JP2803499B2 - アナログ・デジタルcmos集積回路 - Google Patents

アナログ・デジタルcmos集積回路

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JP2803499B2
JP2803499B2 JP4317017A JP31701792A JP2803499B2 JP 2803499 B2 JP2803499 B2 JP 2803499B2 JP 4317017 A JP4317017 A JP 4317017A JP 31701792 A JP31701792 A JP 31701792A JP 2803499 B2 JP2803499 B2 JP 2803499B2
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NEC Corp
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はアナログ・デジタルCM
OS集積回路に関し、特にテストモード回路を有する。
【0002】
【従来の技術】一般にコンパレータなどのアナログ回路
は定電流源を含んで構成されているため、これらを含ん
だアナログ・デジタル混載のCMOS集積回路の消費電
流は、デジタル・ロジックのみの通常のCMOS集積回
路に比較して数十〜数百倍と非常に大きい。
【0003】アナログ・デジタル混載のCMOS集積回
路では、内部ロジックに異常が生じてリーク電流が発生
しても、もともとの消費電流が大きいためにとらえ難
い。従来のCMOS集積回路のテスト回路は図3(a)
のブロック図に示すように、コンパレータ1の回路電流
をなくすテストモード信号Stを入力するテストモード
端子Ttを設けている。
【0004】図3(b)はコンパレータの回路図であ
る。コンパレータ1は差動回路1aと駆動回路1bから
なる通常のコンパレータで、この回路電流をカットする
ためにゲートにテストモード端子Ttに入力する信号S
tの反転信号StRが入力されるトランジスタQp3の
ゲート端TERを、駆動回路のトランジスタQp2と並
列に接続し、ゲートにテストモード信号Stが入力され
るトランジスタQn1,Qn4のゲート端TEを各々ト
ランジスタQn2,Qn3と並列に接続している。
【0005】テストモード信号Stがロウレベルの時、
この3つのトランジスタQp3,Qn1,Qn4はオフ
してあり、コンパレータ1は動作するが、ハイレベルの
時はトランジスタQp3がオンして、出力端TOの出力
信号SOはハイレベルに固定され、トランジスタQp2
のソース・ドレイン共に同電位となってドレイン電源か
らトランジスタQp2を流れる回路電流iD1がカット
される。
【0006】同様にトランジスタQn1,Qn4がオン
して節点T1,T2もロウレベルに固定される。バイア
ス回路から供給されるゲート基準電圧VG2も、バイア
ス回路をコンパレータ1と同じように論理ゲートを追加
して、ハイレベルに固定すれば、トランジスタQp1も
オフし、回路電流iD1がカットされる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】従来のアナログ・デジ
タルCMOS集積回路は、そのテストモードにおいて、
テスト端子をハイレベルにしてテストモードにしたとき
にコンパレータの動作が停止しその出力が固定されてし
まうため、入力端子にどのような信号を入力しようとも
内部回路には伝わらず、内部回路はある一定の状態のま
ま固定されてしまう。
【0008】したがって上記の固定された状態以外の内
部状態でリーク電流が発生するような場合にはそのリー
ク電流は全く検出できないし、その原因となる故障箇所
モードの解析が不可能であるという問題があった。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明のアナログ・デジ
タルCMOS集積回路は、アナログ回路とデジタル回路
を混載したCMOS回路を有し、テストモード信号によ
り制御され、前記アナログ回路の動作を停止させる論理
ゲートを有するアナログ・デジタルCMOS集積回路に
おいて、前記アナログ回路と論理的に等価な論理ゲート
と、内部回路への信号として前記アナログ回路の出力信
号と前記論理ゲートの出力とのいずれか一方を前記テス
トモード信号によって選択するセレクタ回路を有して構
成されている。
【0010】
【実施例】図1は本発明の第1の実施例を示す回路図で
ある。図3に示した従来例の回路に対して、コンパレー
タ1と論理的に等価とみなせるバッファ2と、テストモ
ード信号Stがコンパレータ1の出力する比較出力信号
S1かバッファ2の出力信号S2のいずれかを選択する
データセレクタ3aが追加されている。
【0011】データセレクタ3aはテストモード端子T
tのインバータ4を介した反転信号StRとバッファ出
力信号S2を2つの入力とするORゲート5と、そのO
R出力信号S5と比較出力信号S1を入力とするAND
ゲート6で構成されている。
【0012】次に回路の動作を説明するとテストモード
信号Stがロウレベルのとき、コンパレータ1は通常の
動作状態であり、インバータ4の反転出力信号StRが
ハイレベルであるから、OR出力信号S5出力もハイレ
ベルに固定され、内部回路7への出力信号S6として、
比較出力信号S5が伝えられる。
【0013】逆にテストモード信号Stがハイレベルの
とき、コンパレータ1は動作を停止しその出力信号S1
はハイレベルに固定される。一方インバータ4の出力信
号StRはロウレベルであるから、入力信号Siがバッ
ファ2を通して出力信号S6となる。
【0014】すなわちテストモード信号Stがハイレベ
ルにテストモード時にアナログ部であるコンパレータ1
の消費電流をカットし、内部ロジックのリーク電流の検
出感度を上げると同時に、停止したコンパレータ1のか
わりにバッファ2を経由して内部ロジックを動作させ
て、どのような状態でどの部分にリーク電流が発生する
かなどの解析が容易にできる。
【0015】図2は本発明の第2の実施例を示す回路図
である。2つのコンパレータとインバータ9,NAND
ゲート11,12でシュミット・トリガ回路7のインバ
ータを構成している。
【0016】このシュミット・トリガ回路7と直流特性
的は異なるが論理的には等価なインバータ8を入力端子
Tiに接続し、データセレクタ3bにより入力信号経路
を通常はシュミット・トリガ回路7に、テストモード時
にはインバータ8に切換えられて出力信号S13とな
り、第1の実施例と同様な効果が得られる。
【0017】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、コンパレ
ータなどアナログ回路を含むCMOS集積回路につい
て、アナログ回路を停止させてその電流をカットし消費
電流を数mAから数十mAに減らして内部回路での微小
なリーク電流の検出感度を上げることに加えて停止した
アナログ回路の機能を論理ゲートで代行させることによ
り、内部回路を通常と同じに動作させることができ、不
良モード,不良箇所の解析を容易にできるという効果が
ある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例の回路図である。
【図2】本発明の第2の実施例の回路図である。
【図3】(a),(b)はそれぞれ従来例のCMOS集
積回路の一例のアナログ・デジタル回路のブロック図お
よびコンパレータの回路図である。
【符号の説明】 1 コンパレータ 2 バッファ 3a,3b データセレクタ 4,8,9 インバータ 5,13 ORゲート 6 ANDゲート 7 シュミット・トリガ回路 10,11,12 NANDゲート St テストモード信号 Si 入力データ Ti 入力端子 Tt テストモード端子

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 アナログ回路とデジタル回路を混載した
    CMOS回路を有し、テストモード信号により制御さ
    れ、前記アナログ回路の動作を停止させる論理ゲートを
    有するアナログ・デジタルCMOS集積回路において、
    前記アナログ回路と論理的に等価な論理ゲートと、内部
    回路への信号として前記アナログ回路の出力信号と前記
    論理ゲートの出力とのいずれか一方を前記テストモード
    信号によって選択するセレクタ回路を有することを特徴
    とするアナログ・デジタルCMOS集積回路。
JP4317017A 1992-11-26 1992-11-26 アナログ・デジタルcmos集積回路 Expired - Lifetime JP2803499B2 (ja)

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JP4317017A JP2803499B2 (ja) 1992-11-26 1992-11-26 アナログ・デジタルcmos集積回路
US08/157,223 US5412315A (en) 1992-11-26 1993-11-23 Semiconductor integrated circuit adapted for a current-leak test

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JP4317017A JP2803499B2 (ja) 1992-11-26 1992-11-26 アナログ・デジタルcmos集積回路

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JPH06160466A JPH06160466A (ja) 1994-06-07
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JPH06160466A (ja) 1994-06-07
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