため、基
材０２表面に感光層０３を形成する際、アンダーコート
層０４、電荷発生層０５、および電荷輸送層０６などを
順次積層するため、感光材料の塗布工程や蒸着工程を行
う必要がある。前記各工程においては塗布や乾燥による
「むら」「ふくらみ」「へこみ」「すじ」、塗布液の
「だれ」などが発生することがある。特に近年に高感
度、長寿命化が進み感光部材生産の主力となるＯＰＣ
（有機感光部材）では、機能分離を目的として感光材料
の塗布を複数の層にして行うため、上記の塗布むら等の
欠陥が発生しやすい。これらは主に従来の複写機に用い
られていた白黒の文字原稿ではコピー画質上には表れな
いが、近年の複写機の重要な機能である写真原稿などの
白と黒の中間程度の濃度が必要なコピー（中間調コピ
ー）で画質上濃度むらとして表れる欠陥である。目視で
は、大きさとしては０．１ｍｍから１ｍｍ程度である
が、非常に微妙な欠陥であり蛍光灯等の下で丹念に観察
して初めて検出できる。

【０００５】これらの表面欠陥に対する検査としては従
来から検査員による目視検査が行われている。しかしな
がら、目視による検査では、検査品質のばらつきや、検
査工数の増大、目視疲労による作業環境の悪化、作業者
確保の困難、作業者教育時間の増大などの問題があっ
た。そこで目視検査作業の自動化を目的とした表面層欠
陥検出装置を先に考案し、すでに実用新案登録出願（実
願平２−１０７２１号）している。この実願平２−１０
７２１号で提案した考案は、ハロゲン光スポット光を光
ファイバー束によりスリット光としシリンダーレンズで
集光して感光部材表面に投光し、「機械傷」からの散乱
光を縮小光学系によりラインセンサで受光する方法であ
る。

【０００６】この実願平２−１０７２１号の考案のよう
に、前記機械傷からの散乱光を受光して表面欠陥を検出
する方法は、表面の感光層が完全に剥離し、金属表面が
露出している機械傷に対しては有効であり、また、次の
ような特徴も有していた。すなわち、機械傷はハロゲン
光の光ファイバー束によるスリット光の投光により強い
散乱光を発生し、正反射方向の角度に対して１０〜２０
度ずらした位置においてラインセンサで受光することが
可能であった。しかし多層に塗布した感光層では各層の
厚みが０．１μｍから数μｍ程度であるため、微妙な膜
厚の変化（図１４の０５a，０６a参照）による「ふくら
み」「へこみ」等の欠陥には光ファイバー束によるスリ
ット光に対して散乱光をほとんど発生しない。このた
め、受光位置である正反射光方向から１０〜２０度ずら
した位置では、「へこみ」等の欠陥をラインセンサで検
出することが不可能であった。また膜厚の変化による
「むら」等の欠陥は、数％程度の反射率の違いを検出す
る必要があり、前記実願平２−１０７２１号の考案によ
り散乱光を受光することでは検出できなかった。

【０００７】また前記実願平２−１０７２１号の考案の
応用例としてラインセンサの受光位置をハロゲン光スリ
ット光の正反射光位置に設定する方法も考えられるが、
ハロゲン光をスリット光に変換する光ファイバーアレイ
はファイバーの出射端面において光量の不均一が著しく
発生し、これがセンサ信号のノイズ成分となることや、
ファイバーからの光はシリンダーレンズにより方向が揃
っていることが原因で感光体機能上全く問題のない基板
の金属表面の周期数mmの「うねり」をセンサが検出し、
これがノイズ成分となること、等により感光体塗布層の
欠陥のみを抽出することが困難であった。さらに、前記
実願平２−１０７２１号の考案は、光学系等の機械的装
置の考案であって、ラインセンサで受光した検出信号の
処理方法については記載されていない。

【０００８】本発明者は、ラインセンサの検出信号から
欠陥信号を安定して抽出するための検出信号の処理方法
を発明し、すでに特許出願（特願平２−１８２９８０
号）している。この特願平２−１８２９８０号で提案し
た発明は、図１５に示すようにラインセンサＳの各受光
素子Ｓi（ｉ＝１，２，…，ｋ）毎の暗時出力Ｖi1とマ
スタードラムの測定光量Ｖi2とから各受光素子Ｓi毎の
閾値Ｔhiを決定し傷判定を行う方法である。すなわち、
ｋ個の受光素子Ｓi（ｉ＝１，２，…，ｋ）を有するラ
インセンサ出力の温度変動に対して各受光素子Ｓi毎の
暗時出力Ｖi1を測定し、またラインセンサで受光するマ
スタードラム（欠陥の無い基準の感光体ドラム）表面か
らの反射光量に対して、ラインセンサの各受光素子Ｓi
毎の検出光量信号Ｖi2（１，２，…，ｋ）を測定する。
そして、前記Ｖi1，Ｖi2を用いて各受光素子Ｓi毎に閾
値Ｔhiを次式（１）のように定める。 Ｔhi＝（Ｖi2ーＶi1）×ｐ＋Ｖi1 …………………………… （１） 但し、ｉ＝１，２，…，ｋ ｐは定数 そして、検査対象となる感光体ドラム（感光部材）表面
からの前記各受光素子Ｓiの検出光量Ｖiから感光部材表
面の欠陥を検出する場合、前記閾値Ｔhiは、ラインセン
サＳの各受光素子Ｓiの検出信号が欠陥を検出したかど
うかを判断するための閾値として利用される。閾値Ｔhi
は固定値であるがマスタードラムの測定を、ロット交換
毎や温度変動毎に実施して、閾値を更新する。これによ
り温度変動や、光量変動に対して正しく傷信号を抽出し
欠陥検出が可能となった。前記閾値Ｔhiは、検査工程で
検出される表面欠陥の全ての種類について、不良と判定
すべき限度の見本を定め実験的に欠陥信号レベルｐを求
めて算出される。発明者らの実験から欠陥の種類として
「機械傷」では、ｐ＝２００％〜３００％であった。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明者は、前記図１
４に示す感光部材０１に帯状の白色拡散光を照射してラ
インセンサの姿勢（または受光位置）を、感光層０３表
面の帯状光の中心線部分からの反射光を受光する検出姿
勢（帯状光中心線受光位置）に設定することで、感光層
０３の各膜厚の変化０５a，０６aや層中の不純物０７に
より発生する欠陥検出信号が得られることを確認した。
このようにラインセンサの検出姿勢を帯状光受光位置に
設定する方法に本発明者が提案した前記特願平２−１８
２９８０号の発明の固定閾値を適用した場合、塗布工程
で発生する「むら」などの欠陥信号レベルはマスタード
ラムの信号レベルに比べて±１０〜５０％程度であり、
「機械傷」が２００〜３００％であるのに比べ非常に小
さな欠陥信号レベルとなってしまう。また、この方法で
感光層欠陥を検出する場合、ドラム１本ごとに正常な面
のドラム毎の反射率ばらつきやドラムパイプの回転偏心
による受光光軸ずれから、反射率のばらつきが発生す
る。これにより正常な感光部材表面において±２０％程
度の信号レベルの変動が発生する。

【００１０】したがって、従来の「機械傷」を対象とし
た場合、ドラム１本ごとの正常な面の信号ばらつきが欠
陥信号レベルに比べ十分小さかったため、前記特願平２
−１８２９８０号の発明による閾値設定の方法で正しく
欠陥判定することが可能であった。一方塗布工程で発生
する「むら」などの欠陥はドラム１本ごとの正常な面の
信号ばらつきが、欠陥信号レベルと同等程度であるた
め、前記特願平２−１８２９８０号の発明による固定閾
値では正しく欠陥信号を抽出することができない。

【００１１】また、感光層欠陥を検出する従来技術とし
て、特開昭５９−４９５７３号公報に開示されているよ
うな、帯電器、表面電位計、除電器等から構成された検
査装置により、感光部材の表面電位を測定する方式があ
る。この特開昭５９−４９５７３号公報に開示された方
法に本発明者が提案した前記特願平２−１８２９８０号
の発明の固定閾値を適用した場合、塗布工程で発生する
「むら」などの欠陥信号レベルはマスタードラムの信号
レベルに比べて±１０〜５０％程度であり、「機械傷」
が２００〜３００％であるのに比べ非常に小さな欠陥信
号レベルとなってしまう。

【００１２】また、測定時のばらつきとして、感光部材
の帯電感度ばらつき、電位計プローブの測定時の位置変
動、帯電器の帯電むらがあり、これらにより正常な感光
部材表面において±２０％程度の信号レベルの変動があ
る。さらに、未露光状態の初期帯電での表面電位特性し
か検査することが出来ないため「軸すじ」のような、写
真原稿などの中間調のコピーにおいて画質欠陥が表れる
ものの検出が不可能であった。「軸すじ」は多層感光部
材の最表面層で無色透明の「電荷輸送層」の膜厚変化に
よる感光部材の機能不良が顕在化するものであり、感光
部材の目視による検査では全く観察できない種類の欠陥
に基づくものである。したがって、この表面電位を測定
する方法も、前記ラインセンサの受光視野を帯状光中心
線受光位置に設定する方法と同様に、特願平２−１８２
９８０号の発明による固定閾値では正しく欠陥信号を抽
出することができない。

【００１３】なお、前述の従来技術の問題点の説明は、
感光体表面の感光層の欠陥検出時の問題点として説明し
てきたが、前記問題点は感光層以外の表面層であって、
所定の光学特性または表面電位特性等の検出可能な種々
の物理量が均一であることを必要とする種々の表面層の
欠陥検出装置における問題点でもある。本発明は、感光
部材表面等の所定の形状的精度または所定の物理的特性
等を有する表面層の欠陥、特に塗布工程において発生す
る「むら」などの欠陥に対して、正しく欠陥信号を抽出
することが可能な表面層欠陥検出装置を提供することを
課題とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】次に、前記課題を解決す
るために案出した本発明の構成を説明するが、本発明の
構成要素には、後述の実施例の構成要素との対応を容易
にするため、実施例の構成要素の符号をカッコで囲んだ
ものを付記している。なお、本発明を後述の実施例の符
号と対応させて説明する理由は、本発明の理解を容易に
するためであり、本発明の範囲を実施例に限定するため
ではない。前記課題を解決するために、本出願の第１発
明の表面層欠陥検出装置は、基材（２）とその表面に形
成された表面層（３）とを有する被検査体（１）の表面
の状態に関する測定可能な物理量を前記被検査体（１）
表面の直交する主走査方向および副走査方向に走査しな
がら検出する物理量測定装置を備え、この物理量測定装
置によって検出される検出物理量により表面層欠陥を検
出する表面層欠陥検出装置において、検査対象となる被
検査体（１）と略同様に構成された欠陥の無い被検査体
表面の検出物理量に対応して設定された閾値（Ｔ1i，Ｔ
2i，Ｔ3i）を記憶する閾値記憶手段（Ｍ1，Ｍ2）と、被
検査体（１）表面の所定部分の走査によって得られる検
出物理量の平均値（Ｖa）を算出する検出物理量平均値
算出手段（Ｅ1）と、算出された前記検出物理量平均値
（Ｖa）を記憶する検出物理量平均値記憶手段（３７）
と、前記所定部分の走査の後に続く走査で得られる検出
物理量Ｖi（i＝１，２，…）から前記検出物理量平均値
（Ｖa）を減算した検出補正物理量（Ｖi−Ｖa）と前記
閾値（Ｔ1i，Ｔ2i，Ｔ3i）との差に対応する欠陥検出信
号（「０」，「１」）を出力する欠陥検出信号出力手段
（Ｃ1，Ｃ2）とを備え、前記物理量は光量であり、前記
物理量測定装置は、前記被検査体（１）表面に主走査方
向に延びる検査用の帯状拡散光を照射する光照射装置
（Ｋ）と、前記帯状拡散光の前記表面層（３）からの反
射光量を検出する主走査方向に沿って設けられた多数の
受光素子（Ｓi）を有するラインセンサ（Ｓ）と、この
ラインセンサ（Ｓ）と前記被検査体（１）表面とを副走
査方向に相対的に移動させる移動装置（Ｄ）とを有し、
前記閾値（Ｔ1i，Ｔ2i，Ｔ3i）は前記各受光素子（Ｓ
i）毎に設定されたことを特徴とする。

【００１５】また、本出願の第２発明の表面層欠陥検出
装置は、基材（２）とその表面に形成された表面層
（３）とを有する被検査体（１）の表面の状態に関する
測定可能な物理量を前記被検査体（１）表面の直交する
主走査方向および副走査方向に走査しながら検出する物
理量測定装置を備え、この物理量測定装置によって検出
される検出物理量により表面層欠陥を検出する表面層欠
陥検出装置において、検査対象となる被検査体（１）と
略同様に構成された欠陥の無い被検査体表面の検出物理
量に対応して設定された閾値（Ｔ1i，Ｔ2i，Ｔ3i）を記
憶する閾値記憶手段（Ｍ1，Ｍ2）と、被検査体（１）表
面の所定部分の走査によって得られる検出物理量の平均
値（Ｖa）を算出する検出物理量平均値算出手段（Ｅ1）
と、算出された前記検出物理量平均値（Ｖa）を記憶す
る検出物理量平均値記憶手段（３７）と、前記所定部分
の走査の後に続く走査で得られる検出物理量Ｖi（i＝
１，２，…）から前記検出物理量平均値（Ｖa）を減算
した検出補正物理量（Ｖi−Ｖa）と前記閾値（Ｔ1i，Ｔ
2i，Ｔ3i）との差に対応する欠陥検出信号（「０」，
「１」）を出力する欠陥検出信号出力手段（Ｃ1，Ｃ2）
とを備え、前記物理量は電位であり、前記物理量測定装
置は、前記被検査体（１）表面を一様に帯電させる帯電
器（４１）と、中間調原稿からの反射光量と同程度の光
量による中間調露光を行う中間調露光装置（４２）と、
前記被検査体（１）表面の電位を計測する微小表面電位
計（Ｓ′）と、この微小表面電位計（Ｓ′）と前記被検
査体（１）表面とを直交する主走査方向および副走査方
向に相対的に移動させる移動装置とを備えたことを特徴
とする。

【００１６】

【００１７】

【作用】前記本出願の第１発明の表面層欠陥検出装置
は、前記閾値記憶手段（Ｍ1，Ｍ2）に、検査対象となる
被検査体（１）と略同様に構成された欠陥の無い被検査
体表面の検出物理量に対応して設定された閾値（Ｔ1i，
Ｔ2i，Ｔ3i）が記憶されている。また、前記物理量測定
装置は、被検査体（１）表面の状態に関する測定可能な
物理量を前記被検査体表面の直交する主走査方向および
副走査方向に走査しながら検出する。前記被検査体
（１）表面の所定部分の走査によって得られる検出物理
量は、検出物理量平均値算出手段（Ｅ1）により平均値
（Ｖa）が算出される。算出された前記検出物理量平均
値（Ｖa）は検出物理量平均値記憶手段（３７）に記憶
される。前記所定部分の走査の後に続く走査で得られる
検出物理量（Ｖi、i＝１，２，…）から前記検出物理量
平均値（Ｖa）を減算した検出補正物理量（Ｖi−Ｖa）
と前記閾値（Ｔ1i，Ｔ2i，Ｔ3i）との差に対応する欠陥
検出信号（「０」，「１」）が前記欠陥検出信号出力手
段（Ｃ1，Ｃ2）から出力される。

【００１８】したがって、被検査体（１）表面の各部分
における検出物理量（Ｖi、i＝１，２，…）からそれら
の各部分の検出物理量（Ｖi）の平均値（Ｖa）を減算し
た値（Ｖi−Ｖa）と前記閾値（Ｔ1i，Ｔ2i，Ｔ3i）と差
に対応する信号により欠陥を検出することになる。した
がって、被検査体（１）表面のある部分における検出物
理量（Ｖi,m-1）の平均値（Ｖa,m-1）と、他の部分にお
ける検出物理量（Ｖi,n-1）の平均値（Ｖa,n-1）との間
にバラツキが有る場合でも、それらのバラツキを補償で
きるので、同一の閾値（Ｔ1i,Ｔ2i,Ｔ3i）を用いて欠陥
を検出することができる。

【００１９】また、前記第１発明の表面層欠陥検出装置
は、検出する物理量として光量を採用している。そし
て、前記本出願の第１発明の表面層欠陥検出装置は、前
記閾値記憶手段（Ｍ1，Ｍ2）に、検査対象となる被検査
体（１）と略同様に構成された欠陥の無い被検査体表面
の検出光量に対応してラインセンサ（Ｓ）の各受光素子
（Ｓi）毎に設定された閾値（Ｔ1i,Ｔ2i,Ｔ3i）が記憶
されている。また、物理量測定装置は光照射装置（Ｋ）
を備えており、その光照射装置（Ｋ）は、前記被検査体
（１）の表面層（３）に主走査方向に延びる検査用の帯
状拡散光を照射する。主走査方向に沿って設けられた多
数の受光素子（Ｓi）を有する前記ラインセンサ（Ｓ）
は、前記帯状拡散光の前記表面層（３）からの反射光量
を検出する。このラインセンサ（Ｓ）と前記被検査体
（１）表面とは、前記移動装置（Ｄ）により副走査方向
に相対的に移動させられる。したがって、ラインセンサ
（Ｓ）は、被検査体（１）表面の主走査方向および副走
査方向の全面からの反射光量を検出することができる。
また、検査用の光として前記帯状拡散光を使用すること
により、表面層の微妙な凹凸を感度良く検出することが
でき、また、透明または半透明な被検査体（１）表面層
の内部の異常も感度良く検出することができる。

【００２０】前記被検査体（１）表面の所定部分の走査
によって得られる検出光量（Ｖi）からは、検出物理量
平均値算出手段（Ｅ1）により平均値（Ｖa）が算出され
る。算出された前記検出光量（Ｖi）の平均値（Ｖa）は
検出物理量平均値記憶手段（３７）に記憶される。前記
所定部分の走査の後に続く走査で得られる検出光量Ｖi
（i＝１，２，…）から前記検出光量（Ｖi）の平均値
（Ｖa）を減算した検出補正光量（Ｖi−Ｖa）と前記閾
値（Ｔ1i，Ｔ2i，Ｔ3i）との差に対応する欠陥検出信号
（「０」，「１」）が前記欠陥検出信号出力手段（Ｃ
1，Ｃ2）から出力される。

【００２１】また、本出願の第２発明の表面層欠陥検出
装置は、検出する物理量として電位を採用している。そ
して、前記本出願の第２発明の表面層欠陥検出装置は、
前記閾値記憶手段（Ｍ1，Ｍ2）に、検査対象となる被検
査体（１）と略同様に構成された欠陥の無い被検査体表
面の検出電位に対応して設定された閾値（Ｔ1i，Ｔ2i）
が記憶されている。また、物理量測定装置の帯電器（４
１）は、前記被検査体（１）表面を一様に帯電させる。
この帯電された被検査体（１）表面には中間調露光装置
（４２）により、中間調原稿からの反射光量と同程度の
光量による均一な中間調露光が行われる。前記被検査体
（１）表面の電位を計測する微小表面電位計（Ｓ′）と
前記被検査体（１）表面とは、前記移動装置（Ｄ）によ
り、互いに直交する主走査方向および副走査方向に相対
的に移動させられる。したがって、微小表面電位計
（Ｓ′）は、被検査体（１）表面の主走査方向および副
走査方向の全面の表面電位を検出することができる。

【００２２】前記被検査体（１）表面の所定部分の走査
によって得られる検出表面電位（Ｖi）から、検出物理
量平均値算出手段（Ｅ1）により平均値（Ｖa）が算出さ
れる。算出された前記検出表面電位（Ｖi）の平均値
（Ｖa）は検出物理量平均値記憶手段（３７）に記憶さ
れる。前記所定部分の走査の後に続く走査で得られる検
出表面電位Ｖi（i＝１，２，…）から前記検出表面電位
の平均値（Ｖa）を減算した検出補正表面電位（Ｖi−Ｖ
a）と前記閾値（Ｔ1i，Ｔ2i）との差に対応する欠陥検
出信号（「０」，「１」）が前記欠陥検出信号出力手段
（Ｃ1，Ｃ2）から出力される。

【００２３】

【実施例】次に本発明の表面層欠陥検出装置の第１実施
例を図面を用いて説明する。図１，図２，図３は表面層
欠陥検出装置の第１実施例の構成の概略説明図で、図１
は概略斜視図、図２，３は図１の平面図である。そし
て、図２は本実施例の表面層欠陥検出装置のラインセン
サＳが第１検出姿勢Ｐ1（後述）に保持されている状態
を示す図であり、図３は第２検出姿勢Ｐ2（後述）に保
持されている状態を示す図である。この第１実施例は検
出物理量として光量を採用している。図１，２，３にお
いて、被検査体としての感光体ドラム１は、前記図１１
に示す感光体０１と略同様の構成を備えており、円筒状
のアルミ基材２とその表面に形成された多層構造の有機
質の透光性の感光層（表面層）３とから構成されてい
る。そして、感光層３は図２，３に示すように、前記ア
ルミ基材２表面に順次積層された電荷輸送層４，電荷発
生層５、および電荷輸送層６から構成されている。前記
感光体ドラム１を支持するドラム支持装置Ｄは、ケース
１１を備えている。ケース１１上面には、ドラム支持部
材１２が回転可能に支持されている。ドラム支持部材１
２の上面には前記感光体ドラム１が装着されるドラム装
着部が形成されており、下面には歯車１３が設けられて
いる。前記ケース１１内には、ステッピングモータ１４
が収納されており、ステッピングモータ１４の出力軸に
固定された駆動歯車１５は、前記歯車１３と噛み合って
いる。したがって、前記ドラム支持部材１２に装着され
た感光体ドラム１は、前記ステッピングモータ１４によ
り一定回転速度で回転駆動されるようになっている。

【００２４】前記感光体ドラム１表面にその軸線に平行
な検査用の帯状光（スリット光）を照射する光照射装置
Ｋは白色拡散光源としての蛍光灯１６と、反射鏡１７
と、スリット形成板１８とから構成されている。スリッ
ト形成板１８にはスリット１８aが形成されている。光
照射装置Ｋは、前記スリット１８aから出射した白色拡
散光の帯状光（以下、「スリット光」ともいう）を前記
ドラム支持部材１２に装着された感光体ドラム１表面
に、前記感光ドラム１の軸線と平行に照射するように配
置されている。本実施例では、前記スリット１８aから
感光体ドラム１表面までの距離は約１００ｍｍ、スリッ
ト光の縦幅は約１５ｍｍ、φ８４ｍｍの感光体ドラム１
表面でのスリット光の横幅は約５ｍｍに設定されてい
る。蛍光灯は一般に、拡散面の照度が高く光量分布の均
一性が良好であるので、本発明で使用する光源として適
している。

【００２５】実験により、感光層３の検査に使用する蛍
光灯の種類としては、演色性改善のために用いられる３
波長域発光管に対して、分光分布の比較的広い白色蛍光
灯がはよい。これは、３波長域発光管の分光分布が３種
類の波長に集中しているため、感光層の表面と、下層の
感光層の表面による干渉光が発生しやすく信号上ノイズ
となって表れるためである。これに対して白色蛍光灯は
分光分布が比較的広く分布しており、干渉光の発生が少
ない。感光体ドラム１表面での前記スリット光の境界部
の反射光により感光体ドラム表面での微妙な凸凹を感度
よく検出するためには完全な拡散光源であることが望ま
しく、また、故障信号の感度向上のために、前記境界線
部分のコントラストは強いほど良い。これには蛍光灯ス
リット光装置の背面反射板１２は艶消し黒塗装などの無
反射処理を行い背面反射板による２次反射を押さえると
よく、さらに市販のアパチャー管蛍光灯のような背面方
向の照度分布が小さく、前面開口部の光量の高いものを
用いるのがよい。センサ信号レベルを向上させるため
に、蛍光灯光源には商用周波数点灯や高周波点灯方式に
比べ直流点灯方式が好ましい。実験によれば直流点灯方
式は、商用周波数点灯に比べ約１０％照度が向上した。

【００２６】ラインセンサ支持装置Ｕにより互いに直交
するＸ，Ｙ，Ｚ軸回りに姿勢調整可能に支持されたライ
ンセンサＳは、その長手方向（すなわち、Ｘ軸）に沿っ
て配置された２の１２乗＝４０９６個の受光素子Ｓi（i
＝１，２，…４０９６）（図２，３参照）とこれらの各
受光素子Ｓiに前記感光体ドラム１表面に照射されたス
リット光像を結像させる縮小光学系Ｓaとから構成され
ている。

【００２７】前記ラインセンサ支持装置Ｕは、ラインセ
ンサＳの長手方向に延びるＸ軸回りに回転調整される回
転テーブル２１を備えている。回転テーブル２１上に
は、ラインセンサＳの光軸に平行なＹ軸および前記Ｘ軸
に垂直な軸回りに揺動可能なＺ軸揺動テーブル２２がＺ
軸回りの姿勢を調整可能に支持されている。前記Ｚ軸揺
動テーブル２２上には、ラインセンサＳの光軸に平行な
Ｙ軸回りに揺動可能なＹ軸揺動テーブル２３がＹ軸回り
の姿勢を調整可能に支持されている。したがって、ライ
ンセンサ支持装置Ｕは、ラインセンサＳの姿勢をその受
光視野が前記感光体ドラム１表面上の前記スリット光像
の長手方向に伸びる境界線部分の位置に設定された図２
に示す第１検出姿勢（スリット光境界線受光姿勢）Ｐ1
および前記受光視野が前記感光体ドラム１表面上の前記
スリット光像の長手方向に伸びる中心線部分に設定され
た図３に示す第２検出姿勢（スリット光中心線受光姿
勢）Ｐ2に選択的に保持する機能を有している。

【００２８】前記ラインセンサＳの検出姿勢の調整精度
は検査面（感光体ドラム表面）上のセンサ分解能の１０
倍程度あればよく、姿勢調整の分解能及び２箇所の受光
視野（ラインセンサＳの前記第１または第２検出姿勢の
受光視野）の位置の繰り返し精度は、φ８４の被検査ド
ラム（感光体ドラム）１を光学倍率５倍程度で受光する
場合において０．０１度程度であり、これらは３軸回り
の姿勢調整可能な市販の自動ステージで容易に実現でき
る。ラインセンサＳと光照射装置Ｋとの位置関係は、図
２，３に示すように、光照射装置Ｋの投光角度２４とラ
インセンサＳの受光角度２５を等しくする。これによ
り、正反射光受光の位置となり光照射装置Ｋのスリット
光の感光層３に写像されるスリット光像をラインセンサ
Ｓが受光することができる。前記角度２４，２５として
は５度〜６０度程度まで配置可能であるが、特に１０〜
２０度程度が欠陥を検出し易い。

【００２９】図４は前記図１，２，３に示した感光層欠
陥検出装置の回路部分すなわち欠陥検出信号出力手段Ｅ
の説明図である。図４において、ラインセンサＳの前記
４０９６（２の１２乗）個の各受光素子Ｓi（i＝１〜４
０９６）で検出した検出光量信号は、Ａ／Ｄ（アナログ
／デジタル）変換器３１に入力されている。Ａ／Ｄ変換
器３１は、入力信号（前記検出光量信号）を６ビットの
デジタル信号、すなわち２の６乗＝６４レベルのデジタ
ル光量検出信号Ｖi（i＝１〜４０９６）に変換して加算
器３２に出力している。

【００３０】加算器３２は、前記Ａ／Ｄ変換器３１から
入力される各受光素子Ｓiのデジタル光量検出信号とラ
ッチ３３の出力信号とを加算して前記ラッチ３３に出力
している。ラッチ３３は、本実施例では１８ビットのメ
モリにより構成されており、前記２の１２乗個の各受光
素子Ｓi（i＝１〜４０９６）が出力する６ビットのデジ
タル光量検出信号Ｖiを１ライン分記憶できるように構
成されている。前記加算器３２およびラッチ３３は、前
記ラインセンサＳの駆動信号と同周期のサンプリングク
ロック信号３４によって作動し、ラッチ３３には前記受
光素子Ｓiの１主走査ライン分の光量検出信号Ｖiの総和
ΣＶiがラッチされるように構成されている。

【００３１】また、ラッチ３３は、主走査ラインの１ラ
イン毎の走査開始信号であるスタートパルス３５をカウ
ントするカウンタ３６が「１」をカウントする毎にラッ
チ３３のラッチ信号をシフトレジスタ３７に出力すると
ともにラッチデータがリセットされるように構成されて
いる。したがって、前記カウンタ３６が「１」をカウン
トする毎にシフトレジスタ３７には、常に受光素子Ｓi
の１ライン分の検出光量の総和が出力される。

【００３２】前記カウンタ３６の出力信号はレジスタ３
８にも入力されている。このレジスタ３８はカウンタ３
６からの入力信号に応じて、前記受光素子Ｓiの１ライ
ン分の検出光量の総和が入力された前記シフトレジスタ
３７の保持データを１２ビット分下位側にシフトさせる
機能を有している。前記保持データが１２ビット分下位
側にシフトされたシフトレジスタ３７の保持データは、
前記４０９６（２の１２乗）個の各受光素子Ｓiが検出
した検出光量の平均値Ｖaとなる。

【００３３】なお、本実施例では、主走査ラインを１ラ
イン分走査する毎に各受光素子Ｓiの検出光量の平均値
Ｖaがシフトレジスタ３７に保持されるように構成され
ているが、前記平均値Ｖaは、主走査ラインをｎライン
分走査する毎にシフトレジスタ３７に保持されるように
構成することも可能である。たとえば、前記平均値Ｖa
が、主走査ラインを４ライン分（２の２乗ライン分）走
査する毎に検出されるように構成することが可能であ
る。この場合、前述の本実施例において、ラッチ３３の
メモリは２０ビット構成とし、前記カウンタ３６は４ラ
インカウントする毎にラッチ３３およびレジスタ３８に
信号を出力するように構成し、シフトレジスタ３７の下
位側へのシフトを１４ビットとすればよい。このような
構成とすることにより、シフトレジスタ３７が出力する
前記平均値Ｖaは、主走査ラインの４ライン分の検出光
量の平均値とすることができる。

【００３４】前記Ａ／Ｄ変換器３１の出力する各受光素
子Ｓiのデジタル検出光量信号Ｖiおよび前記シフトレジ
スタ３７の出力する検出光量の平均値Ｖaは、減算器３
９に入力されている。減算器３９は入力信号Ｖi，Ｖaの
差Ｖi−Ｖaを出力しており、Ｖi−Ｖaは、比較器（すな
わち、欠陥検出信号出力手段）Ｃ1，Ｃ2に入力されてい
る。比較器Ｃ1，Ｃ2には閾値メモリＭ1，Ｍ2の出力信号
が入力されている。閾値メモリＭ1には、閾値Ｔ11，Ｔ1
2，…Ｔ1n（ｎ＝4096）、および閾値Ｔ21，Ｔ22，…Ｔ2
n（ｎ＝4096）が記憶されている。閾値Ｔ11，Ｔ12，…
Ｔ1n（ｎ＝4096）は前記ラインセンサＳが前記第１検出
姿勢（スリット光境界線受光姿勢）Ｐ1に在るときの各
受光素子Ｓiの前記６ビットのデジタル検出光量信号Ｖi
と比較されるプラス側の６ビットの閾値であり、閾値Ｔ
21，Ｔ22，…Ｔ2n（ｎ＝4096）は前記ラインセンサＳが
前記第２検出姿勢（スリット光中心線受光姿勢）Ｐ2に
在るときの各受光素子Ｓiの前記６ビットのデジタル検
出光量信号Ｖiと比較されるプラス側の６ビットの閾値
である。

【００３５】閾値メモリＭ2には、閾値Ｔ31，Ｔ32，…
Ｔ3n（ｎ＝4096）が記憶されている。閾値Ｔ31，Ｔ32，
…Ｔ3n（ｎ＝4096）は前記ラインセンサＳが前記第２検
出姿勢（スリット光境界線受光姿勢）Ｐ2に在るときの
各受光素子Ｓiの６ビットのデジタル検出光量信号Ｖiと
比較されるマイナス側の６ビットの閾値である。前記各
閾値Ｔ11，Ｔ12，…Ｔ1n（ｎ＝4096）、閾値Ｔ21，Ｔ2
2，…Ｔ2n（ｎ＝4096）、および閾値Ｔ31，Ｔ32，…Ｔ3
n（ｎ＝4096）は、検査対象となる感光体ドラム１と略
同様に構成された欠陥の無い感光体ドラム表面の検出光
量信号に対応して設定された閾値である。

【００３６】前記各閾値メモリＭ1，Ｍ2は、前記ライン
センサＳの検出姿勢に応じた閾値選択信号Ａ（図４参
照）、および前記サンプリングクロック信号３４と同周
期の読出クロック信号Ｂによって各閾値Ｔ1i（i＝１，
２，…，ｎ、ｎ＝４０９６），またはＴ2i，Ｔ3iが読み
出されるように構成されている。すなわち、閾値選択信
号Ａが前記第１検出位置Ｐ1に対応する「０」のときに
は閾値メモリＭ1から６ビットの閾値Ｔ1iが読み出さ
れ、閾値メモリＭ2からは「０」が出力される。また、
閾値選択信号Ａが前記第２検出位置Ｐ2に対応する
「１」のときには閾値メモリＭ2から６ビットの閾値Ｔ2
iが読み出され、閾値メモリＭ2からは閾値Ｔ3iが出力さ
れる。

【００３７】前記比較器Ｃ1は、入力されたＶi−Ｖaに
一定値Ｖoを加算して得られるＶi−Ｖa＋Ｖoと閾値メモ
リＭ1から呼び出される閾値Ｔ1iまたはＴ2iとの差Ｖi−
Ｖa−Ｖo−Ｔ1i（またはＴ2i）を算出し、その算出値を
欠陥判別回路Ｈ1に出力している。欠陥判別回路Ｈ1は、
前記算出値が正の場合には欠陥検出信号を出力するよう
に構成されている。また、前記比較器Ｃ2は、入力され
たＶi−Ｖaに一定値Ｖoを加算して得られるＶi−Ｖa＋
Ｖoと閾値メモリＭ2から呼び出される閾値Ｔ3iとの差Ｖ
i−Ｖa−Ｖo−Ｔ3iを算出し、その算出値を欠陥判別回
路Ｈ2に出力している。欠陥判別回路Ｈ2は、前記算出値
が負の場合には欠陥検出信号を出力するように構成され
ている。 前記符号３２〜３８で示された構成要素から
検出物理量平均値算出手段（すなわち、検出光量平均値
算出手段）Ｅ1が構成され、また、前記シフトレジスタ
３７により検出物理量平均値記憶手段（すなわち、検出
光量平均値記憶手段）が構成されている。また、前記符
号３１〜３９，Ｃ1，Ｃ2，Ｈ1，Ｈ2，Ｍ1，Ｍ2等で示さ
れた構成要素から前記欠陥信号抽出手段Ｅが構成されて
いる。

【００３８】次に前述の構成を備えた本発明の表面層欠
陥検出装置の第１実施例の作用を説明する。前記光照射
装置Ｋの白色拡散光源としての蛍光灯１６からの出射光
はスリット１８aにより前記ラインセンサＳの受光素子
Ｓi列の方向と平行な帯状のスリット光として前記感光
体ドラム１表面に照射される。この状態で、前記ライン
センサＳの受光視野を前記感光体ドラム１表面上の前記
帯状のスリット光の長手方向に伸びる境界線部分に設定
する。すなわち、ラインセンサＳを第１検出姿勢Ｐ1に
保持する。そして、ラインセンサ３により感光体ドラム
１表面からスリット光の反射散乱光を受光して主走査を
行うとともに、前記ドラム支持装置Ｄのドラム支持部材
１２を回転させることにより感光体ドラム１表面とライ
ンセンサＳとを副走査方向に相対的に移動させる。本実
施例では走査速度としては、主走査が１ＫＨｚ程度、副
走査が０．２回転／秒程度である。 前記感光体ドラム
１表面に照射された帯状の白色拡散光（スリット光）
は、前記基材２表面とその表面に積層された多層構造の
透光性の感光層３により反射される。ラインセンサＳが
第１検出姿勢Ｐ1に保持されている場合、感光層３表面
の前記帯状のスリット光の長手方向に延びる境界線部分
上の凸凹の存在、または感光層３が全て剥離してその下
の基板２が露出したような欠陥の存在により、ラインセ
ンサＳの各受光素子Ｓiによる光量検出信号が変化す
る。

【００３９】すなわち図４から分かるように、感光体ド
ラム１表面のスリット光の境界線部分からの反射光量
は、ラインセンサＳの各受光素子Ｓiによって検出さ
れ、順次Ａ／Ｄ変換器３１によってデジタル検出光量信
号Ｖiに変換される。前記Ａ／Ｄ変換器３１から加算器
３２に入力される６ビットのデジタル検出光量信号の最
初の値Ｖ1（受光素子Ｓ1によって検出された第１ライン
のデジタル検出光量信号）は、ラッチ３３の出力する１
８ビットの信号「０００００００００００００００００
０」と加算される。このときの加算器３２の出力信号は
Ｖ1であり、これはラッチ３３にラッチされる。次に加
算器３２に入力されるデジタル検出光量信号の値Ｖ2
（受光素子Ｓ2によって検出されたデジタル検出光量信
号）は前記ラッチ３３の出力するデジタル検出光量信号
Ｖ1と加算される。このときの加算器３２の出力信号は
Ｖ1＋Ｖ2である。このようにして主走査ラインの１ライ
ン分の走査を行うとラッチ３３には、主走査ラインの１
ライン分の検出光量信号の総和がラッチされる。

【００４０】前記主走査ラインの１ライン分の走査が終
了して次のラインすなわち第２ラインの走査が開始され
ると、走査開始信号であるスタートパルス３５をカウン
トするカウンタ３６が「１」をカウントしてラッチ３３
およびレジスタ３８に信号を出力する。このカウンタ３
６の出力信号により、ラッチ３３のラッチ信号（前記主
走査ラインの１ライン分の検出光量信号の総和）はシフ
トレジスタ３７に出力されるとともに前記ラッチ３３に
保持された信号はリセットされる。したがって、前記カ
ウンタ３６が「１」をカウントする毎にシフトレジスタ
３７には、常に受光素子Ｓiの１ライン分の検出光量の
総和が出力される。

【００４１】前記カウンタ３６の出力信号が入力された
レジスタ３８は、前記受光素子Ｓiの１ライン分の検出
光量の総和が入力されたシフトレジスタ３７の保持デー
タを１２ビット分だけ下位側にシフトさせる。前記保持
データが１２ビット分下位側にシフトされたシフトレジ
スタ３７の保持データは、前記４０９６（２の１２乗）
個の各受光素子Ｓi（ｉ＝１〜４０９６）が検出した１
ライン分の検出光量Ｖi（ｉ＝1〜4096）の平均値Ｖa
（＝ΣＶi／４０９６）となる。

【００４２】一方前記主走査ラインの最初の１ライン分
のデジタル検出光量信号Ｖiは、前記加算器３２に入力
されるとともに、減算器３９にも入力されている。とこ
ろが、前記主走査ラインの最初の１ライン分の走査中
は、前記シフトレジスタ３７の出力は０である。したが
って、最初の１ラインの走査中の減算器３９の出力は、
Ｖi−０となる。この最初の１ラインの走査によって得
られる欠陥判別回路Ｈ1の欠陥判別信号は本実施例では
無視することにする。この場合最初の１ラインの走査で
は、そのラインの欠陥判別は行われないことになるが、
感光体ドラム１を一回転させて、さらにもう１ライン分
回転させて欠陥判別を行うことにより、前記最初の１ラ
インの欠陥判定を行うことができる。

【００４３】主走査ラインの２ライン目以降の走査にお
いては、減算器３９には、Ａ／Ｄ変換器３１からのデジ
タル検出光量信号Ｖiおよび１ライン前の検出光量の平
均値Ｖaが入力される。この場合例えば、第ｍ−１ライ
ンの走査によって図５に示すデジタル検出光量信号の平
均値Ｖa,m-1が得られ、第ｍラインの走査によって図５
に示すデジタル検出光量信号Ｖi,mが得られる。また、
第ｎ−１ラインの走査によって図５に示すデジタル検出
光量信号の平均値Ｖa,n-1が得られ、第ｎラインの走査
によって図５に示すデジタル検出光量信号Ｖi,nが得ら
れる。この図５に示す場合、第ｍラインの走査のときに
シフトレジスタ３７から出力される感光層３の反射光量
の平均値Ｖa,m-1は、第ｎラインの走査のときにシフト
レジスタ３７から出力される反射光量の平均値Ｖa,n-1
よりも大きいことになる。

【００４４】この場合、感光体ドラム１の第ｍラインの
走査を行う部分の近傍と、第ｎラインの走査を行う部分
の近傍とは反射光量の平均値が異なることを意味してい
る。このような場合には、第ｍラインの走査によって得
られるデジタル検出光量信号Ｖi,mと、第ｎラインの走
査によって得られるデジタル検出光量信号Ｖi,nに対し
て、同一の閾値を適用して欠陥判定を行うことはできな
い。

【００４５】そこで、前記減算器３９により全受光素子
Ｓi（ｉ＝１，２，…，４０９６）に対してＶi−Ｖaを
算出すると、前記第ｍ，ｎラインのデジタル検出光量信
号Ｖi,m，Ｖi,nに対して図６Ａ，６ＢのようなデータＶ
i,m−Ｖa,m-1，Ｖi,n-Ｖa,n-1が得られる。但し、前記Ｖ
a,m-1およびＶa,n-1は、それぞれ第ｍ−１ライン目およ
び第ｎ−１ライン目の各受光素子Ｓiのデジタル検出光
量信号の平均値である。

【００４６】減算器３９の出力するＶi−Ｖaは比較器Ｃ
1，Ｃ2に入力される。前記感光体ドラム１が前記第１検
出位置に保持されている場合、前記閾値選択信号Ａが前
記第１検出位置Ｐ1に対応する「０」であり、このとき
には閾値メモリＭ1から６ビットの閾値Ｔ1iが読み出さ
れ、閾値メモリＭ2からは０が出力される。この場合、
比較器Ｃ1は、減算器３９からの入力信号Ｖi−Ｖaに一
定値Ｖoを加えた値すなわちＶi−Ｖa＋Ｖoと、閾値メモ
リＭ1からの入力信号Ｔ1iとを比較する。前記一定値Ｖo
を加える理由は、比較器Ｃ1で閾値Ｔ1iと比較する検出光
量の値をプラスの値に統一するとともに、閾値Ｔ1iのデ
ータの値をプラスの値に統一するためである。

【００４７】比較器Ｃ1により全受光素子Ｓi（ｉ＝１，
２，…，４０９６）に対してＶi−Ｖa＋Ｖoを算出する
と、前記第ｍ，ｎラインのデジタル検出光量信号Ｖi,
m，Ｖi,nに対して図７Ａ，７Ｂに実線で示すようなデー
タＶi,m−Ｖa,m-1＋ＶoおよびＶi,n-Ｖa,n-1＋Ｖoが得
られる。この図７Ａおよび７Ｂに示すデータＶi,m−Ｖ
a,m-1＋ＶoおよびＶi,n-Ｖa,n-1＋Ｖoは、前記感光体ド
ラム１の第ｍラインの走査を行う部分の近傍と、第ｎラ
インの走査を行う部分の近傍との反射光量の平均値のバ
ラツキを補正したデジタル検出光量信号である。この反
射光量の平均値のバラツキを補正した図７Ａ，７Ｂに示
すデジタル検出光量信号Ｖi,m−Ｖa,m-1＋ＶoおよびＶ
i,n-Ｖa,n-1＋Ｖoに対しては、同一の閾値Ｔ1i（図７
Ａ，７Ｂの点線参照）を適用して欠陥判定を行うことが
できる。

【００４８】比較器Ｃ1は、減算器３９から入力される
各受光素子Ｓi毎に入力される信号Ｖi−ＶaにＶoを加え
た値Ｖi−Ｖa＋Ｖoと、前記各受光素子Ｓiに対応して閾
値メモリＭ1から読みだされた閾値Ｔ1iとの差であるＶi
−Ｖa＋Ｖo−Ｔ1i（図７Ａ，７Ｂ参照、但し、図７Ａ，
７Ｂにおいては、第ｍラインおよび第ｎラインのＶiの
値には添字「,m」および「,n」が付記され、第ｍ−１ラ
インおよび第ｎ−１ラインのＶaの値には添字「,m-1」
および「,n-1」が付記されている。）に応じた信号を欠
陥判別回路Ｈ1に出力する。図７Ａ，７Ｂから分かるよ
うにＶi−Ｖa＋ＶoがＴ1iよりも小さい場合はＶi−Ｖa
＋Ｖo−Ｔ1iが負の値となるが、大きい場合はＶi−Ｖa
＋Ｖo−Ｔ1iが正の値となる。比較器Ｃ1は、前記Ｖi−
Ｖa＋Ｖo−Ｔ1iの値が負の場合は「０」を出力し、正の
場合は「１」を出力する。欠陥判別回路Ｈ1は、比較器
Ｃ1の出力信号が「０」の場合には「０」を、正の場合
には「１」を記憶する。すなわち、欠陥判別回路Ｈ1
は、各受光素子Ｓiの検出信号を２値化して記憶する。

【００４９】図８Ａ，８Ｂは、比較器Ｃ1の出力信号を
２値化した信号の説明図であり、前記図７Ａ，７Ｂの信
号から得られる信号である。前記比較器Ｃ1の出力信号
が正の値の場合すなわち欠陥判別回路Ｈ1が「１」を記
憶している部分に対応する感光体ドラム１の感光層３に
は欠陥が存在することを意味する。そして、その欠陥は
各受光素子Ｓi毎に検出されるので、欠陥部分の面積の
大きさ等も判別することができる。

【００５０】なお、ラインセンサＳが前記第１検出姿勢
Ｐ1に保持されている場合、感光層３表面の凹凸の存在
に応じて各受光素子Ｓiのデジタル検出光量信号は正の
方向に変化し、負の方向に変化する欠陥検出信号は表れ
ない。したがって、この第１検出姿勢Ｐ1でのラインセ
ンサＳによる光量測定においては、負の方向の閾値は不
要であるので、前記閾値メモリＭ2から出力される閾値
は０となるように設定されている。

【００５１】前述のようにして、ラインセンサＳを前記
第１検出姿勢Ｐ1に保持した状態で感光体ドラム１を１
回転以上させてその表面の全面を検査した後、前記ライ
ンセンサ支持装置Ｕの回転テーブル２１を回転させて、
前記ラインセンサＳの受光視野を前記感光体表面上の前
記帯状のスリット光の長手方向に伸びる中心線に設定す
る。すなわち、ラインセンサＳを第２検出姿勢Ｐ2に保
持する。ラインセンサＳがこの第２検出姿勢Ｐ2に保持
されている場合、感光層３を形成する透光性の各層（例
えば電荷発生層４，６、電荷輸送層５等）の各膜厚の変
化や各層中の不純物の存在は、ラインセンサＳの各受光
素子Ｓiによる光量検出信号の異常として（すなわち、
欠陥検出信号として）検出される。

【００５２】ラインセンサＳが第２検出姿勢Ｐ2に保持
されている場合も、前記第１検出姿勢Ｐ1に保持されて
いる場合と同様に、減算器３９の出力信号はＶi−Ｖaと
なる。なお、この第２検出姿勢Ｐ2の場合、閾値選択信
号Ａが前記第２検出位置Ｐ2に対応する「１」となって
おり、このときには閾値メモリＭ2から６ビットの閾値
Ｔ2iが出力され、閾値メモリＭ2からは閾値Ｔ3iが出力
される。この場合、比較器Ｃ1は、減算器３９からの入
力信号Ｖi−Ｖaに一定値Ｖoを加えた値すなわちＶi−Ｖ
a＋Ｖoと、閾値メモリＭ1からの入力信号Ｔ2iとを比較
する。また、比較器Ｃ2は、減算器３９からの入力信号
Ｖi−Ｖaに一定値Ｖoを加えた値すなわちＶi−Ｖa＋Ｖo
と、閾値メモリＭ2からの入力信号Ｔ3iとを比較する。

【００５３】比較器Ｃ1，Ｃ2では全受光素子Ｓi（ｉ＝
１，２，…，４０９６）に対してＶi−Ｖa＋Ｖoが算出
され、前記第ｍ，ｎラインのデジタル検出光量信号Ｖi,
m，Ｖi,nに対して図９Ａ，９Ｂに実線で示すようなデー
タＶi,m−Ｖa,m-1＋ＶoおよびＶi,n-Ｖa,n-1＋Ｖoが得
られる。この図９Ａ，９Ｂに示す第ｍ，ｎラインのデー
タＶi,m−Ｖa,m-1＋ＶoおよびＶi,n-Ｖa,n-1＋Ｖoは、
前記感光体ドラム１の第ｍラインの走査を行う部分の近
傍と、第ｎラインの走査を行う部分の近傍との反射光量
の平均値のバラツキを補正したデジタル検出光量信号で
ある。この反射光量の平均値のバラツキを補正した各ラ
イン（第ｍラインおよび第ｎライン）のデジタル検出光
量信号Ｖi,m−Ｖa,m-1＋ＶoおよびＶi,n-Ｖa,n-1＋Ｖo
に対しては、同一の閾値Ｔ2i，Ｔ3i（図９Ａ，９Ｂの点
線参照）を適用して欠陥判定を行うことができる。

【００５４】すなわち、比較器Ｃ1は、減算器３９から
入力される各受光素子Ｓi毎に入力される信号Ｖi−Ｖa
にＶoを加えた値Ｖi−Ｖa＋Ｖoと、前記各受光素子Ｓi
に対応して閾値メモリＭ1から読みだされた閾値Ｔ2iと
の差であるＶi−Ｖa＋Ｖo−Ｔ2i（図９Ａ，９Ｂ参照、
但し、図９Ａ，９Ｂにおいては、第ｍラインおよび第ｎ
ラインのＶiの値には添字「,m」および「,n」が付記さ
れ、第ｍ−１ラインおよび第ｎ−１ラインのＶaの値に
は添字「,m-1」および「,n-1」が付記されている。）に
応じた信号を欠陥判別回路Ｈ1に出力する。また、比較
器Ｃ2は、前記信号Ｖi−Ｖa＋Ｖoと、閾値メモリＭ2か
ら読みだされた閾値Ｔ3iとの差であるＶi−Ｖa＋Ｖo−
Ｔ3iに応じた信号を欠陥判別回路Ｈ2に出力する。

【００５５】図９Ａ，９Ｂから分かるようにＶi−Ｖa＋
ＶoがＴ2iよりも小さい場合はＶi−Ｖa＋Ｖo−Ｔ2iが負
の値となるが、大きい場合はＶi−Ｖa＋Ｖo−Ｔ2iが正
の値となる。比較器Ｃ1は、前記Ｖi−Ｖa＋Ｖo−Ｔ2iの
値が負の場合は「０」を出力し、正の場合は「１」を出
力する。欠陥判別回路Ｈ1は、比較器Ｃ1の出力信号が
「０」の場合には「０」を、正の場合には「１」を記憶
する。すなわち、欠陥判別回路Ｈ1は、各受光素子Ｓiの
検出信号を２値化して記憶する。

【００５６】また図９Ａ，９Ｂから分かるように、Ｖi
−Ｖa＋ＶoがＴ3iよりも大きい場合はＶi−Ｖa＋Ｖo−
Ｔ3iが正の値となるが、小さい場合はＶi−Ｖa＋Ｖo−
Ｔ3iが負の値となる。比較器Ｃ2は、前記Ｖi−Ｖa＋Ｖo
−Ｔ3iの値が正の場合は「０」を出力し、負の場合は
「１」を出力する。欠陥判別回路Ｈ2は、比較器Ｃ1の出
力信号が「０」の場合には「０」を、正の場合には
「１」を記憶する。すなわち、欠陥判別回路Ｈ2は、各
受光素子Ｓiの検出信号を２値化して記憶する。

【００５７】図１０Ａ，１０Ｂの上段のグラフは、比較
器Ｃ1の出力する２値化信号（閾値Ｔ2iとの比較によっ
て得られる信号）の説明図であり、図１０Ａ，１０Ｂの
下段のグラフは、比較器Ｃ2の出力する２値化信号（閾
値Ｔ3iとの比較によって得られる信号）の説明図であ
る。そして、図１０Ａは前記図９Ａの信号から得られる
信号であり、また、図１０Ｂは前記図９Ｂの信号から得
られる信号である。前記各欠陥判別回路Ｈ1，Ｈ2が
「１」を記憶している部分（すなわち、比較器Ｃ1の出
力信号が正の値の部分および比較器Ｃ2の出力信号が負
の値の部分）に対応する感光体ドラム１の感光層３には
欠陥が存在することを意味する。そして、その欠陥は各
受光素子Ｓi毎に検出されるので、欠陥部分の面積の大
きさ等も判別することができる。

【００５８】なお、ラインセンサＳ１が第２検出姿勢Ｐ
2にあるときに検出される欠陥は、感光層３を形成する
透光性の各層（例えば電荷発生層６、電荷輸送層５等）
の各膜厚の変化や各層中の不純物の存在に基づく欠陥で
ある。

【００５９】前記第１実施例では、光照射装置に白色散
乱光を出射する蛍光灯１６とスリット１８aとを用いて
いる。前記蛍光灯１６は安価で市販されており、完全拡
散光を容易に出射させることができるので、光照射装置
Ｋを低コストで製作することができる。また、前記実施
例では、感光体ドラム１表面に投影されるスリット光の
像の長手方向に延びる境界線部分と、中心線の位置との
２カ所にラインセンサＳの受光視野を設定するので、感
光層３表面の凹凸を検出できるとともに、多層からなる
感光層３の微妙な膜厚の変化による前記「色むら」や
「しみ」などの欠陥を検出することができる。さらに前
記第１実施例では、前記感光体ドラム１表面に照射され
たスリット光像をラインセンサＳの受光素子Ｓiに結像
させる手段として縮小光学系Ｓaを用いているので、装
置の小型化が可能となる。さらにまた、感光層３表面の
帯状のスリット光の長手方向に延びる境界線部分からの
反射光を検出することにより、感光層３の表面部分の欠
陥を検出し、前記スリット光の中心線部分からの反射光
により感光層３の内部の欠陥を検出できるので、欠陥種
類の分類が可能となる。

【００６０】次に図１１〜１３を参照して、本発明の表
面層欠陥検出装置の第２実施例を説明する。なお、この
第２実施例において、被検査体としての感光体ドラム１
は前記第１実施例と同じものを使用している。そして、
この第２実施例は表面層の欠陥を検出するための検出物
理量として表面電位を採用している点で前記光量を採用
した第１実施例と相違している。また、検出物理量（表
面電位）から欠陥検出信号を検出するための信号処理回
路は前記第１実施例と略同様の回路を使用している。以
下の第２実施例の説明において前記第１実施例の要素に
対応する要素には、前記第１実施例で使用した符号と同
一の符号を付して重複する詳細な説明は省略する。

【００６１】図１１，１２において、被検査体としての
感光体ドラム１は、前記図１４に示す感光体０１と略同
様の構成を備えており、円筒状のアルミ基材２とその表
面に形成された多層構造の有機質の透光性の感光層（表
面層）３とから構成されている。そして、感光層３は図
１２に示すように、前記アルミ基材２表面に順次積層さ
れた電荷輸送層４，電荷発生層５、および電荷輸送層６
から構成されている。

【００６２】前記感光体ドラム１は前記第１実施例と同
様のドラム支持装置Ｄにより回転可能に支持されてい
る。ドラム支持装置Ｄによって支持された感光体ドラム
１の周囲には、帯電器４１，中間調露光装置４２、微小
表面電位計Ｓ′、および除電器４６が配置されている。

【００６３】中間調露光装置４２は、光源としての蛍光
灯４３と前記蛍光灯４３の前面に配置されたＮＤフィル
ター４４とから構成されている。なお、露光装置４２の
光源としては蛍光灯以外にハロゲン光源を使用すること
も可能であり、また、中間調露光装置４２は光源からの
出射光をグレースケールチャート原稿に照射して、その
反射光をスリットを介して露光する構造とすることも可
能である。この中間調露光装置４２は、露光後の表面電
位が未露光状態の電位と完全露光状態の電位の中間レベ
ルになるように露光量が調整されている。これは中間調
の原稿に相当する露光（以下、中間露光と略する）を行
って表面電位の測定を行うと「軸すじ」等の欠陥がよく
検出できるからである。実験によれば、中間調露光装置
４２を、光源からの出射光をグレースケールチャート原
稿に照射して、その反射光をスリットを介して露光する
構造とした場合、０．２〜０．５グレーチャートを使用
するのが良く、特に０．２グレーチャートが最も大きな
欠陥信号が得られた。また中間調露光装置４２の他の実
施例として、図１１に仮想線で示すようなスポット型露
光装置４５を用いてもよい。具体的には、ビーム径が数
mm程度となるハロゲン光スポット光装置や、被検査ドラ
ムが露光感度を持つ波長の半導体レーザービーム光装置
がよい。これ等は市販の物で容易に入手できる。スポッ
ト型露光装置４５は、微小電位計Ｓ′の計測位置と等し
いＸ方向の位置に設定する。そして、電位計Ｓ′と露光
装置４５は、Ｘ方向にステージ装置で等しい位置関係を
保って走査する。これにより、蛍光灯等の露光装置４２
の場合、Ｘ方向の光量分布のむらによる露光量のばらつ
きが発生するのに対して、常に等しい光量になるので、
露光量を均一にすることができる。

【００６４】前記微小表面電位計Ｓ′の検出信号は、図
１３に示す欠陥信号抽出手段Ｅに入力されている。欠陥
信号抽出手段Ｅは、前記第１実施例の構成要素３１〜３
９，Ｃ1，Ｃ2，Ｈ1，Ｈ2，Ｍ1，Ｍ2と略同様の構成要素
から構成されている。ただし、前記第１実施例では、ラ
インセンサＳが第１検出姿勢および第２検出姿勢の２種
の姿勢に対して信号を検出していたので、各閾値メモリ
Ｍ1，Ｍ2からは前記各姿勢に対応してそれぞれ２種の閾
値が出力されるように構成されていたが、この第２実施
例では１種類の姿勢で検査を行う。したがって、この第
２実施例では、閾値メモリＭ1には１種類のプラス側の
閾値データＴ1iが主走査ラインの１ライン分記憶されて
おり、また、閾値メモリＭ2にはマイナス側の１種類の
閾値データＴ2iが主走査ラインの１ライン分記憶されて
いる。なお、後述するが、この第２実施例の主走査方向
は図１１，１３の矢印Ｙ方向（感光体ドラム１表面の円
周方向）である。そして、この第２実施例では、前記第
１実施例の閾値選択信号Ａは不要であるので、省略され
ている。

【００６５】次に前述の構成を備えた本発明の表面層欠
陥検出装置の第２実施例の作用を説明する。この第２実
施例では、感光体ドラム１表面の走査は、図１３の矢印
Ｙ方向の走査（感光体ドラム１の周方向の走査）が主走
査であり、矢印Ｘ方向の走査（感光体ドラム１の軸方向
の走査）が副走査方向である。すなわち、この第２実施
例では、感光体ドラム１の回転により主走査を行い、前
記微小表面電位計Ｓ′を感光体ドラム１の軸方向（Ｘ方
向）に移動させて副走査を行うことにより、感光体ドラ
ム１表面に対し螺旋状走査を行う。この実施例における
走査速度は、主走査が６０Ｈｚ程度、副走査が１ｍｍ／
秒程度であった。

【００６６】感光体ドラム１を回転させながら、その表
面を前記帯電器４１により一様に帯電させる。そして、
中間調露光装置４２により、前記一様に帯電した感光体
ドラム１表面に対し、中間調露光を行う。この中間調露
光を行った感光体ドラム１表面の電位は、正常な部分と
欠陥のある部分とではその電位が異なる。したがって、
前記中間調露光を行った感光体ドラム１表面の電位を、
前記微小表面電位計Ｓ′により検出することにより、感
光体ドラム１表面の前記感光層３の欠陥を検出すること
ができる。

【００６７】前記微小表面電位計Ｓ′によって検出され
た感光体ドラム１表面の検出電位は、前記欠陥信号抽出
Ｅにより、前記第１実施例と同様に処理されて欠陥信号
が抽出される。すなわち、前記感光体ドラム１表面の所
定部分の走査によって得られる検出表面電位は、検出物
理量平均値算出手段Ｅ1により平均値Ｖaが算出される。
算出された前記検出表面電位の平均値Ｖaは検出物理量
平均値記憶手段としてのシフトレジスタ３７に記憶され
る。前記所定部分の走査の後に続く走査で得られる検出
表面電位Ｖi（i＝１，２，…）から前記検出表面電位の
平均値Ｖaを減算した検出補正表面電位（Ｖi−Ｖa）と
前記閾値メモリＭ1，Ｍ2に記憶された閾値Ｔ1i，Ｔ2iと
は比較器（すなわち、欠陥検出信号出力手段）Ｃ1，Ｃ2
において比較される。比較器Ｃ1，Ｃ2は前記第１実施例
と同様に、検出補正表面電位（Ｖi−Ｖa）に一定値Ｖo
を加えた値（Ｖi−Ｖa＋Ｖo）と前記閾値メモリＭ1，Ｍ
2に記憶された閾値Ｔ1i，Ｔ2iとを比較し、信号（Ｖi−
Ｖa＋Ｖo−Ｔ1i），Ｖi−Ｖa＋Ｖo−Ｔ2i）の正または
負に応じて欠陥検出信号「０」または「１」を出力す
る。

【００６８】したがって、この第２実施例も前記第１実
施例と同様に、感光体ドラム１表面の感光層３の各部分
における検出電位Ｖiからそれらの各部分の検出電位の
平均値Ｖaを減算した値（Ｖi−Ｖa）と前記閾値（Ｔi）
と差に対応する信号により欠陥を検出することになる。
したがって、感光体ドラム１の感光層３のある部分（例
えば、主走査ラインの第ｍライン目の部分）における検
出電位の平均値（Ｖa,m）と、他の部分（例えば、主走
査ラインの第ｎライン目の部分）における検出電位の平
均値（Ｖa,n）との間にバラツキが有る場合でも、それ
らのバラツキを補償できるので、同一の閾値Ｔ1iを用い
て欠陥を検出することができる。

【００６９】なお、前記感光体ドラム１表面の各部分に
おける検出電位のバラツキすなわちセンサ出力変動は、
感光体ドラム１の偏心や、微小表面電位計Ｓ′を副走査
する際の感光体ドラム１表面との平行度不足による測定
面からセンサ表面までの距離の変化等の原因により生じ
るものである。

【００７０】なおまた、欠陥を検出する際、未露光状態
と、中間露光と、完全露光状態の３種類の露光量を与え
た場合、中間露光の時のみ明確に欠陥信号が得られるこ
とを確認した。これは次の理由によるものと考えられ
る。「軸すじ」等の膜厚むらの欠陥をゼログラフィーの
プロセスから説明すれば、感光体ドラム１表面が例えば
初期帯電としてー８００Ｖに帯電され、原稿の反射スリ
ット光もしくはポリゴンミラーにより走査されるレーザ
光により露光して潜像を形成し、現像、転写、定着器に
よりコピーを得る過程において、感光体ドラム１表面の
塗布むら等の欠陥部分は中間調原稿の露光レベルにおい
ては正常面では例えば表面電位がー３００Ｖ程度となる
が、膜厚むら等の欠陥部分は感光層３の電荷輸送層の機
能不良が顕在化し表面電位が正常面に比べ１００Ｖ程度
の差異が表れ、画質上に濃度の差として表れる。一方初
期帯電である未露光状態および完全露光状態では正常面
と表面電位の差は少なく画質上に欠陥は表れない。

【００７１】以上、本発明の感光層故障検出装置の実施
例を詳述したが、本発明は、前記実施例に限定されるも
のではなく、特許請求の範囲に記載された本発明を逸脱
することなく、種々の小設計変更を行うことが可能であ
る。たとえば、本発明の対象となる感光体は、実施例で
示した鏡面加工された金属ドラム上に塗布された透光性
を持つ感光体に限るものではなく、レーザプリンタ用に
金属ドラム基板を粗面加工してある感光体ドラムであっ
ても、また金属ドラムに限らずシート状の基板に塗布さ
れた感光体であっても、また透光性のない皮膜であって
も、塗布された感光体が均一で鏡面状であるから、同様
に欠陥を検出することが可能である。また感光体表面に
限らず、基板上に均一に皮膜を設けた表面の欠陥検査に
も有効である。

【００７２】

【発明の効果】前述の本発明は、検出物理量平均値算出
手段でセンサ入力信号レベルの平均値を求めて、センサ
入力信号レベルの値を補正するので、感光部材ドラム等
の被検査体の表面の欠陥検査において光学式検出方式で
はドラム１本ごとの反射率の変動や、回転偏心による受
光視野変動の影響をなくして、正しく欠陥信号を抽出す
ることができる。また電気的検出方式では、帯電むら
や、ポイントセンサのセンサ面までの距離変動によるセ
ンサ出力変動の影響をなくして、正しく欠陥信号を抽出
することが出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 図１は本発明の表面層欠陥検出装置の第１実
施例の概略斜視図である。

【図２】 図２は同実施例の概略平面図で、ラインセン
サＳが第１検出姿勢（受光視野が帯状光の境界線部分に
設定されている姿勢）に保持されている状態を示す図で
ある。

【図３】 図３は同実施例の概略平面図で、ラインセン
サＳが第２検出姿勢（受光視野が帯状光の中心線部分に
設定されている姿勢）に保持されている状態を示す図で
ある。

【図４】 図４は同実施例の回路部分すなわち欠陥信号
抽出手段Ｅの説明図である。

【図５】 図５は同実施例においてラインセンサＳが第
１検出姿勢Ｐ1に有るときの作用説明図で、各受光素子
Ｓiの第ｍおよびｎラインの検出信号Ｖi,m，Ｖi,nと、
第ｍ−１，ｎ−１ラインの検出信号の平均値Ｖa,m-1，
Ｖa,n-1とを示す図である。

【図６】 図６は同実施例においてラインセンサＳが第
１検出姿勢Ｐ1に有るときの作用説明図で、各受光素子
Ｓiの第ｍおよびｎラインの検出信号Ｖi,m，Ｖi,nか
ら、第ｍ−１，ｎ−１ラインの検出信号の平均値Ｖa,m-
1，Ｖa,n-1を減算した値を示す図である。

【図７】 図７は同実施例においてラインセンサＳが第
１検出姿勢Ｐ1に有るときの作用説明図であり、また、
各受光素子Ｓiの第ｍおよびｎラインの検出信号Ｖi,m，
Ｖi,nから、第ｍ−１，ｎ−１ラインの検出信号の平均
値Ｖa,m-1，Ｖa,n-1を減算した値に一定値Ｖoを加えた
値と、閾値Ｔ1iとを示す図で、比較器Ｃ1で比較される
信号の説明図である。

【図８】 図８は同実施例においてラインセンサＳが第
１検出姿勢Ｐ1に有るときの作用説明図で、各受光素子
Ｓiの第ｍおよびｎラインの検出信号Ｖi,m，Ｖi,nか
ら、第ｍ−１，ｎ−１ラインの検出信号の平均値Ｖa,m-
1，Ｖa,n-1を減算した値に一定値Ｖoを加えた値から、
閾値Ｔ1iを減算した後整形して得られる欠陥検出信号、
すなわち比較器Ｃ1の出力信号の説明図である。

【図９】 図９は同実施例においてラインセンサＳが第
２検出姿勢Ｐ2に有るときの作用説明図であり、また、
各受光素子Ｓiの第ｍおよびｎラインの検出信号Ｖi,m，
Ｖi,nから、第ｍ−１，ｎ−１ラインの検出信号の平均
値Ｖa,m-1，Ｖa,n-1を減算した値に一定値Ｖoを加えた
値と、閾値Ｔ2i，Ｔ3ｉとを示す図で、比較器Ｃ1，Ｃ2
で比較される信号の説明図である。

【図１０】 図１０は同実施例においてラインセンサＳ
が第１検出姿勢Ｐ1に有るときの作用説明図で、各受光
素子Ｓiの第ｍおよびｎラインの検出信号Ｖi,m，Ｖi,n
から、第ｍ−１，ｎ−１ラインの検出信号の平均値Ｖa,
m-1，Ｖa,n-1を減算した値に一定値Ｖoを加えた値か
ら、閾値Ｔ2i，Ｔ3iを減算した後整形して得られる欠陥
検出信号、すなわち比較器Ｃ1，Ｃ2の出力信号の説明図
である。

【図１１】 図１１は本発明の表面層欠陥検出装置の第
２実施例の概略斜視図である。

【図１２】 図１２は同第２実施例の概略平面図であ
る。

【図１３】 図１３は同第２実施例の回路部分すなわち
欠陥信号抽出手段Ｅの説明図である。

【図１４】 図１４は感光体（被検査体）の表面層（感
光層）の欠陥状態とその欠陥部分での反射光との説明図
である。

【図１５】 図１５は表面層欠陥検出装置の従来技術の
閾値設定方法の説明図である。

【符号の説明】

１…被検査体（感光体ドラム）、２…基材、３…表面層
（感光層）、１６…蛍光灯、１８a…スリット、３７…
検出物理量平均値記憶手段、４１…帯電器、４２…中間
調露光装置 Ｃ1，Ｃ2…欠陥検出信号出力手段（比較器）、Ｅ1…検
出物理量平均値算出手段、Ｋ…光照射装置、Ｍ1，Ｍ2…
閾値記憶手段、Ｐ1…第１検出姿勢、Ｐ2…第２検出姿
勢、Ｓ…ラインセンサ、Ｓi…受光素子、Ｓ′…微小表
面電位計、Ｔ1i，Ｔ2i，Ｔ3i…閾値、Ｕ…ラインセンサ
支持装置、Ｖa…検出物理量平均値、Ｖi…検出物理量、
Ｖi−Ｖa…検出補正物理量、Ｘ…帯状光（スリット光）
の長手方向またはラインセンサＳの長手方向（多数の受
光素子Ｓiが列設された方向）、Ｙ…ラインセンサの光
軸方向、Ｚ…被検査体１表面とラインセンサＳとの相対
的移動方向、

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−211636（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−205806（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−242540（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−143250（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) G01N 21/88 G01B 11/30 G01D 5/30 G03G 5/00

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基材とその表面に形成された表面層とを
   有する被検査体の表面の状態に関する測定可能な物理量
   を前記被検査体表面の直交する主走査方向および副走査
   方向に走査しながら検出する物理量測定装置を備え、こ
   の物理量測定装置によって検出される検出物理量により
   表面層欠陥を検出する表面層欠陥検出装置において、 検査対象となる被検査体と略同様に構成された欠陥の無
   い被検査体表面の検出物理量に対応して設定された閾値
   を記憶する閾値記憶手段と、 被検査体表面の所定部分の走査によって得られる検出物
   理量の平均値を算出する検出物理量平均値算出手段と、
   算出された前記検出物理量平均値を記憶する検出物理量
   平均値記憶手段と、前記所定部分の走査の後に続く走査
   で得られる検出物理量から前記検出物理量平均値を減算
   した検出補正物理量と前記閾値との差に対応する欠陥検
   出信号を出力する欠陥検出信号出力手段とを備え、 前記物理量は光量であり、 前記物理量測定装置は、前記被検査体表面に前記主走査
   方向に延びる検査用の帯状拡散光を照射する光照射装置
   と、前記帯状拡散光の前記表面層からの反射光量を検出
   する主走査方向に沿って設けられた多数の受光素子を有
   するラインセンサと、このラインセンサと前記被検査体
   表面とを副走査方向に相対的に移動させる移動装置とを
   有し、 前記閾値は前記各受光素子毎に設定されたことを特徴と
   する表面層欠陥検出装置。
2. 【請求項２】 基材とその表面に形成された表面層とを
   有する被検査体の表面の状態に関する測定可能な物理量
   を前記被検査体表面の直交する主走査方向および副走査
   方向に走査しながら検出する物理量測定装置を備え、こ
   の物理量測定装置によって検出される検出物理量により
   表面層欠陥を検出する表面層欠陥検出装置において、 検査対象となる被検査体と略同様に構成された欠陥の無
   い被検査体表面の検出物理量に対応して設定された閾値
   を記憶する閾値記憶手段と、 被検査体表面の所定部分の走査によって得られる検出物
   理量の平均値を算出する検出物理量平均値算出手段と、
   算出された前記検出物理量平均値を記憶する検出物理量
   平均値記憶手段と、前記所定部分の走査の後に続く走査
   で得られる検出物理量から前記検出物理量平均値を減算
   した検出補正物理量と前記閾値との差に対応する欠陥検
   出信号を出力する欠陥検出信号出力手段とを備え、 前記物理量は電位であり、 前記物理量測定装置は、前記被検査体表面を一様に帯電
   させる帯電器と、中間調原稿からの反射光量と同程度の
   光量による中間調露光を行う中間調露光装置と、前記被
   検査体表面の電位を計測する微小表面電位計と、この微
   小表面電位計と前記被検査体表面とを直交する主走査方
   向および副走査方向に相対的に移動させる移動装置とを
   有することを特徴とする表面層欠陥検出装置。