JP2795000B2 - α−［ｐ−（ジエチルアミノ）フェニル］−Ｎ−（アルキルフェニル）ニトロン化合物及び光脱色性材料 - Google Patents
α−［ｐ−（ジエチルアミノ）フェニル］−Ｎ−（アルキルフェニル）ニトロン化合物及び光脱色性材料Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体集積回路
の製造における写真食刻工程用のマスクのように被写体
の像のコントラストを増強させるための光脱色性材料の
主成分として好適な新規なニトロン化合物及び該ニトロ
ン化合物を含有する光脱色性材料に関する。
の製造における写真食刻工程用のマスクのように被写体
の像のコントラストを増強させるための光脱色性材料の
主成分として好適な新規なニトロン化合物及び該ニトロ
ン化合物を含有する光脱色性材料に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】リソグ
ラフィー技術において、ホトレジストを所望のパターン
形状に露光し、現像してできるレジスト像は、露光像の
コントラストが大きいほど垂直に近い壁を持つ形状にな
るものであるが、非常に高い解像度の露光を行う場合、
露光像のコントラストが低下し、鮮明なレジスト像を得
ることができなくなるという問題がある。
ラフィー技術において、ホトレジストを所望のパターン
形状に露光し、現像してできるレジスト像は、露光像の
コントラストが大きいほど垂直に近い壁を持つ形状にな
るものであるが、非常に高い解像度の露光を行う場合、
露光像のコントラストが低下し、鮮明なレジスト像を得
ることができなくなるという問題がある。
【０００３】そこで、解像度及びパターン形状の解像を
図る方法として、波長３００〜４５０ｎｍの光に対して
吸収極大を持つコントラスト増強用の光脱色性層（特公
昭６２−４０６９７号公報、特開昭６２−２３４１４８
号公報参照）を用いたレジストパターン形成方法等が提
案されており、その光脱色性材料の主成分であるニトロ
ン化合物は、下記のような構造を有する。
図る方法として、波長３００〜４５０ｎｍの光に対して
吸収極大を持つコントラスト増強用の光脱色性層（特公
昭６２−４０６９７号公報、特開昭６２−２３４１４８
号公報参照）を用いたレジストパターン形成方法等が提
案されており、その光脱色性材料の主成分であるニトロ
ン化合物は、下記のような構造を有する。
【０００４】
【化２】
【０００５】しかしながら、上記光脱色性材料の主成分
であるニトロン化合物は、光脱色性材料に結合剤として
使用される樹脂との相溶性が満足できるものではなく、
このため上記光脱色性材料をホトレジスト上にスピンコ
ートした後に１２時間以上放置すると、ニトロン化合物
が結晶化してしまう。このようにニトロン化合物が結晶
化してしまった部分では塗膜に欠陥を生じてしまうた
め、微細なレジストパターンを得ることができず、その
かつ歩留りも上がらないという問題点がある。従って、
結合剤としての樹脂との相溶性が極めて良好であり、光
脱色性材料（ＣＥＭ：Ｃｏｎｔｒａｓｔ Ｅｎｈａｎｃ
ｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ）の主成分として有用なニト
ロン化合物が求められている。
であるニトロン化合物は、光脱色性材料に結合剤として
使用される樹脂との相溶性が満足できるものではなく、
このため上記光脱色性材料をホトレジスト上にスピンコ
ートした後に１２時間以上放置すると、ニトロン化合物
が結晶化してしまう。このようにニトロン化合物が結晶
化してしまった部分では塗膜に欠陥を生じてしまうた
め、微細なレジストパターンを得ることができず、その
かつ歩留りも上がらないという問題点がある。従って、
結合剤としての樹脂との相溶性が極めて良好であり、光
脱色性材料（ＣＥＭ：Ｃｏｎｔｒａｓｔ Ｅｎｈａｎｃ
ｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ）の主成分として有用なニト
ロン化合物が求められている。
【０００６】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
樹脂との相溶性に優れ、微細なレジストパターンの形成
が高歩留りで可能となるコントラスト増強用の光脱色性
材料の主成分として有用な新規なニトロン化合物及び該
ニトロン化合物を含有する光脱色性材料を提供すること
を目的とする。
樹脂との相溶性に優れ、微細なレジストパターンの形成
が高歩留りで可能となるコントラスト増強用の光脱色性
材料の主成分として有用な新規なニトロン化合物及び該
ニトロン化合物を含有する光脱色性材料を提供すること
を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明者は上記
目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、例えば下記
一般式（２）で示されるアルキルニトロベンゼンの水素
添加を行った後、これに４−ジエチルアミノベンズアル
デヒドを反応させることにより合成できる下記一般式
（１）で示されるα−［ｐ−（ジエチルアミノ）フェニ
ル］−Ｎ−（アルキルフェニル）フェニルニトロン化合
物が、コントラスト増強用の光脱色性材料の主成分とし
て有用であり、特に波長３６５ｎｍの光（ｉ線）でのコ
ントラスト増強リソグラフィーにおいて大いに威力を発
揮し得ることを見出した。
目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、例えば下記
一般式（２）で示されるアルキルニトロベンゼンの水素
添加を行った後、これに４−ジエチルアミノベンズアル
デヒドを反応させることにより合成できる下記一般式
（１）で示されるα−［ｐ−（ジエチルアミノ）フェニ
ル］−Ｎ−（アルキルフェニル）フェニルニトロン化合
物が、コントラスト増強用の光脱色性材料の主成分とし
て有用であり、特に波長３６５ｎｍの光（ｉ線）でのコ
ントラスト増強リソグラフィーにおいて大いに威力を発
揮し得ることを見出した。
【０００８】
【化３】 （但し、式中Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４及びＲ５はそれぞ
れ同種又は異種の１価のアルキル基又は水素原子であ
り、かつ少なくとも１つはｏ位に置換された１価のアル
キル基である。）。
れ同種又は異種の１価のアルキル基又は水素原子であ
り、かつ少なくとも１つはｏ位に置換された１価のアル
キル基である。）。
【０００９】即ち、上記（１）式の新規なニトロン化合
物は、特にｉ線に対して光脱色性を有し、既知ニトロン
化合物と比べて光脱色性材料の結合剤としての樹脂との
相溶性が極めて良好であり、ホトレジスト上にスピンコ
ートした後に放置してもニトロン化合物の結晶化、即ち
フィルムの欠陥が生じないため、微細なレジストパター
ンの形成が可能であり、しかも歩留りが向上する。それ
故、（１）式のニトロン化合物を用いて光脱色性材料を
調製し、ｉ線でのコントラスト増強リソグラフィーを行
うと、高コントラスト、高解像度、高精度で微細なレジ
ストパターンを高歩留りで形成することができることを
知見し、本発明をなすに至ったものである。
物は、特にｉ線に対して光脱色性を有し、既知ニトロン
化合物と比べて光脱色性材料の結合剤としての樹脂との
相溶性が極めて良好であり、ホトレジスト上にスピンコ
ートした後に放置してもニトロン化合物の結晶化、即ち
フィルムの欠陥が生じないため、微細なレジストパター
ンの形成が可能であり、しかも歩留りが向上する。それ
故、（１）式のニトロン化合物を用いて光脱色性材料を
調製し、ｉ線でのコントラスト増強リソグラフィーを行
うと、高コントラスト、高解像度、高精度で微細なレジ
ストパターンを高歩留りで形成することができることを
知見し、本発明をなすに至ったものである。
【００１０】以下、本発明につき更に詳細に説明する
と、本発明の新規なニトロン化合物は下記一般式（１）
で示されるα−［ｐ−（ジエチルアミノ）フェニル］−
Ｎ−（アルキルフェニル）ニトロン化合物である。
と、本発明の新規なニトロン化合物は下記一般式（１）
で示されるα−［ｐ−（ジエチルアミノ）フェニル］−
Ｎ−（アルキルフェニル）ニトロン化合物である。
【００１１】
【化４】
【００１２】ここで、上記（１）式中のＲ１，Ｒ２，Ｒ
３，Ｒ４及びＲ５はそれぞれ同種又は異種の１価のアル
キル基又は水素原子であり、かつ少なくとも１つはｏ位
に置換された１価のアルキル基てある。１価のアルキル
基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、
イソプロピル基、ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シク
ロヘキシル基等の炭素数が１〜８のものが好適であり、
中でもメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基がよ
り好ましく用いられる。
３，Ｒ４及びＲ５はそれぞれ同種又は異種の１価のアル
キル基又は水素原子であり、かつ少なくとも１つはｏ位
に置換された１価のアルキル基てある。１価のアルキル
基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、
イソプロピル基、ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シク
ロヘキシル基等の炭素数が１〜８のものが好適であり、
中でもメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基がよ
り好ましく用いられる。
【００１３】このような（１）式のニトロ化合物として
具体的には、α−［ｐ−（ジエチルアミノ）フェニル］
−Ｎ−（２，３−ジメチルフェニル）ニトロン、α−
［ｐ−（ジエチルアミノ）フェニル］−Ｎ−（２，６−
ジメチルフェニル）ニトロン、α−［ｐ−（ジエチルア
ミノ）フェニル］−Ｎ−（２−メチルフェニル）ニトロ
ンなどが例示される。
具体的には、α−［ｐ−（ジエチルアミノ）フェニル］
−Ｎ−（２，３−ジメチルフェニル）ニトロン、α−
［ｐ−（ジエチルアミノ）フェニル］−Ｎ−（２，６−
ジメチルフェニル）ニトロン、α−［ｐ−（ジエチルア
ミノ）フェニル］−Ｎ−（２−メチルフェニル）ニトロ
ンなどが例示される。
【００１４】本発明の（１）式のα−［ｐ−（ジエチル
アミノ）フェニル］−Ｎ−（アルキルフェニル）ニトロ
ン化合物は、工業的にも入手容易な下記一般式（２）で
示されるアルキルニトロベンゼンを原料とし、下記反応
式に示されるように（２）式のアルキルニトロベンゼン
に水素添加を行った後、これに４−ジエチルアミノベン
ズアルデヒドを反応させることにより合成することがで
きる。
アミノ）フェニル］−Ｎ−（アルキルフェニル）ニトロ
ン化合物は、工業的にも入手容易な下記一般式（２）で
示されるアルキルニトロベンゼンを原料とし、下記反応
式に示されるように（２）式のアルキルニトロベンゼン
に水素添加を行った後、これに４−ジエチルアミノベン
ズアルデヒドを反応させることにより合成することがで
きる。
【００１５】
【化５】
【００１６】この場合、上記反応はメタノール等の有機
溶媒中で行うことが好ましい。また、（２）式のアルキ
ルニトロベンゼンへの水素添加は、アルキルニトロベン
ゼンに対して１．７〜２．３当量の水素を１〜１０ｋｇ
／ｃｍ2の圧力で充填し、触媒量の炭素担持白金等の触
媒存在下で室温で行うことができる。
溶媒中で行うことが好ましい。また、（２）式のアルキ
ルニトロベンゼンへの水素添加は、アルキルニトロベン
ゼンに対して１．７〜２．３当量の水素を１〜１０ｋｇ
／ｃｍ2の圧力で充填し、触媒量の炭素担持白金等の触
媒存在下で室温で行うことができる。
【００１７】更に、水素添加アルキルニトロベンゼンに
４−ジエチルアミノベンズアルデヒドを反応させる際
は、アルキルニトロベンゼン１モルに対して４−ジエチ
ルアミノベンズアルデヒドを０．８〜１．２モルの割合
で添加し、酢酸等の酸の存在下で行うことが望ましい。
なお、その反応条件は２０〜５０℃で３〜８時間とする
ことが好適である。反応終了後は溶媒層を中和して濃縮
した後、再結晶を行うことで、目的とする（１）式のα
−［ｐ−（ジエチルアミノ）フェニル］−Ｎ−（アルキ
ルフェニル）ニトロン化合物を得ることができる。
４−ジエチルアミノベンズアルデヒドを反応させる際
は、アルキルニトロベンゼン１モルに対して４−ジエチ
ルアミノベンズアルデヒドを０．８〜１．２モルの割合
で添加し、酢酸等の酸の存在下で行うことが望ましい。
なお、その反応条件は２０〜５０℃で３〜８時間とする
ことが好適である。反応終了後は溶媒層を中和して濃縮
した後、再結晶を行うことで、目的とする（１）式のα
−［ｐ−（ジエチルアミノ）フェニル］−Ｎ−（アルキ
ルフェニル）ニトロン化合物を得ることができる。
【００１８】本発明の光脱色性材料は上記α−［ｐ−
（ジエチルアミノ）フェニル］−Ｎ−（アルキルフェニ
ル）ニトロン化合物を含有するもので、これは単独で用
いても良く、このニトロン化合物と結合剤とを有機溶媒
に溶解して混合し、回転注型可能な光脱色性材料として
用いることもできる。この混合物は、（Ａ）有機溶剤１
００部（重量部、以下同じ）、（Ｂ）不活性有機重合体
結合剤０〜３０部、好ましくは０〜１５部、及び（Ｃ）
上記ニトロン化合物１〜３０部、好ましくは１〜１５部
を混合したものが好適である。
（ジエチルアミノ）フェニル］−Ｎ−（アルキルフェニ
ル）ニトロン化合物を含有するもので、これは単独で用
いても良く、このニトロン化合物と結合剤とを有機溶媒
に溶解して混合し、回転注型可能な光脱色性材料として
用いることもできる。この混合物は、（Ａ）有機溶剤１
００部（重量部、以下同じ）、（Ｂ）不活性有機重合体
結合剤０〜３０部、好ましくは０〜１５部、及び（Ｃ）
上記ニトロン化合物１〜３０部、好ましくは１〜１５部
を混合したものが好適である。
【００１９】ここで、（Ａ）成分の溶剤としては、トル
エン，キシレン，エチルベンゼン等の芳香族炭化水素、
芳香族炭化水素とシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素と
の混合物、芳香族炭化水素とプロパノール、ブタノール
等のアルコール類との混合物などが挙げられる。
エン，キシレン，エチルベンゼン等の芳香族炭化水素、
芳香族炭化水素とシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素と
の混合物、芳香族炭化水素とプロパノール、ブタノール
等のアルコール類との混合物などが挙げられる。
【００２０】（Ｂ）成分の結合剤としては、酢酸ビニル
の単重合体又は共重合体もしくはそれらの部分ケン化
物、スチレン又はその誘導体の共重合体、アクリル酸も
しくはメタクリル酸エステルの単独重合体又は共重合
体、炭化水素可溶性セルロースエーテルやセルロースエ
ステル類、ポリビニルピロリドン単独重合体又は共重合
体、トリオルガノシリル基を導入したポリビニルアルコ
ールやプルラン類などが挙げられる。
の単重合体又は共重合体もしくはそれらの部分ケン化
物、スチレン又はその誘導体の共重合体、アクリル酸も
しくはメタクリル酸エステルの単独重合体又は共重合
体、炭化水素可溶性セルロースエーテルやセルロースエ
ステル類、ポリビニルピロリドン単独重合体又は共重合
体、トリオルガノシリル基を導入したポリビニルアルコ
ールやプルラン類などが挙げられる。
【００２１】上記（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）成分を混合す
る場合、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分それぞれを（Ａ）成分
に溶解して溶液状態としたものを混合することが好まし
い。
る場合、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分それぞれを（Ａ）成分
に溶解して溶液状態としたものを混合することが好まし
い。
【００２２】本発明の光脱色性材料を用いたレジストパ
ターンを形成するには、図１及び図２に示すリソグラフ
ィー工程により行なうことができる。図１はホトレジス
ト層の上に光脱色性層を直接形成した例を示す。まず、
ケイ素ウエハー等の基板１上にスピンコート等の方法で
ホトレジスト層２を形成し、このホトレジスト層２の上
に本発明の光脱色性材料をスピンコート等の方法で塗布
して光脱色性層３を形成し、光脱色性層３に所定波長の
紫外線Ａを縮小投影法により所望のパターン形状に露光
し、即ち図１においてＡ部分を露光し、光脱色性層３を
除去し、現像液を用いて現像する方法によりレジストパ
ターン５を形成することができる。
ターンを形成するには、図１及び図２に示すリソグラフ
ィー工程により行なうことができる。図１はホトレジス
ト層の上に光脱色性層を直接形成した例を示す。まず、
ケイ素ウエハー等の基板１上にスピンコート等の方法で
ホトレジスト層２を形成し、このホトレジスト層２の上
に本発明の光脱色性材料をスピンコート等の方法で塗布
して光脱色性層３を形成し、光脱色性層３に所定波長の
紫外線Ａを縮小投影法により所望のパターン形状に露光
し、即ち図１においてＡ部分を露光し、光脱色性層３を
除去し、現像液を用いて現像する方法によりレジストパ
ターン５を形成することができる。
【００２３】図２は光脱色性をホトレジスト層から隔離
するために両者の間にポリビニルアルコール等の中性物
質からなる薄い介在層６を設けた例を示す。
するために両者の間にポリビニルアルコール等の中性物
質からなる薄い介在層６を設けた例を示す。
【００２４】図１及び図２に示した例においてはホトレ
ジスト層２としてポジ型レジストを用いたのでＢ部分が
レジストパターン５として残るが、ホトレジストとして
は、所定波長の光に対して所定レベルのコントラスト閾
値を示すものであればポジ型、ネガ型のいずれも使用す
ることができる。
ジスト層２としてポジ型レジストを用いたのでＢ部分が
レジストパターン５として残るが、ホトレジストとして
は、所定波長の光に対して所定レベルのコントラスト閾
値を示すものであればポジ型、ネガ型のいずれも使用す
ることができる。
【００２５】
【発明の効果】本発明の上記（１）式のα−［ｐ−（ジ
エチルアミノ）フェニル］−Ｎ−（アルキルフェニル）
ニトロン化合物は、特にｉ線に対して光脱色性を有し、
かつ光脱色性材料の結合剤としての樹脂と相溶性が良好
であり、高コントラスト、高解像度、高精度で微細なレ
ジストパターンを高歩留りで形成し得る光脱色性材料を
提供することができ、それ故、微細なレジストパターン
の形成が可能となるコントラスト増強用の光脱色性材料
の主成分として有用である。
エチルアミノ）フェニル］−Ｎ−（アルキルフェニル）
ニトロン化合物は、特にｉ線に対して光脱色性を有し、
かつ光脱色性材料の結合剤としての樹脂と相溶性が良好
であり、高コントラスト、高解像度、高精度で微細なレ
ジストパターンを高歩留りで形成し得る光脱色性材料を
提供することができ、それ故、微細なレジストパターン
の形成が可能となるコントラスト増強用の光脱色性材料
の主成分として有用である。
【００２６】
【実施例】以下、実施例を示して本発明を具体的に説明
するが、本発明は下記実施例に制限されるものではな
い。
するが、本発明は下記実施例に制限されるものではな
い。
【００２７】［実施例１］ １リットルのオートクレーブに１，２−ジメチル−３−
ニトロベンゼン１１０．５ｇ（７３１ｍｍｏｌ）、ジメ
チルスルホキシド１１．３ｇ、２９％アンモニア水５．
０ｇ、５％白金担持触媒２．０ｇ、メタノール２６０ｇ
を加え、この系に水素を約４ｋｇ／ｃｍ２の圧力で充填
し、１，２−ジメチル−３−ニトロベンゼンに対し２当
量の水素が反応し終るまで室温で撹拌した。その後、更
に４−ジエチルアミノベンズアルデヒド１２０．０ｇ
（６７７ｍｍｏｌ）、酢酸３０．０ｇ、メタノール１０
０ｇを加え、室温で３時間撹拌した。反応混合液を濾過
し、触媒を除去した後、トルエン６００ｇ、水６００ｇ
を加え、トルエン層を抽出した。これに飽和炭酸水素ナ
トリウム水溶液６００ｇを加え、中和後、トルエン層を
得、減圧下で約３００ｇ程度まで濃縮した。その濃縮液
にヘキサン約７０ｇを加えて再結晶を行い、黄色い結晶
を得、乾燥して、収量８８．２ｇ（収率４３．９％）、
純度９９％のα−［ｐ−（ジエチルアミノ）フェニル］
−Ｎ−（２，３−ジメチルフェニル）ニトロンを単離し
た。得られたα−［ｐ−（ジエチルアミノ）フェニル）
−Ｎ−（２，３−ジメチルフェニル）ニトロンの質量ス
ペクトル（ＭＳ）、核磁気共鳴スペクトル（ＮＭＲ）、
赤外線スペクトル（ＩＲ）及び元素分析値の結果を下記
に示す。ＭＳ：ｍ／ｅ（スペクトル強度比）２９６（６
２）、２８０（４４）、２７９（３９）、２６５（４
７）、１７７（４４）、１６２（１００）、１３４（４
２）、１０５（３４）、７７（４２） １ Ｈ−ＮＲＭ：δ
（ｐｐｍ）
ニトロベンゼン１１０．５ｇ（７３１ｍｍｏｌ）、ジメ
チルスルホキシド１１．３ｇ、２９％アンモニア水５．
０ｇ、５％白金担持触媒２．０ｇ、メタノール２６０ｇ
を加え、この系に水素を約４ｋｇ／ｃｍ２の圧力で充填
し、１，２−ジメチル−３−ニトロベンゼンに対し２当
量の水素が反応し終るまで室温で撹拌した。その後、更
に４−ジエチルアミノベンズアルデヒド１２０．０ｇ
（６７７ｍｍｏｌ）、酢酸３０．０ｇ、メタノール１０
０ｇを加え、室温で３時間撹拌した。反応混合液を濾過
し、触媒を除去した後、トルエン６００ｇ、水６００ｇ
を加え、トルエン層を抽出した。これに飽和炭酸水素ナ
トリウム水溶液６００ｇを加え、中和後、トルエン層を
得、減圧下で約３００ｇ程度まで濃縮した。その濃縮液
にヘキサン約７０ｇを加えて再結晶を行い、黄色い結晶
を得、乾燥して、収量８８．２ｇ（収率４３．９％）、
純度９９％のα−［ｐ−（ジエチルアミノ）フェニル］
−Ｎ−（２，３−ジメチルフェニル）ニトロンを単離し
た。得られたα−［ｐ−（ジエチルアミノ）フェニル）
−Ｎ−（２，３−ジメチルフェニル）ニトロンの質量ス
ペクトル（ＭＳ）、核磁気共鳴スペクトル（ＮＭＲ）、
赤外線スペクトル（ＩＲ）及び元素分析値の結果を下記
に示す。ＭＳ：ｍ／ｅ（スペクトル強度比）２９６（６
２）、２８０（４４）、２７９（３９）、２６５（４
７）、１７７（４４）、１６２（１００）、１３４（４
２）、１０５（３４）、７７（４２） １ Ｈ−ＮＲＭ：δ
（ｐｐｍ）
【００２８】
【化６】 （ａ）６．６〜８．４ 多重項 ８Ｈ （ｂ）３．４６ 四重項 ４Ｈ （ｃ）２．３３ 一重項 ６Ｈ （ｄ）１．２４ 三重項 ６Ｈ
【００２９】ＩＲ：（ｃｍ-1） ３４００、２９６０、２９１０、２８６０、１６００、
１５２０、１３６０、１２９０、１１８５、１１５５、
１１１５、１０８０、８３０、７８５
１５２０、１３６０、１２９０、１１８５、１１５５、
１１１５、１０８０、８３０、７８５
【００３０】元素分析値：（％） Ｃ19Ｈ24Ｎ2Ｏ 理論値 Ｃ：７６．９９ Ｈ：８．１６ Ｎ：９．４５ 実測値 Ｃ：７７．０６ Ｈ：８．２７ Ｎ：９．１９
【００３１】
【００３２】
【００３３】
【００３４】
【００３５】
【００３６】
【００３７】
【００３８】
【００３９】
【００４０】
【００４１】
【００４２】
【００４３】［実施例２］ １，２−ジメチル−３−ニトロベンゼンの代わりにｏ−
ニトロトルエン１００．２ｇ（７３１ｍｍｏｌ）を用い
る以外は実施例１と同様にして合成を行ったところ、収
量１１６．８ｇ（収率：６１．１％）、純度９８％のα
−［ｐ−（ジエチルアミノ）フェニル］−Ｎ−（２−メ
チルフェニル）ニトロンを単離した。得られた化合物の
分析結果を下記に示す。
ニトロトルエン１００．２ｇ（７３１ｍｍｏｌ）を用い
る以外は実施例１と同様にして合成を行ったところ、収
量１１６．８ｇ（収率：６１．１％）、純度９８％のα
−［ｐ−（ジエチルアミノ）フェニル］−Ｎ−（２−メ
チルフェニル）ニトロンを単離した。得られた化合物の
分析結果を下記に示す。
【００４４】ＭＳ：ｍ／ｅ（スペクトル強度比） ２８２（５７）、２６６（１９）、２６５（２１）、２
５１（２５）、１７７（４０）、１６２（１００）、１
３４（２５）、９１（３６）
５１（２５）、１７７（４０）、１６２（１００）、１
３４（２５）、９１（３６）
【００４５】 1Ｈ−ＮＭＲ：δ（ｐｐｍ）
【００４６】
【化９】 （ａ）６．６〜８．５ 多重項 ９Ｈ （ｂ）３．５２ 四重項 ４Ｈ （ｃ）２．５１ 一重項 ３Ｈ （ｄ）１．３０ 三重項 ６Ｈ
【００４７】ＩＲ：（ｃｍ-1） ３４００，３０３０，２９５５，２９１５，１５９５，
１５２０，１３５５，１２６５，１１８０，１１４５，
１０５５，８１５，７５５
１５２０，１３５５，１２６５，１１８０，１１４５，
１０５５，８１５，７５５
【００４８】元素分析値：（％） 理論値： Ｃ：７６．５６ Ｈ：７．８５ Ｎ：９．９２ 実測値： Ｃ：７６．６４ Ｈ：７．９０ Ｎ：１０．１８
【００４９】［実施例３］ 光脱色性材料としてα−［ｐ−（ジエチルアミノ）フェ
ニル］−Ｎ−（２−メチルフェニル）ニトロン及び分子
量約３，０００で成分比６：４のポリビニルピロリドン
−酢酸ビニル共重合体のそれぞれの２．５％エチルベン
ゼン−１−ブタノール溶液（重量比１：１）の混合物を
用い、介在層として分子量約１０，０００のポリビニル
アルコール５％水溶液を用い、図２に示すリソグラフィ
ー工程に従ってレジストパターンを形成した。まず、ケ
イ素ウエハー等からなる基板１にＫＴＩ−８９５ｉ（Ｋ
ＴＩ社製、ポジレジスト）をスピンコートして、レジス
ト層２を形成し（図２（ａ））、次にレジスト層２上に
上記介在層６をスピンコートし（図２（ｂ））、更にそ
の上に上記光脱色性材料をスピンコートして光脱色性層
７を形成した（図２（ｃ））。１２時間以上放置した
が、塗膜の欠陥が認められなかったため、縮小投影法に
よりＡ部分に選択的に３６５ｍｍの紫外線４を露光した
（図２（ｄ））。その後、介在層６と光脱色性層７とを
純水を用いて同時に除去し、アルカリ現像液を用いて現
像を行ない、レジストパターン５を形成した（図２
（ｅ））。得られたレジストパターンはコントラストが
増強された０．４０μｍ解像のものであった。
ニル］−Ｎ−（２−メチルフェニル）ニトロン及び分子
量約３，０００で成分比６：４のポリビニルピロリドン
−酢酸ビニル共重合体のそれぞれの２．５％エチルベン
ゼン−１−ブタノール溶液（重量比１：１）の混合物を
用い、介在層として分子量約１０，０００のポリビニル
アルコール５％水溶液を用い、図２に示すリソグラフィ
ー工程に従ってレジストパターンを形成した。まず、ケ
イ素ウエハー等からなる基板１にＫＴＩ−８９５ｉ（Ｋ
ＴＩ社製、ポジレジスト）をスピンコートして、レジス
ト層２を形成し（図２（ａ））、次にレジスト層２上に
上記介在層６をスピンコートし（図２（ｂ））、更にそ
の上に上記光脱色性材料をスピンコートして光脱色性層
７を形成した（図２（ｃ））。１２時間以上放置した
が、塗膜の欠陥が認められなかったため、縮小投影法に
よりＡ部分に選択的に３６５ｍｍの紫外線４を露光した
（図２（ｄ））。その後、介在層６と光脱色性層７とを
純水を用いて同時に除去し、アルカリ現像液を用いて現
像を行ない、レジストパターン５を形成した（図２
（ｅ））。得られたレジストパターンはコントラストが
増強された０．４０μｍ解像のものであった。
【００５０】
【図１】本発明の光脱色性材料を用いたリソグラフィー
工程の一例を示す工程図である。
工程の一例を示す工程図である。
【図２】本発明の光脱色性材料を用いたリソグラフィー
工程の他の例を示す工程図である。
工程の他の例を示す工程図である。
１ 基板 ２ ホトレジスト層 ３ 光脱色性層 ４ 紫外線 ５ レジストパターン ６ 介在層 ７ 光脱色性層
フロントページの続き (72)発明者 伊藤 健一 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28番地 の１ 信越化学工業株式会社 合成技術 研究所内 (56)参考文献 ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＯＲＧＡＮＩ Ｃ ＣＨＥＭＩＳＴＲＹ，1989，54, 5176−5180 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C07C 291/02 ＣＡ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (2)
- 【請求項１】 下記一般式（１）で表わされるα−［ｐ
−（ジエチルアミノ）フェニル］−Ｎ−（アルキルフェ
ニル）ニトロン化合物。 【化１】 （但し、式中Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４及びＲ５はそれぞ
れ同種又は異種の１価のアルキル基又は水素原子であ
り、かつ少なくとも１つはｏ位に置換された１価のアル
キル基である。） - 【請求項２】 請求項１記載のα−［ｐ−（ジエチルア
ミノ）フェニル］−Ｎ−（アルキルフェニル）ニトロン
化合物を含有する光脱色性材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22951791A JP2795000B2 (ja) | 1991-08-15 | 1991-08-15 | α−［ｐ−（ジエチルアミノ）フェニル］−Ｎ−（アルキルフェニル）ニトロン化合物及び光脱色性材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22951791A JP2795000B2 (ja) | 1991-08-15 | 1991-08-15 | α−［ｐ−（ジエチルアミノ）フェニル］−Ｎ−（アルキルフェニル）ニトロン化合物及び光脱色性材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0543540A JPH0543540A (ja) | 1993-02-23 |
| JP2795000B2 true JP2795000B2 (ja) | 1998-09-10 |
Family
ID=16893416
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22951791A Expired - Fee Related JP2795000B2 (ja) | 1991-08-15 | 1991-08-15 | α−［ｐ−（ジエチルアミノ）フェニル］−Ｎ−（アルキルフェニル）ニトロン化合物及び光脱色性材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2795000B2 (ja) |
-
1991
- 1991-08-15 JP JP22951791A patent/JP2795000B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＯＲＧＡＮＩＣ ＣＨＥＭＩＳＴＲＹ，１９８９，５４，５１７６−５１８０ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0543540A (ja) | 1993-02-23 |
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