JP3980560B2 - テスト可能なカスコード回路およびそれをテストする方法 - Google Patents
テスト可能なカスコード回路およびそれをテストする方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3980560B2 JP3980560B2 JP2003580877A JP2003580877A JP3980560B2 JP 3980560 B2 JP3980560 B2 JP 3980560B2 JP 2003580877 A JP2003580877 A JP 2003580877A JP 2003580877 A JP2003580877 A JP 2003580877A JP 3980560 B2 JP3980560 B2 JP 3980560B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- test
- voltage
- cascode
- transistor
- cascode circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/27—Testing of devices without physical removal from the circuit of which they form part, e.g. compensating for effects surrounding elements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Description
- IC出力110の前段に配置されている出力ドライバ101(典型的には、プッシュ/プルまた
はオープン・ドレイン出力)、または、
- 出力ドライバ101のための制御信号を生成するレベルシフタ102が、存在するとの認識に
基づく。
- ノードC'のポテンシャルがノードD'のポテンシャルより高い場合、電圧降下dVは約1V(ダイオード電圧)であり、かつ、
- ノードC'のポテンシャルがノードD'のポテンシャルより低い場合、電圧降下dVは約0Vである、
特性を有する付加ブラック・ボックス15が、挿入されている。
必要となる。したがって、このテスト回路は、チップ上に大きな領域を必要とする。
ックグラウンド電流よりかなり多い場合しか、動作しない。したがって、テスト・トランジスタは、大きく設計しなければならない。
スト回路も説明していない。
結果については多くの議論がある。
この方法は、デバイス全体の全てのノードB'(図8)のポテンシャルが、特定の値を越えてはいけないと言う事実に基づく。
図12を参照して上述した方法Aは、図8のブラック・ボックス12、22のうちの1つにかかる電圧が、トランジスタ1個当たりの最大許容電圧を決して越えないと言う条件の下で、有効である。これが真でない場合には、図11に示されかつ上述したように(図6参照)、高度なカスケーディング技術が典型的に使用される。この場合、テストには、図13に図式的に示される方法Bが、使用されるべきである。
(i) nチャンネルMOSトランジスタ11には、決して過電圧が、存在しない、すなわち、ノードB'のポテンシャルは、特定の値を決して越えてはならない。この問題は、上に説明した方法Aと同様にして解決することができる(図13の箱91参照)。
項目(i)と(ii)が肯定的の結果を与える場合だけ、テストは肯定的となり(93)、さもなければ、テストは否定的となる(94)。
ブラック・ボックス15の上側の電圧降下が、低過ぎ、したがって、上述したノードC'の上述したテスト方法により検出されるか、または、
ブラック・ボックス15の上側の電圧降下が、大き過ぎ、したがって、従来の機能テストの間に、検出可能である、
の何れかの結果を有する。
12 ブラック・ボックス
13 カスコード・トランジスタ
15 ブラック・ボックス
19 グランド−電圧ライン
21 pチャンネルMOSトランジスタ
22 カスコード回路
23 カスコード回路
29 正電源−電圧ライン
30 テスト・トランジスタ
31 第一テスト・ポイント
32 第二テスト・ポイント
43 第三のテスト・ポイント
44 第四のテスト・ポイント
100 ICデバイス
101 出力ドライバ
104, 105 高電圧ライン
110 IC出力
Claims (14)
- 高電圧から保護されるべき電子素子と、前記電子素子に接続されているカスコード素子と、を備えるカスコード回路をテストするカスコード回路テスト方法であって、
前記電子素子と前記カスコード素子との間にテスト・ノードを配置するステップと、
前記テスト・ノードに接続されるテスト・トランジスタのゲートであって前記テスト・ノードにおける電圧が所定の電圧制限を超えたときまたは所定の電圧制限よりも下がったときに前記テスト・トランジスタがオンされるようなゲートと、第1のテスト・ポイントに接続されるソースと、第2のテスト・ポイントに接続されるドレインと、を備える前記テスト・トランジスタを前記テスト・ノードに割り当てると共に前記テスト・ノードに前記テスト・トランジスタの制御端子を接続するステップと、
前記カスコード素子を起動させるステップと、
前記テスト・ノードにおける電圧が所定の電圧制限を超えたときまたは所定の電圧制限よりも下がったときに前記第1のテスト・ポイントと前記第2のテスト・ポイントとの間の電流の流れを検出するステップと、
を備えることを特徴とするカスコード回路テスト方法。 - 前記電子素子がグランド−電圧ラインに接続されている場合に、前記所定の電圧制限が前記電子素子に適用可能な上側の電圧制限となるように選択されるか、または、前記電子素子が供給電圧ラインに接続されている場合に、前記電圧制限が供給電圧から前記電子素子に適用可能な上側の電圧制限を減じた電圧となるように選択されるかの何れかである請求項1に記載のカスコード回路テスト方法。
- 前記テスト・トランジスタは、MOS型電界効果トランジスタ(FET)である、請求項1または請求項2の何れかに記載のカスコード回路テスト方法。
- 前記カスコード回路の正確な動作または不正確な動作をテストするため、または、前記テスト・ノードにおける電圧を決定するために、電流の流れの前記検出が使用される請求項1ないし請求項3の何れかに記載のカスコード回路テスト方法。
- 第1の電圧が前記第1のテスト・ポイントに印加され、前記第1の電圧とは異なる第2の電圧が前記第2のテスト・ポイントに印加され、かつ、電流の流れが前記第1のテスト・ポイントおよび前記第2のテスト・ポイントの間で検出されると共に、
前記電子素子がグランド−電圧ラインに接続されている場合に、前記第1の電圧が前記電子素子に適用可能な上側の電圧制限となるように選択されるか、または、前記電子素子が供給電圧ラインに接続されている場合に、前記第1の電圧が供給電圧から前記電子素子に適用可能な上側の電圧制限を減じた電圧となるように選択されるかの何れかであり、何れの場合においても、前記第2の電圧が前記第1の電圧から1ないし15%ほど僅かに異なるように選択される、請求項1または請求項4の何れかに記載のカスコード回路テスト方法。 - 前記電子素子は第1チャネル伝導形のMOS型FETを備えると共に、前記テスト・トランジスタは同一の前記第1チャネル伝導形のMOS型FETとなるように選択される、請求項1ないし請求項5の何れかに記載のカスコード回路テスト方法。
- 前記カスコード回路は高電圧から保護されるべき複数の電子素子と複数のカスコード素子とを備え、各カスコード素子が電子素子に接続されると共に、テスト・トランジスタのグループにおける少なくとも1つのテスト・トランジスタがオンに切り換えられるか否かを前記少なくとも1つのテスト・ラインの電気信号が指示するように、前記テスト・トランジスタのグループが少なくとも1つのテスト・ラインにより接続されている、請求項1ないし請求項6の何れかに記載のカスコード回路テスト方法。
- テスト・トランジスタの前記グループの全てのソースが、前記第1のテスト・ポイントに接続されると共に、テスト・トランジスタの前記グループの全てのドレインが、前記第2のテスト・ポイントに接続されている、請求項7に記載のカスコード回路テスト方法。
- 前記カスコード素子が逐次的に起動される、請求項7または請求項8の何れかに記載のカスコード回路テスト方法。
- 高電圧から保護されるべき電子素子と、
前記電子素子に接続されたカスコード素子と、
前記電子素子と前記カスコード素子との間に配置されたテスト・ノードと、
前記テスト・ノードに接続されたゲート、第1のテスト・ポイントに接続されたソース、第2のテスト・ポイントに接続されたドレインを有し、前記テスト・ノードにおける電圧が所定の電圧制限を超えたときまたは所定の電圧制限よりも下がったときにオンに切り換えられるように配置されたテスト・トランジスタと、
前記第1のテスト・ポイントへ第1の電圧を供給する手段、および、第2のテスト・ポイントへ前記第1の電圧とは異なる第2の電圧を供給する手段と、
前記第1のテスト・ポイントおよび前記第2のテスト・ポイントの間の電流の流れを検出する手段と、
を備えるカスコード回路。 - 前記テスト・トランジスタは、MOS型電界効果トランジスタ(FET)である、請求項10に記載のカスコード回路テスト方法。
- 前記電子素子第1チャネル伝導形のMOS型FETを備えると共に、前記テスト・トランジスタは同一の前記第1チャネル伝導形のMOS型FETである、請求項10または請求項11の何れかに記載のカスコード回路
- 前記カスコード回路は高電圧から保護されるべき複数の電子素子と複数のカスコード素子とを備え、各カスコード素子が電子素子に接続されると共に、テスト・トランジスタのグループにおける少なくとも1つのテスト・トランジスタがオンに切り換えられるか否かを前記少なくとも1つのテスト・ラインの電気信号が指示するように、前記テスト・トランジスタのグループが少なくとも1つのテスト・ラインにより接続されている請求項10ないし請求項12の何れかに記載のカスコード回路。
- テスト・トランジスタの前記グループの全てのソースが、前記第1のテスト・ポイントに接続されると共に、テスト・トランジスタの前記グループの全てのドレインが、前記第2のテスト・ポイントに接続されている、請求項11および請求項13の何れかに記載のカスコード回路。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP02007493 | 2002-04-02 | ||
PCT/IB2003/001162 WO2003083496A1 (en) | 2002-04-02 | 2003-03-31 | Testable cascode circuit and method for testing the same |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005521878A JP2005521878A (ja) | 2005-07-21 |
JP2005521878A5 JP2005521878A5 (ja) | 2006-04-06 |
JP3980560B2 true JP3980560B2 (ja) | 2007-09-26 |
Family
ID=28459454
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003580877A Expired - Fee Related JP3980560B2 (ja) | 2002-04-02 | 2003-03-31 | テスト可能なカスコード回路およびそれをテストする方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7504846B2 (ja) |
EP (1) | EP1499904B1 (ja) |
JP (1) | JP3980560B2 (ja) |
AT (1) | ATE510223T1 (ja) |
AU (1) | AU2003212596A1 (ja) |
WO (1) | WO2003083496A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5343851B2 (ja) * | 2007-08-02 | 2013-11-13 | 凸版印刷株式会社 | 半導体評価回路 |
EP2093580B1 (en) * | 2008-02-25 | 2012-08-15 | Dialog Semiconductor GmbH | Supply current based testing of CMOS output stages |
TW200937841A (en) * | 2008-02-29 | 2009-09-01 | Holtek Semiconductor Inc | Voltage-to-current converter circuit |
CN111999627B (zh) * | 2020-08-04 | 2022-12-16 | 苏州浪潮智能科技有限公司 | 一种基于压降电路的mos管验证固定架构及验证方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4656417A (en) * | 1985-07-29 | 1987-04-07 | International Business Machines Corporation | Test circuit for differential cascode voltage switch |
US5995010A (en) | 1997-01-02 | 1999-11-30 | Texas Instruments Incorporated | Output buffer providing testability |
US6211693B1 (en) * | 1997-12-23 | 2001-04-03 | Texas Instruments Incorporated | Testability circuit for cascode circuits used for high voltage interface |
US5942922A (en) * | 1998-04-07 | 1999-08-24 | Credence Systems Corporation | Inhibitable, continuously-terminated differential drive circuit for an integrated circuit tester |
-
2003
- 2003-03-31 WO PCT/IB2003/001162 patent/WO2003083496A1/en active Application Filing
- 2003-03-31 EP EP03708421A patent/EP1499904B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-03-31 US US10/509,863 patent/US7504846B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-03-31 JP JP2003580877A patent/JP3980560B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-03-31 AT AT03708421T patent/ATE510223T1/de not_active IP Right Cessation
- 2003-03-31 AU AU2003212596A patent/AU2003212596A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060232289A1 (en) | 2006-10-19 |
WO2003083496A1 (en) | 2003-10-09 |
JP2005521878A (ja) | 2005-07-21 |
US7504846B2 (en) | 2009-03-17 |
AU2003212596A1 (en) | 2003-10-13 |
EP1499904B1 (en) | 2011-05-18 |
EP1499904A1 (en) | 2005-01-26 |
ATE510223T1 (de) | 2011-06-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7519486B2 (en) | Method and apparatus to test the power-on-reset trip point of an integrated circuit | |
US6487687B1 (en) | Voltage level shifter with testable cascode devices | |
US7436206B2 (en) | Semiconductor integrated circuit | |
JPH0580633B2 (ja) | ||
KR100292728B1 (ko) | 반도체 집적회로의 정지시 전류측정법 및 그에 적합한 반도체 집적 회로 | |
JP3980560B2 (ja) | テスト可能なカスコード回路およびそれをテストする方法 | |
US6580285B2 (en) | Output buffer circuit with switching speed control circuit | |
US5469076A (en) | Static current testing apparatus and method for current steering logic (CSL) | |
JPH06334010A (ja) | 論理回路 | |
US8860425B2 (en) | Defect detection on characteristically capacitive circuit nodes | |
US6774656B2 (en) | Self-test for leakage current of driver/receiver stages | |
US5999390A (en) | Input buffer circuit for semiconductor device | |
US6972612B2 (en) | Semiconductor device with malfunction control circuit and controlling method thereof | |
Raghuwanshi et al. | Run Time $ V_ {th} $ Extraction Based On-Chip NBTI Mitigation Sensor for 6T SRAM Cell | |
EP0350943B1 (en) | Semiconductor integrated circuit including output buffer | |
US20060125540A1 (en) | Mixing prevention circuit for preventing mixing of semiconductor chips and semiconductor chip discrimination method | |
US6051442A (en) | CMOS integrated circuit device and its inspecting method and device | |
JP3189744B2 (ja) | 半導体装置 | |
US5886935A (en) | High and negative voltage compare | |
WO1997008832A1 (en) | Cmos buffer circuit having power-down feature | |
KR0172415B1 (ko) | 반도체 메모리 장치내의 외부입력신호 검출회로 | |
EP1332502A2 (en) | Method for testing integrated circuits | |
JPH0225775A (ja) | 半導体集積回路 | |
JP2003207543A (ja) | 半導体装置およびテスト方法 | |
JP2008185443A (ja) | 半導体検査装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060215 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060216 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20060801 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070201 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070208 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20070409 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070508 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070601 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070627 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100706 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100706 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100706 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110706 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120706 Year of fee payment: 5 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120706 Year of fee payment: 5 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120706 Year of fee payment: 5 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120706 Year of fee payment: 5 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120706 Year of fee payment: 5 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130706 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |