JP2786845B2 - フォトマスク保護用防塵膜 - Google Patents
フォトマスク保護用防塵膜Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体の製造工程
において、フォトマスクやレチクルをごみの付着から防
止するフォトマスク保護用防塵膜に関する。 【０００２】 【従来の技術】ＬＳＩなどの半導体の製造において、フ
ォトマスクのマスクパターンをフォトレジストに転写す
るリゾグラフィー工程では、フォトマスクやレチクルに
ごみが付着するのを防止する必要があり、そのためにフ
ォトマスクやレチクルを防塵膜で保護している。 【０００３】このようなフォトマスク保護用防塵膜とし
ては、従来ニトロセルロース、セルロース・アセテート
・ブチレート、アルキルセルロース等の薄膜が使用され
ている。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】このようなフォトマス
ク保護用防塵膜に要求される性能としては、高透光性を
有し、耐光性が良いことであるが、前記従来のもので
は、フォトリゾグラフィーに用いる波長３６５ｎｍの光
に対して若干の吸収性を示し、この付近の波長の光に対
し耐光性が悪い。 【０００５】本発明は、このような点に鑑みなされたも
ので、高透光性を有し耐光性に優れ、かつ長寿命のフォ
トマスク保護用防塵膜を提供することを課題とする。 【０００６】 【課題を解決するための手段】前記問題点は、ポリスチ
レン標準による重量平均分子量が６０，０００〜４７
０，０００のプロピオン酸セルロースでフォトマスク保
護用防塵膜を形成することにより解決される。 【０００７】本発明のフォトマスク保護用防塵膜は、波
長が３６５ｎｍの光に対し、９９％以上の高透光率を示
す。 【０００８】 【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、詳細に説明する。本発明のフォトマスク保護用防塵
膜は、プロピオン酸セルロースの有機溶媒溶液から回転
製膜法により製造することができる。 【０００９】プロピオン酸セルロースに対する有機溶媒
としては、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、アセ
トン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ジイソブ
チルケトン、シクロヘキサノン、ジアセトンアルコール
等のケトン系溶媒が特に適しており、目的とする膜厚、
膜厚均一性を得るためにも、最も効率の良い溶媒を選定
する。 【００１０】むろん、有機溶媒は上述したものに限定さ
れず、例えばメタノール、エタノール等のアルコール
類、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン、
１，２−ジエトキシエタン等のエーテル類、酢酸エチ
ル、乳酸エチル、ギ酸ブチル、酢酸ブチル等のエステル
類も単独又は２種以上の組合せで使用し得ることが了解
されるべきである。 【００１１】メチルイソブチルケトン等の溶媒に対する
プロピオン酸セルロースの重量比は、３０：１〜１０：
１、好適には２０：１〜１０：１の範囲内にあるのがよ
い。このプロピオン酸セルロースの溶液をそのまま使用
して回転製膜法により製膜してもよいが、異物の除去の
ため、濾過した後に薄膜に成形した方がよい。濾過は、
例えば０．２μｍのフィルタを用いた加圧濾過方法によ
る。 【００１２】また、プロピオン酸セルロース溶液から分
別沈殿法により高分子量のものを予め除去しておくと、
精製する薄膜の膜厚の分布が均一となり、且つ光学的特
性も顕著に向上する。 【００１３】さらに、前記有機溶媒に対しては混和性を
有するがプロピオン酸セルロースに対しては貧溶媒であ
る第二の有機溶媒を、前記プロピオン酸セルロースの有
機溶媒溶液に添加して、プロピオン酸セルロース中の高
分子量セルロース、さらに好ましくは高分子量成分と共
にゲル状物、低溶解度不純物等を析出させ、前記溶液か
ら高分子量プロピオン酸セルロースを分離し、分離後の
プロピオン酸セルロース溶液を回転製膜法により製膜す
るとよい。 【００１４】このように高分子量のものを分別沈殿させ
てあるいは貧溶媒を用いて除去することにより、製膜用
原料溶液の安定性や濾過性、更には成膜性能を高め、ま
た、これにより得られる薄膜の厚みの分布を均一化し、
且つ光学的特性を顕著に向上させることが可能となる。 【００１５】プロピオン酸セルロースに対する貧溶媒と
しては、ヘキサン、へプタン、メチルシクロヘキサン、
シクロヘキサン、トルエン、オクタン、ソルベントナフ
タ、シクロナフタ、キシレン等が上げられるが、この貧
溶媒は後に加熱して脱溶媒する必要上、メチルイソブチ
ルケトンの溶媒の沸点よりその沸点が低いもの、特にヘ
キサン、へプタン、メチルシクロヘキサン、シクロヘキ
サン等の脂肪族炭化水素又は脂環族炭化水素で、炭素数
が５〜１０のものが有利である。入手の容易さやコスト
の面でヘキサンが有利である。 【００１６】貧溶媒の添加量は、容積比で貧溶媒／溶媒
＝０．８〜１．５であるのが好ましく、実使用上は１．
０〜１．２０が好適である。メチルイソブチルケトン等
の溶媒の量より貧溶媒の量が少ないと、高分子量セルロ
ースの析出作用が思うように行われない。貧溶媒（ヘキ
サン）とメチルイソブチルケトンの容積比を変化させる
ことにより、たとえばプロピオン酸セルロースの平均分
子量がどのように変化するかを調べたところ、貧溶媒の
添加量が増えるほど、プロピオン酸セルロースの平均分
子量が減ること、すなわち、高分子量分が析出されるこ
とが理解できる。ただし、貧溶媒の添加量が多すぎる
と、得るべきプロピオン酸セルロースの精製溶液の収量
が少なくなり、生産性が劣ることとなる。 【００１７】貧溶媒を添加した後、デカンテーションや
遠心分離等の手段で高分子量セルロースのみを除去した
プロピオン酸セルロースの溶液を得、さらに、残留して
いる貧溶媒を脱溶媒し、プロピオン酸セルロースの精製
溶液を得る。脱溶媒の手段はメチルイソブチルケトンの
沸点以下で貧溶媒の沸点以上に加熱して、貧溶媒を蒸発
させてしまうことにより行う。その際、プロピオン酸セ
ルロース溶液を減圧下に置いてもよい。 【００１８】薄膜の厚みは種々変化させ得るが、一般
に、０．５〜６μｍ、特に０．８〜３μｍの範囲内にあ
るのがよい。防塵膜としては、２．８５μｍのものが使
用される。 【００１９】ここで、回転製膜法に使用する装置の一例
について説明する。この装置は第１図に示すように、回
転駆動されるターンテーブル１上に基板２を載置したも
ので、この基板２を回転体とし、基板２の上面を水平に
保って水平面３としたものである。そして、この水平面
３にプロピオン酸セルロース溶液をノズル４から供給し
てターンテーブルを回すと、基板２も回転し、その遠心
力でセルロースエステル溶液が水平面３に沿って薄く広
がり、セルロースエステル薄膜が成形される。 【００２０】基板２の回転速度は通常４００〜４０００
ｒｐｍ、好ましくは５００〜３０００ｒｐｍがよいが、
定速で回転させるだけでなく、立ち上がりは低速（２０
０〜１０００ｒｐｍ）とし、途中から高速（４００〜４
０００ｒｐｍ）としてもよい。 【００２１】また、基板２の水平面３に離型剤を予め塗
布しておくと、薄膜を水平面から剥がしやすい。このよ
うにして得られる本発明の防塵膜は、ポリスチレン標準
による重量平均分子量が６０，０００〜４７０，０００
であることが必要である。重量平均分子量が低すぎると
膜の強度が使用に耐えられなくなり、高すぎると溶媒に
対する溶解性が悪くなり、均一な膜を製造できなくな
る。 【００２２】 【実施例】以下に、本発明の実施例について比較例と比
較しつつ説明する。プロピオン酸セルロース［アルドリ
ッチ社製、ハイモレキュラーウェートグレード］７０ｇ
を、メチルイソブチルケトン９３０ｇに溶解してプロピ
オン酸セルロース溶液を形成し、このプロピオン酸セル
ロース溶液にヘキサンを６０５ｇ滴下により添加し（こ
のとき、メチルイソブチルケトンの量が１１７０ｍＬ、
ヘキサンの量が９２０ｍＬで、両者の関係を容積比で表
すと、１．２７：１である）、５時間放置してデカンテ
ーションを行い、沈殿した高分子量プロピオン酸セルロ
ースを除去し、上澄み液を４０℃で１５〜２０ｍｍＨｇ
の減圧下に置いてヘキサンを脱溶媒し、プロピオン酸セ
ルロース精製溶液を得た。 【００２３】このプロピオン酸セルロース精製溶液を孔
径０．２μｍで、直径１４２ｍｍのフィルタを用いて
０．５ｋｇ／ｃｍ2・Ｇの加圧下で循環濾過を行ったと
ころ、４０時間後もフィルタの詰まりはなく濾過でき
た。また、濾過後のプロピオン酸セルロース溶液で回転
製膜法により薄膜を製造した。 【００２４】得られた薄膜の重量平均分子量は、４７
０，０００であり、色むらや筋のない光学的特性のよい
プロピオン酸セルロース薄膜で、光透過率が９９％以上
であった。 【００２５】 【発明の効果】本発明の防塵膜によれば、透光性が極め
て良く、耐光性に優れているため、フォトマスク保護用
防塵膜としての性能を十分に発揮でき、しかも寿命がニ
トロセルロース製防塵膜の２倍以上という優れた効果を
有する。
において、フォトマスクやレチクルをごみの付着から防
止するフォトマスク保護用防塵膜に関する。 【０００２】 【従来の技術】ＬＳＩなどの半導体の製造において、フ
ォトマスクのマスクパターンをフォトレジストに転写す
るリゾグラフィー工程では、フォトマスクやレチクルに
ごみが付着するのを防止する必要があり、そのためにフ
ォトマスクやレチクルを防塵膜で保護している。 【０００３】このようなフォトマスク保護用防塵膜とし
ては、従来ニトロセルロース、セルロース・アセテート
・ブチレート、アルキルセルロース等の薄膜が使用され
ている。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】このようなフォトマス
ク保護用防塵膜に要求される性能としては、高透光性を
有し、耐光性が良いことであるが、前記従来のもので
は、フォトリゾグラフィーに用いる波長３６５ｎｍの光
に対して若干の吸収性を示し、この付近の波長の光に対
し耐光性が悪い。 【０００５】本発明は、このような点に鑑みなされたも
ので、高透光性を有し耐光性に優れ、かつ長寿命のフォ
トマスク保護用防塵膜を提供することを課題とする。 【０００６】 【課題を解決するための手段】前記問題点は、ポリスチ
レン標準による重量平均分子量が６０，０００〜４７
０，０００のプロピオン酸セルロースでフォトマスク保
護用防塵膜を形成することにより解決される。 【０００７】本発明のフォトマスク保護用防塵膜は、波
長が３６５ｎｍの光に対し、９９％以上の高透光率を示
す。 【０００８】 【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、詳細に説明する。本発明のフォトマスク保護用防塵
膜は、プロピオン酸セルロースの有機溶媒溶液から回転
製膜法により製造することができる。 【０００９】プロピオン酸セルロースに対する有機溶媒
としては、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、アセ
トン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ジイソブ
チルケトン、シクロヘキサノン、ジアセトンアルコール
等のケトン系溶媒が特に適しており、目的とする膜厚、
膜厚均一性を得るためにも、最も効率の良い溶媒を選定
する。 【００１０】むろん、有機溶媒は上述したものに限定さ
れず、例えばメタノール、エタノール等のアルコール
類、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン、
１，２−ジエトキシエタン等のエーテル類、酢酸エチ
ル、乳酸エチル、ギ酸ブチル、酢酸ブチル等のエステル
類も単独又は２種以上の組合せで使用し得ることが了解
されるべきである。 【００１１】メチルイソブチルケトン等の溶媒に対する
プロピオン酸セルロースの重量比は、３０：１〜１０：
１、好適には２０：１〜１０：１の範囲内にあるのがよ
い。このプロピオン酸セルロースの溶液をそのまま使用
して回転製膜法により製膜してもよいが、異物の除去の
ため、濾過した後に薄膜に成形した方がよい。濾過は、
例えば０．２μｍのフィルタを用いた加圧濾過方法によ
る。 【００１２】また、プロピオン酸セルロース溶液から分
別沈殿法により高分子量のものを予め除去しておくと、
精製する薄膜の膜厚の分布が均一となり、且つ光学的特
性も顕著に向上する。 【００１３】さらに、前記有機溶媒に対しては混和性を
有するがプロピオン酸セルロースに対しては貧溶媒であ
る第二の有機溶媒を、前記プロピオン酸セルロースの有
機溶媒溶液に添加して、プロピオン酸セルロース中の高
分子量セルロース、さらに好ましくは高分子量成分と共
にゲル状物、低溶解度不純物等を析出させ、前記溶液か
ら高分子量プロピオン酸セルロースを分離し、分離後の
プロピオン酸セルロース溶液を回転製膜法により製膜す
るとよい。 【００１４】このように高分子量のものを分別沈殿させ
てあるいは貧溶媒を用いて除去することにより、製膜用
原料溶液の安定性や濾過性、更には成膜性能を高め、ま
た、これにより得られる薄膜の厚みの分布を均一化し、
且つ光学的特性を顕著に向上させることが可能となる。 【００１５】プロピオン酸セルロースに対する貧溶媒と
しては、ヘキサン、へプタン、メチルシクロヘキサン、
シクロヘキサン、トルエン、オクタン、ソルベントナフ
タ、シクロナフタ、キシレン等が上げられるが、この貧
溶媒は後に加熱して脱溶媒する必要上、メチルイソブチ
ルケトンの溶媒の沸点よりその沸点が低いもの、特にヘ
キサン、へプタン、メチルシクロヘキサン、シクロヘキ
サン等の脂肪族炭化水素又は脂環族炭化水素で、炭素数
が５〜１０のものが有利である。入手の容易さやコスト
の面でヘキサンが有利である。 【００１６】貧溶媒の添加量は、容積比で貧溶媒／溶媒
＝０．８〜１．５であるのが好ましく、実使用上は１．
０〜１．２０が好適である。メチルイソブチルケトン等
の溶媒の量より貧溶媒の量が少ないと、高分子量セルロ
ースの析出作用が思うように行われない。貧溶媒（ヘキ
サン）とメチルイソブチルケトンの容積比を変化させる
ことにより、たとえばプロピオン酸セルロースの平均分
子量がどのように変化するかを調べたところ、貧溶媒の
添加量が増えるほど、プロピオン酸セルロースの平均分
子量が減ること、すなわち、高分子量分が析出されるこ
とが理解できる。ただし、貧溶媒の添加量が多すぎる
と、得るべきプロピオン酸セルロースの精製溶液の収量
が少なくなり、生産性が劣ることとなる。 【００１７】貧溶媒を添加した後、デカンテーションや
遠心分離等の手段で高分子量セルロースのみを除去した
プロピオン酸セルロースの溶液を得、さらに、残留して
いる貧溶媒を脱溶媒し、プロピオン酸セルロースの精製
溶液を得る。脱溶媒の手段はメチルイソブチルケトンの
沸点以下で貧溶媒の沸点以上に加熱して、貧溶媒を蒸発
させてしまうことにより行う。その際、プロピオン酸セ
ルロース溶液を減圧下に置いてもよい。 【００１８】薄膜の厚みは種々変化させ得るが、一般
に、０．５〜６μｍ、特に０．８〜３μｍの範囲内にあ
るのがよい。防塵膜としては、２．８５μｍのものが使
用される。 【００１９】ここで、回転製膜法に使用する装置の一例
について説明する。この装置は第１図に示すように、回
転駆動されるターンテーブル１上に基板２を載置したも
ので、この基板２を回転体とし、基板２の上面を水平に
保って水平面３としたものである。そして、この水平面
３にプロピオン酸セルロース溶液をノズル４から供給し
てターンテーブルを回すと、基板２も回転し、その遠心
力でセルロースエステル溶液が水平面３に沿って薄く広
がり、セルロースエステル薄膜が成形される。 【００２０】基板２の回転速度は通常４００〜４０００
ｒｐｍ、好ましくは５００〜３０００ｒｐｍがよいが、
定速で回転させるだけでなく、立ち上がりは低速（２０
０〜１０００ｒｐｍ）とし、途中から高速（４００〜４
０００ｒｐｍ）としてもよい。 【００２１】また、基板２の水平面３に離型剤を予め塗
布しておくと、薄膜を水平面から剥がしやすい。このよ
うにして得られる本発明の防塵膜は、ポリスチレン標準
による重量平均分子量が６０，０００〜４７０，０００
であることが必要である。重量平均分子量が低すぎると
膜の強度が使用に耐えられなくなり、高すぎると溶媒に
対する溶解性が悪くなり、均一な膜を製造できなくな
る。 【００２２】 【実施例】以下に、本発明の実施例について比較例と比
較しつつ説明する。プロピオン酸セルロース［アルドリ
ッチ社製、ハイモレキュラーウェートグレード］７０ｇ
を、メチルイソブチルケトン９３０ｇに溶解してプロピ
オン酸セルロース溶液を形成し、このプロピオン酸セル
ロース溶液にヘキサンを６０５ｇ滴下により添加し（こ
のとき、メチルイソブチルケトンの量が１１７０ｍＬ、
ヘキサンの量が９２０ｍＬで、両者の関係を容積比で表
すと、１．２７：１である）、５時間放置してデカンテ
ーションを行い、沈殿した高分子量プロピオン酸セルロ
ースを除去し、上澄み液を４０℃で１５〜２０ｍｍＨｇ
の減圧下に置いてヘキサンを脱溶媒し、プロピオン酸セ
ルロース精製溶液を得た。 【００２３】このプロピオン酸セルロース精製溶液を孔
径０．２μｍで、直径１４２ｍｍのフィルタを用いて
０．５ｋｇ／ｃｍ2・Ｇの加圧下で循環濾過を行ったと
ころ、４０時間後もフィルタの詰まりはなく濾過でき
た。また、濾過後のプロピオン酸セルロース溶液で回転
製膜法により薄膜を製造した。 【００２４】得られた薄膜の重量平均分子量は、４７
０，０００であり、色むらや筋のない光学的特性のよい
プロピオン酸セルロース薄膜で、光透過率が９９％以上
であった。 【００２５】 【発明の効果】本発明の防塵膜によれば、透光性が極め
て良く、耐光性に優れているため、フォトマスク保護用
防塵膜としての性能を十分に発揮でき、しかも寿命がニ
トロセルロース製防塵膜の２倍以上という優れた効果を
有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明のセルロースエステル薄膜の製造方法
に使用する装置の斜視図である。 【符号の説明】 １・・・ターンテーブル ２・・・基板 ３・・・水平面 ４・・・ノズル
に使用する装置の斜視図である。 【符号の説明】 １・・・ターンテーブル ２・・・基板 ３・・・水平面 ４・・・ノズル
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．ポリスチレン標準による重量平均分子量が６０，０
００〜４７０，０００のプロピオン酸セルロースからな
るフォトマスク保護用防塵膜。 ２．膜厚が２．８５μｍである、請求項１記載のフォト
マスク保護用防塵膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26319496A JP2786845B2 (ja) | 1996-10-03 | 1996-10-03 | フォトマスク保護用防塵膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26319496A JP2786845B2 (ja) | 1996-10-03 | 1996-10-03 | フォトマスク保護用防塵膜 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26988887A Division JPH0798869B2 (ja) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | フォトマスク保護用防塵膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09218501A JPH09218501A (ja) | 1997-08-19 |
| JP2786845B2 true JP2786845B2 (ja) | 1998-08-13 |
Family
ID=17386091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26319496A Expired - Fee Related JP2786845B2 (ja) | 1996-10-03 | 1996-10-03 | フォトマスク保護用防塵膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2786845B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58219023A (ja) * | 1982-06-15 | 1983-12-20 | Daicel Chem Ind Ltd | 樹脂薄膜の製造方法 |
| JPS6235359A (ja) * | 1985-08-09 | 1987-02-16 | Daicel Chem Ind Ltd | コ−テツド薄膜の製造法 |
-
1996
- 1996-10-03 JP JP26319496A patent/JP2786845B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09218501A (ja) | 1997-08-19 |
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| Date | Code | Title | Description |
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