JP2817507B2 - α−［ｐ−（ジアルキルアミノ）フェニル］−Ｎ−［１−（２−アルキルナフチル）］ニトロン化合物及び光脱色性材料 - Google Patents
α−［ｐ−（ジアルキルアミノ）フェニル］−Ｎ−［１−（２−アルキルナフチル）］ニトロン化合物及び光脱色性材料Info
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- JP2817507B2 JP2817507B2 JP7837692A JP7837692A JP2817507B2 JP 2817507 B2 JP2817507 B2 JP 2817507B2 JP 7837692 A JP7837692 A JP 7837692A JP 7837692 A JP7837692 A JP 7837692A JP 2817507 B2 JP2817507 B2 JP 2817507B2
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- nitrone
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体集積回路
の製造における写真食刻工程用のマスクのように被写体
の像のコントラストを増強させるための光脱色性材料の
主成分として好適な新規なニトロン化合物及び該ニトロ
ン化合物を含有する光脱色性材料に関する。
の製造における写真食刻工程用のマスクのように被写体
の像のコントラストを増強させるための光脱色性材料の
主成分として好適な新規なニトロン化合物及び該ニトロ
ン化合物を含有する光脱色性材料に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】リソグ
ラフィー技術において、ホトレジストを所望のパターン
形状に露光し、現像してできるレジスト像は、露光像の
コントラストが大きいほど垂直に近い壁をもつ形状にな
るものであるが、非常に高い解像度の露光を行う場合、
露光像のコントラストが低下し、鮮明なレジスト像を得
ることができなくなるという問題がある。
ラフィー技術において、ホトレジストを所望のパターン
形状に露光し、現像してできるレジスト像は、露光像の
コントラストが大きいほど垂直に近い壁をもつ形状にな
るものであるが、非常に高い解像度の露光を行う場合、
露光像のコントラストが低下し、鮮明なレジスト像を得
ることができなくなるという問題がある。
【０００３】そこで、解像度及びパターン形状の解像を
図る方法として、波長３００〜４５０ｎｍの光に対して
吸収極大をもつコントラスト増強用の光脱色性層（特公
昭６２−４０６９７号公報、特開昭６２−２３４１４８
号公報参照）を用いたレジストパターン形成方法等が提
案されており、その光脱色性材料の主成分であるニトロ
ン化合物は、下記のような構造を有する。
図る方法として、波長３００〜４５０ｎｍの光に対して
吸収極大をもつコントラスト増強用の光脱色性層（特公
昭６２−４０６９７号公報、特開昭６２−２３４１４８
号公報参照）を用いたレジストパターン形成方法等が提
案されており、その光脱色性材料の主成分であるニトロ
ン化合物は、下記のような構造を有する。
【０００４】
【化２】
【０００５】しかしながら、上記光脱色性材料の主成分
であるニトロン化合物は、光脱色性材料に結合剤として
使用される樹脂との相溶性が満足できるものではなく、
このため上記光脱色性材料をホトレジスト上にスピンコ
ートした後に１２時間以上放置すると、ニトロン化合物
が結晶化してしまう。このようにニトロン化合物が結晶
化してしまった部分では塗膜に欠陥を生じてしまうた
め、微細なレジストパターンを得ることができず、かつ
歩留りも上がらないという問題点がある。従って、結合
剤としての樹脂との相溶性が極めて良好であり、光脱色
性材料（ＣＥＭ：Ｃｏｎｔｒａｓｔ Ｅｎｈａｎｃｅｄ
Ｍａｔｅｒｉａｌｓ）の主成分として有用なニトロン
化合物が求められている。
であるニトロン化合物は、光脱色性材料に結合剤として
使用される樹脂との相溶性が満足できるものではなく、
このため上記光脱色性材料をホトレジスト上にスピンコ
ートした後に１２時間以上放置すると、ニトロン化合物
が結晶化してしまう。このようにニトロン化合物が結晶
化してしまった部分では塗膜に欠陥を生じてしまうた
め、微細なレジストパターンを得ることができず、かつ
歩留りも上がらないという問題点がある。従って、結合
剤としての樹脂との相溶性が極めて良好であり、光脱色
性材料（ＣＥＭ：Ｃｏｎｔｒａｓｔ Ｅｎｈａｎｃｅｄ
Ｍａｔｅｒｉａｌｓ）の主成分として有用なニトロン
化合物が求められている。
【０００６】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
樹脂との相溶性に優れ、微細なレジストパターンの形成
が高歩留りで可能となるコントラスト増強用の光脱色性
材料の主成分として有用な新規なニトロン化合物及び該
ニトロン化合物を含有する光脱色性材料を提供すること
を目的とする。
樹脂との相溶性に優れ、微細なレジストパターンの形成
が高歩留りで可能となるコントラスト増強用の光脱色性
材料の主成分として有用な新規なニトロン化合物及び該
ニトロン化合物を含有する光脱色性材料を提供すること
を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明者は上記
目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、例えば下記
一般式（２）で示される２−アルキル−１−ニトロナフ
タレンの水素添加を行った後、これに下記一般式（３）
で示される４−ジアルキルアミノベンズアルデヒドを反
応させることにより、下記一般式（１）で示される新規
なα−［ｐ−（ジアルキルアミノ）フェニル］−Ｎ−
［１−（２−アルキルナフチル）］ニトロン化合物が得
られると共に、この化合物がコントラスト増強用の光脱
色性材料の主成分として有用であり、波長３００〜４０
０ｎｍの光でのコントラスト増強リソグラフィーにおい
て大いに威力を発揮し得ることを見い出した。
目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、例えば下記
一般式（２）で示される２−アルキル−１−ニトロナフ
タレンの水素添加を行った後、これに下記一般式（３）
で示される４−ジアルキルアミノベンズアルデヒドを反
応させることにより、下記一般式（１）で示される新規
なα−［ｐ−（ジアルキルアミノ）フェニル］−Ｎ−
［１−（２−アルキルナフチル）］ニトロン化合物が得
られると共に、この化合物がコントラスト増強用の光脱
色性材料の主成分として有用であり、波長３００〜４０
０ｎｍの光でのコントラスト増強リソグラフィーにおい
て大いに威力を発揮し得ることを見い出した。
【０００８】
【化３】 （但し、式中Ｒ1及びＲ2は互いに同一又は異種のアルキ
ル基であり、Ｒ3はアルキル基又は水素原子である。）
即ち、上記式（１）の新規なニトロン化合物は、特にｉ
線（波長３６５ｎｍ）に対して光脱色性を有し、既知ニ
トロン化合物と比べて光脱色性材料の結合剤としての樹
脂との相溶性が極めて良好であり、ホトレジスト上にス
ピンコートした後に放置してもニトロン化合物の結晶
化、即ちフィルムの欠陥が生じないため、微細なレジス
トパターンの形成が可能であり、しかも歩留りが向上す
る。それ故、式（１）のニトロン化合物を用いて光脱色
性材料を調製し、ｉ線でのコントラスト増強リソグラフ
ィーを行うと、高コントラスト、高解像度、高精度で微
細レジストパターンを高歩留りで形成することができる
ことを知見し、本発明をなすに至ったものである。
ル基であり、Ｒ3はアルキル基又は水素原子である。）
即ち、上記式（１）の新規なニトロン化合物は、特にｉ
線（波長３６５ｎｍ）に対して光脱色性を有し、既知ニ
トロン化合物と比べて光脱色性材料の結合剤としての樹
脂との相溶性が極めて良好であり、ホトレジスト上にス
ピンコートした後に放置してもニトロン化合物の結晶
化、即ちフィルムの欠陥が生じないため、微細なレジス
トパターンの形成が可能であり、しかも歩留りが向上す
る。それ故、式（１）のニトロン化合物を用いて光脱色
性材料を調製し、ｉ線でのコントラスト増強リソグラフ
ィーを行うと、高コントラスト、高解像度、高精度で微
細レジストパターンを高歩留りで形成することができる
ことを知見し、本発明をなすに至ったものである。
【０００９】以下、本発明につき更に詳細に説明する
と、本発明の新規なニトロン化合物は下記一般式（１）
で示されるα−［ｐ−（ジアルキルアミノ）フェニル］
−Ｎ−［１−（２−アルキルナフチル）］ニトロン化合
物である。
と、本発明の新規なニトロン化合物は下記一般式（１）
で示されるα−［ｐ−（ジアルキルアミノ）フェニル］
−Ｎ−［１−（２−アルキルナフチル）］ニトロン化合
物である。
【００１０】
【化４】
【００１１】ここで、上記式（１）式中のＲ1及びＲ2は
互いに同一又は異種のアルキル基である。アルキル基と
しては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソ
プロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−
ブチル基、シクロヘキシル基等の炭素数１〜８のものが
好適であり、中でもメチル基、エチル基、プロピル基、
ブチル基がより好ましく用いられる。また、Ｒ3はアル
キル基又は水素原子である。この場合のアルキル基とし
ては、Ｒ1及びＲ2で例示したものと同様のものを挙げる
ことかできる。
互いに同一又は異種のアルキル基である。アルキル基と
しては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソ
プロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−
ブチル基、シクロヘキシル基等の炭素数１〜８のものが
好適であり、中でもメチル基、エチル基、プロピル基、
ブチル基がより好ましく用いられる。また、Ｒ3はアル
キル基又は水素原子である。この場合のアルキル基とし
ては、Ｒ1及びＲ2で例示したものと同様のものを挙げる
ことかできる。
【００１２】このような式（１）のニトロン化合物とし
ては具体的には、α−［ｐ−（ジメチルアミノ）フェニ
ル］−Ｎ−（１−ナフチル）ニトロン、α−［ｐ−（ジ
エチルアミノ）フェニル］−Ｎ−（１−ナフチル）ニト
ロン、α−［ｐ−（ジ−ｎ−ブチルアミノ）フェニル］
−Ｎ−（１−ナフチル）ニトロン、α−［ｐ−（ジメチ
ルアミノ）フェニル］−Ｎ−［１−（２−メチルナフチ
ル）］ニトロン、α−［ｐ−（ジエチルアミノ）フェニ
ル］−Ｎ−［１−（２−メチルナフチル）］ニトロンな
どが例示される。
ては具体的には、α−［ｐ−（ジメチルアミノ）フェニ
ル］−Ｎ−（１−ナフチル）ニトロン、α−［ｐ−（ジ
エチルアミノ）フェニル］−Ｎ−（１−ナフチル）ニト
ロン、α−［ｐ−（ジ−ｎ−ブチルアミノ）フェニル］
−Ｎ−（１−ナフチル）ニトロン、α−［ｐ−（ジメチ
ルアミノ）フェニル］−Ｎ−［１−（２−メチルナフチ
ル）］ニトロン、α−［ｐ−（ジエチルアミノ）フェニ
ル］−Ｎ−［１−（２−メチルナフチル）］ニトロンな
どが例示される。
【００１３】本発明の式（１）のα−［ｐ−（ジアルキ
ルアミノ）フェニル］−Ｎ−［１−（２−アルキルナフ
チル）］ニトロン化合物は、工業的にも入手容易な下記
一般式（２）で示される２−アルキル−１−ニトロナフ
タレンを原料として、下記反応式に示されるように式
（２）の２−アルキル−１−ニトロナフタレンに水素添
加を行った後、これに式（３）で示される４−ジアルキ
ルアミノベンズアルデヒドを反応させることにより合成
することができる。
ルアミノ）フェニル］−Ｎ−［１−（２−アルキルナフ
チル）］ニトロン化合物は、工業的にも入手容易な下記
一般式（２）で示される２−アルキル−１−ニトロナフ
タレンを原料として、下記反応式に示されるように式
（２）の２−アルキル−１−ニトロナフタレンに水素添
加を行った後、これに式（３）で示される４−ジアルキ
ルアミノベンズアルデヒドを反応させることにより合成
することができる。
【００１４】
【化５】 この場合、上記反応はメタノール等の有機溶媒中で行う
ことが好ましい。また、式（２）の２−アルキル−１−
ニトロナフタレンの水素添加は、２−アルキル−１−ニ
トロナフタレンに対して１．７〜２．３当量の水素を１
〜１０ｋｇ／ｃｍ2の圧力で充填し、触媒量の炭素担持
白金等の触媒存在下で室温で行うことができる。
ことが好ましい。また、式（２）の２−アルキル−１−
ニトロナフタレンの水素添加は、２−アルキル−１−ニ
トロナフタレンに対して１．７〜２．３当量の水素を１
〜１０ｋｇ／ｃｍ2の圧力で充填し、触媒量の炭素担持
白金等の触媒存在下で室温で行うことができる。
【００１５】更に、水素添加２−アルキル−１−ニトロ
ナフタレンに４−ジアルキルアミノベンズアルデヒドを
反応させる際は、２−アルキル−１−ニトロナフタレン
１モルに対して４−ジアルキルアミノベンズアルデヒド
を０．８〜１．２モルの割合で添加し、酢酸等の酸の存
在下で行うことが望ましい。なお、その反応条件は２０
〜５０℃で３〜８時間とすることが好適である。反応終
了後は溶媒層を中和して濃縮した後、再結晶を行うこと
で、目的とする式（１）のα−［ｐ−（ジアルキルアミ
ノ）フェニル］−Ｎ−［１−（２−アルキルナフチ
ル）］ニトロン化合物を得ることができる。
ナフタレンに４−ジアルキルアミノベンズアルデヒドを
反応させる際は、２−アルキル−１−ニトロナフタレン
１モルに対して４−ジアルキルアミノベンズアルデヒド
を０．８〜１．２モルの割合で添加し、酢酸等の酸の存
在下で行うことが望ましい。なお、その反応条件は２０
〜５０℃で３〜８時間とすることが好適である。反応終
了後は溶媒層を中和して濃縮した後、再結晶を行うこと
で、目的とする式（１）のα−［ｐ−（ジアルキルアミ
ノ）フェニル］−Ｎ−［１−（２−アルキルナフチ
ル）］ニトロン化合物を得ることができる。
【００１６】本発明の光脱色性材料は上記α−［ｐ−
（ジアルキルアミノ）フェニル］−Ｎ−［１−（２−ア
ルキルナフチル）］ニトロン化合物を含有するもので、
このニトロン化合物と結合剤とを有機溶媒に溶解して混
合し、回転注型可能な光脱色性材料として用いることが
できる。この混合物は、（Ａ）有機溶剤１００部（重量
部、以下同じ）、（Ｂ）不活性有機重合体結合剤０〜３
０部、好ましくは０〜１５部、及び（Ｃ）上記ニトロン
化合物１〜３０部、好ましくは１〜１５部を混合したも
のが好適である。
（ジアルキルアミノ）フェニル］−Ｎ−［１−（２−ア
ルキルナフチル）］ニトロン化合物を含有するもので、
このニトロン化合物と結合剤とを有機溶媒に溶解して混
合し、回転注型可能な光脱色性材料として用いることが
できる。この混合物は、（Ａ）有機溶剤１００部（重量
部、以下同じ）、（Ｂ）不活性有機重合体結合剤０〜３
０部、好ましくは０〜１５部、及び（Ｃ）上記ニトロン
化合物１〜３０部、好ましくは１〜１５部を混合したも
のが好適である。
【００１７】ここで、（Ａ）成分の溶剤としては、トル
エン、キシレン、エチルベンゼン等の芳香族炭化水素、
芳香族炭化水素とシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素と
の混合物、芳香族炭化水素とプロパノール、ブタノール
などのアルコール類との混合物などが挙げられる。
エン、キシレン、エチルベンゼン等の芳香族炭化水素、
芳香族炭化水素とシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素と
の混合物、芳香族炭化水素とプロパノール、ブタノール
などのアルコール類との混合物などが挙げられる。
【００１８】（Ｂ）成分の結合剤としては、酢酸ビニル
の単重合体又は共重合体もしくはそれらの部分ケン化
物、スチレン又はその誘導体の共重合体、アクリル酸も
しくはメタクリル酸エステルの単独重合体又は共重合
体、炭化水素可溶性セルロースエーテルやセルロースエ
ステル類、ポリビニルピロリドン単独重合体又は共重合
体、トリオルガノシリル基を導入したポリビニルアルコ
ールやプルラン類などが挙げられる。
の単重合体又は共重合体もしくはそれらの部分ケン化
物、スチレン又はその誘導体の共重合体、アクリル酸も
しくはメタクリル酸エステルの単独重合体又は共重合
体、炭化水素可溶性セルロースエーテルやセルロースエ
ステル類、ポリビニルピロリドン単独重合体又は共重合
体、トリオルガノシリル基を導入したポリビニルアルコ
ールやプルラン類などが挙げられる。
【００１９】上記（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）成分を混合す
る場合、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分それぞれを（Ａ）成分
に溶解して溶液状態としたものを混合することが好まし
い。
る場合、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分それぞれを（Ａ）成分
に溶解して溶液状態としたものを混合することが好まし
い。
【００２０】本発明の光脱色性材料を用いたレジストパ
ターンを形成するには、図１及び図２に示すリソグラフ
ィー工程により行うことができる。図１はホトレジスト
層の上に光脱色性層を直接形成した例を示す。まず、ケ
イ素ウエハー等の基盤１上にスピンコート等の方法でホ
トレジスト層２を形成し、このホトレジスト層２の上に
本発明の光脱色性材料をスピンコート等の方法で塗布し
て光脱色性層３を形成し、光脱色性層３に所定波長の紫
外線４を縮小投影法により所望のパターン形状に露光
し、即ち図１においてＡ部分を露光し、光脱色性層３を
除去し、現像液を用いて現像する方法によりレジストパ
ターン５を形成することができる。
ターンを形成するには、図１及び図２に示すリソグラフ
ィー工程により行うことができる。図１はホトレジスト
層の上に光脱色性層を直接形成した例を示す。まず、ケ
イ素ウエハー等の基盤１上にスピンコート等の方法でホ
トレジスト層２を形成し、このホトレジスト層２の上に
本発明の光脱色性材料をスピンコート等の方法で塗布し
て光脱色性層３を形成し、光脱色性層３に所定波長の紫
外線４を縮小投影法により所望のパターン形状に露光
し、即ち図１においてＡ部分を露光し、光脱色性層３を
除去し、現像液を用いて現像する方法によりレジストパ
ターン５を形成することができる。
【００２１】図２は光脱色性層をホトレジスト層から隔
離するために両者の間にポリビニルアルコール等の中性
物質からなる薄い介在層６を設けた例を示す。
離するために両者の間にポリビニルアルコール等の中性
物質からなる薄い介在層６を設けた例を示す。
【００２２】図１及び図２に示した例においてはホトレ
ジスト層２としてポジ型レジストを用いたのでＢ部分が
レジストパターン５として残るが、ホトレジストとして
は、所定波長の光に対して所定のレベルのコントラスト
閾値を示すものであればポジ型、ネガ型のいずれも使用
することができる。
ジスト層２としてポジ型レジストを用いたのでＢ部分が
レジストパターン５として残るが、ホトレジストとして
は、所定波長の光に対して所定のレベルのコントラスト
閾値を示すものであればポジ型、ネガ型のいずれも使用
することができる。
【００２３】
【発明の効果】本発明の上記式（１）のα−［ｐ−（ジ
アルキルアミノ）フェニル］−Ｎ−［１−（２−アルキ
ルナフチル）］ニトロン化合物は、特にｉ線に対して光
脱色性を有し、かつ光脱色性材料の結合剤としての樹脂
との相溶性が良好であり、高コントラスト、高解像度、
高精度で微細なレジストパターンを高歩留り形成し得る
光脱色性材料を提供することができ、それ故、微細なレ
ジストパターンの形成が可能となるコントラスト増強用
の光脱色性材料の主成分として有用である。
アルキルアミノ）フェニル］−Ｎ−［１−（２−アルキ
ルナフチル）］ニトロン化合物は、特にｉ線に対して光
脱色性を有し、かつ光脱色性材料の結合剤としての樹脂
との相溶性が良好であり、高コントラスト、高解像度、
高精度で微細なレジストパターンを高歩留り形成し得る
光脱色性材料を提供することができ、それ故、微細なレ
ジストパターンの形成が可能となるコントラスト増強用
の光脱色性材料の主成分として有用である。
【００２４】
【実施例】以下、実施例を示して本発明を具体的に説明
するが、本発明は下記実施例に制限されるものではな
い。
するが、本発明は下記実施例に制限されるものではな
い。
【００２５】〔実施例１〕１リットルのオートクレーブ
に１−ニトロナフタレン１２６．６ｇ（７３１ｍｍｏ
ｌ）、ジメチルスルホキシド１１．３ｇ、２９％アンモ
ニア水５．０ｇ、５％白金担持触媒２．０ｇ、メタノー
ル２６０ｇを加え、この系に水素を約４ｋｇ／ｃｍ2の
圧力で充填し、１−ニトロナフタレンに対して当量の水
素が反応し終わるまで室温で撹拌した。その後、更に４
−ジメチルアミノベンズアルデヒド１０１．０ｇ（６７
７ｍｍｏｌ）、酢酸３０．０ｇ、メタノール１００ｇを
加え、室温で５時間撹拌した。反応混合液を濾過し、触
媒を除去した後、トルエン６００ｇ、水６００ｇを加
え、トルエン層を抽出した。これに飽和炭酸水素ナトリ
ウム水溶液６００ｇを加え、中和後、トルエン層を得、
減圧下で約５００ｇ程度まで濃縮した。その濃縮液にヘ
キサン約５００ｇを加えて再結晶を行い、黄色い結晶を
得、乾燥して、収量１２４．４ｇ（収率４２．８％）、
純度９８％のα−［ｐ−（ジメチルアミノ）フェニル］
−Ｎ−（１−ナフチル）ニトロンを単離した。得られた
α−［ｐ−（ジメチルアミノ）フェニル］−Ｎ−（１−
ナフチル）ニトロンの核磁気共鳴スペクトル（ＮＭ
Ｒ）、赤外線スペクトル（ＩＲ）及び元素分析値の結果
を下記に示す。
に１−ニトロナフタレン１２６．６ｇ（７３１ｍｍｏ
ｌ）、ジメチルスルホキシド１１．３ｇ、２９％アンモ
ニア水５．０ｇ、５％白金担持触媒２．０ｇ、メタノー
ル２６０ｇを加え、この系に水素を約４ｋｇ／ｃｍ2の
圧力で充填し、１−ニトロナフタレンに対して当量の水
素が反応し終わるまで室温で撹拌した。その後、更に４
−ジメチルアミノベンズアルデヒド１０１．０ｇ（６７
７ｍｍｏｌ）、酢酸３０．０ｇ、メタノール１００ｇを
加え、室温で５時間撹拌した。反応混合液を濾過し、触
媒を除去した後、トルエン６００ｇ、水６００ｇを加
え、トルエン層を抽出した。これに飽和炭酸水素ナトリ
ウム水溶液６００ｇを加え、中和後、トルエン層を得、
減圧下で約５００ｇ程度まで濃縮した。その濃縮液にヘ
キサン約５００ｇを加えて再結晶を行い、黄色い結晶を
得、乾燥して、収量１２４．４ｇ（収率４２．８％）、
純度９８％のα−［ｐ−（ジメチルアミノ）フェニル］
−Ｎ−（１−ナフチル）ニトロンを単離した。得られた
α−［ｐ−（ジメチルアミノ）フェニル］−Ｎ−（１−
ナフチル）ニトロンの核磁気共鳴スペクトル（ＮＭ
Ｒ）、赤外線スペクトル（ＩＲ）及び元素分析値の結果
を下記に示す。
【００２６】
【化６】 （ａ）３．００ 一重項 ６Ｈ （ｂ）６．７２ 二重項 ２Ｈ （ｃ）８．３５ 二重項 ２Ｈ （ｄ）７．５７ 一重項 １Ｈ （ｅ）７．４０〜７．５５ 多重項 ５Ｈ （ｆ）７．８３〜７．８６ 多重項 ２Ｈ 〈ＩＲ：（ｃｍ-1）〉 ３４６６，３０５１，２８０６，１６０３，１５２０，
１４４３，１３９６，１３６５，１３２１，１２６９，
１２１７，１２１５，１１８６，１１５７，１１１３，
１１１１，１０６１，１０２０，１００５，９４３，８
９１，８３７，８０４ 〈元素分析値：（％）Ｃ19Ｈ18Ｎ2Ｏ〉 理論値 Ｃ：７８．６ Ｈ：６．２ Ｎ：９．７ 実測値 Ｃ：７９．３ Ｈ：６．３ Ｎ：９．７
１４４３，１３９６，１３６５，１３２１，１２６９，
１２１７，１２１５，１１８６，１１５７，１１１３，
１１１１，１０６１，１０２０，１００５，９４３，８
９１，８３７，８０４ 〈元素分析値：（％）Ｃ19Ｈ18Ｎ2Ｏ〉 理論値 Ｃ：７８．６ Ｈ：６．２ Ｎ：９．７ 実測値 Ｃ：７９．３ Ｈ：６．３ Ｎ：９．７
【００２７】〔実施例２〕光脱色性材料として実施例１
で得られたα−［ｐ−（ジメチルアミノ）フェニル］−
Ｎ−（１−ナフチル）ニトロン及び分子量約３，０００
で成分比６：４のポリビニルピロリドン−酢酸ビニル共
重合体のそれぞれの３．０％エチルベンゼン−１−ブタ
ノール溶液（重量比１：１）の混合物を用い、介在層と
して分子量約１０，０００のポリビニルアルコール５％
水溶液を用い、図２に示すリソグラフィー工程に従って
レジストパターンを形成した。まず、ケイ素ウエハーか
らなる基板１にＴＨＭＲ−ｉＰ１８００（東京応化工業
（株）社製、ポジレジスト）をスピンコートして、レジ
スト層２を形成し（図２（ａ））、次にレジスト層２上
に上記介在層６をスピンコートし（図２（ｂ））、更に
その上に上記光脱色性材料をスピンコートして光脱色性
層７を形成した（図２（ｃ））。１２時間以上放置した
が、塗膜の欠陥が認められなかったため、縮小投影法に
よりＡ部分に選択的に３６５ｎｍの紫外線４を露光した
（図２（ｄ））。その後、介在層６と光脱色性層７と純
水を用いて同時に除去し、アルカリ現像液を用いて現像
を行い、レジストパターン５を形成した（図２
（ｅ））。得られたレジストパターンはコントラストが
増強された０．４０μｍ解像のものであった。
で得られたα−［ｐ−（ジメチルアミノ）フェニル］−
Ｎ−（１−ナフチル）ニトロン及び分子量約３，０００
で成分比６：４のポリビニルピロリドン−酢酸ビニル共
重合体のそれぞれの３．０％エチルベンゼン−１−ブタ
ノール溶液（重量比１：１）の混合物を用い、介在層と
して分子量約１０，０００のポリビニルアルコール５％
水溶液を用い、図２に示すリソグラフィー工程に従って
レジストパターンを形成した。まず、ケイ素ウエハーか
らなる基板１にＴＨＭＲ−ｉＰ１８００（東京応化工業
（株）社製、ポジレジスト）をスピンコートして、レジ
スト層２を形成し（図２（ａ））、次にレジスト層２上
に上記介在層６をスピンコートし（図２（ｂ））、更に
その上に上記光脱色性材料をスピンコートして光脱色性
層７を形成した（図２（ｃ））。１２時間以上放置した
が、塗膜の欠陥が認められなかったため、縮小投影法に
よりＡ部分に選択的に３６５ｎｍの紫外線４を露光した
（図２（ｄ））。その後、介在層６と光脱色性層７と純
水を用いて同時に除去し、アルカリ現像液を用いて現像
を行い、レジストパターン５を形成した（図２
（ｅ））。得られたレジストパターンはコントラストが
増強された０．４０μｍ解像のものであった。
【図１】本発明の光脱色性材料を用いたリソグラフィー
工程の一例を示す工程図である。
工程の一例を示す工程図である。
【図２】本発明の光脱色性材料を用いたリソグラフィー
工程の他の例を示す工程図である。
工程の他の例を示す工程図である。
１ 基板 ２ ホトレジスト層 ３ 光脱色性層 ４ 紫外線 ５ レジストパターン ６ 介在層 ７ 光脱色性層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 健一 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28−１ 信越化学工業株式会社 合成技術研究 所内 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C07C 291/06 G03F 1/14 G03F 7/004 G03F 7/26 ＣＡ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (2)
- 【請求項１】 下記一般式（１）で表されるα−［ｐ−
（ジアルキルアミノ）フェニル］−Ｎ−［１−（２−ア
ルキルナフチル）］ニトロン化合物。 【化１】 （但し、式中Ｒ1及びＲ2は互いに同一又は異種のアルキ
ル基であり、Ｒ3はアルキル基又は水素原子である。） - 【請求項２】 請求項１記載のα−［ｐ−（ジアルキル
アミノ）フェニル］−Ｎ−［１−（２−アルキルナフチ
ル）］ニトロン化合物を含有する光脱色性材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7837692A JP2817507B2 (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | α−［ｐ−（ジアルキルアミノ）フェニル］−Ｎ−［１−（２−アルキルナフチル）］ニトロン化合物及び光脱色性材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7837692A JP2817507B2 (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | α−［ｐ−（ジアルキルアミノ）フェニル］−Ｎ−［１−（２−アルキルナフチル）］ニトロン化合物及び光脱色性材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05239012A JPH05239012A (ja) | 1993-09-17 |
| JP2817507B2 true JP2817507B2 (ja) | 1998-10-30 |
Family
ID=13660303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7837692A Expired - Lifetime JP2817507B2 (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | α−［ｐ−（ジアルキルアミノ）フェニル］−Ｎ−［１−（２−アルキルナフチル）］ニトロン化合物及び光脱色性材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2817507B2 (ja) |
-
1992
- 1992-02-28 JP JP7837692A patent/JP2817507B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05239012A (ja) | 1993-09-17 |
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