SE437579B - Apparat for avlesning av en optisk uppteckningsberare med en stralningsreflekterande informationsstruktur - Google Patents

Description

_79o774s-3 2 För att möjliggöra avläsning av detaljer med så små dimensioner måste ett ob- jektivsystem med jämförelsevis stor numerisk öppning användas. Skärpedjupet för ett sådant objektivsystem är litet. Eftersom i avläsningsapparaten förändring i avstån- det mellan informationssttukturens plan och objektivsystemet, som är större än skärpedjupet, kan förekomma, så måste åtgärder vidtagas som möjliggör detektering ai nämnda förändringar och korrigering av fokuseringen. För detta ändamål utnyttjas et: smalt fokuseringsstrålknippe som inkommer i objektivsystemt på jämförelsevis stort avstånd från systemets optiska axel. Fokuseringsstrålknippet alstrar en hjälpstrâl- fläck på informationsstrukturen. Efter det att fokuseringsstrålknippet har reflekte rats genom informationsstrukturen passerar det genom objektivsystemet en andra gång och alstrar då en strålningsfläck, den s.k. fokuseringsfläcken, i de två fokuse- ringsdetektorernas plan. Graden av symmetri hos fokuseringsfläcken relativt fokuse~ ringsdetektorerna är angivande för fokuseringsgraden av fokuseringsstrålknippet och även avläsningsstrålknippet på informationsstrukturen.

Utsignalerna från fokuseringsdetektorerna behandlas elektroniskt till en styr- signal, som tillföres ett drivorgan, t.ex. en rörlig spole i objektivsystemet, gem vilket objektivsystemets läge relativt infonnationsstrukturen inställes.

Enligt US patentskriften 3.876.841 åstadkommes fokuseringsstrålknippet med hjälp av en halvgenomskinlig spegel placerad i lässtrålknippets strålgång, vilken spegel reflekterar en del av lässtrålknippet till en fullständigt reflekterande spc gel. På sin väg till objektivsystemet följer då fokuseringsstrålknippet en annan bana än lässtrålknippet.

Det har även föreslagits tidigare att införa ett strålningsavlänkande element lässtrålknippets strålgång på ena sidan om objektivsystemets optiska axel, varvid nämnda element har en ytstorlek som är väsentligt mindre än lässtrâlknippets tvär- snittsyta. Det strålningsavlänkande elementet, som kan bestå av en optisk kil elle» ett defraktionsgitter, tillser att en liten del av lässtrålknippet ges annan rikt- ning än strålknippet i övrigt. Nämnda del utnyttjas som fokuseringsstrålknippe.

Eftersom fokuseringsstrålknippet uppfyller endast en liten del av objektivsy- stemets pupill så blir hjälpstrålfläcken väsentligt större än lässtrålfläcken. Över hörning från infonnationsstrukturen i fokuseringssignalen är då så gott som elimior rad. Emellertid är hjälpstrålfläcken belägen på visst avstånd, t. ex. 40-50 /um från lässtrålfläcken. Detta innebär att fokuseringsfeldetekteringen blir beroende- en lokal snedställd del av uppteckningsbäraren.

För att minska detta beroende har tidigare föreslagits att anbringa ett strál ningsavlänkande element i strålgången för lässtrålknippet som reflekteras genom in formationsstrukturen och härrör från avläsningsstrålfläcken, och därvid på sådant sätt att det strâlningsavlänkande elementet avlänkar en del av det reflekterade lä strålknipptt till fokuseringsdetektorerna. Därvid utnyttjas endast en strålnings- 3 '7907748-3 fiäck på infonnationsstrukturen för såväi aviäsning av infonnationen som för aist~ ring av en fokuseringsfeisignai. Det ytområde på informationsstrukturen på viiket iässtråiknippet fokuseras utgör aiitid då det ytomrâde som håiier på att aviäsas.

Emeiiertid biir då fokuseringsstråiknippet och såiunda utsignaierna från fokuse- ringsdetektorerna aiitid moduierade genom infonnationsstrukturen. De högfrekventa moduiationerna från avsökningen av informationsdetaijerna kan bortfiitreras på eiek- tronisk väg. Inexaktheter i informationsstrukturen, som sträcker sig över ett antai informationsdetaijer och i synnerhet bristande iikformighet i informationsområdena, ger upphov tiii bredbandigt brus, viiket överiappar fokuseringsstyranordningens fre- kvensband. Detta brus ger upphov tiii en obehöviig justering av objektivsystemet.

Detta kommer tiii uttryck som en störande “fiadder" i objektivsystemet och medför dessutom onödig effektförbrukning. Ändamåiet med uppfinningen är att åstadkomma en aviäsningsapparat med en fo- kuseringsfeidetektoranordning i viiken fokuseringsfeisignaien är oberoende av iokai snedstäiida deiar av uppteckningsbäraren och ej påverkas av nämnda bredbandiga brus. För detta ändamåi är apparaten eniigt uppfinningen kännetecknad av att en stråiningstransmitterande och pianparaiieii piatta, vars yta är väsentiigt mindre är iässtråiknippets tvärsnittsyta, är anordnad i strâigången för iässtrâiknippet på en: sidan om objektivsystemets optiska axei för att aistra ett fokuseringsstråiknippe, víiket har samma riktning som iässtråiknippet och ej interfererar med iässtrâiknip« pet, och att ett stråiningsaviänkande eiement för aviänkning av fokuseringsstrâi- ~knippet tiii fokuseringsdetektorerna är anordnat i strâigângen för det genom infor- mationsstrukturen refiekterade fokuseringsstråiknippet.

Om iässtråiknippet är väsentiigen iinjärt poiariserat så kan nämnda pianparai- ieiia piatta bestå av en ;\/2-piatta vars huvudriktning biidar en vinkei av ungefär 450 med iässtråiknippets poiarisationsriktning, där}\ anger iässtråiknippets våg- iängd. Denna piatta åstadkommer vridning av poiarisationsriktningen för den dei av iässtråiknippet som utnyttjas som fokuseringsstråiknippe en vinkei 90° reiativt iässtråiknippets poiarisationsriktning.

Om sträiningskäiian innefattar en haiviedardiodiaser, viiken emitttrar fiera iongitudineiia moder, så kan man aivända en stråiningstransmitterande, pianparaiieii piatta med en tjockiek av ungefär mNL, där L representerar iängden av iaserresonans~ kaviteten, N betecknar resonanskavitetens effektiva brytningsindex och m anger ett uddatai. uppfinningen grundar sig på iakttageisen att man genom att iâta en dei av iäs~ stråiknippet passera en annan optisk vägiängd eiier genom att ge denna dei en annan poiaristionsriktning, kan uppnå att denna dei (=fokuseringsštråiknippet) ej intefe~ rerar med iässtråiknippet på informationsstrukturen. Två stråiningsfiäckar, en g79o774s-3 lässtrålfläpk och en hjälpstrålfläck, bildas då på inormationsstrukturen med samman- fallande centrumpunkter. Eftersom hjälpstrålfläckebildas av ett delstrålknippe som uppfyller endast en mindre del av objektivsystemets pupill, så blir hjälpstrålfläc- ken jämförelsevis stor och kommer att täcka ett stort antal informationsdetaljer, varigenom dessa detaljers inverkan på fokuseringsstrålknippet jämnas.

I det följande kommer uppfinningen att beskrivas under hänvisning till ritning- en, som visar ett utföringsexempel på en apparat enligt uppfinningen där strålnings- källan och informationsdetektorn bildar en och samma enhet. _ Ritningsfiguren visar en del av en rund, skivformad uppteckningsbärare 1 i ra- diellt tvärsnitt. Informationsstrukturen består exempelvis av en fasstruktur och innefattar en mångfald koncentriska eller kvasikoncentriska spår 2, vilka spår be- står av informationsområden omväxlande med mellanområden. Informationsområdena kan exempelvis bestå av gropar i uppteckningsbärarytan eller upphöjningar som utskjuter från denna yta. Informationen kan exempelvis bestå av ett färgtelevisionsprogramm men även annan infonnation såsom ett stort antal olika bilder eller digitalinforma- tion. Företrädesvis är informationsstrukturen anbringad på uppteckningsbärarens bak- sida.

Uppteckningsbäraren upplyses med ett lässtrålknippe 3 som erhålles från en diodlaser 4. Det antages att lasern emitterar linjärt polariserad strålning. Detta uppnås speciellt om den elektriska strömmen genom lasern väsentligt överskrider den s.k. tröskelstömmen, d.v.s. den elektriska ström vid vilken laserverkan uppstår. Ett objektivsystem, som kan innehålla ett system omfattande enligt ritningen två lins- system L1 och Lz fokuserar lässtrålknippet till en avläsningfläck Vi på infor- matiansstrukturen. Lässtrålknippet reflekteras genom informationsstrukturen och allt eftersom uppteckningsbäraren roterar moduleras detsamma i överensstämmelse med den information som är lagrad i ett spåravsnitt som skall avläsas. Efter reflektion pas- serar lässtrålknippet objektivsystemet en andra gång, varvid en bild V'í av läs- strålfläcken Vi bildas. På de ställen där fläcken V'i alstras är en detektor belägen, vilken fetektor omvandlar det modulerade lässtrålknippet till en elektrisk signal Si.

Om strålningskällan innefattar en diodlaser så kan denna diodlaser även utnytt- jas som informationsdetektor på det sätt som är beskrivet i bl.a. DE patentskriften ?.244.119. Detta är fallet för den på ritningen visade apparaten och hänvisningsbe- teckningen 4 anger en strålningskälla-detektorenhet. I beroende det reflekterade strålknippets intensitet kommer diodlaserns elektriska motstånd eller den från diod- laserns baksida emitterade strålningen att variera. Om en diodlaser utnyttjas som strålningskälla behövs inget strålninguppdelande element för att separera det från uppteckningsbäraren reflekterade, modulerade lässtrålknippet och det omodulerade 7907748-3 lässtrâlknippet som infaller på uppteck-=ng,bäraren Enligt uppfinningen innehåller strälgången för lässtrålknippet 3 en s.k. Å/2 platta É, vars yta är väsentligt mindre än lässtrâlknippets tvärsnittsyta.

Huvudriktningen eller den "snabba riktningen" för plattan 5 bildar en vinkel av 450 med lässtrålknippets polarisationsriktning. Plattans inverkan kan då beskrivas som en spegelomkastning av polarisationsriktningen för strålningen som passerar ge- nom densamma relativt plattans "snabba" ("fast") riktning. Polarisationsriktningen för strålknippesdelen 6, som passerar genom plattan 5, vilken del är visad genom de streckade linjerna i figuren, undergår sålunda en vridning av 90° relativt pola- risationsriktningen för strålknippet i övrigt.

I frånvaro av plattan 5 skulle strålningen i strålknippesdelen 6, som ej skulle kunna separeras från strålningen i lässtrålknippet 3, interferera med strålningen i lässtrålknippet 3 och en diffraktionsbegränsad strålningsfläck skulle alstras på informationsstrukturen. Eftersom strâlknippesdelen 6 har annan polarisationsriktning än lässtrâlknippet 3 om plattan 5 förefinnes, så kan strålningen i strålknippesdelen 6 ej llängre interferera med strålningen i lässtrålknippet. Därvid bildas förutom en lässtrålfläck Vi en hjälpstrålfläck Vf. Centrumpunkterna för dessa fläckar sam- manfaller såsom är visat i detaljförstoringen i figuren.

Strålknippet 6, som i det följande benämnes fokuscringsstrålknippe, uppfyller endast en mindre del av objektivsystemets pupill. Detta medför att hjälpstrålfläcken Vf blir väsentligt större än lässtrålfläfken Vi och täcker ett stort antal in- formationsområden och flera informationfspår samtidigt. Inverkan från informat'ons~ omiådena och spåren på fokuseringsstrålknippet och därigenom på fokuseringsfelsigna- sen *Pemer sålunda att utjämnas. För enkelhetens skull är hjälpstrålfläcken Vf visad mindre än sin verkliga storlek.

Ett avlänkningselement i form av en optisk kil 10 är anordnad i strålgången för fokuseringstrålknippet 6 som reflekteras av informationsstrukturen. Denna kil av- länkar fekuseringsstrålkn'ppet i riktning mot två strâlningskänsliga fokuseringsde- tektorer 7 och 8. Linssystemen L1 och L2 tillser att fokuseringsstrålknippet 6 koncentreras till en strålningsfläck eller fokuseringsfläck V'f på fokuseringsde- tektorerna.

De optisia elementen är så inriktade att i fall avståndet mellan informations- spårens 2 plan och objektivsystemet L1, L2 är korrekt, så erhåller strålningen som infaller på den optiska kilen den med den streckade linjer i figuren visade riktningen. Den optiska kilen avlänkar då fokuseringsstrâlknippet 6 på sådant sätt att fokuseringsfläcken blir symmetrisk med avseende på fokuseringsdetektorerna. Des- sa fokuseringsdctektorer mottager då lika mycket strålning och utsignalerna S7 och S8 från detektorerna 7 och 8 blir då lika. _79o774s-s Om infbnnationsstrukturens plan har förflyttats relativt objektivsystemet L1,L¿, så förändras infallsriktningen för strålknippet 6 på kilen 10 i det på ritningen visade föredragna utföringsexemplet, i vilket elementen 5 och 10 är place- rade i det bakre fbkalplanet för linssystemet L1. Detta medför att även riktningen för strålknippet 6, som passerar genom kilen 10, förändras och därigenom också läget av fokuseringsstrâlfläcken V'f relativt fokuseringsdetektorerna. Om infonnations- strukturens plan förflyttas mot objektivsystemet så kommer detektorn 7 att mottaga mera'strålning än detektorn 8. Om istället informationsstrukturens plan förflyttas bort från objektivsystemet så kommer detektorn 7 att mottaga mindre strålning än detektorn 8. h Signalerna S7 och S8 tillföres en elektronisk krets 9. I denna krets sub- tfaheras signalerna och behandlas till en fokuseringsstyrsignal rf på i och för sig känt sätt. Genom sistnämnda signal kan objektivsystemet förflyttas exempelvis längs den optiska axeln 00' tills signalerna S7, S8 blir lika stora. Om strål- ningskällan innefattar en diodlaser så är denna laser tillsammans med objektivsy- stemet och fokuseringsdetektorerna inrymda i ett litet rör med låg vikt och detta rör kan som helhet förflyttas längs den optiska axeln för att korrigera fokuce- r ingen .

Istället för en halvledardiodlaser är det alternativt möjligt att utnyttja en gaslaser, t.ex. en helium-neonlaser, som strålningskälla under förutsättning att lässtrålknippet är linjärt polariserat. Vid användning av en gaslaser mäste en se- t-rat informationsdetektor införas och lässtrålkníppet som reflekterats och module- rats genom infonnationsstrukturen måste separeras från lässtrålknippet som infaller pä uppteckningsbäraren.

En apparat enligt figuren där vinkeln mellan Ä /2~plattans huvudriktning och polarisationsriktningen för det linjärt polariserade strålknippet 3 uppgår till 450 utgör en föredragen utföringsfonn. En apparat där nämnda vinkel ej är exakt 450 eller där lässtrålknippet 3 ej är exakt linjärt polariserat fungerar också tillfredsställande fastän viss men fortfarande acceptabel överhö.ning erhålles.

Platta 5 tillser att centrumpunkterna för lässtrålfläcken Vi och hjälpstrâl- fläcken Vf väsentligen sammanfaller. En apparat enligt uppfinningen innehållande en platta 5 som ej är exakt planparallell och i vilken därför ett mindre avstånd av storlei.ordningen 1 /um erhålles mellan dessa centrumpunkter, fungerar också till- fredsställande.

I ett andra utföringsexempel på en anordning enligt uppfinningen är plattan 5 exempelvis tillverkad av glas eller plast och har en viss bestämd optisk tjocklek.

Dilstrâlknippet 6 som passerar genom plattan kommer då att ha en annan optisk väg- längd än lässtrålknippet i övrigt. Delstrålknippet 6, d.v.s. fokuseringsstrâlknip- pet, kan då ej längre interferera med lässträlknippet och även i detta fall 7 7907748-3 erhånes en liten iässtràifiäek vi och en jämförelsevis stor hjälpstråifläck vs på informationsstrukturen.

Därvid utnyttjas en speciell egenskap hos en halvledardiodlaser. En sådan laser är beskriven i "Philips' Technical Review", 36 (1976), sid. 190-200. En diodlaser kan, i synnerhet då den får arbeta med en elektrisk ström som närmar sig dess trös- kelström, emittera strålning inom ett antal s.k. longitudinella moder, d.v.s. inte bara en våglängd utan flera våglängder emitteras. För samtliga longitudinella moder gäller sambandet ni Ä i' = 2 N.L, där L representerar laserresonanskavitetens längd och N anger denna kavitets effektiva brytningsindex, medan Ä à betecknar våglängden för en mod och ni anger ett heltal av storleksordningen 1000.

Som en följd av att denna begränsning ställes på laserljusets våglängd kommer interferensgraden mellan strålknippesdelarna då laserstrålknippet uppdelas i två delstrålknippen som sedan återförenas, att bero på skillnaden i de optiska vägläng- derna för delstrålknippena. Vid en väglängdsskillnad lika med ett jämnt antal gånger N.L erhålles destruktiv eller konstruktiv interferens för samtliga longotudinella moder samtidigt. Detta medför en djupgående modulering i interferensmönstret. Om istället väglängdskillnaden är lika med udda antal gånger NL så blir interferensen för konsrkutiva moder (i,i+1, o.s.v.) växelvis konstruktiv och destruktiv. Som en följd härav kommer moduleringen i interferensnönstret att elimineras. När då den optiska tjockleken hos plattan 5 är lika med ett udda antal gånger NL, så kommer strålningen i delstrålknippet 6 som passerar genom nämnda platta ej längre att vara korrelerad med strålningen i lässtrålknippet i övrigt, varigenom interferens ej längre erhålles vid informationsstrukturen.

Sambandet (N'-1) D = n N L gäller då för plattan 5, där N' betecknar plattans brytningsindex, D anger plattans geometriska tjocklek och m betecknar ett uddatal. I ett utföringsexempel på en apparat enligt uppfinningen innefattande en diodlaser med N ~ 3,6 och L = 0,28 mm hade den tunnast möjliga (m = 1) glasplattan 5, för vilken gäller n = 1,5, en tjocklek av ungefär 2 mm. ' Kilen 10 skall vara anbringad i den skuggbild av plattan 5 som bildas av linsen L och uppteckningsbäuaren. ' Istället för en kil är det även möjligt att använda ett diffraktionsgitter för att inrikta fokuseringsstrålknippet på fokuscringsdetektorerna. Elementen 5 och 10 kan vara fästa på en transparent platta och mittemot varandra.

Om planet för elementen 5 och 10 skulle intaga ett godtyckligt höjdläge mellan linssystemen L1 och L2, så skulle läget av plattans 5 skuggbild bero av avstån- det mellan informationsstrukturens plan och objektivsystemet. Därför måste enligt uppfinningen tillses att planet för elementen 5 och 10 sammanfaller med linssystem- ets L1 fokalplan, så att därigenom dessa element avbildas på varandra via lins-

Claims (9)

7907748-3 8 systemet L1'och uppteckningsbäraren. Dessutom skall tillses att avståndet a mellan den optiska axeln 00' och foln seringsstrålknippets 6 centrum är lika med ungefär 0,7 gånger radien r för linsenx pupill. Vid avläsningsförfarandet som är illustrerat på ritningen, enligt viltet lässtrâlknippet passerar uppteckningsbäraren två gånger, blir inverkan av afäris; abheration i ohjektívsystemet på strålfläckens Vi fi)nu minsta möjliga vid använd- ning av den beskrivna fokuseringsfeldetekteringcn då uppteckningshärarens tjocklek varierar. Begränsningslinjen för fokuseringsdetektorerna bildar företrädesvis en spetsig vinkel, t.ex. 45°, med rörelseriktningen för fokuseringsstrålfläcken V'f då lä- get av informationsstrukturens plan varierar. Härigenom förhindras att fokuserings- styrsignalen rf blir kraftigt beroende av fokuseringsdetektorernas läge i nämnda riktning. Detta underlättar fokuseringsfeldetektoranordningens inställning vid sam- mansättning av avläsningsapparaten. Vid korrekt fokusering av lässtrålknippet kan fokuseringsstrâllläckan V'f ges symmetrisk fonn relativt fokuseringsdetektorerna genom att plattan, på vilken ele- menten 5 och 10 är fastsatta, vrides kring den optiska axeln 00'. Eftersom elementen 5 och 10 är belägna i strålgången för lässtrålknippet som är riktat mot uppteckningsbäraren så kommer lässtrålfläcken Vi att erhålla en något avlång fonm längs sammanbindningslinjen för elementen S och 10. I denna riktning blir då lässtrålknippets upplösning något mindre än i den däremot vinkelräta rikt- ningen. Inverkan av denna, i sig själv minimala, effekt kan reduceras genom att tillse att sammanbindningslinjen mellan elementen 5 och 10 bildar en vinkel av unge- fär 450 med riktningen för ett spår som skall avläsas. ÉÉÉÉPIKIÉX-

1. Agparat för avläsning av en optisk uppteckningsbärare med en strålningsreflek- terande och spårvis anordnad informationsstruktur, vilken apparat innefattar en strålningskälla som alstrar ett lässtrâlknippe, ett objektivsystem för att överföra lässtrålknippet via informationsstrukturen till en strålningskänslig informationsde- tektor, vars utsignal representerar den avlästa informationen, samt en optoelektro- nisk fokuseringsfeldetektoranordning för att bestämma avvikelsen mellan önskat och verkligt läge för objektivsystemets fokuseringsplan, vilken fokuseringsfeldetektor- anordning innefattar två strålningskänsliga fokuseringsdetektorer, vilka samverkar med ett smalt fokuseringsstrålknippe, varvid skillnaden mellan fokuseringsdetekto- rernas utsignaler är angivande för nämnda avvikelse, k ä n n e t e c k n a d av att en strälningstransmitterande och planparallell platta, vars yta är väsentligt mindre än lässtrålknippets tvärsnittyta, är anordnad i strålgângen för lässtrâlknippet på Y y-M - a” 19o114a-3 ena sidan om objektivsystemets optiska axel, ga; ;fe .1;ge; .if 1,x1..;1;..g;a1- knippe, som_har samma riktning som lässtrålknippet och ej interfererar med lässtrâl- knippet, och att ett strâlningsavlänkande element för att avlänka fbkuseringsstrâl- knippet till fokuseringsdetektorerna är anordnat i strålgängen för det genom infor- mationsstrukturen reflekterade fokuseringsstrålknippet;

2. Apparat enligt patentkravet 1, i vilken avläsningssträlknippet är väsentligen linjärt polariserat, k ä n n e t e c k n a d av att den planparallella plattan in- nefattar en Ä /2~platta vars huvudriktniñg bildar en vinkel av ungefär 45° med lässtrålknippets polarisationsriktning, varvid Ä anger lässtrålknippets våglängd.

3. Apparat enligt patentkravet 1, i vilken strâlningskällan innefattar en halv- ledardiodlaser som emitterar flera longitudinella moder, k 8 n n e t e c k n a d av att den planparalella plattan har en optisk tjocklek lika med ungefär mNL, där L representerar laserresonanskavitetens längd, N anger det effektiva brytningsindexet inun kaviteten, och där m anger ett udda tal.

4. Apparat enligt patentkravet 1,2 eller 3, k 3 n n e t e c k n a d av att det strâlningsavlänkande elementet bildas av ett diffraktionsgitter.

5. Apparat enligt patentkravet 1,2 eller 3, k 8 n n e t e c k n a d av att det strâlningsavlänkande elementei bildas av en optisk kilanordning.

6. Appaiat enligt något av de föregående patentkraven, k 3 n n e t e c k n a d av att *~o planparallella plattan och det strålningsnvlänkande elementet lr anbringado i det nakne rokalplanet för ett i objektivsystemet ingående linssystem som är belä- get närmast uppteckningsbäraren.

7. Apparat enligt nagot av de föreglende patentkraven,'k I n n e t a c k n a d av att avståndet mellan objektivsystemets optiska axel och den planparallella plattan: cen rum är lika med ungefär 0,7 gånger radien för obiektivsystemets pupill.

8. Apparat enligt-något av de föregående patentkraven, k I n n a t a c k n a d av att begränsningslinien mellan fokuseringsdetektorerna bildar an spetsig vinkel med den riktning i vilken den i fbkuseringsdetektorernas plan alstrada stralningsiläcken -rör sig vid uppträdande fokuseringsfel.

9. Apparat enligt något av de föreglende patentkraven, k I n n a t a c k n a d av att sammanbindningslinien mellan centrumpunkterna för den planparallalla plattan och det strâlningsavlänkanda elementet bildar en vinkel av ungaflr 46° mad avläs- ningsriktningen för ett informationssplr pl uppteckningsbïraren. _ .@.__--~ . _. 1 .H.._-...« .-4.,....-.-;...--..,__.._.. _