JP3573503B2 - 電流操向論理回路のための静電流テスト装置および方法 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は、一般に、半導体論理回路に関し、特に、電流操向論理回路の静電流パラメータ・テストに関する。
【0002】
【従来の技術】
CMOS論理回路の静電流テストは、集積回路における信頼性の問題を判定するための効果的なパラメータ・テストとして長く受け入れられてきた。既知の静的状態に回路を設定し、この静的状態におけるデバイスにより引き出される静電流を測定することによりこのテスト方法は始まる。測定された漏れ電流が所定の閾値レベルを越えるならば、信頼性に潜在的な問題があるため、そのデバイスは選別される。一般的なCMOSプロセスにおいて、この閾値レベルは約10〜20μAである。
【0003】
閾値レベルが小さな値であるために、デバイスが漏れ電流以外のいかなる付加静電流も消費しないことが、静電流テストには必要となる。一般的なCMOS回路にとって、このことは、ゲートのスイッチングにより生じるいかなる動電流をも削除するために、テストの間クロック信号を単に禁止にすることにより実現することができる。
【0004】
しかしながら、デバイスが通常動作状態でバイアス電流を消費する場合には、バイアス電流を禁止する必要があるため、通常動作状態でデバイスをテストすることはできない。このことは、回路の全ファミリの静電流をテストする際に事実上妨げとなる。例えば、図3に示す定電流論理ゲート30あるいは図4に示す折り返しソース結合論理ゲート35を含む論理回路は、通常動作の間消費されるバイアス電流のために静電流テストの使用の妨げとなる。しかし、定電流論理回路は通常のCMOSに比べて幾つかの重要な利点を持っており、このことは通常のCMOSよりもある用途においてより望まれることになる。
【0005】
定電流論理回路は、通常のCMOS論理回路の基本的な問題の一つである電磁干渉(EMI)を最小限に抑える。例えば、図1を参照して、CMOSインバータ10は、Pチャンネル電界効果トランジスタ(FET)14とNチャンネルFET12の導通領域が重なると、電流スパイクを示す。この電流スパイクは、FET12及びFET14のゲートに見られる入力電圧VINが、閾値電圧VTにほぼ等しい場合に生じる。図2(A)には、入力電圧VIN及び対応する出力電圧VOUTが示されている。図2(B)には、対応する電流スパイクが示されている。
【0006】
論理回路を通じてのこの電流スパイク、及びそのようなものの結果として、2つの望ましくない影響が生じる。最初の影響は、スイッチングによって引き起こされるノイズが、直接基板に結合されて、同じチップの下位のアナログ・ブロックに結合し、それによりアナログ・ブロックの性能が大幅に劣化するということである。第2の、さらに有害である可能性のある影響は、電流スパイクによって発生する電磁干渉(“EMI”)である。
【0007】
多くの適用例では、かなり長い距離にわたってチップまたはプリント回路基板全体に、論理ゲートに電流を供給する電源導体が道付けされている。この導体(不図示)は、導体の長さに正比例する有限のインダクタンスを有している。インダクタに電流が通ると、下記に示す、一般に知られた式に従って、電圧の変化dVが生じる:
dV=L×(dI/dT)
ここで、Lは、インダクタのインダクタンスを表し、dIは、図2(B)に示すように、対応する時間の変化dTに対する電流の変化を表している。その時、対応する電圧の変化dVが電源導体から放射され、電源導体はアンテナとしてふるまう。このことが、望ましくないレベルのEMIを生み出すことになる。
【0008】
低電力回路を必要としない用途に対しては、図3に示す定電流論理ゲート30が、電流スパイクをほとんど除去するために使用され得る。定電流論理ゲート30は、電源電圧VDDを受ける電源端子22に接続されたソース、所定のバイアス電圧VBIASを受けるためのゲート24、及びドレインを備えた第1のPチャンネル電流源トランジスタMP1を含んでいる。Pチャンネル・トランジスタMP1は、所定量の定電流を導通させるためにトランジスタをバイアスするバイアス電圧を有する定電流源としてふるまう。定電流論理ゲート30は、Pチャンネル・トランジスタMP1のドレインに接続されたドレイン、共通電圧GNDを受けるための共通端子20に結合されたソース、及び入力電圧VINを受けるためのゲート16を備えた、第1のNチャンネル・トランジスタMN1も含んでいる。
【0009】
第2のダイオード接続トランジスタMN2が、Nチャンネル・トランジスタMN1と並列をなしている。ダイオード接続トランジスタMN2は、互いに結合し、Pチャンネル・トランジスタMP1のドレインに接続された、ゲート及びドレインを備えている。ダイオード接続トランジスタMN2は、共通端子20に結合されたソースも備えている。トランジスタMN2のゲート・ドレイン接続は、出力電圧信号VOUTを供給するための出力端子18に接続されている。
【0010】
こうして得られる定電流論理ゲート30がそう呼ばれるのは、VINの状態に関係なく一定の静電流を導通するためである。このことは、入力電圧VINにおける許容電圧レベルを考察することによって明らかになる。通常の動作条件下では、所定量の定電流を導通させるため、Pチャンネル・トランジスタMP1をバイアスするための所定の電圧レベルに、バイアス電圧VBIASが設定される。一方、入力電圧VINは、第1と第2の電圧レベルまたは状態の間でトグル動作する。
【0011】
第1の状態の場合、入力電圧レベルは、NチャンネルFET MN1をオンにするには不十分である。第1の状態は、入力電圧VINがMN1の閾値電圧VT未満の場合に生じる。Nチャンネル・トランジスタMN1がオフになると、全電流が、ダイオード接続トランジスタMN2に流れることになる。出力電圧VOUTは、高レベルであり、下記の式で表される振幅を備えている:
VOUT=(2×I/[K×W/L])×0.5+VT
ここで、
I=MN2を介して供給される電流
K=誘電率
W=ゲート幅
L=ゲート長
第2の状態の場合、Nチャンネル・トランジスタMN1がオンになり、従って、出力電圧VOUTは、MN1のドレイン・ソース電圧と等しくなる。しかし、ドレイン・ソース電圧は、入力電圧が閾値電圧VTをどれほど上回るかによって、ほぼゼロになる。ドレイン・ソース電圧は、ダイオード接続トランジスタMN2が電流を導通できるようにするには不十分である。結果として、全電流が、Nチャンネル・トランジスタMN1に導通することになる。
【0012】
定電流論理ゲート30は、図1のインバータ10と論理的に同等である。さらに、論理ゲート30は、対応するCMOSに比べると電磁放射が少ない。しかし、インバータ10とは異なり、定電流論理ゲート30は、入力電圧VINの状態に関係なくDC電流経路を備えている。従って、ゲート30の静電流テストを実施することはできない。
【0013】
2つの状態のどちらかの間で入力電圧信号の遷移が生じるので、一方のトランジスタからもう一方のトランジスタに転じる際、電流にわずかな揺動が発生する。しかし、揺動の大きさは、図1のインバータによって生じるノイズ・スパイクよりはるかに小さい。従って、電源導体の誘導成分によって生じる対応する電圧降下は、比例して減少する。ノイズ特性の改善によって、定電流論理回路は、低ノイズ用途に関して、一般的なCMOSよりも優れたものになる。しかし、定バイアス電流のため、バイアス電流を禁止しなければ、定電流論理回路において静電流テストを実施することはできない。
【0014】
図4に示すように、差動入力信号に関して、同様の定電流論理ゲートを構成することが可能である。図4に示す論理ゲートは、一般に、折り返しソース結合論理回路(FSCL)と呼ばれる。FSCLゲート35は、対称で差動構成をとるように配置された、2つの定電流論理ゲートを含んでいる。最初の片方には、電流源トランジスタMP2、入力トランジスタMN3、及びダイオード接続トランジスタMN4が含まれている。もう片方は、電流源MP3、入力トランジスタMN5、及びダイオード接続トランジスタMN6から構成される。定電流論理ゲート30とは異なり、FSCLゲート35の入力トランジスタMN3及びMN5は、第2のNチャンネル電流源MN7に結合されている。電流源MP2及びMP3は、第1のバイアス電圧VB1によってバイアスされる。第2の電流源MN7は、独立したバイアス電圧VB2によってバイアスされる。
【0015】
FSCLゲート35の片方ずつが、定電流論理ゲート30とほぼ同様に作動する。ダイオード接続トランジスタが電流を導通するか、あるいは対応する入力トランジスタが、対応するPチャンネル電流源、すなわちMP2またはMP3によって生じる電流を導通する。しかし、シングル・エンド定電流論理ゲート30とは異なり、入力トランジスタMN3及びMN5は、逆極性の信号IN及び/INによって差動方式で駆動される。従って、当業者には明らかなように、MN3とMN5のいずれかが導通するが、両方ではない。従って、差動出力端子40及び42は、反転差動出力OUT及び/OUTを作り出すために、互いに逆極性になる。
【0016】
FSCLゲート30は、また、定電流論理ゲート30と同じ低ノイズ特性を示す。FSCLゲート30は、電流の量はほとんど変化させずに、1つの経路からもう1つの経路に電流の“操向”を行うことによって、定電流論理ゲート30と同様にこれを実現している。定電流論理ゲートと同様、FSCLゲート35では全ての入力状態においてDC経路が存在するため、静電流テストを実施することができない。従って、定電流論理回路ファミリの静電流テストに対する要求が依然として存在する。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の目的は、通常の動作条件においてバイアス電流を消費するCSL論理デバイスをテストすることである。
【0018】
本発明のもう1つの目的は、集積回路において静電流テスト方法を実現するための回路を提供することである。
【0019】
【課題を解決するための手段】
本発明には、入力、出力、及び、バイアス・ノードをそれぞれ備え、所定の論理機能を実現するため、ゲートの入力及び出力が所定の方式で接続された、複数の定電流論理ゲートが含まれる。第1の通常動作モードにおけるバイアス電圧源と静電流テスト・モードにおける遮断電圧源の間において、各ゲートのバイアス・ノードをスイッチングするためにバイアス・スイッチング手段が用いられる。好ましい実施例の場合、スイッチング手段には、マルチプレクサが含まれる。
【0020】
さらに、論理ゲートに、出力に結合されたダイオード接続トランジスタが含まれている場合、強制的に出力を論理的低レベルにし、静電流テスト・モード時にダイオード接続トランジスタを出力から分離するため、セル・スイッチング手段が、ダイオード接続トランジスタのゲートとドレインの間に挿入される。
【0021】
本発明はまた、折り返しソース結合論理ゲートのような、差動静電流論理ゲートにも拡張される。差動論理ゲートの場合、それぞれのバイアス・ノードをスイッチするため、第1と第2のバイアス・スイッチング手段が含まれている。さらに、差動論理ゲートに、各差動出力に結合されたダイオード接続トランジスタが含まれている場合、各ダイオード接続トランジスタのゲートとドレーンの間に、セル・スイッチング手段が挿入される。セル・スイッチング手段は、それぞれの差動出力を強制的に論理的低レベルにし、静電流テスト・モードにおいてダイオード接続トランジスタを出力から分離する。
【0022】
本発明の利点は、実施に大幅なシリコン領域の追加を必要としないということである。
【0023】
本発明の以上の、及びその他の目的、特徴、及び、利点については、添付の図面を参照しながら進められる、本発明の好ましい実施例に関する下記の詳細な説明からさらに明白になるであろう。
【0024】
【実施例】
図5には、本発明による、静電流テスト能力を備えた定電流論理ゲート45が示されている。簡略化して例示するため、図5には、単一の論理ゲートだけしか示されていない。しかし、本発明の原理は、複数のそのような論理ゲートを備える全集積回路に拡張することが可能である。
【0025】
論理ゲート45には、トランジスタMP1、MN1、及びMN2を含む図3の定電流論理ゲート30だけでなく、マルチプレクサ46と、2つの追加NチャンネルトランジスタMN12及びMN13も含まれている。マルチプレクサ46には、並列に接続された2つのNチャンネルトランジスタMN10及びMN11が含まれている。MN10のドレインは、バイアス電圧VBIASを受けるための端子48に結合され、ソースはMP1のゲートに結合され、MN10のゲートは、第1の選択信号Aを受信するための端子50に結合される。第2のトランジスタMN11のドレインは、好ましい実施例においてはVDDである遮断電圧を受けるための端子52に結合されている。MN11のソースは、並列接続を形成するためにMN10のソースに結合されている。MN11のゲートは、選択信号Aとは逆極性の選択信号/Aを受信するための端子54に結合されている。
【0026】
マルチプレクサ46は、通常モードにおけるバイアス電圧VBIASと第1の静的テスト・モードにおける遮断電圧VDDの間で、MP1のゲートにおける電圧をスイッチする。選択信号A及びその相補信号/Aによって、ドレインで受ける電圧をそれぞれのソースに結合するため、MN10とMN11のいずれかが使用許可になるが、両方共許可されることはない。MP1のゲートにおける電圧が、VBIASに等しい、すなわち、Aが許可される場合、MP1は通常、電流源としての働きをする。対照的に、MP1のゲートにおける電圧がVDDに等しい、すなわち、/Aが許可される場合、ゲート・ソース電圧はほぼゼロになり、MP1が遮断する。従って、マルチプレクサ46が、信号A及び/Aの状態に基づいて、MP1をオンまたはオフにする。
【0027】
当業者には明らかなように、他のマルチプレクサ構成によって、この同じ機能を実現することが可能である。例えば、好ましい実施例におけるように、NチャネルFETよりはむしろトランジスタMN10及びMN11を伝送ゲートにすることが可能である。さらに、マルチプレクサは、独立した各ゲートの一部、例えば、図5に示すように、標準的なセルとすることもできるし、あるいは、バイアス電圧発生回路(不図示)に含めることも可能である。後者の場合、単一のマルチプレクサと、定電流論理ゲートの一部または全てを結合して、テスト回路が消費する追加シリコン領域を最小限に抑えることが可能である。
【0028】
図2の定電流論理ゲート30に対するもう1つの変更は、ダイオード接続トランジスタMN2のドレインとゲートの間に挿入される、Nチャンネル・トランジスタMN12の追加である。MN12のドレインは、MN2のドレインに接続され、MN12のソースは、MN2のゲート並びに出力端子18に接続される。MN12のゲートは、第2の選択信号Bを受信するための端子56に結合される。定電流論理ゲート30には、トランジスタMN13も追加される。トランジスタMN13のドレインはMN2のゲートに結合され、MN13のソースはGND端子20に結合される。MN13のゲートは、選択信号Bと相補的な選択信号/Bを受信するための端子58に結合される。従って、MN12及びMN13は、選択信号B及び/Bの状態に基づいて、相互に排他的に、動作する。
【0029】
通常モードの場合、選択信号Bが許可されてMN12がオンになる。MN12がオンになると、MN2のドレイン及びゲートが、実質上結合される。これに対し、相補性選択信号/Bが禁止されてトランジスタMN13がオフになる。従って、通常モードの場合、トランジスタMN2は、図2の場合と同様、ダイオード接続トランジスタとして有効に動作する。
【0030】
第2の静電流テスト・モードの場合、選択信号Bが禁止され、信号/Bが許可される。信号Bが禁止されると、トランジスタMN12がオフになり、MN2のトランジスタが出力端子18から有効に分離される。さらに、MN13によって、出力信号VOUTが強制的に論理低レベルにされる。さらに後述するように、論理ゲートが直列である場合に、第2のテスト・モードにおいて、後続の論理ゲート(不図示)がオンになるのを回避するためには、VOUTを論理低レベルにする必要がある。
【0031】
第2の静電流テスト・モード45は、2段階で実施される。第1段階のテストは、MP1によるいずれの静電流に対してであり、第2段階のテストは、MN1またはMN2によるいずれの静電流に対するものである。第1段階の場合、MP1のゲートに供給される電圧は、バイアス電圧VBIASから遮断電圧VDDにスイッチされる。これは、選択信号Aを禁止して、相補性信号/Aを許可し、選択信号Bを許可して、相補性信号/Bを禁止することによって実現される。次に、論理回路に供給される静電流が測定される。静電流が所定の限界を超えると、そのデバイスは、信頼性の問題に可能性有りとして選別される。
【0032】
テスト段階では、トランジスタMP1をオフにしようとして、MP1を分離する。MN1及びMN2を使用許可しても、MP1が何の静電流をも引き出さない場合には、何の静電流をも検出すべきではない。しかし、MP1が、例えば、MP1のソースとドレインの短絡によって静電流を引き出す場合、MN1またはMN2のいずれかが、VINの状態に基づいてこの電流を供給するであろう。従って、第1のテスト・モードは、MP1によるいずれの静電流問題をも分離する。
【0033】
第2段階において、信号Aを許可し、信号/Aを禁止することによって、MP1はオンになり、トランジスタMN1及びMN2は、オフになる。トランジスタMN1及びMN2は、入力電圧VINを禁止して、選択信号Bを禁止し、選択信号/Bを許可することによってオフになる。入力電圧VINを禁止すると、MN1がオフになる。信号Bを禁止すると、トランジスタMN2が出力端子18から分離される。信号/Bを許可すると、出力電圧VOUTを論理的低レベルに引くことによってMN2をオフにし、出力端子18に接続されたいずれの入力トランジスタをもオフする二重の効果がある。MN1とMN2の両方をオフにすると、MP1によって供給可能な電流が、これらのトランジスタを通ってGNDに流れることができなくなる。従って、測定されるべき静電流は何もない。しかし、静電流が測定される場合には、MN1とMN2のいずれかに、例えば、ドレイン・ソース間の短絡とか、低インピーダンスといった、静電流を流させる欠陥があることを意味している。従って、測定静電流が所定のレベルを超えると、そのデバイスは、MN1とMN2のいずれかのために、信頼性の問題に可能性有りとして選別される。下記の表1には、対応する注記と共に、選択信号A、/A、B、及び/Bの状態を表した表が示されている。
【0034】
【表1】
【0035】
図6には、静電流テスト能力を備えた差動定電流論理ゲート60が示されている。論理ゲート60は、図4のFSCLゲート35に対応するものであり、ゲートの静電流テストを可能にするための回路が追加されている。共通部分の参照番号は、説明を容易にするため、図4と図6の間で同じになっている。FSCLゲートに加えて、論理ゲート60には、第1のマルチプレクサ62及び第2のマルチプレクサ64と、2つのダイオード接続トランジスタMN4及びMN6に接続されたFET MN24〜MN27が含まれている。第1のマルチプレクサ62は、トランジスタMP2及びMP3のゲートに結合されたFET MN20及びMN21から構成される。MN20のドレインは、図4において必要とされるのとほぼ同じバイアス電圧である、第1のバイアス電圧VB1を受けるための端子66に結合される。一方、MN21のドレインは、この場合、電源電圧VDDに対応する第1の遮断電圧を受けるための端子68に結合される。MN20及びMN21のソースは、互いに並列に接続されている。そのソースはさらにトランジスタMP2とMP3のゲートに結合される。MN20のゲートは、選択信号Xを受信するための端子70に結合されている。MN21のゲートは、信号Xと逆極性の選択信号/Xを受信するための端子72に結合されている。
【0036】
マルチプレクサ62は、バイアス電圧VB1と遮断電圧VDDの間で、トランジスタMP2及びMP3のゲートにおける電圧をスイッチする。MP2及びMP3のゲートにおける電圧は、信号X及び/Xの状態によって決まる。Xが論理的に高く、従って/Xが論理的に低い場合、トランジスタMN20がオンになり、MN21がオフになる。従って、MP2及びMP3のゲートにおける電圧は、ほぼVB1に等しい。トランジスタMP2及びMP3はその通常の動作点にバイアスされ、論理ゲートのそれぞれの脚に電流を供給するので、この状態は、通常の動作モードに対応する。しかし、信号Xが論理的に低く、従って/Xが論理的に高い場合、トランジスタMN20がオフになり、MN21がオンになる。従って、MP2及びMP3のゲートにおける電圧は、ほぼVDDに等しくなる。トランジスタMP2及びMP3がオフになり、欠陥がなければ、何の電流をも導通しないので、この状態は、さらに後述するように、トランジスタMP2及びMP3をテストするための静電流テスト・モードに対応する。
【0037】
同様に、第2のマルチプレクサ64は、トランジスタMN7のゲートに結合されたFET MN22及びMN23から構成される。MN22のドレインは、第2のバイアス電圧VB2を受けるための端子74に結合されている。一方、MN23のドレインは、この場合、共通電圧GNDに対応する第2の遮断電圧を受けるための端子76に結合されている。マルチプレクサ62の場合と同様、MN22及びMN23は、並列接続をなすように互いに結合されている。ソースはさらに、トランジスタMN7のゲートに結合されている。MN22のゲートは、選択信号Yを受信するための端子78に結合されている。一方、MN23のゲートは、信号Yとは逆極性の選択信号/Yを受信するための端子80に結合されている。
【0038】
マルチプレクサ64は、バイアス電圧VB2と遮断電圧GNDの間で、トランジスタMN7のゲートにおける電圧をスイッチする。MN7のゲートにおける電圧は、信号Y及び/Yの状態によって決まる。Yが論理的に高く、従って/Yが論理的に低い場合、トランジスタMN22がオンになり、MN23がオフになる。従って、MN7のゲートにおける電圧は、VB2にほぼ等しくなる。トランジスタMN7が通常の動作点にバイアスされ、入力電圧VINの状態に基づいて、トランジスタMN3またはMN5のいずれかから電流を吸い込むので、この状態は通常の動作モードに対応する。
【0039】
しかし、信号Yが論理的に低く、従って/Yが論理的に高い場合、トランジスタMN22がオフになり、MN23がオンになる。従って、MN7のゲートにおける電圧がGNDとほぼ等しくなる。トランジスタMN7がオフになり、欠陥がなければ、何の電流をも導通しないので、この状態はMN7をテストする静電流テスト・モードに対応する。好ましい実施例の場合、マルチプレクサ62及び64は論理ゲートから分離され、多重論理ゲート(図6には示されていない)に接続するために、代わりに、バイアス電圧発生源に配置されている。マルチプレクサは、各ゲート毎に、標準的なセルに直接組み込むことも可能であるが、これには、シリコン領域の追加が必要になる。
【0040】
定電流論理ゲート45と同様に、論理ゲート60の通常のダイオード接続トランジスタMN4及びMN6は、ダイオード接続トランジスタの出力を強制的に論理的低レベルにし、静電流テスト・モードにおいてトランジスタを論理ゲート出力から分離するため、それらに追加トランジスタが結合されている。ダイオード接続トランジスタMN4のドレインとゲート間には、トランジスタM24が挿入されている。MN24のソースはMN4のドレインに結合され、MN24のドレインはMN4のゲートに結合される。MN24のゲートは、選択信号Zを受信するための端子82に結合される。
【0041】
トランジスタMN25は、トランジスタMN4をオフにすることによって、端子40における出力電圧/OUTを強制的に低くするため、MN4のゲートに結合される。MN25のドレーンは、MN4のゲートに結合され、MN25のソースは、端子20に結合される。MN25のゲートは、選択信号Zと相補性の選択信号/Zを受信するための端子84に結合されている。トランジスタMN24及びMN25は、上述のダイオード接続トランジスタMN2に対するトランジスタMN12及びMN13の動作と正確に同じやり方で、ダイオード接続トランジスタMN4に対して動作する。
【0042】
ダイオード接続トランジスタMN6は、MN4と同じ構成になっている。ダイオード接続トランジスタMN6のドレインとゲート間には、トランジスタMN26が挿入されている。MN26のソースはMN6のドレインに結合され、MN26のドレインは、MN6のゲートに結合される。MN26のゲートは、選択信号/Zを受信するための端子86に結合される。
【0043】
トランジスタMN27は、トランジスタMN6をオフにすることによって、端子42における出力電圧OUTを強制的に低くするため、MN6のゲートに結合される。MN27のドレインはMN6のゲートに結合され、MN27のソースは端子20に結合される。MN27のゲートは、選択信号/Zを受信するための端子88に結合されている。
【0044】
通常の動作モードの場合、選択信号X、Y、及びZは全て許可され、従って、/X、/Y、及び/Zは禁止される。Xが許可されると、マルチプレクサ62は、トランジスタMP2及びMP3のゲートにバイアス電圧VB1を印加する。ゲート60のそれぞれの脚に電流を供給するために、バイアス電圧VB1はトランジスタMP2及びMP3をそれらの導通領域へとバイアスする。Yが許可されると、マルチプレクサ64は、トランジスタMN7のゲートにバイアス電圧VB2を印加する。MN3とMN5のいずれかからのいかなる電流をも供給することをMN7に可能にするように、バイアス電圧VB2はMN7をその導通領域へとバイアスする。Zが許可されると、トランジスタMN24及びMN26がオンになり、MN25及びMN27がオフになる。従って、ダイオード接続トランジスタMN4及びMN6が、両方ともダイオードとしての働きをする。従って、MP2及びMP3によって生じた電流が、対応する入力トランジスタまたはダイオード接続トランジスタを通して流れることで、論理ゲート60は、図4の論理ゲート35と同等の働きをする。
【0045】
静電流テスト・モードの第1段階では、選択信号Xが禁止され、従って/Xが許可されるが、選択信号Y及びZは許可されたままである。選択信号Xを禁止すると、マルチプレクサ62は、MP2及びMP3のゲートに見られる電圧をバイアス電圧VB1から遮断電圧VDDにスイッチする。この結果、MP2とMP3の両方とも遮断され、MP2またはMP3によるいかなる電流の発生も禁止される。MP2及びMP3が遮断されると、端子22から流れ出る、別様に考えると端子20に流れ込むべき電流は何もない。端子20または22において、何らかの電流が検出される場合は、MP2またはMP3に欠陥があるに違いない。従って、第1の静電流モードは、トランジスタMP2またはMP3のいかなる欠陥をも検出する。
【0046】
静電流テスト・モードの第2段階では、選択信号Y及びZ、並びに入力IN及び/INが禁止されるが、選択信号Xは許可される。信号Xが許可されると、トランジスタMP2及びMP3のゲートにバイアス電圧VB1が印加される。従って、これらのトランジスタは、電流が流れるDC経路が存在する場合、電流を供給することが可能である。しかしながらY及びZが禁止され、回路に欠陥が存在しない場合には、その回路に何のDC経路もあるべきではない。従って、静電流が検出される場合、その時は残りの回路に欠陥が存在する。こうして、回路全体について、静電流テストを実施することが可能である。下記表2には、論理ゲート60に関する利用可能なモードの要約が示されている。
【0047】
【表2】
【0048】
その好ましい実施例において本発明の原理を図示し、記述してきたが、こうした原理を逸脱することなく、本発明の配置や細部の変形が可能であることは、当業者には容易に明白である。例えば、図示の定電流論理ゲートは、全てインバータであるが、同じ本発明の技法を利用して、例えば、ORゲート、ANDゲート、NORゲート等の任意の定電流論理ゲートに静電流能力を付加することが可能である。また、混合数とゲート数との間の正確な対応は、設計制約に基づいて変形することも可能である。添付する特許請求項の精神及び範囲内に含まれる全ての変形を特許請求する。
【0049】
以下に本発明の実施態様を列挙する。
【0050】
1. 入力、出力、及びバイアス・ノードをそれぞれ有する複数の静的定電流論理ゲートで、該ゲートの入力及び出力が、所定の論理機能を実現するために所定方式で接続されている、複数の静的定電流論理ゲートと、
第1の通常動作モードにおけるバイアス電圧源と第2の静電流テストモードにおける遮断電圧源の間で、各ゲートのバイアス・ノードをスイッチするためのバイアス・スイッチング手段とから構成される論理回路。
【0051】
2. バイアス・スイッチング手段が、バイアス電圧を受ける第1の入力、遮断電圧を受ける第2の入力、バイアス・ノードに結合された出力と、動作モードとテスト・モードの間で選択を行うための選択信号を受信する制御入力とを有するマルチプレクサから成ることを特徴とする前項1記載の論理回路。
【0052】
3. 各静的定電流論理ゲートは、出力に結合されたダイオード接続トランジスタを含むことを特徴とする前項1記載の論理回路。
【0053】
4. 各静的定電流論理ゲートは、さらに、出力を強制的に論理的低レベルにし、第2の静電流テスト・モードにおいて、ダイオード接続トランジスタを出力から分離するために、ダイオード接続トランジスタのアノードを形成するゲートとドレインの間に挿入されるセル・スイッチング手段から構成されることを特徴とする前項3記載の論理回路。
【0054】
5. スイッチング手段が、
ダイオード接続トランジスタのドレインに結合される第1の電流ノード、出力に結合される第2の電流ノード、及び第1の選択信号を受信するためのゲートを有する第1のトランジスタと、
出力に結合される第1の電流ノード、GNDに結合される第2の電流ノード、及び第2の選択信号を受信するためのゲートを有する第2のトランジスタとから構成されることを特徴とする前項4記載の論理回路。
【0055】
6. 第1と第2の差動入力、第1と第2の差動出力、及び第1と第2のバイアス・ノードをそれぞれ有する複数の静的定電流論理ゲートであり、該ゲートの入力及び出力が、所定の論理機能を実現するために所定方式で接続されている複数の静的定電流論理ゲートと、
第1の通常動作モードにおける第1のバイアス電圧源と第1の静電流テスト段階における第1の遮断電圧源の間で、各ゲートの第1のバイアス・ノードをスイッチするための第1のバイアス・スイッチング手段と、
第1の通常動作モードにおける第2のバイアス電圧源と第2の静電流テスト段階における第2の遮断電圧源の間で、各ゲートの第2のバイアス・ノードをスイッチするための第2のバイアス・スイッチング手段とから構成される差動論理回路。
【0056】
7. 第1のバイアス・スイッチング手段が、第1のバイアス電圧を受けるための第1の入力、第1の遮断電圧を受けるための第2の入力、第1のバイアス・ノードに結合される出力と、動作モードとテスト・モードの間で選択を行う第1の選択信号を受信するための第1の制御入力を有する第1のマルチプレクサから成ることを特徴とする前項6記載の論理回路。
【0057】
8. 第2のバイアス・スイッチング手段が、第2のバイアス電圧を受けるための第1の入力、第2の遮断電圧を受けるための第2の入力、第2のバイアス・ノードに結合される出力と、動作モードとテスト・モードの間で選択を行う第2の選択信号を受信するための第2の制御入力を有する第2のマルチプレクサから成ることを特徴とする前項6記載の論理回路。
【0058】
9. 各静的定電流論理ゲートは、
出力に結合される第1のダイオード接続トランジスタと、
出力に結合される第2のダイオード接続トランジスタとを含むことを特徴とする前項6記載の論理ゲート。
【0059】
10. 各定静電流論理ゲートは、さらに、
出力を強制的に論理的低レベルにし、第2の静電流テスト段階において、ダイオード接続トランジスタを出力から分離するために、第1のダイオード接続トランジスタのアノードを形成するゲートとドレインの間に挿入される第1のセル・スイッチング手段と、
出力を強制的に論理的低レベルにし、第2の静電流テスト段階において、ダイオード接続トランジスタを出力から分離するために、第2のダイオード接続トランジスタのアノードを形成するゲートとドレインの間に挿入される第2のセル・スイッチング手段とから構成されることを特徴とする前項9記載の論理ゲート。
【0060】
11. 第1のスイッチング手段が、
第1のダイオード接続トランジスタのドレインに結合される第1の電流ノード、出力に結合される第2の電流ノード、及び第1の選択信号を受信するためのゲートを有する第1のトランジスタと、
出力に結合される第1の電流ノード、GNDに結合される第2の電流ノード、及び第2の選択信号を受信するためのゲートを有する第2のトランジスタとから構成されることを特徴とする前項10記載の論理回路。
【0061】
12. 第2のスイッチング手段が、
第2のダイオード接続トランジスタのドレインに結合される第1の電流ノード、出力に結合される第2の電流ノード、及び第1の選択信号を受信するためのゲートを有する第1のトランジスタと、
出力に結合される第1の電流ノード、GNDに結合される第2の電流ノード、及び第2の選択信号を受信するためのゲートを有する第2のトランジスタとから構成されることを特徴とする前項10記載の論理回路。
【0062】
13. 入力、バイアス電圧を受けるためのバイアス・ノード、及び出力を各論理ゲートは有する複数の論理ゲートを備える静電流論理回路を設けるステップと、
第1の通常動作モードにおけるバイアス電圧源と静電流テスト・モードにおける遮断電圧源との間でバイアス・ノードをスイッチングするステップと、
論理回路に供給される電流を測定するステップとから構成される論理回路の静電流テスト方法。
【0063】
14. さらに、測定電流と所定の故障限界の比較を行うステップからなることを特徴とする前項13記載の静電流テスト方法。
【0064】
15. さらに、測定電流が所定の故障限界より小さい場合には回路を機能グループに選別し、測定電流が故障限界より大きい場合には回路を故障グループに選別するステップからなることを特徴とする前項13記載の静電流テスト方法。
【0065】
16. さらに、
遮断電圧源からバイアス電圧源にバイアス・ノードをスイッチングするステップと、
各論理ゲートの入力及び出力を強制的に論理的低レベルにするステップと、
論理回路に供給される電流を測定するステップとからなることを特徴とする前項13記載の静電流テスト方法。
【0066】
17. さらに、測定電流と所定の故障限界を比較するステップからなることを特徴とする前項16記載の静電流テスト方法。
【0067】
18. 1対の差動入力、第1のバイアス電圧を受けるための第1のバイアス・ノード、第2のバイアス電圧を受けるための第2のバイアス・ノード、及び1対の差動出力を各論理ゲートは有する複数の論理ゲートを備えた静電流論理回路を設けるステップと、
通常動作モードにおける第1のバイアス電圧と第1の静電流テスト段階における第1の遮断電圧の間で、第1のバイアス・ノードをスイッチングするステップと、
テスト段階において、論理回路に供給される電流を測定するステップとから構成される論理回路の静電流テスト方法。
【0068】
19. さらに、通常動作モードにおける第2のバイアス電圧と第2の静電流テスト段階における第2の遮断電圧の間で、第2のバイアス・ノードをスイッチングするステップからなることを特徴とする前項18記載の静電流テスト方法。
【0069】
20. さらに、各テスト・モードにおける測定電流が所定の故障限界より小さい場合には回路を機能グループに選別し、測定電流が故障限界より大きい場合には故障グループに選別するステップからなることを特徴とする前項19記載の静電流テスト方法。
【0070】
【発明の効果】
本発明は上述のように構成したので、定電流論理ゲートの通常駆動時にはバイアス電流を流し、静電流測定時にはバイアス電流を遮断するマルチプレクサを設けることにより、ノイズ特性に優れた定電流論理ゲート(特にFSCLゲート)の静電流を測定することにより、デバイスの良否判断が可能となる。また、各論理ゲートの出力電圧を強制的に論理低レベルにするセル・スイッチング回路を設けることにより、集積回路内に多数存在する各種論理ゲートを分離して各論理ゲートについての静電流測定を行うことが可能となる。さらに、前記マルチプレクサは集積回路内の各論理ゲートに共通のバイアス発生源にのみ設ければよいので、大幅なシリコン領域の追加は必要としないという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】CMOSインバータの概略図である。
【図2】(A)は図1のインバータの入出力電圧の波形を示す図である。
(B)は(A)の電圧波形に対応する、図1のインバータを通る電流の波形を示す図である。
【図3】定電流論理ゲートの概略図である。
【図4】折り返しソース結合論理ゲートの概略図である。
【図5】静電流テスト能力を備えた、図3の定電流論理ゲートの概略図である。
【図6】静電流テスト能力を備えた、図4の折り返しソース結合論理ゲートの概略図である。
【符号の説明】
45 定電流論理ゲート
46 マルチプレクサ
60 差動定電流論理ゲート
62 マルチプレクサ
64 マルチプレクサ
MN1 Nチャンネル・トランジスタ
MN2 ダイオード接続トランジスタ
MN12 第1のトランジスタ
MN13 第2のトランジスタ
MN24 第1のセル・スイッチング手段
MN25 ダイオード接続トランジスタ
MN26 第2のセル・スイッチング手段
MN27 ダイオード接続トランジスタ
Claims (23)
- 入力、出力、及びバイアス・ノードを有する折り返しソース結合論理ゲートであって、
通常動作モードの間、ほぼ一定の電流を消費することからなる、折り返しソース結合論理ゲートと、
通常動作モードにおけるバイアス電圧源と静電流テストモードにおける遮断電圧源との間で、前記バイアス・ノードを切り換えるためのバイアス・スイッチング手段
を備える、論理回路。 - 前記バイアス・スイッチング手段が、バイアス電圧を受けるための第1の入力と、遮断電圧を受けるための第2の入力と、バイアス・ノードに結合された出力と、バイアス電圧と遮断電圧との間で選択を行うための選択信号を受け取るための制御入力とを有するマルチプレクサを備える、請求項1の論理回路。
- 入力、出力、及びバイアス・ノードを有する静電流論理ゲートであって、該出力に結合されたアノードを形成するゲートとドレインを有するダイオード接続トランジスタを備える、静電流論理ゲートと、
通常動作モードにおけるバイアス電圧源と静電流テストモードにおける遮断電圧源との間で、前記バイアス・ノードを切り換えるためのバイアス・スイッチング手段
を備える、論理回路。 - 静電流論理ゲートが、静電流テストモードにおいて、前記ダイオード接続トランジスタを前記出力から分離するための手段をさらに備える、請求項3の論理回路。
- 前記分離するための手段が、
前記ダイオード接続トランジスタのドレインとゲートの間に配置された第1のトランジスタであって、第1の選択信号を受け取るためのゲートを有する、第1のトランジスタ
を備える、請求項4の論理回路。 - 第1と第2の差動入力、第1と第2の差動出力、及び第1と第2のバイアス・ノードを有する静電流論理ゲートと、
通常動作モードにおける第1のバイアス電圧源と第1の静電流テスト段階における第1の遮断電圧源との間で、前記第1のバイアス・ノードを切り換えるための第1のバイアス・スイッチング手段と、
通常動作モードにおける第2のバイアス電圧源と第2の静電流テスト段階における第2の遮断電圧源との間で、前記第2のバイアス・ノードを切り換えるための第2のバイアス・スイッチング手段
を備える、差動論理回路。 - 第1のバイアス・スイッチング手段が、
第1のバイアス電圧を受けるための第1の入力と、
第1の遮断電圧を受けるための第2の入力と、
第1のバイアス・ノードに結合される出力と、
第1のバイアス電圧と第1の遮断電圧との間で選択を行うために第1の選択信号を受け取るための第1の制御入力
とを有する第1のマルチプレクサを備える、請求項6の論理回路。 - 第2のバイアス・スイッチング手段が、
第2のバイアス電圧を受けるための第1の入力と、
第2の遮断電圧を受けるための第2の入力と、
第2のバイアス・ノードに結合される出力と、
第2のバイアス電圧と第2の遮断電圧との間で選択を行うために第2の選択信号を受けとるための第2の制御入力
とを有する第2のマルチプレクサを備える、請求項6の論理回路。 - 静電流論理ゲートが、
前記第1の差動出力に結合されるアノードを形成するゲートとドレインを有する第1のダイオード接続トランジスタと、
前記第2の差動出力に結合されるアノードを形成するゲートとドレインを有する第2のダイオード接続トランジスタ
を備える、請求項6の論理回路。 - 静電流論理ゲートが、さらに、
第2の静電流テスト段階において、前記第1の差動出力を強制的に所定の論理レベルにするための第1の強制手段と、
第2の静電流テスト段階において、前記第1のダイオード接続トランジスタを前記第1の差動出力から分離するための第1の分離手段と、
第2の静電流テスト段階において、前記第2の差動出力を強制的に所定の論理レベルにするための第2の強制手段と、
第2の静電流テスト段階において、前記第2のダイオード接続トランジスタを前記第2の差動出力から分離するための第2の分離手段
を備える、請求項9の論理回路。 - 前記第1の分離手段が、前記第1のダイオード接続トランジスタのドレインとゲートの間に配置されて、第1の選択信号を受け取るためのゲートを有する第1のトランジスタを備え、
前記第1の強制手段が、前記第1の差動出力に結合された第1のノード、GNDに結合された第2のノード、及び第2の選択信号を受け取るためのゲートを有する第2のトランジスタを備えることからなる、請求項10の論理回路。 - 前記第2の分離手段が、前記第2のダイオード接続トランジスタのドレインとゲートの間に配置されて、第1の選択信号を受け取るためのゲートを有する第1のトランジスタを備え、
前記第2の強制手段が、前記第2の差動出力に結合された第1の電流ノード、GNDに結合された第2の電流ノード、及び第2の選択信号を受け取るためのゲートを有する第2のトランジスタを備えることからなる、請求項10の論理回路。 - 論理回路用の静電流テスト方法であって、
入力と、バイアス電圧を受けるためのバイアス・ノードと、出力とを有する静電流論理ゲートを備える論理回路を設けるステップと、
通常動作モードにおけるバイアス電圧源と静電流テストモードにおける遮断電圧源との間でバイアス・ノードを切り換えるステップと、
前記論理ゲートによって消費される静電流を測定するステップ
からなる、方法。 - 測定された静電流と所定の故障限界とを比較するステップをさらに含む、請求項13の方法。
- 測定された電流が、いつ所定の故障限界より大きくなるかを検出するステップをさらに含む、請求項13の方法。
- 遮断電圧源からバイアス電圧源にバイアス・ノードを切り換えるステップと、
静電流テストモードの第2の段階の間、前記論理ゲートの入力及び出力を強制的に低論理レベルにするステップと、
静電流テストモードの第2の段階の間、前記論理ゲートによって消費される静電流を測定するステップ
をさらに含む、請求項13の方法。 - 測定された静電流と所定の故障限界を比較するステップをさらに含む、請求項16の方法。
- 論理回路用の静電流テスト方法であって、
1対の差動入力、第1のバイアス電圧を受けるための第1のバイアス・ノード、第2のバイアス電圧を受けるための第2のバイアス・ノード、及び1対の差動出力を有する静電流論理ゲートを備える論理回路を設けるステップと、
通常モードの間、前記第1のバイアス・ノードに前記第1のバイアス電圧を印加するステップと、
通常モードの間、前記第2のバイアス・ノードに前記第2のバイアス電圧を印加するステップと、
第1の静電流テスト段階において、前記第1のバイアス電圧と第1の遮断電圧との間で、前記第1のバイアス・ノードを切り換えるステップと、
前記第1のテスト段階において、前記論理ゲートによって消費される静電流を測定するステップ
からなる、方法。 - 通常モードにおける前記第2のバイアス電圧と第2の静電流テスト段階における第2の遮断電圧との間で、前記第2のバイアス・ノードを切り換えるステップをさらに含む、請求項18の方法。
- 測定された電流が、所定の故障限界より大きくなるときを検出するステップをさらに含む、請求項19の方法。
- 静電流論理ゲートが、静電流テストモードにおいて、前記出力を強制的に低論理レベルにするための強制手段をさらに備える、請求項4の論理回路。
- 前記強制手段が、
前記出力に結合された第1のノード、GNDに結合された第2のノード、及び、第2の選択信号を受け取るためのゲートを有する第2のトランジスタ
を備える、請求項21の論理回路。 - 第2の静電流テスト段階の間、前記論理ゲートの差動入力及び差動出力を、強制的に低論理レベルにするステップをさらに含む、請求項18の方法。
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