JP2810058B2 - 斜入射反射型光学装置およびその光ビームの位置合せ方法 - Google Patents
斜入射反射型光学装置およびその光ビームの位置合せ方法Info
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- JP2810058B2 JP2810058B2 JP63210715A JP21071588A JP2810058B2 JP 2810058 B2 JP2810058 B2 JP 2810058B2 JP 63210715 A JP63210715 A JP 63210715A JP 21071588 A JP21071588 A JP 21071588A JP 2810058 B2 JP2810058 B2 JP 2810058B2
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- Japan
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- light beam
- light
- oblique incidence
- optical element
- incidence reflection
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- Mounting And Adjusting Of Optical Elements (AREA)
Description
本発明は、斜入射反射型光学素子と、光ビームとの位
置合せ法に係わり、特に、シンクロトロン放射光等の真
空紫外線〜Ｘ線領域（波長50nm〜0.01nm）での高輝度光
源にて使用される、斜入射反射型光学素子に好適な位置
合せ法に関する。
置合せ法に係わり、特に、シンクロトロン放射光等の真
空紫外線〜Ｘ線領域（波長50nm〜0.01nm）での高輝度光
源にて使用される、斜入射反射型光学素子に好適な位置
合せ法に関する。
真空紫外線〜Ｘ線領域（波長50nm〜0.01nm）では、ミ
ラー・回折格子等の反射型光学素子として、入射角が〜
80度以上の斜入射型のものが使用される。斜入射型光学
系では、光ビームの断面積に比べて反射面（光が反射す
る面）の断面積が極めて大きくなる。例えば、89度入射
の場合、1/cos89゜＝57倍にもなる。従って、光学素子
が大きくなりやすく、また、必要最小限の大きさに留め
る場合が多い。従って、正確な位置合せが必要となる。 従来、このような斜入射反射型光学素子と光ビームと
の位置合せは、反射光の位置を蛍光板等にてモニタする
か、入射光の位置・形状を光センサーにてモニターする
方式が取られている。後者の方式は、ニュークリアー
インスツルメンツ アンド メソッヅ、A246（1986
年）、第389頁から第393頁（Nuclear Instruments and
Methods A246（1986）,pp389−393）及びニュークリア
ー インスツルメンツ アンド メソッヅ、A246（1986
年）、第411頁から第412頁（Nuclear Instruments and
Methods A246（1986）,pp411−412）にて論じられてい
るように、真空容器内にて、二つの電極をスリット状に
配置し、入射光ビームをそのスリットの隙間から通す。
その際、光ビームの一部分が二つの電極に当り、電極か
ら光電子電流が流れる。両電極の光電子電流の大小関係
より、スリット状電極中心と光ビームとの位置関係がわ
かる。前以て、スリット状電極とこの後方の光学素子と
を位置合せしておけば、光ビームとスリット状電極の位
置合せをすることにより、光ビームと光学素子の位置合
せができることになる。
ラー・回折格子等の反射型光学素子として、入射角が〜
80度以上の斜入射型のものが使用される。斜入射型光学
系では、光ビームの断面積に比べて反射面（光が反射す
る面）の断面積が極めて大きくなる。例えば、89度入射
の場合、1/cos89゜＝57倍にもなる。従って、光学素子
が大きくなりやすく、また、必要最小限の大きさに留め
る場合が多い。従って、正確な位置合せが必要となる。 従来、このような斜入射反射型光学素子と光ビームと
の位置合せは、反射光の位置を蛍光板等にてモニタする
か、入射光の位置・形状を光センサーにてモニターする
方式が取られている。後者の方式は、ニュークリアー
インスツルメンツ アンド メソッヅ、A246（1986
年）、第389頁から第393頁（Nuclear Instruments and
Methods A246（1986）,pp389−393）及びニュークリア
ー インスツルメンツ アンド メソッヅ、A246（1986
年）、第411頁から第412頁（Nuclear Instruments and
Methods A246（1986）,pp411−412）にて論じられてい
るように、真空容器内にて、二つの電極をスリット状に
配置し、入射光ビームをそのスリットの隙間から通す。
その際、光ビームの一部分が二つの電極に当り、電極か
ら光電子電流が流れる。両電極の光電子電流の大小関係
より、スリット状電極中心と光ビームとの位置関係がわ
かる。前以て、スリット状電極とこの後方の光学素子と
を位置合せしておけば、光ビームとスリット状電極の位
置合せをすることにより、光ビームと光学素子の位置合
せができることになる。
反射光の位置・形状を蛍光板等でモニタする方式は、
光ビームの全てが光学素子よりはずれている場合はわか
るが、一部分が光学素子よりはずれている場合は、わか
りにくい。 また、入射光をスリット状電極等の位置モニタにて位
置合せする方式では、位置モニタと光学素子との位置合
せという煩雑な作業が予め、必要となる。しかも、入射
光の入射方向や、入射角度の変更などの光学的配置を変
更したい場合は、この位置合せを繰り返す必要があるた
め、光学的配置の変更は行ないにくい。さらには、入射
光の位置・方向を連続的に変化させつつ、同時に斜入射
反射型光学素子の位置決めを制御することは極めて難し
くなる。 本発明の目的は、光ビームと斜入射反射型光学素子の
位置合せを、簡単に精度良く行なうことにある。また、
入射光・反射光の方向・位置等の光学的配置の変更、あ
るいは、連続的に変化させる場合にも適用可能な、位置
モニタの再調整の必要のない位置合せ法を提供すること
にある。
光ビームの全てが光学素子よりはずれている場合はわか
るが、一部分が光学素子よりはずれている場合は、わか
りにくい。 また、入射光をスリット状電極等の位置モニタにて位
置合せする方式では、位置モニタと光学素子との位置合
せという煩雑な作業が予め、必要となる。しかも、入射
光の入射方向や、入射角度の変更などの光学的配置を変
更したい場合は、この位置合せを繰り返す必要があるた
め、光学的配置の変更は行ないにくい。さらには、入射
光の位置・方向を連続的に変化させつつ、同時に斜入射
反射型光学素子の位置決めを制御することは極めて難し
くなる。 本発明の目的は、光ビームと斜入射反射型光学素子の
位置合せを、簡単に精度良く行なうことにある。また、
入射光・反射光の方向・位置等の光学的配置の変更、あ
るいは、連続的に変化させる場合にも適用可能な、位置
モニタの再調整の必要のない位置合せ法を提供すること
にある。
上記目的は、複数の光センサーを、その光感応部分
が、斜入射反射型光学素子の反射面と同一面内にあるよ
うに、その光学素子反射面の周囲に配置することにより
達成される。 簡便な光センサとしては、金属電極からの光電子電流
を検出する方式、蛍光版からの蛍光を目視する方式など
がある。 入射ビームベクトルと反射面法線ベクトルとが張る面
（入射面）内での位置合せのためには、光学素子反射面
の入射側端に一個と出射側に一個のセンサを配置する。 入射面と垂直方向での位置合せのためには、光学素子
反射面の入射面に垂直方向の両端に一個づつのセンサを
配置する。
が、斜入射反射型光学素子の反射面と同一面内にあるよ
うに、その光学素子反射面の周囲に配置することにより
達成される。 簡便な光センサとしては、金属電極からの光電子電流
を検出する方式、蛍光版からの蛍光を目視する方式など
がある。 入射ビームベクトルと反射面法線ベクトルとが張る面
（入射面）内での位置合せのためには、光学素子反射面
の入射側端に一個と出射側に一個のセンサを配置する。 入射面と垂直方向での位置合せのためには、光学素子
反射面の入射面に垂直方向の両端に一個づつのセンサを
配置する。
入射光ビームが斜入射反射型光学素子より外れると、
その外れる方向に配置してある光センサに光が照射し、
センサからの信号が増大する。これにより、光が光学素
子より外れていること、及びその方向がわかる。 光センサは反射面と同一面内にあるため、光ビームが
光学素子に当ることを光センサが遮ったり、光ビームが
光センサに当ることを光学素子が遮ることは無い。
その外れる方向に配置してある光センサに光が照射し、
センサからの信号が増大する。これにより、光が光学素
子より外れていること、及びその方向がわかる。 光センサは反射面と同一面内にあるため、光ビームが
光学素子に当ることを光センサが遮ったり、光ビームが
光センサに当ることを光学素子が遮ることは無い。
以下、本発明の一実施例を、第一図により説明する。 真空容器５の中に、入射スリット４、斜入射ミラー
１、電極2,3が設置されている。斜入射ミラー１はガラ
ス基板19と金属蒸着反射面18とからなる。電極2,3は反
射面18と共通の基板上に、反射面18とは電気的に絶縁し
た蒸着金属により構成され、リード線8,9が取付けられ
ており、真空容器外にて電池10,11により−10〜−100ボ
ルトのバイアスがかけられている。電極2,3から光電子
が放出すると、電流計12,13にて読み取れる。シンクロ
トロン放射光を光源とする入射ビーム６が入射スリット
４を通して装置に入り、斜入射ミラー１により反射さ
れ、出射ビーム７となって装置より出ていく。 ミラー１の反射面と電極2,3の反射面は、同一面内に
あり、両者は同一ホルダに収められて、駆動機構16によ
り、一体と成って真空容器外から位置、傾きを調整でき
る。また、スリット４も駆動機構17により、位置を調整
できる。 この実施例にては、スリットを通過した入射ビーム６
がすべて斜入射ミラーに照射している場合には、電流計
12,13には電流は流れない（１ピコアンペア以下）。し
かし、もし、ミラー１が入射ビーム６に対して上側にず
れていると電流計12に10〜100ピコアンペアの電流が流
れる。同様に、下側にずれていると、電流計13に電流が
流れる。 また、ミラー１と電極2,3とが同一ホルダにあること
により、スリット４を駆動機構17により、ミラー１を駆
動機構16により、それぞれ動かして、反射ビーム７の出
射方向や位置を調整する場合でも、常に、電流計12,13
をモニタすることにより、ミラー１に入射ビーム６がす
べて照射した状態を確認しつつ、位置決めできる。従っ
て、電流計12,13の信号を駆動機構16、17に帰還しなが
らの、反射ビーム７の出射方向・位置の自動連続制御も
可能である。 斜入射ミラー１は、回折格子、多層膜ミラー、結晶、
及び他の斜入射反射型光学素子であってもよい。電極2,
3は、その表面が、反射面18と同一面にあるかぎり、反
射面18と同一基板上にある必要はない。たとえば、電極
2,3のかわりに、蛍光版を置いて、蛍光を目視によりモ
ニタしてもよい。又は、他のセンサであってもよい。入
射ビーム６の光源はシンクロトロン放射光以外の真空紫
外線〜Ｘ線光源であってもよい。
１、電極2,3が設置されている。斜入射ミラー１はガラ
ス基板19と金属蒸着反射面18とからなる。電極2,3は反
射面18と共通の基板上に、反射面18とは電気的に絶縁し
た蒸着金属により構成され、リード線8,9が取付けられ
ており、真空容器外にて電池10,11により−10〜−100ボ
ルトのバイアスがかけられている。電極2,3から光電子
が放出すると、電流計12,13にて読み取れる。シンクロ
トロン放射光を光源とする入射ビーム６が入射スリット
４を通して装置に入り、斜入射ミラー１により反射さ
れ、出射ビーム７となって装置より出ていく。 ミラー１の反射面と電極2,3の反射面は、同一面内に
あり、両者は同一ホルダに収められて、駆動機構16によ
り、一体と成って真空容器外から位置、傾きを調整でき
る。また、スリット４も駆動機構17により、位置を調整
できる。 この実施例にては、スリットを通過した入射ビーム６
がすべて斜入射ミラーに照射している場合には、電流計
12,13には電流は流れない（１ピコアンペア以下）。し
かし、もし、ミラー１が入射ビーム６に対して上側にず
れていると電流計12に10〜100ピコアンペアの電流が流
れる。同様に、下側にずれていると、電流計13に電流が
流れる。 また、ミラー１と電極2,3とが同一ホルダにあること
により、スリット４を駆動機構17により、ミラー１を駆
動機構16により、それぞれ動かして、反射ビーム７の出
射方向や位置を調整する場合でも、常に、電流計12,13
をモニタすることにより、ミラー１に入射ビーム６がす
べて照射した状態を確認しつつ、位置決めできる。従っ
て、電流計12,13の信号を駆動機構16、17に帰還しなが
らの、反射ビーム７の出射方向・位置の自動連続制御も
可能である。 斜入射ミラー１は、回折格子、多層膜ミラー、結晶、
及び他の斜入射反射型光学素子であってもよい。電極2,
3は、その表面が、反射面18と同一面にあるかぎり、反
射面18と同一基板上にある必要はない。たとえば、電極
2,3のかわりに、蛍光版を置いて、蛍光を目視によりモ
ニタしてもよい。又は、他のセンサであってもよい。入
射ビーム６の光源はシンクロトロン放射光以外の真空紫
外線〜Ｘ線光源であってもよい。
本発明によれば、斜入射反射型光学素子と光ビームと
の位置合せを容易に精度良く行なうことができる。ま
た、入射・反射ビームの位置、方向の変更等の光学的配
置の変更や連続変化の際にも、位置モニタには手を加え
ること無く、光学素子の正確・迅速な位置合せを可能と
し、また、装置設計の自由度も拡大する効果がある。
の位置合せを容易に精度良く行なうことができる。ま
た、入射・反射ビームの位置、方向の変更等の光学的配
置の変更や連続変化の際にも、位置モニタには手を加え
ること無く、光学素子の正確・迅速な位置合せを可能と
し、また、装置設計の自由度も拡大する効果がある。
【図面の簡単な説明】 第１図は、本発明の一実施例の斜入射ミラー装置の縦断
面図である。 １……斜入射ミラー 2,3……電極 ４……入射スリット ５……真空容器 ６……入射光ビーム ７……出射光ビーム 8,9……リード線 10,11……電池 12,13……電流計 14,15……接地 16……ミラー駆動機構 17……スリット駆動機構 18……斜入射反射ミラー反射面 19……斜入射反射ミラー基板
面図である。 １……斜入射ミラー 2,3……電極 ４……入射スリット ５……真空容器 ６……入射光ビーム ７……出射光ビーム 8,9……リード線 10,11……電池 12,13……電流計 14,15……接地 16……ミラー駆動機構 17……スリット駆動機構 18……斜入射反射ミラー反射面 19……斜入射反射ミラー基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G02B 7/00 G02B 7/18
Claims (3)
- 【請求項１】入射スリットを介して光ビームを所定の範
囲に制限して入射させ、斜入射反射型光学素子の光ビー
ム反射面の周囲に設置された光センサーからの光信号を
位置ずれ信号として光センサーに光ビームが照射されな
いように斜入射反射型光学素子と光ビームの位置合せを
行い、光ビームを斜入射反射型光学素子により反射させ
ることを特徴とする光ビームの位置合せ方法。 - 【請求項２】前記光センサーの光感応部が前記反射面と
実質的に同一平面に配置された請求項１記載の光ビーム
の位置合せ方法。 - 【請求項３】光ビームを入射される開口、該光ビームを
所定の範囲に制限する入射スリット、該入射スリットを
通過した光を反射する斜入射反射ミラー、該斜入射反射
ミラーの反射面で反射された光ビームを出射するための
開口、前記斜入射反射ミラーの周辺部に設置された光セ
ンサー、を有し、前記光センサーの光感応部が前記斜入
射反射ミラーの前記反射面と実質的に同一平面に配置さ
れたことを特徴とする斜入射反射型光学装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63210715A JP2810058B2 (ja) | 1988-08-26 | 1988-08-26 | 斜入射反射型光学装置およびその光ビームの位置合せ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63210715A JP2810058B2 (ja) | 1988-08-26 | 1988-08-26 | 斜入射反射型光学装置およびその光ビームの位置合せ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0259705A JPH0259705A (ja) | 1990-02-28 |
| JP2810058B2 true JP2810058B2 (ja) | 1998-10-15 |
Family
ID=16593903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63210715A Expired - Lifetime JP2810058B2 (ja) | 1988-08-26 | 1988-08-26 | 斜入射反射型光学装置およびその光ビームの位置合せ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2810058B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5283698A (en) * | 1991-04-08 | 1994-02-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Image reading apparatus |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5051778A (ja) * | 1973-09-06 | 1975-05-08 | ||
| JP2639520B2 (ja) * | 1985-12-17 | 1997-08-13 | キヤノン株式会社 | 情報記録方法 |
-
1988
- 1988-08-26 JP JP63210715A patent/JP2810058B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0259705A (ja) | 1990-02-28 |
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