JP2810299B2 - 化合物半導体層の形成方法 - Google Patents
化合物半導体層の形成方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばシリコンなどの
半導体基板上にガリウム砒素などの化合物半導体層を形
成する方法に関する。
半導体基板上にガリウム砒素などの化合物半導体層を形
成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコンなどの半導体基板上に、ガリウ
ム砒素などの化合物半導体層を形成する場合、有機金属
化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法などが用いられる。ＭＯ
ＣＶＤ法で化合物半導体層を形成する場合、図４に示す
ような方法で形成される。
ム砒素などの化合物半導体層を形成する場合、有機金属
化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法などが用いられる。ＭＯ
ＣＶＤ法で化合物半導体層を形成する場合、図４に示す
ような方法で形成される。
【０００３】すなわち、まず、期間Ｗ１１で、水素（Ｈ
2 ）ガス中で、シリコン基板を温度Ｔ１３で加熱し、シ
リコン基板表面の酸化層を除去してサーマルクリーニン
グを行う。次に、期間Ｗ１２で、温度をＴ１１まで下
げ、水素ガス、アルシン（ＡｓＨ3）、およびトリメチ
ルガリウム（（ＣＨ3 ）3 Ｇａ）（ＴＭＧ）を用いて、
シリコン基板上にアモルファス状態のガリウム砒素（Ｇ
ａＡｓ）層を形成する。次に、期間Ｗ１３で、温度をＴ
１２まで上げ、前記アモルファス状態のＧａＡｓを結晶
化するとともに、水素ガス、アルシン、およびＴＭＧを
用いて、さらにＧａＡｓ結晶層を成長させる。このよう
に、期間Ｗ１２と期間Ｗ１３で温度を異ならしめて成長
させる方法は、二段階成長法と呼ばれている。
2 ）ガス中で、シリコン基板を温度Ｔ１３で加熱し、シ
リコン基板表面の酸化層を除去してサーマルクリーニン
グを行う。次に、期間Ｗ１２で、温度をＴ１１まで下
げ、水素ガス、アルシン（ＡｓＨ3）、およびトリメチ
ルガリウム（（ＣＨ3 ）3 Ｇａ）（ＴＭＧ）を用いて、
シリコン基板上にアモルファス状態のガリウム砒素（Ｇ
ａＡｓ）層を形成する。次に、期間Ｗ１３で、温度をＴ
１２まで上げ、前記アモルファス状態のＧａＡｓを結晶
化するとともに、水素ガス、アルシン、およびＴＭＧを
用いて、さらにＧａＡｓ結晶層を成長させる。このよう
に、期間Ｗ１２と期間Ｗ１３で温度を異ならしめて成長
させる方法は、二段階成長法と呼ばれている。
【０００４】ところが、シリコン基板上にＧａＡｓ結晶
層を成長させると、シリコンとＧａＡｓの格子不整合に
起因して、ＧａＡｓ結晶層に多くのミスフィット転位が
発生し、一部は成長層表面まで達し、貫通転位となる。
層を成長させると、シリコンとＧａＡｓの格子不整合に
起因して、ＧａＡｓ結晶層に多くのミスフィット転位が
発生し、一部は成長層表面まで達し、貫通転位となる。
【０００５】そこで、このような貫通転位を低減させる
ために、ＧａＡｓ結晶層を二段階成長させた後、通常の
成長温度Ｔ１２よりも低い温度Ｔ１１と高い温度Ｔ１４
間で降温と昇温を繰り返す、熱サイクル法などが提案さ
れている。この期間Ｗ１４では、アルシンの雰囲気中
で、降温と昇温を繰り返し、このとき発生する熱応力に
よって、ＧａＡｓ結晶層中の転位を結晶中の（１１１）
面に沿って移動させ、これによって転位を消滅または合
体させようとするものである。
ために、ＧａＡｓ結晶層を二段階成長させた後、通常の
成長温度Ｔ１２よりも低い温度Ｔ１１と高い温度Ｔ１４
間で降温と昇温を繰り返す、熱サイクル法などが提案さ
れている。この期間Ｗ１４では、アルシンの雰囲気中
で、降温と昇温を繰り返し、このとき発生する熱応力に
よって、ＧａＡｓ結晶層中の転位を結晶中の（１１１）
面に沿って移動させ、これによって転位を消滅または合
体させようとするものである。
【０００６】転位が消滅する状態は、図５（ａ）に示す
とおりであって、シリコン基板１上のＧａＡｓ結晶層２
に発生している転位３が熱サイクルによって側方に逃
げ、消滅する。また、図５（ｂ）に示すように、転位３
がシリコン基板１に合体して消滅する。なお、参考のた
めに図５（ｃ）に、転位３がＧａＡｓ結晶層２を貫通し
た状態を示す。
とおりであって、シリコン基板１上のＧａＡｓ結晶層２
に発生している転位３が熱サイクルによって側方に逃
げ、消滅する。また、図５（ｂ）に示すように、転位３
がシリコン基板１に合体して消滅する。なお、参考のた
めに図５（ｃ）に、転位３がＧａＡｓ結晶層２を貫通し
た状態を示す。
【０００７】
【発明が解決すべき課題】ところが、期間Ｗ１４で降温
と昇温の熱サイクルを複数回（Ｎ回）繰り返す場合、図
６に示すように、熱サイクルの当初は転位密度の低減の
効果は確認されるが、そのサイクル回数Ｎが増すに伴っ
て欠陥密度が増加し、その結果、転位密度は、いわば一
定値に飽和してしまう。すなわち、熱サイクルの回数Ｎ
が５回以上になっても、転位密度は、５．０×１０6 ｃ
ｍ-2程度であり、それ以上低減することはない。
と昇温の熱サイクルを複数回（Ｎ回）繰り返す場合、図
６に示すように、熱サイクルの当初は転位密度の低減の
効果は確認されるが、そのサイクル回数Ｎが増すに伴っ
て欠陥密度が増加し、その結果、転位密度は、いわば一
定値に飽和してしまう。すなわち、熱サイクルの回数Ｎ
が５回以上になっても、転位密度は、５．０×１０6 ｃ
ｍ-2程度であり、それ以上低減することはない。
【０００８】また、化合物半導体層中の転位を低減する
方法として、歪超格子層を形成することも提案されてい
る。すなわち、上述の熱サイクルを加えた後に、基板温
度を通常の成長温度Ｔ１２まで降温し、ＧａＡｓ層を
０．５μｍ程度成長させた後、数百Å程度の厚みを有す
るＩｎＧａＡｓ層とＧａＡｓ層などを５層程度交互に成
長させることによって、結晶層中の転位を消滅または合
体させようとするものである。
方法として、歪超格子層を形成することも提案されてい
る。すなわち、上述の熱サイクルを加えた後に、基板温
度を通常の成長温度Ｔ１２まで降温し、ＧａＡｓ層を
０．５μｍ程度成長させた後、数百Å程度の厚みを有す
るＩｎＧａＡｓ層とＧａＡｓ層などを５層程度交互に成
長させることによって、結晶層中の転位を消滅または合
体させようとするものである。
【０００９】ところが、熱サイクルを加えた後に、歪超
格子層を形成したとしても、結晶層中の転位密度は、
１．０×１０6 ｃｍ-2程度にしか低減できなかった。
格子層を形成したとしても、結晶層中の転位密度は、
１．０×１０6 ｃｍ-2程度にしか低減できなかった。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述のような
問題を解決するためになされたものであり、その特徴と
するところは、半導体基板上に、化合物半導体層を所定
厚みまで成長させ、次いで前記化合物半導体層の成長を
中断して、成長温度よりも低い温度と高い温度で加温を
繰り返した後、成長温度よりも高い温度から成長温度に
降温して再び化合物半導体層を成長させる化合物半導体
層の形成方法において、前記成長温度よりも高い温度か
ら成長温度に降温する際の冷却速度を１０℃／分以下と
する点にある。
問題を解決するためになされたものであり、その特徴と
するところは、半導体基板上に、化合物半導体層を所定
厚みまで成長させ、次いで前記化合物半導体層の成長を
中断して、成長温度よりも低い温度と高い温度で加温を
繰り返した後、成長温度よりも高い温度から成長温度に
降温して再び化合物半導体層を成長させる化合物半導体
層の形成方法において、前記成長温度よりも高い温度か
ら成長温度に降温する際の冷却速度を１０℃／分以下と
する点にある。
【００１１】
【作用】シリコンなどの半導体基板上に、ＧａＡｓなど
の化合物半導体層を形成する場合、降温工程は、シリコ
ンとＧａＡｓの格子定数の相違に基づく転位が最も発生
し易い過程であるが、熱サイクルを行って再び結晶を成
長させる直前の冷却工程の冷却速度を遅くすることによ
り、結晶中のサーマルショックを和らげることができ、
もって結晶中の転位の発生を抑制することができる。そ
の結果、転位密度を低減させることができる。
の化合物半導体層を形成する場合、降温工程は、シリコ
ンとＧａＡｓの格子定数の相違に基づく転位が最も発生
し易い過程であるが、熱サイクルを行って再び結晶を成
長させる直前の冷却工程の冷却速度を遅くすることによ
り、結晶中のサーマルショックを和らげることができ、
もって結晶中の転位の発生を抑制することができる。そ
の結果、転位密度を低減させることができる。
【００１２】
【実施例】図１は、本発明の一実施例である化合物半導
体層の形成方法の手順を示すグラフであり、図２はそれ
によって製造される半導体層の断面図である。図２中の
参照符１０はシリコン基板であり、このシリコン基板１
０は、シリコン単結晶の（１００）結晶面から（０１
１）面方向へ１〜４度好ましくは２度オフして得られた
表面を有する。
体層の形成方法の手順を示すグラフであり、図２はそれ
によって製造される半導体層の断面図である。図２中の
参照符１０はシリコン基板であり、このシリコン基板１
０は、シリコン単結晶の（１００）結晶面から（０１
１）面方向へ１〜４度好ましくは２度オフして得られた
表面を有する。
【００１３】上記シリコン基板１０を、先ず、期間Ｗ１
においてサマールクリーニングを行い、その表面上の酸
化物を除去する。このために、基板１０を配置する真空
容器内を例えば１０-7Ｔｏｒｒ程度にまで真空にし、誘
導加熱によって、その基板１０を温度Ｔ３として９００
〜１０００℃、好ましくは９５０℃にまで昇温し、この
ときキャリアガスである水素（Ｈ2 ）ガスとアルシン
（ＡｓＨ3 ）の雰囲気とし、約１０分間続ける。
においてサマールクリーニングを行い、その表面上の酸
化物を除去する。このために、基板１０を配置する真空
容器内を例えば１０-7Ｔｏｒｒ程度にまで真空にし、誘
導加熱によって、その基板１０を温度Ｔ３として９００
〜１０００℃、好ましくは９５０℃にまで昇温し、この
ときキャリアガスである水素（Ｈ2 ）ガスとアルシン
（ＡｓＨ3 ）の雰囲気とし、約１０分間続ける。
【００１４】次の期間Ｗ２では、サーマルクリーニング
された基板１０上に、低温バッファ層である第１層１１
を形成する。この第１層１１は、温度Ｔ１を例えば４０
０〜４５０℃、好ましくは４２０℃に設定し、キャリア
ガスである水素ガスによってトリメチルガリウム（（Ｃ
Ｈ3 ）3 Ｇａ）（略称ＴＭＧ）を供給するとともに、ア
ルシンを供給する。ＴＭＧガスは例えば３０〜８０ｓｃ
ｃｍの流量で導入し、アルシンは５００〜７００ｓｃｃ
ｍの流量で供給する。こうしてアモルファス状のＧａＡ
ｓから成る第１層１１を層厚１００〜４００Å、好まし
くは２００Å形成する。
された基板１０上に、低温バッファ層である第１層１１
を形成する。この第１層１１は、温度Ｔ１を例えば４０
０〜４５０℃、好ましくは４２０℃に設定し、キャリア
ガスである水素ガスによってトリメチルガリウム（（Ｃ
Ｈ3 ）3 Ｇａ）（略称ＴＭＧ）を供給するとともに、ア
ルシンを供給する。ＴＭＧガスは例えば３０〜８０ｓｃ
ｃｍの流量で導入し、アルシンは５００〜７００ｓｃｃ
ｍの流量で供給する。こうしてアモルファス状のＧａＡ
ｓから成る第１層１１を層厚１００〜４００Å、好まし
くは２００Å形成する。
【００１５】次の期間Ｗ３では、ＧａＡｓ結晶層である
第２層１２を本成長させる。このために、キャリアガス
である水素ガスによってＴＭＧガスを搬送するととも
に、これにアルシンを加え、温度Ｔ２、例えば６２０〜
７５０℃、好ましくは６６０℃程度に昇温する。アルシ
ンは流量５００〜７００ｓｃｃｍであり、水素ガスとＴ
ＭＧガスとアルシンの総流量は２２００ｓｃｃｍで供給
する。これによって、第２層１２の厚みは、例えば１．
５μｍの層厚で形成される。
第２層１２を本成長させる。このために、キャリアガス
である水素ガスによってＴＭＧガスを搬送するととも
に、これにアルシンを加え、温度Ｔ２、例えば６２０〜
７５０℃、好ましくは６６０℃程度に昇温する。アルシ
ンは流量５００〜７００ｓｃｃｍであり、水素ガスとＴ
ＭＧガスとアルシンの総流量は２２００ｓｃｃｍで供給
する。これによって、第２層１２の厚みは、例えば１．
５μｍの層厚で形成される。
【００１６】この状態で期間Ｗ４では、熱サイクルを与
える。このとき、結晶成長時の温度Ｔ２よりも低い温度
Ｔ１ａ、例えば３５０℃と、結晶成長時の温度Ｔ２より
も高い温度Ｔ２ａ、例えば７００〜９５０℃、好ましく
は約８５０℃の範囲で、昇温／降温を繰り返して熱サイ
クルを与える。例えば温度Ｔ２ａは４回繰り返される。
このとき水素ガスとアルシンとが供給される。温度Ｔ２
ａは、貫通転位を消滅または合体させるには、高い温度
であることが好ましいけれども、Ａｓが蒸気になって飛
散するのを防止するために、すなわちＡｓの分圧を保つ
ために、前述のように７００〜９５０℃の範囲の温度Ｔ
２ａに定められる。このような期間Ｗ４において熱サイ
クルを与えると、第２層１２中の貫通転位をある程度低
減できる。
える。このとき、結晶成長時の温度Ｔ２よりも低い温度
Ｔ１ａ、例えば３５０℃と、結晶成長時の温度Ｔ２より
も高い温度Ｔ２ａ、例えば７００〜９５０℃、好ましく
は約８５０℃の範囲で、昇温／降温を繰り返して熱サイ
クルを与える。例えば温度Ｔ２ａは４回繰り返される。
このとき水素ガスとアルシンとが供給される。温度Ｔ２
ａは、貫通転位を消滅または合体させるには、高い温度
であることが好ましいけれども、Ａｓが蒸気になって飛
散するのを防止するために、すなわちＡｓの分圧を保つ
ために、前述のように７００〜９５０℃の範囲の温度Ｔ
２ａに定められる。このような期間Ｗ４において熱サイ
クルを与えると、第２層１２中の貫通転位をある程度低
減できる。
【００１７】第２層１２の層厚は、１．２〜５．０μｍ
に選ばれる。層厚が１．２μｍ未満では、層厚が薄すぎ
て、基板１０の影響を受けており、熱サイクルを加えて
も、転位の低減効果が少ない。第２層１２の層厚が５．
０μｍを越えると、その第２層１２および第１層１１に
微細な亀裂（クラック）が発生し、転位を低減させる熱
応力が減少して、転位低減の効果が減少する。
に選ばれる。層厚が１．２μｍ未満では、層厚が薄すぎ
て、基板１０の影響を受けており、熱サイクルを加えて
も、転位の低減効果が少ない。第２層１２の層厚が５．
０μｍを越えると、その第２層１２および第１層１１に
微細な亀裂（クラック）が発生し、転位を低減させる熱
応力が減少して、転位低減の効果が減少する。
【００１８】次に期間Ｗ５では、１０℃／分以下の冷却
速度で冷却する。このように、冷却速度を遅くすると、
結晶中のサーマルショックを和らげることができ、もっ
てＧａＡｓ中の貫通転位をさらに低減できる。
速度で冷却する。このように、冷却速度を遅くすると、
結晶中のサーマルショックを和らげることができ、もっ
てＧａＡｓ中の貫通転位をさらに低減できる。
【００１９】次に期間Ｗ６では、温度Ｔ２で水素ガスと
アルシンとの雰囲気で、ＧａＡｓから成る第３層１３を
層厚０．２〜２．０μｍに形成する。
アルシンとの雰囲気で、ＧａＡｓから成る第３層１３を
層厚０．２〜２．０μｍに形成する。
【００２０】次に、期間Ｗ７では、数百ÅのＩｎＧａＡ
ｓとＧａＡｓを交互に複数層設けて歪超格子層１４を形
成する。なお、ＩｎＧａＡｓ層を形成する場合、ＴＭＧ
ガスとアルシンに加えて、トリメチルインジウム（（Ｃ
Ｈ3 ）3 Ｉｎ）（ＴＭＩ）を用いる。
ｓとＧａＡｓを交互に複数層設けて歪超格子層１４を形
成する。なお、ＩｎＧａＡｓ層を形成する場合、ＴＭＧ
ガスとアルシンに加えて、トリメチルインジウム（（Ｃ
Ｈ3 ）3 Ｉｎ）（ＴＭＩ）を用いる。
【００２１】さらに、期間Ｗ８で再びＧａＡｓから成る
第４層１５を層厚１．０〜４．０μｍ成長させる。
第４層１５を層厚１．０〜４．０μｍ成長させる。
【００２２】このように、熱サイクル終了後に７５℃／
分で、通常の成長温度例えば６２０〜７５０℃に降温す
る場合に比べて、本実施例では、１０℃／分で降温させ
ることによって、転位密度を従来の１×１０6 ｃｍ-2か
ら本実施例では８×１０5 ｃｍ-2まで低減することが確
認された。
分で、通常の成長温度例えば６２０〜７５０℃に降温す
る場合に比べて、本実施例では、１０℃／分で降温させ
ることによって、転位密度を従来の１×１０6 ｃｍ-2か
ら本実施例では８×１０5 ｃｍ-2まで低減することが確
認された。
【００２３】期間Ｗ５における冷却速度を遅らせること
によって、結晶の（１１１）面上で転位が動いて低減す
るものと考えられる。
によって、結晶の（１１１）面上で転位が動いて低減す
るものと考えられる。
【００２４】次に、上述のような化合物半導体層を形成
するＭＯＣＶＤ装置を図３に示す。ＭＯＣＶＤ装置に
は、たとえば石英などから形成される反応管２１が設け
られ、内部にシリコンカーバイドＳｉＣでグラファイト
を被覆したサセプタ２２が配置され、その上にシリコン
基板１０が載置される。反応管２１には、高周波電源か
ら高周波電力が供給されてサセプタ２２が誘導加熱され
る。
するＭＯＣＶＤ装置を図３に示す。ＭＯＣＶＤ装置に
は、たとえば石英などから形成される反応管２１が設け
られ、内部にシリコンカーバイドＳｉＣでグラファイト
を被覆したサセプタ２２が配置され、その上にシリコン
基板１０が載置される。反応管２１には、高周波電源か
ら高周波電力が供給されてサセプタ２２が誘導加熱され
る。
【００２５】上記反応管２１に連通される第１タンク２
５には、水素ガスが充填され、第２タンク２６にはアル
シンが充填される。第１タンク２５からの水素ガスは純
化器２８を介して高純度化され、その流量はマスフロー
コントローラ（以下、ＭＦＣと略す）２９、３０により
調整される。また、第２タンク２６からのガス流量も、
それぞれＭＦＣ３１により調整される。
５には、水素ガスが充填され、第２タンク２６にはアル
シンが充填される。第１タンク２５からの水素ガスは純
化器２８を介して高純度化され、その流量はマスフロー
コントローラ（以下、ＭＦＣと略す）２９、３０により
調整される。また、第２タンク２６からのガス流量も、
それぞれＭＦＣ３１により調整される。
【００２６】有機金属としてＴＭＧガスを用いるが、こ
れは常温で液体であり、恒温槽３４内に設置されたバブ
ラ３３内に貯留される。
れは常温で液体であり、恒温槽３４内に設置されたバブ
ラ３３内に貯留される。
【００２７】純化器２８からの水素ガスは、ＭＦＣ３０
によりバブラ３３内に導入されてバブリングを行い、こ
れによりバブラ３３内のＴＭＧがガス化して反応管２１
へ導入される。また、この水素ガスは、ＭＦＣ２９を介
して第２タンク２６からのガスのキャリアガスとしても
用いられる。このようなＭＯＣＶＤ装置を構成する構成
要素を接続する配管系には、ガス調整弁３７、３８およ
びバルブ４０〜４４が設けられる。
によりバブラ３３内に導入されてバブリングを行い、こ
れによりバブラ３３内のＴＭＧがガス化して反応管２１
へ導入される。また、この水素ガスは、ＭＦＣ２９を介
して第２タンク２６からのガスのキャリアガスとしても
用いられる。このようなＭＯＣＶＤ装置を構成する構成
要素を接続する配管系には、ガス調整弁３７、３８およ
びバルブ４０〜４４が設けられる。
【００２８】前記反応管２１には、超高真空排気装置３
５と排気ガス処理装置とが接続されており、超高真空排
気装置３５を用いて、成膜に先立って反応管２１内の残
留ガスを除去し、排気ガス処理装置３６を用いて成膜作
業中および成膜作業後の排気ガス中の有毒なヒ素化合物
などを除去する。
５と排気ガス処理装置とが接続されており、超高真空排
気装置３５を用いて、成膜に先立って反応管２１内の残
留ガスを除去し、排気ガス処理装置３６を用いて成膜作
業中および成膜作業後の排気ガス中の有毒なヒ素化合物
などを除去する。
【００２９】なお、上記例では、キャリアガスとして水
素ガスを用いたが、アルゴンＡｒなどを用いてもよい。
また、化合物半導体層は、ＧａＡｓのほかに、ＧａＰ、
ＡｌＧａＡｓなどであってもよく、さらにまたＧａＡｓ
ＰおよびＩｎＡｓＰなどであってもよい。
素ガスを用いたが、アルゴンＡｒなどを用いてもよい。
また、化合物半導体層は、ＧａＡｓのほかに、ＧａＰ、
ＡｌＧａＡｓなどであってもよく、さらにまたＧａＡｓ
ＰおよびＩｎＡｓＰなどであってもよい。
【００３０】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、通常の
成長温度よりも高い温度から通常の成長温度に降温する
際の冷却速度を１０℃／分以下とすることから、化合物
半導体層に発生した貫通転位を８×１０5 ｃｍ-2まで低
減することが可能になる。
成長温度よりも高い温度から通常の成長温度に降温する
際の冷却速度を１０℃／分以下とすることから、化合物
半導体層に発生した貫通転位を８×１０5 ｃｍ-2まで低
減することが可能になる。
【図１】本発明に係る半導体素子の製造方法の一実施例
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図２】本発明に係る製造方法によって製造される半導
体素子の断面図である。
体素子の断面図である。
【図３】本発明に係る半導体素子の製造方法に用いられ
る製造装置の系統図である。
る製造装置の系統図である。
【図４】従来の半導体素子の製造方法を説明するための
図である。
図である。
【図５】ミスフィット転位の消滅、合体、および発生を
示す図である。
示す図である。
【図６】従来の製造方法によって製造される半導体素子
の実験結果を示す図である。
の実験結果を示す図である。
【符合の説明】 １０・・・シリコン基板、１１・・・第１層、１２・・
・第２層、１３・・・第３層、１４・・・第４層
・第２層、１３・・・第３層、１４・・・第４層
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板上に、化合物半導体層を所定
厚みまで成長させ、次いで前記化合物半導体層の成長を
中断して、成長温度よりも低い温度と高い温度で加温を
繰り返した後、成長温度よりも高い温度から成長温度に
降温して再び化合物半導体層を成長させる化合物半導体
層の形成方法において、前記成長温度よりも高い温度か
ら成長温度に降温する際の冷却速度を１０℃／分以下と
することを特徴とする化合物半導体層の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24440393A JP2810299B2 (ja) | 1993-09-30 | 1993-09-30 | 化合物半導体層の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24440393A JP2810299B2 (ja) | 1993-09-30 | 1993-09-30 | 化合物半導体層の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07106245A JPH07106245A (ja) | 1995-04-21 |
| JP2810299B2 true JP2810299B2 (ja) | 1998-10-15 |
Family
ID=17118155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24440393A Expired - Fee Related JP2810299B2 (ja) | 1993-09-30 | 1993-09-30 | 化合物半導体層の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2810299B2 (ja) |
-
1993
- 1993-09-30 JP JP24440393A patent/JP2810299B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07106245A (ja) | 1995-04-21 |
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