KR0159785B1 - 알칼리 가용성 니트론 화합물 및 그로 이루어진 콘트라스트 증강물질 - Google Patents

알칼리 가용성 니트론 화합물 및 그로 이루어진 콘트라스트 증강물질 Download PDF

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도시노부 이시하라
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가나가와 지히로오
신에쓰 가가꾸 고오교오 가부시끼가이샤
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Abstract

하기 식의 신규의 니트론 화합물이 제공된다.
여기에서 R1, R2및 R3은 같거나 다를 수 있고, 알킬기 또는 아릴기, 수소원자를 나타내고, R4내지 R8은 같거나 다를 수 있고 알킬기 또는 수소원자, R4내지 R8의 최소한 하나가 카르복실기인 카르복실기를 나타내고, X는 R9가 알킬기를 나타내는 R9O-식의 알콕시기, R10및 R11은 같거나 다를 수 있고 알킬기를 나타내는 R10R11N-식의 디알킬아미노기 또는 수소원자를 나타내고, n은 0, 1 또는 2의 값이다. 이 니트론 화합물로 이루어진 콘트라스트 증가물질로 또한 제공되며, 이 콘트라스트 증가물질은 300 내지 450㎚의 파장을 갖는 빛에 노출되었을 때 콘트라스트가 증가할 수 있다.

Description

알칼리 가용성 니트론 화합물 및 그로 이루어진 콘트라스트(contrast) 증강물질
제1(a)도 내지 제1(d)도는 본 발명의 한 구체예에 따라 콘트라스트 증강물질을 사용한 일련의 석판인쇄 단계(lithographic step)를 도시하는 흐름도이다.
제2(a)도 내지 제2(e)도는 본 발명의 다른 구체예에 따라 콘트라스트 증강물질을 사용한 일련의 석판인쇄 단계를 도시하는 흐름도이다.
[발명의 배경]
[발명의 분야]
본 발명은 제조시 사용되는 광에칭(photo etching) 마스크와 같이, 물체의 화상의 콘트라스트를 높이기 위한 콘트라스트 증강물질의 주성분으로 사용되기에 적합한 신규의 니트론 화합물에 관한 것이며, 예를들면 반도체 집적회로의 콘트라스트 증강물질은 니트론 화합물로 구성되어 있다.
[선행기술의 설명]
석판인쇄 기술에서 포토 레지스트(photo-resist)를 원하는 패턴(pattern)으로 빛에 노출시켜 얻은 레지스트 화상 및 패턴의 개발은, 노출화상의 콘트라스트가 클 때, 더욱 수직형상의 월(wall)을 갖는다.
선명한 레지스트 화상이 얻어지지 않는 문제점을 수반하며 노출된 화상의 콘트라스트가 저하된다. 해상도를 증강시키고 고해상도 패턴을 얻기 위하여, 300 내지 450㎚ 파장의 빛에 대해 최대 흡수율을 갖는, 콘트라스트를 증강시키기 위한 콘트라스트 증강층에서의 레지스트 패턴을 형성하는 방법들이 제안되어 왔다(일본 특허공보 No. 62-40697 및 일본 특허출원 공개공보 No. 62-234148).
콘트라스트 증강물질의 주성분으로 사용되는 니트론 화합물들은 다음의 구조들을 갖는다.
그러나, 상기 언급한 니트론 화합물들은 물에는 불용성이고 유기용매에서만 녹는다. 따라서, 니트론 화합물을 사용하는 콘트라스트 증강물질은 물에 녹지 않는다. 즉 광 레지스트의 개발단계전에, 유기용매를 사용하여 콘트라스트 증강막을 제거하는 단계가 필요하다. 달리는, 개입층(intervening layer)이 있는 경우, 개입층 및 콘트라스트 증강막을 순수(pure water)에 의해 힘을 가하여 제거하는 것이 필수적으로 필요하다. 유기용매를 사용하는 전자의 제거단계는 존재하는 기구안에서는 행해질 수 없으므로, 복잡한 제작공정을 초래한다. 개입층 및 콘트라스트 증강막을 제거하기 위해 순수를 사용하는 후자의 단계는 콘트라스트 증강층이 완전히 제거되지 않고, 부분적으로 남아 찌꺼기를 형성하는 문제점이 있다. 따라서 그 단계들의 복잡함을 초래하지 않으며 콘트라스트 증강물질의 성분으로 유효한, 수용성인 니트론 화합물이 요구되어 왔다.
[발명의 요약]
그러므로 본 발명의 목적은 순수(pure water)에 수용성이며 콘트라스트 증강물질의 주성분으로 유용한, 알칼리 가용성인 신규의 니트론 화합물을 제공하는 것이다.
본 발명의 또다른 목적은 신규의 니트론 화합물로 이루어져 있는 콘트라스트 증강물질을 제공하는 것이다.
상기 목적들은 하기의 식을 가진 알칼리 가용성인 신규의 니트론 화합물에 의해, 본 발명의 구체예에 따라 달성될 수 있다.
여기에서 R1, R2및 R3은 같거나 다를 수 있고, 알킬기, 아릴기 또는 수소원자이고, R4내지 R8은 같거나 다를 수 있고 알킬기, 수소원자 또는 카르복실기이며 단, R4내지 R8의 적어도 하나가 카르복실기이고, X는 R9가 알킬기를 나타내는 식 R9O-의 알콕시기, R10및 R11이 같거나 다를 수 있고 알킬기를 나타내는 식 R10R11N-의 디알킬아미노기, 또는 수소원자이며, n은 0, 1 또는 2의 값이다.
예를들어 신규의 니트론 화합물은 다음과 같이 하여 얻어질 수 있다.
하기식 (2)의 알킬-니트로벤조산을 수소화한 후, 일반식 (3)의 화합물과 반응시켜 하기식 (1)의 알칼리 수용성의 신규한 니트론 화합물을 얻는다.
여기에서 R1내지 R8은 각각 앞서 정의한 바와 같다.
이 신규의 니트론 화합물은 콘트라스트 증강물질의 주성분으로 유용한 것으로 밝혀졌으며, 300 내지 450㎚ 파장의 빛을 사용하는 콘트라스트 증강 석판인쇄에서 큰 효과를 보였다.
더 자세히 식 (1)의 신규의 니트론 화합물은 알칼리 가용성이고, 300 내지 450㎚ 파장의 빛에 대해 콘트라스트 증강성질이 있다. 따라서, 기존의 니트론 화합물을 사용할 때 기대치 못한 수용성 콘트라스트 물질을 제공하는 것이 가능하다. 이는 콘트라스트 증강층이 유기용매뿐 아니라, 물에 의해서도 제거될 수 있음을 의미한다. 기존의 장치들은 복잡한 공정을 초래하지 않고, 개입층을 사용할 때 찌꺼기를 남기지 않는바, 사용될 수 있다. 따라서, 식 (Ⅰ)의 니트론 화합물은 g선(파장이 436㎚인 빛), i선(파장이 365㎚인 빛)에서, 콘트라스트가 증강된 석판인쇄를 수행하기 위한 콘트라스트 증강물질에 사용되며, 높은 콘트라스트 및 높은 해상도, 높은 정확도를 가진 우수한 레지스트 패턴을 제조할 수 있다.
본 발명의 또다른 구체예에 따라 식 (1)의 니트론 화합물로 이루어진 콘트라스트 증강물질이 또한 제공된다.
앞서 설명한 것처럼, 본 발명의 신규한 니트론 화합물은 하기의 일반식 (1)을 갖는다.
위식에서, R1및 R2, R3은 독립적으로 알킬기, 아릴기 또는 수소원자이다. 알킬기의 예들로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소-프로필기, 부틸기, 2차(sec)-부틸기, 3차(tert)-부틸기, 시클로헥실기 등을 포함하며, 탄소원자 1 내지 8을 갖는 것들이다. 이들중에서 메틸기, 에틸기, 프로필기 및 부틸기가 바람직하다. 아릴기는 탄소원자 6 내지 15를 가지며, 예를들면, 페닐기, 치환된 페닐기, 나프틸기, 치환된 나프틸기 등을 포함하는 것들이다. 이들 중에서 페닐기, 메틸페닐기 및 에틸페닐기가 바람직하다. R4, R5, R6, R7및 R8은 같거나 다를 수 있으며, 알킬기, 수소원자, 또는 카르복실기를 나타내며, 단 R4, R5, R6, R7및 R8의 적어도 하나가 카르복실기이다. 이 경우 알킬기는 R1, R2및 R3와 관련되어 지시된 것들일 수도 있다. X는 R9가 알킬기를 나타내는 식 R9O-으로 표현되는 알콕시, R10및 R11이 같거나 다를 수 있으며 알킬기를 나타내는 식 R10R11N-으로 표현되는 디알킬아미노기, 또는 수소원자를 나타낸다. R9, R10및 R11에서의 알킬기는 R1, R2및 R3에서 나타내어진 것이다. 문자 n은 0, 1 또는 2, 바람직하게는 0 또는 1의 값이다.
식 (1)의 니트론 화합물의 더 자세한 실시예에는 하기 식들의 니트론 화합물이 포함된다.
(여기에서 m은 1 또는 2)
식 (1)의 니트론 화합물에는 다음과 같은 화합물들이 포함된다.
α-[p-(디메틸아미노)페닐]-N-(4-카르복시페닐)니트론, α-[p-(디에틸아미노)페닐]-N-(4-카르복시페닐)니트론, α-[p-(디부틸아미노)페닐]-N-(4-카르복시페닐)니트론, α-[p-(디에틸아미노)페닐]-N-(3-카르복시페닐)니트론, α-[p-(디에틸아미노)페닐]-N-(2-카르복시페닐)니트론, α-[p-(디에틸아미노)페닐]-N-(2-메틸-4-카르복시페닐)니트론, α-[p-(디에틸아미노)페닐]-N-(2-메틸-3-카르복시페닐)니트론, α-(p-메톡시페닐)-N-(4-카르복시페닐)니트론, α-(p-에톡시페닐)-N-(4-카르복시페닐)니트론, α-(o-메톡시페닐)-N-(4-카르복시페닐)니트론, α-(p-메톡시페닐)-N-(3-카르복시페닐)니트론, α-(p-메톡시페닐)-N-(2-카르복시페닐)니트론, α-(p-메톡시페닐)-N-(2-메틸-4-카르복시페닐)니트론, α-(p-에톡시페닐)-N-(3-메틸-2-카르복시페닐)니트론, α-[p-(디메틸아미노)스티릴]-N-(4-카르복시페닐)니트론, α-[p-(디에틸아미노)스티릴]-N-(4-카르복시페닐)니트론, α-[p-(디메틸아미노)스티릴]-N-(3-카르복시페닐)니트론, α-[p-(디에틸아미노)스티릴]-N-(2-메틸-4-카르복시페닐)니트론, α-[p-(디에틸아미노)스티릴]-N-(4-메틸-2-카르복시페닐)니트론, α-(o-메톡시스티릴)-N-(4-카르복시페닐)니트론, α-(o-메톡시스티릴)-N-(3-카르복시페닐)니트론, α-(p-메톡시스티릴)-N-(4-카르복시페닐)니트론, α-(p-메톡시스티릴)-N-(3-카르복시페닐)니트론, α-(o-메톡시스티릴)-N-(2-메틸-4-카르복시페닐)니트론, α-(p-메톡시스티릴)-N-(2-메틸-3-카르복시페닐)니트론 등.
본 발명의 식 (1) 니트론 화합물은 출발물질로서 공업적 규모로 용이하게 이용가능한 하기식 (2)의 알킬니트로벤조산을 사용하여, 하기 반응개요도에 따라 수소화반응을 시켜 하기 일반식 (4)의 화합물을 얻고, 하기 일반식 (3)의 화합물과 더 반응시킴으로써 제조될 수 있다.
상기 반응은 메탄올과 같은 유기용매중에서 행해지는 것이 바람직하다.
식 (2) 알킬니트로벤조산의 수소화반응은 탄소상 백금촉매와 같은 촉매의 촉매적 양존재하, 알킬니트로벤조산에 대해 1.7 내지 2.3당량의 수소를 채운, 1 내지 10㎏/㎠의 압력, 상온에서 행한다.
수소화된 알킬니트로벤조산과 식 (3)의 화합물간의 반응을 위하여, 식 (3)의 화합물에 알킬니트로벤조산 1몰당 0.8 내지 1.2몰을 첨가하는 것이 바람직하며, 반응은 아세트산과 같은 산의 존재에 의해 영향받는다. 반응조건은 20 내지 50℃의 온도와 3 내지 8시간을 포함하여 지속되는 것이 바람직하다. 반응종결후, 침전된 결정을 여과하여 제거하고, 적당한 용매로 세척하여 의도하는 식 (1)의 니트론 화합물을 얻는다.
본 발명의 콘트라스트 증강물질은 식 (1)의 니트론 화합물로 구성되어야 한다.
니트론 화합물은 결합제(binder) 및 유기염기, 계면활성제 등과 함께 물 또는 유기용매에 녹을 수 있으며, 회전주조(rotational casting) 콘트라스트 증강물질을 제공한다. 바람직하게는 콘트라스트 증강물질은 (A) 0 내지 100 중량부(이하 중량부를 부로 간단히 칭한다), 바람직하게는 50 내지 100 부의 물, (B) 0 내지 100 부, 바람직하게는 0 내지 50 부의 유기용매, (C) 1 내지 30 부, 바람직하게는 1 내지 15 부의 수용성 결합제, (D) 1 내지 30 부, 바람직하게는 1 내지 15 부의 니트론 화합물, (E) 1 내지 30 부, 바람직하게는 1 내지 15 부의 유기염기, (F) 0 내지 2 부, 바람직하게는 0 내지 1 부의 계면활성제를 포함해야 한다. 상기에서 명백해진 바와 같이, 콘트라스트 증강물질은 (C), (D) 및 (E) 성분을 필수적으로 포함하고 있어야 한다.
(B) 성분으로 사용되는 유기용매에는, 예를들면 에탄올, 1-프로판올, 2-프로판올 등과 같은 알코올과, 테트라히드로푸란과 1,4-디옥산 등과 같은 에테르가 포함된다.
(C) 성분으로 사용되는 결합제에는, 예를들면 부분적으로 비누화된 비닐 아세테이트 중합체, 폴리비닐알코올, 수용성 셀룰로오즈 에테르 또는 셀룰로오즈 에스테르, 비닐 피롤리돈 단일 중합체 또는 공중합체, 풀루란류(pullulans) 등이 포함된다.
(E) 성분으로 사용되는 유기염기에는 예를들면 테트라메틸암모늄수산화물, 테트라부틸암모늄수산화물, 트리스(히드록시메틸)아미노메탄, 2,2',2-니트릴로트리에탄올, 피리딘, 트리에틸아민 등이 포함된다.
(F) 성분으로 사용되는 계면활성제에는 예를들면 불소함유 계면활성제가 포함된다.
본 발명에 따라 콘트라스트 증강물질로부터 레지스트 패턴을 형성하기 위해, 제1도 및 2도에 도시한 것과 같은 석판인쇄(lithographic) 공정을 사용한다.
제1도는 콘트라스트 증강층이 포토레지스트층상에 직접 형성된 경우의 구체예를 나타낸다. 더 상세히는, 포토레지스트층(2)은 실리콘 웨이퍼(wafer)와 같은 기판(1)상에 스핀 코팅과 같은 코팅 기술에 의하여 형성된다. 따라서, 본 발명에 사용된 콘트라스트 증강물질은 스핀코팅과 같은 기술에 의해 포토레지스트(2) 상에 콘트라스트 증강층(3)을 형성한다. 콘트라스트 증강층(3)을 감소 투영법(reduced projection method)에 따라, 화상과 같은 패턴에서 미리 정한 파장의 자외선에 노출시킨다. 제1도에서 A부분을 자외선에 노출시키고, 콘트라스트 증강층(3)을 물로 제거하고, 현상하여 레지스트 패턴(5)을 만든다.
제2도는 콘트라스트 증강층과 포토레지스트 사이에 그 두층들을 멀리 떨어져 있게 위하여, 폴리비닐알코올과 같은 중성물질로 만들어진 얇은 개입층(6)이 있는 구체예를 보여준다. 이 경우, 본 발명의 콘트라스트 증강물질이 수용성이므로, 콘트라스트 증강층(3) 및 개입층(6) 양자를 물로 세척하여 어떤 찌꺼기도 생기지 않도록 한다.
본 발명의 식 (1)의 니트론 화합물은 g 및 i라인에 대해 콘트라스트를 증강시키고, 알칼리 또는 염기에 가용성이므로, 높은 콘트라스트, 높은 해상도 및 높은 정확도를 가진 우수한 레지스트 패턴을 만들 수 있는 수용성 콘트라스트 증강물질을 제공할 수 있다.
따라서, 이 니트론 화합물은 콘트라스트를 개선하여 우수한 레지스트 패턴을 만들 수 있는 수용성 콘트라스트 증강물질의 주성분으로 매우 유용하다.
본 발명은 실시예들을 통해 상세히 설명되며, 이는 본 발명을 제한하는 것으로 해석되어서는 안된다.
[실시예 1]
p-니트로벤조산 122.2g(731mmol) 및 디메틸술폭시드 11.3g, 5% 백금-담체촉매 2.0g, 메탄올 260g을 1리터의 오토클레이브에 채우고, 약 4㎏/㎠의 압력으로 수소를 채운후, 1 당량의 수소가 p-니트로벤조산과 반응할 때까지 상온에서 교반을 계속하였다. 촉매를 제거한후, 4-디에틸-아미노벤즈알데히드 120.0g(677mmol) 및 아세트산 30.0g, 메탄올 100g을 결과 잔기(residue)에 가하고, 5시간동안 상온에서 교반하였다. 결과과정을 여과하여 제거한후, 메탄올로 세척하여 황색의 결정을 얻고, 이를 건조하여 순도 96%의 α-[p-(디에틸아미노)페닐]-N-(4-카르복시페닐)니트론 187.6g(수율 88.7%)을 얻었다. 이렇게 얻은 α-[p-(디에틸아미노)페닐]-N-(4-카르복시페닐)니트론을 질량분석(MS), 핵자기공명분석(NMR), 적외선분석(IR) 및 원소분석을 하여 다음 결과를 얻었다.
MS : m/e 스펙트럼의 세기의 비
[실시예 2]
p-니트로벤조산 대신 3-메틸-4-니트로벤조산 132.4g(731mmol)을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1의 일반적 과정을 되풀이하여, 95% 순도의 α-[p-(디에틸아미노)페닐]-N-(2-메틸-4-카르복시페닐)니트론 211.3g(수율 95.6%)을 얻었다. 이렇게 얻은 화합물의 분석결과는 다음과 같다.
MS : m/e 스펙트럼의 세기의 비
[실시예 3]
4-디에틸-아미노벤즈알데히드 대신 p-아니즈알데히드 92.2g(677mmol)을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1의 일반적 방법을 되풀이하여, 96% 순도의 α-[p-(메톡시페닐)-N-(4-카르복시페닐)니트론 162.0g(수율 88.2%)을 얻었다. 이렇게 얻은 화합물의 분석결과는 다음과 같다.
[실시예 4]
p-니트로벤조산 대신 3-메틸-4-니트로벤조산 132.4g(731mmol)을 사용하고, 4-디에틸아미노벤즈알데히드 대신 4-디메틸아미노시남알데히드 118.6g(677mmol)을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1의 일반적 방법을 되풀이하여, 96% 순도의 α-[p-(디메틸아미노)스티릴]-N-(2-메틸-4-카르복시페닐)니트론 213.8g(수율 97.4%)을 얻었다. 이렇게 얻은 화합물의 분석결과는 다음과 같다.
[실시예 5]
콘트라스트 증강물질로서, α-[p-(디에틸아미노페닐)]-N-(4-카르복시페닐)니트론 4.5% 및 분자량이 약 3,000이고 단량체 비가 6:4인 비닐 피롤리돈-비닐 아세테이트 공중합체 3.5%, 10% 테트라-n-부틸암모늄 수산화물 용액 38%, Florad FC-430(Sumitomo 3M Co., Ltd.에서 입수가능함) 0.25%를 포함하는 수성용액을 제공하여, 제1도에 도시한 석판인쇄 방법(lithographic process)에 따라 레지스트 패턴을 만들었다. 더 상세히, S-1813(포지티브 레지스트, Shiprary Co., Ltd.로부터 입수가능함)을 실리콘 웨이퍼로 만들어진 기판(1) 상에 스핀 코팅하여 레지스트층(2)을 만들었다(제1(a)도). 그후, 상기 지시된 콘트라스트 증강물질을 레지스트층(2)상에 스핀 코팅하여 콘트라스트 증강층(3)을 만들었다(제1(b)도). 그후 축소투영법(reduced projection method)에 따라 A부분을 436㎚ 파장을 가진 자외선 4에 선택적으로 노출시켰다(제1c도). 마지막으로, 콘트라스트 증강층(3)을 순수로 제거한후, 알칼리 현상제를 이용, 현상하여 레지스트 패턴(5)을 만들었다(제1d도). 이렇게 얻은 레지스트 패턴은 0.5㎛의 해상도를 가지고, 콘트라스트가 증강되었다.
[실시예 6]
콘트라스트 증강물질로서, α-[p-(디에틸아미노페닐)]-N-(2-메틸-4-카르복시페닐)니트론 4.5% 및 분자량이 약 3,000이고 단량체 비가 6:4인 비닐 피롤리돈-비닐 아세테이트 공중합체 3.5%, 트리스(히드록시-메틸)아미노메탄 2.0%, Florad FC-430(Sumitomo 3M Co., Ltd.에서 입수가능함) 0.25%를 포함하는 수성용액을 제공하여 제1도에 도시한 석판인쇄 방법에 따라 레지스트 패턴을 만들었다. 더 상세히, THMR-iP1800(포지티브 레지스트, Tokyo Applied Chem. Ind. Co., Ltd.로부터 입수가능함)을 실리콘 웨이퍼로 만들어진 기판(1)상에 스핀 코팅하여 레지스트층(2)을 만들었다(제1(a)도). 그후, 상기 지시된 콘트라스트 증강물질을 레지스트층(2)상에 스핀 코팅하여 콘트라스트 증강층(3)을 만들었다(제1(b)도). 이어서 축소투영법에 따라 A부분을 선택적으로 365㎚의 파장을 가진 자외선(4)에 노출시켰다(제1c도). 마지막으로, 콘트라스트 증강층(3)을 순수로 제거한후, 알칼리 현상제를 이용, 현상하여 레지스트 패턴(5)을 만들었다(제1d도). 이렇게 얻은 레지스트 패턴은 0.36㎛의 해상도를 가지며, 콘트라스트가 증강되었다.
[실시예 7]
α-[p-(디에틸아미노페닐)]-N-(2-메틸-4-카르복시페닐)니트론 대신 α-(p-메톡시페닐)-N-(4-카르복시메틸)니트론을 사용한 것을 제외하고는 실시예 6의 일반적인 방법을 되풀이하여 해상도 0.4㎛인 콘트라스트가 증강된 레지스트 패턴을 만들었다.
[실시예 8]
α-[p-(디메틸아미노스티릴)]-N-(2-메틸-4-카르복시페닐)니트론 4.5% 및 분자량이 약 3000이고 단량체의 비가 6:4인 비닐 피롤리돈-비닐 아세테이트 중합체 3.5%, Floprad FC-430(Sumitomo 3M Co., Ltd.로부터 입수가능함)을 포함하는 순수-1-프로판올 용액(무게비로 65:35)을 사용한 것을 제외하고는 실시예 5의 일반적인 방법을 되풀이하여 레지스트 패턴을 만들었다. 그 레지스트 패턴은 0.5㎛의 해상도를 가지며, 콘트라스트가 증강되었다.

Claims (11)

  1. 하기식의 알칼리-가용성 니트론 화합물
    상기식에서 R1, R2및 R3은 같거나 다를 수 있고, 알킬기 또는 아릴기, 수소원자를 나타내고, R4내지 R8은 같거나 다를 수 있고 알킬기, 수소원자 또는 카르복실기를 나타내며 단, R4내지 R8의 적어도 하나는 카르복실기이고, X는 R9가 알킬기인 식 R9O-의 알콕시기, R10및 R11은 같거나 다를 수 있고 알킬기를 나타내는 식 R10R11N-의 디알킬아미노기, 또는 수소원자이며, n은 0, 1 또는 2의 값이다.
  2. 제1항에 있어서, R1, R2및 R3가 독립적으로 1 내지 8개의 탄소원자를 갖는 알킬기인 것을 특징으로 하는 알칼리 가용성 니트론 화합물.
  3. 제1항에 있어서, R1, R2및 R3가 독립적으로 6 내지 15개의 탄소원자를 갖는 아릴기인 것을 특징으로 하는 알칼리 가용성 니트론 화합물.
  4. 제1항에 있어서, n이 0 또는 1인 것을 특징으로 하는 알칼리 가용성 니트론 화합물.
  5. 제1항에 있어서, 상기 니트론 화합물이 식
    (상기식에서 R3, R4, R5, R6, R7, R8, R10및 R11은 각각 제1항에서 정의한 바와 같다)인 것을 특징으로 하는 알칼리 가용성 니트론 화합물.
  6. 제1항에 있어서, 상기 니트론 화합물이 식
    (상기식에서 R3, R4, R5, R6, R7, R8및 R9는 제1항에서 정의한 바와 같다)인 것을 특징으로 하는 알칼리 가용성 니트론 화합물.
  7. 제1항에 있어서, 상기 니트론 화합물이 식
    (상기식에서 R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R10및 R11은 각각 제1항에서 정의한 바와 같고, m은 1 또는 2이다)인 것을 특징으로 하는 알칼리 가용성 니트론 화합물.
  8. 제1항에 있어서, 상기 니트론 화합물이 식
    (상기식에서 R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8및 R9는 각각 제1항에서 정의한 바와 같고, m은 1 또는 2이다)인 것을 특징으로 하는 알칼리 가용성 니트론 화합물.
  9. 하기 식의 알칼리 가용성 니트론 화합물로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 콘트라스트 증강물질.
    상기식에서 R1, R2및 R3은 같거나 다를 수 있고, 알킬기, 아릴기 또는 수소원자를 나타내고, R4내지 R8은 같거나 다를 수 있고 알킬기, 수소원자 또는 카르복실기를 나타내며 단, R4내지 R8중의 적어도 하나가 카르복실기이고, X는 R이 알킬기를 나타내는 식 R9O-의 알콕시기, R10및 R11이 같거나 다를 수 있고 알킬기를 나타내는 식 R10R11N-의 디알킬아미노기, 또는 수소원자를 나타내고, n은 0, 1 또는 2의 값이다.
  10. 제9항에 있어서, 0 내지 100중량부의 물과, 0 내지 100중량부의 유기용매, 1 내지 30중량부의 수용성 고분자 결합제, 1 내지 30중량부의 상기 니트론 화합물, 1 내지 30중량부의 유기염기, 0 내지 2중량부의 계면활성제로 이루어지는 것을 특징으로 하는 콘트라스트 증강물질.
  11. 제10항에 있어서, 50 내지 100중량부의 물과 0 내지 50중량부의 유기용매, 1 내지 15중량부의 수용성 고분자 결합제, 1 내지 15중량부의 상기 니트론 화합물, 1 내지 15중량부의 유기염기, 0 내지 1중량부의 계면활성제로 이루어지는 것을 특징으로 하는 콘트라스트 증강물질.
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