JP2789910B2 - Ｉｃチップの接続構造およびその方法 - Google Patents
Ｉｃチップの接続構造およびその方法Info
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
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- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
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- H01L2224/81193—Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed on both the semiconductor or solid-state body and another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はＩＣチップの接続構造
およびその方法に関する。
およびその方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】フリップチップボンディング等とよばれ
るＩＣチップの実装技術では、例えば図９に示すよう
に、ＩＣチップ１を配線基板１１上に搭載している。す
なわち、ＩＣチップ１は、チップ本体２の下面にアルミ
ニウム等からなる電極３がパターン形成され、電極３の
下面の所定の一部を除く全下面に保護膜４が設けられ、
電極３の露出面上に、チタンとタングステンとからなる
合金の下面にクロムを積層してなるもの等からなるアン
ダーバンプメタル５が設けられ、アンダーバンプメタル
５の下面に銅等からなる金属層６が設けられ、金属層６
の周囲に当初球状の半田バンプ７が設けられた構造とな
っている。配線基板１１は、樹脂等からなる基板本体１
２の上面に銅等からなる接続パッド１３がパターン形成
され、接続パッド１３の上面の所定の一部を除く全上面
に保護膜１４が設けられ、接続パッド１３の露出面上
に、金、銀、スズ等の半田との密着性の良い金属からな
る金属層１５が設けられた構造となっている。そして、
ＩＣチップ１の半田バンプ７を配線基板１１の金属層１
５に熱圧着すると、半田バンプ７が一旦溶融状態となっ
た後冷却されて固化することにより、半田バンプ７が金
属層１５に固着されて接続され、これによりＩＣチップ
１が配線基板１１上に搭載される。
るＩＣチップの実装技術では、例えば図９に示すよう
に、ＩＣチップ１を配線基板１１上に搭載している。す
なわち、ＩＣチップ１は、チップ本体２の下面にアルミ
ニウム等からなる電極３がパターン形成され、電極３の
下面の所定の一部を除く全下面に保護膜４が設けられ、
電極３の露出面上に、チタンとタングステンとからなる
合金の下面にクロムを積層してなるもの等からなるアン
ダーバンプメタル５が設けられ、アンダーバンプメタル
５の下面に銅等からなる金属層６が設けられ、金属層６
の周囲に当初球状の半田バンプ７が設けられた構造とな
っている。配線基板１１は、樹脂等からなる基板本体１
２の上面に銅等からなる接続パッド１３がパターン形成
され、接続パッド１３の上面の所定の一部を除く全上面
に保護膜１４が設けられ、接続パッド１３の露出面上
に、金、銀、スズ等の半田との密着性の良い金属からな
る金属層１５が設けられた構造となっている。そして、
ＩＣチップ１の半田バンプ７を配線基板１１の金属層１
５に熱圧着すると、半田バンプ７が一旦溶融状態となっ
た後冷却されて固化することにより、半田バンプ７が金
属層１５に固着されて接続され、これによりＩＣチップ
１が配線基板１１上に搭載される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
このようなＩＣチップの接続構造では、熱圧着時におけ
る加圧により当初球状の半田バンプ７が横方向につぶれ
てＩＣチップ１の電極３から大きく食み出し、このため
ＩＣチップ１の電極３のピッチが小さすぎると相隣接す
る半田バンプ７間で短絡が発生してしまうので、ＩＣチ
ップ１の電極３のピッチとして１５０〜２００μｍ程度
が限界であり、それ以下のピッチのものには対応できな
いという問題があった。なお、当初球状の半田バンプ７
の直径を小さくすることが考えられるが、このようにす
ると、ＩＣチップ１と配線基板１１との接続強度が小さ
くなるばかりでなく、ＩＣチップ１と配線基板１１の各
熱膨張係数の相違から、ＩＣチップ１と配線基板１１と
の面方向の位置がずれると、断線が生じてしまうことが
ある。このようなことを回避するには、当初球状の半田
バンプ７の直径を大きくすればよいが、あまり大きくす
ると、上述したように半田バンプ７が横方向につぶれて
ＩＣチップ１の電極３から大きく食み出すばかりでな
く、ＩＣチップ１に球状の半田バンプ７を形成する時の
半田メッキ工程やウエットバック工程において相隣接す
る半田バンプ７間で短絡が発生してしまうことがある。
この発明の目的は、ＩＣチップの電極のピッチがより一
層微細であっても、相隣接する半田バンプ間で短絡が発
生しないようにすることのできるＩＣチップの接続構造
およびその方法を提供することにある。
このようなＩＣチップの接続構造では、熱圧着時におけ
る加圧により当初球状の半田バンプ７が横方向につぶれ
てＩＣチップ１の電極３から大きく食み出し、このため
ＩＣチップ１の電極３のピッチが小さすぎると相隣接す
る半田バンプ７間で短絡が発生してしまうので、ＩＣチ
ップ１の電極３のピッチとして１５０〜２００μｍ程度
が限界であり、それ以下のピッチのものには対応できな
いという問題があった。なお、当初球状の半田バンプ７
の直径を小さくすることが考えられるが、このようにす
ると、ＩＣチップ１と配線基板１１との接続強度が小さ
くなるばかりでなく、ＩＣチップ１と配線基板１１の各
熱膨張係数の相違から、ＩＣチップ１と配線基板１１と
の面方向の位置がずれると、断線が生じてしまうことが
ある。このようなことを回避するには、当初球状の半田
バンプ７の直径を大きくすればよいが、あまり大きくす
ると、上述したように半田バンプ７が横方向につぶれて
ＩＣチップ１の電極３から大きく食み出すばかりでな
く、ＩＣチップ１に球状の半田バンプ７を形成する時の
半田メッキ工程やウエットバック工程において相隣接す
る半田バンプ７間で短絡が発生してしまうことがある。
この発明の目的は、ＩＣチップの電極のピッチがより一
層微細であっても、相隣接する半田バンプ間で短絡が発
生しないようにすることのできるＩＣチップの接続構造
およびその方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この発明は、金属バンプ
上に導電層を有するＩＣチップと、接続パッド上に前記
導電層より融点の高い半田バンプを有する配線基板とを
備え、ＩＣチップの導電層を配線基板の半田バンプに熱
圧着して接続するようにしたものである。
上に導電層を有するＩＣチップと、接続パッド上に前記
導電層より融点の高い半田バンプを有する配線基板とを
備え、ＩＣチップの導電層を配線基板の半田バンプに熱
圧着して接続するようにしたものである。
【０００５】
【作用】この発明によれば、ＩＣチップの金属バンプ上
に設けられた導電層を配線基板の接続パッド上に設けら
れた導電層より融点の高い半田バンプに、導電層は溶融
するが半田バンプは溶融しない加熱温度で熱圧着して接
続すると、半田バンプを横方向に広げることなく、導電
層を半田バンプに接続することができ、したがってＩＣ
チップの電極のピッチがより一層微細であっても、相隣
接する半田バンプ間で短絡が発生しないようにすること
ができる。
に設けられた導電層を配線基板の接続パッド上に設けら
れた導電層より融点の高い半田バンプに、導電層は溶融
するが半田バンプは溶融しない加熱温度で熱圧着して接
続すると、半田バンプを横方向に広げることなく、導電
層を半田バンプに接続することができ、したがってＩＣ
チップの電極のピッチがより一層微細であっても、相隣
接する半田バンプ間で短絡が発生しないようにすること
ができる。
【０００６】
【実施例】図１はこの発明の一実施例におけるＩＣチッ
プと配線基板の接続前の状態を示したものである。ま
ず、ＩＣチップ２１は、図２〜図７に示す工程を順次経
て製造されている。すなわち、まず図２に示すように、
チップ本体２２の上面にアルミニウム等からなる電極２
３をパターン形成し、電極２３の上面の所定の一部を除
く全上面に保護膜２４を形成する。次に、図３に示すよ
うに、全上面に、チタンとタングステンとからなる合金
の上面にクロムを積層してなるものからなるアンダーバ
ンプメタル２５を形成する。この場合、チタンとタング
ステンとからなる合金の厚さを２０００〜５０００Å程
度とし、クロムの厚さを１０００〜２０００Å程度とす
る。次に、図４に示すように、周知のフォトプロセスに
より、電極２３の上面にほぼ対応する部分を除く全上面
にポジ型もしくはネガ型のフォトレジストからなるメッ
キレジスト２６を１０〜２０μｍ程度の厚さに形成す
る。この状態では、電極２３の上面にほぼ対応する部分
には開口部２７が形成されている。次に、図５に示すよ
うに、周知の銅メッキ方法により、開口部２７における
アンダーバンプメタル２５の上面に銅からなる金属バン
プ２８をメッキレジスト２６の厚さと同程度の厚さに形
成する。次に、図６に示すように、金属バンプ２８の上
面およびその周囲のメッキレジスト２６の上面に、例え
ばスズと鉛との比が６：４の構成であって融点が１８３
℃程度の低融点の半田層（導電層）２９を５〜１０μｍ
程度の厚さに形成する。この後、周知の方法によりメッ
キレジスト２６を剥離し、次いでこの剥離により露出さ
れた不要な部分のアンダーバンプメタル２５を金属バン
プ２８をエッチングマスクとしてエッチングして除去す
ると、図７に示すように、金属バンプ２８の下面のみに
アンダーバンプメタル２５が残存する状態となる。そし
て、このようにして製造されたＩＣチップ２１を裏返し
にすると、図１に示すような状態となる。
プと配線基板の接続前の状態を示したものである。ま
ず、ＩＣチップ２１は、図２〜図７に示す工程を順次経
て製造されている。すなわち、まず図２に示すように、
チップ本体２２の上面にアルミニウム等からなる電極２
３をパターン形成し、電極２３の上面の所定の一部を除
く全上面に保護膜２４を形成する。次に、図３に示すよ
うに、全上面に、チタンとタングステンとからなる合金
の上面にクロムを積層してなるものからなるアンダーバ
ンプメタル２５を形成する。この場合、チタンとタング
ステンとからなる合金の厚さを２０００〜５０００Å程
度とし、クロムの厚さを１０００〜２０００Å程度とす
る。次に、図４に示すように、周知のフォトプロセスに
より、電極２３の上面にほぼ対応する部分を除く全上面
にポジ型もしくはネガ型のフォトレジストからなるメッ
キレジスト２６を１０〜２０μｍ程度の厚さに形成す
る。この状態では、電極２３の上面にほぼ対応する部分
には開口部２７が形成されている。次に、図５に示すよ
うに、周知の銅メッキ方法により、開口部２７における
アンダーバンプメタル２５の上面に銅からなる金属バン
プ２８をメッキレジスト２６の厚さと同程度の厚さに形
成する。次に、図６に示すように、金属バンプ２８の上
面およびその周囲のメッキレジスト２６の上面に、例え
ばスズと鉛との比が６：４の構成であって融点が１８３
℃程度の低融点の半田層（導電層）２９を５〜１０μｍ
程度の厚さに形成する。この後、周知の方法によりメッ
キレジスト２６を剥離し、次いでこの剥離により露出さ
れた不要な部分のアンダーバンプメタル２５を金属バン
プ２８をエッチングマスクとしてエッチングして除去す
ると、図７に示すように、金属バンプ２８の下面のみに
アンダーバンプメタル２５が残存する状態となる。そし
て、このようにして製造されたＩＣチップ２１を裏返し
にすると、図１に示すような状態となる。
【０００７】一方、配線基板３１は、樹脂等からなる基
板本体３２の上面に銅等からなる接続パッド３３がパタ
ーン形成され、接続パッド３３の上面の所定の一部を除
く全上面に保護膜３４が設けられ、接続パッド３３の露
出面上に、金、銀、スズ等の半田との密着性の良い金属
からなる金属層３５が設けられ、ここまでは図９に示す
従来のものと同一の構造であるが、さらに金属層３５の
上面に樽状半田部３６ａと円錐状半田部３６ｂとからな
る半田バンプ３６が設けられた構造となっている。この
場合、例えば鉛を９５％以上含む構成であって融点が３
００℃以上の高融点の半田からなる直径が４５μｍ程度
の半田ワイヤを用意し、ボールボンディング法等と呼ば
れる技術を利用することにより、すなわちキャピラリを
用いて半田ワイヤの先端部にボールを形成した後このボ
ールの部分を金属層３５の上面に熱圧着し、次いでキャ
ピラリを持ち上げると、図１に示すように、金属層３５
の上面に水平方向の最大直径が１４０μｍ程度で高さが
７０〜８０μｍ程度の樽状半田部３６ａが形成されると
共に、この樽状半田部３６ａの上面に高さが９０〜１１
０μｍ程度の円錐状半田部３６ｂが形成される。
板本体３２の上面に銅等からなる接続パッド３３がパタ
ーン形成され、接続パッド３３の上面の所定の一部を除
く全上面に保護膜３４が設けられ、接続パッド３３の露
出面上に、金、銀、スズ等の半田との密着性の良い金属
からなる金属層３５が設けられ、ここまでは図９に示す
従来のものと同一の構造であるが、さらに金属層３５の
上面に樽状半田部３６ａと円錐状半田部３６ｂとからな
る半田バンプ３６が設けられた構造となっている。この
場合、例えば鉛を９５％以上含む構成であって融点が３
００℃以上の高融点の半田からなる直径が４５μｍ程度
の半田ワイヤを用意し、ボールボンディング法等と呼ば
れる技術を利用することにより、すなわちキャピラリを
用いて半田ワイヤの先端部にボールを形成した後このボ
ールの部分を金属層３５の上面に熱圧着し、次いでキャ
ピラリを持ち上げると、図１に示すように、金属層３５
の上面に水平方向の最大直径が１４０μｍ程度で高さが
７０〜８０μｍ程度の樽状半田部３６ａが形成されると
共に、この樽状半田部３６ａの上面に高さが９０〜１１
０μｍ程度の円錐状半田部３６ｂが形成される。
【０００８】さて、ＩＣチップ２１を配線基板３１上に
搭載する場合には、まず図１に示すように、ＩＣチップ
２１の半田層２９の中心部と配線基板３１の半田バンプ
３６の円錐状半田部３６ｂの頂点とが対向するように位
置合わせを行う。次に、１９０〜２００℃程度の加熱温
度をＩＣチップ２１に加えて熱圧着すると、半田層２９
は溶融するが、半田バンプ３６は溶融せず、このため半
田バンプ３６の樽状半田部３６ａは横方向につぶれない
が、半田バンプ３６は鉛の組成割合が多くて比較的柔ら
かいので、その円錐状半田部３６ｂがＩＣチップ２１の
半田層２９を介して金属バンプ２８によって適宜に押し
つぶされることになる。この結果、図８に示すように、
半田バンプ３６の円錐状半田部３６ｂの上面が半田層２
９の下面に沿うようにつぶれ、このつぶれた円錐状半田
部３６ｂの上面に、一旦溶融した後冷却されて固化した
半田層２９の下面が固着される。この場合、一旦溶融し
た後冷却されて固化した半田層２９は、溶融した際の表
面張力により、金属バンプ２８の下面とつぶれた円錐状
半田部３６ｂの下面との間のみに介在される。かくし
て、ＩＣチップ２１が配線基板３１上に搭載される。
搭載する場合には、まず図１に示すように、ＩＣチップ
２１の半田層２９の中心部と配線基板３１の半田バンプ
３６の円錐状半田部３６ｂの頂点とが対向するように位
置合わせを行う。次に、１９０〜２００℃程度の加熱温
度をＩＣチップ２１に加えて熱圧着すると、半田層２９
は溶融するが、半田バンプ３６は溶融せず、このため半
田バンプ３６の樽状半田部３６ａは横方向につぶれない
が、半田バンプ３６は鉛の組成割合が多くて比較的柔ら
かいので、その円錐状半田部３６ｂがＩＣチップ２１の
半田層２９を介して金属バンプ２８によって適宜に押し
つぶされることになる。この結果、図８に示すように、
半田バンプ３６の円錐状半田部３６ｂの上面が半田層２
９の下面に沿うようにつぶれ、このつぶれた円錐状半田
部３６ｂの上面に、一旦溶融した後冷却されて固化した
半田層２９の下面が固着される。この場合、一旦溶融し
た後冷却されて固化した半田層２９は、溶融した際の表
面張力により、金属バンプ２８の下面とつぶれた円錐状
半田部３６ｂの下面との間のみに介在される。かくし
て、ＩＣチップ２１が配線基板３１上に搭載される。
【０００９】このように、配線基板３１の高融点の半田
バンプ３６を溶融させないので、その樽状半田部３６ａ
を横方向につぶすことなく、半田バンプ３６の円錐状半
田部３６ｂのみをＩＣチップ２１の溶融した低融点の半
田層２９を介して金属バンプ２８によって適宜に押しつ
ぶしているだけであるので、半田バンプ３６が全体とし
て横方向に広がることがなく、このためＩＣチップ２１
の電極２３のピッチが１００〜１５０μｍ程度とより一
層微細であっても、相隣接する半田バンプ３６間で短絡
が発生しないようにすることができる。
バンプ３６を溶融させないので、その樽状半田部３６ａ
を横方向につぶすことなく、半田バンプ３６の円錐状半
田部３６ｂのみをＩＣチップ２１の溶融した低融点の半
田層２９を介して金属バンプ２８によって適宜に押しつ
ぶしているだけであるので、半田バンプ３６が全体とし
て横方向に広がることがなく、このためＩＣチップ２１
の電極２３のピッチが１００〜１５０μｍ程度とより一
層微細であっても、相隣接する半田バンプ３６間で短絡
が発生しないようにすることができる。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、ＩＣチップの金属バンプ上に設けられた導電層を配
線基板の接続パッド上に設けられた導電層より融点の高
い半田バンプに、導電層は溶融するが半田バンプは溶融
しない加熱温度で熱圧着して接続しているので、半田バ
ンプを横方向に広げることなく、導電層を半田バンプに
接続することができ、したがってＩＣチップの電極のピ
ッチがより一層微細であっても、相隣接する半田バンプ
間で短絡が発生しないようにすることができる。
ば、ＩＣチップの金属バンプ上に設けられた導電層を配
線基板の接続パッド上に設けられた導電層より融点の高
い半田バンプに、導電層は溶融するが半田バンプは溶融
しない加熱温度で熱圧着して接続しているので、半田バ
ンプを横方向に広げることなく、導電層を半田バンプに
接続することができ、したがってＩＣチップの電極のピ
ッチがより一層微細であっても、相隣接する半田バンプ
間で短絡が発生しないようにすることができる。
【図１】この発明の一実施例におけるＩＣチップと配線
基板の接続前の状態の断面図。
基板の接続前の状態の断面図。
【図２】ＩＣチップの製造に際し、チツプ本体の上面に
電極および保護膜を形成した状態の断面図。
電極および保護膜を形成した状態の断面図。
【図３】ＩＣチップの製造に際し、全上面にアンダーバ
ンプメタルを形成した状態の断面図。
ンプメタルを形成した状態の断面図。
【図４】ＩＣチップの製造に際し、メツキレジストを形
成した状態の断面図。
成した状態の断面図。
【図５】ＩＣチップの製造に際し、金属バンプを形成し
た状態の断面図。
た状態の断面図。
【図６】ＩＣチップの製造に際し、低融点の半田層を形
成した状態の断面図。
成した状態の断面図。
【図７】ＩＣチップの製造に際し、メッキレジストおよ
び不要な部分のアンダーバンプメタルを除去した状態の
断面図。
び不要な部分のアンダーバンプメタルを除去した状態の
断面図。
【図８】ＩＣチップと配線基板の接続後の状態の断面
図。
図。
【図９】従来例におけるＩＣチップと配線基板の接続後
の状態の断面図。
の状態の断面図。
２１ ＩＣチップ ２２ 電極 ２８ 金属バンプ ２９ 半田層 ３１ 配線基板 ３３ 接続パッド ３６ 半田バンプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/60 311 H01L 21/603 H01L 21/321 H01L 21/92 602 H01L 21/92 604
Claims (2)
- 【請求項１】金属バンプ上に導電層を有するＩＣチップ
と、接続パッド上に前記導電層より融点の高い半田バン
プを有する配線基板とを備え、前記ＩＣチップの前記導
電層を前記配線基板の前記半田バンプに熱圧着して接続
したことを特徴とするＩＣチップの接続構造。 - 【請求項２】ＩＣチップの金属バンプ上に設けられた導
電層を配線基板の接続パッド上に設けられた前記導電層
より融点の高い半田バンプに、前記導電層は溶融するが
前記半田バンプは溶融しない加熱温度で熱圧着して接続
することを特徴とするＩＣチップの接続方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3581392A JP2789910B2 (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | Ｉｃチップの接続構造およびその方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3581392A JP2789910B2 (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | Ｉｃチップの接続構造およびその方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9076716A Division JP2893634B2 (ja) | 1997-03-13 | 1997-03-13 | 電子部品の接続構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05206221A JPH05206221A (ja) | 1993-08-13 |
| JP2789910B2 true JP2789910B2 (ja) | 1998-08-27 |
Family
ID=12452371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3581392A Expired - Lifetime JP2789910B2 (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | Ｉｃチップの接続構造およびその方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2789910B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1022775B1 (en) * | 1997-07-15 | 2011-08-31 | Hitachi, Ltd. | Method of fabrication of semiconductor device and mounting structure thereof |
| JP2002313995A (ja) * | 2001-04-19 | 2002-10-25 | Mitsubishi Electric Corp | ランドグリッドアレイ型半導体装置およびその実装方法 |
| CN102169845B (zh) * | 2011-02-22 | 2013-08-14 | 中国科学院微电子研究所 | 一种用于三维封装的多层混合同步键合结构及方法 |
| JP6136411B2 (ja) * | 2013-03-18 | 2017-05-31 | 富士通株式会社 | 電子部品の接合方法および電子機器 |
-
1992
- 1992-01-28 JP JP3581392A patent/JP2789910B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JPH05206221A (ja) | 1993-08-13 |
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