JP2783749B2 - 光学素子成形用型の再生方法 - Google Patents
光学素子成形用型の再生方法Info
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B11/00—Pressing molten glass or performed glass reheated to equivalent low viscosity without blowing
- C03B11/06—Construction of plunger or mould
- C03B11/08—Construction of plunger or mould for making solid articles, e.g. lenses
- C03B11/084—Construction of plunger or mould for making solid articles, e.g. lenses material composition or material properties of press dies therefor
- C03B11/086—Construction of plunger or mould for making solid articles, e.g. lenses material composition or material properties of press dies therefor of coated dies
-
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- C03B2215/02—Press-mould materials
- C03B2215/08—Coated press-mould dies
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光学素子成形用型につ
いて、その成形面にある、劣化した被覆層を除去し、再
生するための再生方法に関するものである。
いて、その成形面にある、劣化した被覆層を除去し、再
生するための再生方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、光学素子成形用型の清浄化方法と
して、特開昭６４−３０２６号公報には、付着物で汚れ
た成形用型の成形面を、イオンビームで照射し、その
後、焼鈍する方法が記載されている。また、特開昭６４
−９８２２号公報には、プラズマを照射することによ
り、成形用型の表面を清浄化する方法が記載されてい
る。更に、特開平２−３８３３０号公報には、成形面に
硬質炭素膜を有するガラス成形用型の上記硬質炭素膜
を、酸素プラズマアッシングにより除去した後、弗化水
素またはその塩の水溶液により、成形型の成形面を洗浄
処理する成形用型の再生方法が記載されている。
して、特開昭６４−３０２６号公報には、付着物で汚れ
た成形用型の成形面を、イオンビームで照射し、その
後、焼鈍する方法が記載されている。また、特開昭６４
−９８２２号公報には、プラズマを照射することによ
り、成形用型の表面を清浄化する方法が記載されてい
る。更に、特開平２−３８３３０号公報には、成形面に
硬質炭素膜を有するガラス成形用型の上記硬質炭素膜
を、酸素プラズマアッシングにより除去した後、弗化水
素またはその塩の水溶液により、成形型の成形面を洗浄
処理する成形用型の再生方法が記載されている。
【０００３】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、特
開昭６４−３０２６号公報および特開昭６４−９８２２
号公報に記載されているイオンビーム照射およびプラズ
マ照射による方法は、成形用型の成形面の清浄化方法で
あり、上記成形面の再生方法とは異なる。特開平２−３
８３３０号公報に所載の方法は、硬質炭素膜を使用した
成形用型の再生方法であるが、連続成形を行なった成形
用型の場合、炭素膜中にガラス中の金属成分が拡散して
いて、酸素プラズマアッシングでは、処理後に残留物が
成形面に残ってしまう。
開昭６４−３０２６号公報および特開昭６４−９８２２
号公報に記載されているイオンビーム照射およびプラズ
マ照射による方法は、成形用型の成形面の清浄化方法で
あり、上記成形面の再生方法とは異なる。特開平２−３
８３３０号公報に所載の方法は、硬質炭素膜を使用した
成形用型の再生方法であるが、連続成形を行なった成形
用型の場合、炭素膜中にガラス中の金属成分が拡散して
いて、酸素プラズマアッシングでは、処理後に残留物が
成形面に残ってしまう。
【０００４】これを除去するために、弗化水素またはそ
の塩の水溶液で処理する方法も記載されているが、この
場合には、成形用型の母材が、耐薬品性の高い材料に限
定されてしまうという不都合がある。更に、上記方法の
みでは、連続成形の過程において付着した種々の汚れを
完全に除去できないという欠点がある。
の塩の水溶液で処理する方法も記載されているが、この
場合には、成形用型の母材が、耐薬品性の高い材料に限
定されてしまうという不都合がある。更に、上記方法の
みでは、連続成形の過程において付着した種々の汚れを
完全に除去できないという欠点がある。
【０００５】
【発明の目的】本発明は、上記事情に基いてなされたも
ので、成形用型母材の成形面に対する付着物除去に、従
来の減圧プラズマエッチング工程に加えて、更に、物理
的な処理で、残留付着物も除去できる光学素子成形用型
の再生方法を提供しようとするものである。
ので、成形用型母材の成形面に対する付着物除去に、従
来の減圧プラズマエッチング工程に加えて、更に、物理
的な処理で、残留付着物も除去できる光学素子成形用型
の再生方法を提供しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】このため、本発明では、
減圧プラズマエッチング工程を採用することにより、多
少の金属成分を含有する炭素系膜でも除去することが可
能であり、かつ、上記減圧プラズマエッチング処理後
に、微小粒径の砥粒を用いた擦り作用により、強固な付
着物も除去できるようにしたのである。
減圧プラズマエッチング工程を採用することにより、多
少の金属成分を含有する炭素系膜でも除去することが可
能であり、かつ、上記減圧プラズマエッチング処理後
に、微小粒径の砥粒を用いた擦り作用により、強固な付
着物も除去できるようにしたのである。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の光学素子成形用型の再生方法
を、図面を参照しながら、具体的に説明する。図１にお
いて、符号１０は超硬合金型母材、１２は型母材１０上
にイオンビーム法により形成された炭素系膜、１４は型
母材１０上に炭素系膜１２を形成してなる成形用型、２
１は減圧プラズマエッチング後の残留物、３０は減圧プ
ラズマエッチング後に微小粒径砥粒により擦り作用、お
よび、溶剤による洗浄を行なった後の成形用型、４０は
最終的に成形面に炭素系膜を再生した成形用型を示して
いる。
を、図面を参照しながら、具体的に説明する。図１にお
いて、符号１０は超硬合金型母材、１２は型母材１０上
にイオンビーム法により形成された炭素系膜、１４は型
母材１０上に炭素系膜１２を形成してなる成形用型、２
１は減圧プラズマエッチング後の残留物、３０は減圧プ
ラズマエッチング後に微小粒径砥粒により擦り作用、お
よび、溶剤による洗浄を行なった後の成形用型、４０は
最終的に成形面に炭素系膜を再生した成形用型を示して
いる。
【０００８】つぎに、上記成形用型の再生方法につい
て、その実施工程を説明する。連続成形の過程で成形面
が劣化している、再生すべき型１４を、先ず、高周波励
起方式の減圧プラズマエッチング装置におけるチャンバ
ー５０内の基板ホルダー５１にセットし、チャンバー５
０内が１×１０-4Ｔｏｒｒになる迄、真空排気した後、
酸素とＣＦ4 を１対１で混合したガスを、ガス導入口５
２から、チャンバー５０内が２×１０-3Ｔｏｒｒになる
迄、導入しながら、高周波電源５３からの印加電圧によ
り、高周波電力２００Ｗを供給して、放電を行ない、マ
ッチング・ボックス５４を調整して、プラズマエッチン
グ処理を、例えば、４分間行う。
て、その実施工程を説明する。連続成形の過程で成形面
が劣化している、再生すべき型１４を、先ず、高周波励
起方式の減圧プラズマエッチング装置におけるチャンバ
ー５０内の基板ホルダー５１にセットし、チャンバー５
０内が１×１０-4Ｔｏｒｒになる迄、真空排気した後、
酸素とＣＦ4 を１対１で混合したガスを、ガス導入口５
２から、チャンバー５０内が２×１０-3Ｔｏｒｒになる
迄、導入しながら、高周波電源５３からの印加電圧によ
り、高周波電力２００Ｗを供給して、放電を行ない、マ
ッチング・ボックス５４を調整して、プラズマエッチン
グ処理を、例えば、４分間行う。
【０００９】このように、プラズマエッチングした成形
用型２０の成形面には、微小ながら若干のガラスからの
揮発成分などの残留物２１が残るが、更に、０．５μｍ
平均粒径のダイヤモンド・ペーストを付着させた研磨布
により、荷重１ｋｇｆ／ｃｍ2 程度で６０回擦ることに
より、成形面から上記残留付着物を除去し、エーテルと
アルコールの混合溶剤により、成形面を拭き取り洗浄し
て、炭素系膜および汚れを除去する。この処理後の成形
用型３０の成形面に対して、例えば、イオンビーム堆積
法を用いて、炭素系膜を形成し、最終的に、再生された
成形用型４０を得る。
用型２０の成形面には、微小ながら若干のガラスからの
揮発成分などの残留物２１が残るが、更に、０．５μｍ
平均粒径のダイヤモンド・ペーストを付着させた研磨布
により、荷重１ｋｇｆ／ｃｍ2 程度で６０回擦ることに
より、成形面から上記残留付着物を除去し、エーテルと
アルコールの混合溶剤により、成形面を拭き取り洗浄し
て、炭素系膜および汚れを除去する。この処理後の成形
用型３０の成形面に対して、例えば、イオンビーム堆積
法を用いて、炭素系膜を形成し、最終的に、再生された
成形用型４０を得る。
【００１０】再生された成形用型４０の成形面は、前述
のような欠陥もなく、連続成形においても、再度、光学
素子として、良好な成形品を得ることができる。即ち、
本発明の方法により、成形用型を再生した場合、その
後、繰返し、連続成形、再生を行なったとしても、例え
ば、１０回の再生を行なっても、成形用型の成形面にお
ける実質的な表面劣化は微小であり、外観上、成形品に
問題となる点は見付からなかった。
のような欠陥もなく、連続成形においても、再度、光学
素子として、良好な成形品を得ることができる。即ち、
本発明の方法により、成形用型を再生した場合、その
後、繰返し、連続成形、再生を行なったとしても、例え
ば、１０回の再生を行なっても、成形用型の成形面にお
ける実質的な表面劣化は微小であり、外観上、成形品に
問題となる点は見付からなかった。
【００１１】図１において、符号１０の型母材として、
超硬合金の他、窒化物サーメット、炭化物サーメット、
硼化物サーメット、酸化物サーメットを用いた場合、あ
るいは、上記型母材の成形面に、窒化物（ＴｉＮ、Ｓｉ
3 Ｎ4 など）、炭化物（ＴｉＣ、ＳｉＣなど）、硼化物
（ＴｉＢ、ＨｆＢなど）、酸化物（Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ
2 、ＴｉＯ2 など）、あるいは、その混合物の膜を形成
したものを、新たな型母材として用いた場合も、同様の
再生工程を応用できる。
超硬合金の他、窒化物サーメット、炭化物サーメット、
硼化物サーメット、酸化物サーメットを用いた場合、あ
るいは、上記型母材の成形面に、窒化物（ＴｉＮ、Ｓｉ
3 Ｎ4 など）、炭化物（ＴｉＣ、ＳｉＣなど）、硼化物
（ＴｉＢ、ＨｆＢなど）、酸化物（Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ
2 、ＴｉＯ2 など）、あるいは、その混合物の膜を形成
したものを、新たな型母材として用いた場合も、同様の
再生工程を応用できる。
【００１２】因に、ダイヤモンド・ペーストによる擦り
作用のみで、劣化した炭素系被膜を除去し、再生した場
合には、除去に多大の時間を要すること、ダイヤモンド
・ペーストに、その平均粒径の大きな砥粒を使用しなけ
れば、残留付着物の除去が確実にできないこと、また、
その砥粒の大きさに鑑み、成形面に傷などの損傷が発生
するために、成形用型自体の修正研磨によるメンテナン
スが必要になることなどの問題が残る。
作用のみで、劣化した炭素系被膜を除去し、再生した場
合には、除去に多大の時間を要すること、ダイヤモンド
・ペーストに、その平均粒径の大きな砥粒を使用しなけ
れば、残留付着物の除去が確実にできないこと、また、
その砥粒の大きさに鑑み、成形面に傷などの損傷が発生
するために、成形用型自体の修正研磨によるメンテナン
スが必要になることなどの問題が残る。
【００１３】また、酸素プラズマアッシングのみで処理
した場合にも、残留付着物が多く、後工程として、如何
しても、砥粒による物理的な擦り作用が必要になる。即
ち、プラズマエッチング工程のみでは、成形面の残留物
（炭素系膜）および付着物（ガラスからの揮発物）が除
去できないため、プラズマエッチング工程のみの処理
後、炭素系膜を形成して再生した型を用いた成形では、
成形品の表面欠陥が発生して、成形品の外観上の品質が
低下すること、あるいは、再生した炭素系膜の型母材に
対する密着性が悪く、成形時に膜剥離が発生するという
欠点がある。
した場合にも、残留付着物が多く、後工程として、如何
しても、砥粒による物理的な擦り作用が必要になる。即
ち、プラズマエッチング工程のみでは、成形面の残留物
（炭素系膜）および付着物（ガラスからの揮発物）が除
去できないため、プラズマエッチング工程のみの処理
後、炭素系膜を形成して再生した型を用いた成形では、
成形品の表面欠陥が発生して、成形品の外観上の品質が
低下すること、あるいは、再生した炭素系膜の型母材に
対する密着性が悪く、成形時に膜剥離が発生するという
欠点がある。
【００１４】一方、擦り工程のみで、成形面の多量の残
留物および付着物を除去した場合、成形面の面精度が低
下し、そのため、成形品の面精度を低下させる欠点があ
る。以上説明したように、プラズマエッチング工程ある
いは擦り工程を単独で型成形面の再生工程に応用した場
合、各々に欠点がある。
留物および付着物を除去した場合、成形面の面精度が低
下し、そのため、成形品の面精度を低下させる欠点があ
る。以上説明したように、プラズマエッチング工程ある
いは擦り工程を単独で型成形面の再生工程に応用した場
合、各々に欠点がある。
【００１５】本発明で示した通り、プラズマエッチング
工程により、大部分の成形面の残留物および付着物を均
一な状態で除いた後、微小な残留物および付着物を微小
粒径の砥粒を用いた擦るにより除去する工程を採用する
ことで、上記欠点を防止し、良好な外観および面精度の
成形品を得るための型再生が可能になった。
工程により、大部分の成形面の残留物および付着物を均
一な状態で除いた後、微小な残留物および付着物を微小
粒径の砥粒を用いた擦るにより除去する工程を採用する
ことで、上記欠点を防止し、良好な外観および面精度の
成形品を得るための型再生が可能になった。
【００１６】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように、反応性
の減圧プラズマエッチング工程後に、微小粒径の砥粒を
用いた擦り作用による残留物除去工程を設けることによ
り、成形作業の過程で劣化した炭素系被膜の除去が完全
に行なわれ、その後の、新たな炭素系被膜の生成を行な
った成形型についても、その成形面は、欠陥もなく、表
面粗さも、初期の状態からほとんど変化することなく、
現実的に、０．０２μｍ以下を維持することができる。
このことから、成形用型の成形面の精度劣化に付随した
修正研摩などのメンテナンスが激減し、成形用型のラン
ニング・コストの大幅な低減を達成することができる。
の減圧プラズマエッチング工程後に、微小粒径の砥粒を
用いた擦り作用による残留物除去工程を設けることによ
り、成形作業の過程で劣化した炭素系被膜の除去が完全
に行なわれ、その後の、新たな炭素系被膜の生成を行な
った成形型についても、その成形面は、欠陥もなく、表
面粗さも、初期の状態からほとんど変化することなく、
現実的に、０．０２μｍ以下を維持することができる。
このことから、成形用型の成形面の精度劣化に付随した
修正研摩などのメンテナンスが激減し、成形用型のラン
ニング・コストの大幅な低減を達成することができる。
【図１】本発明の型再生方法の工程を示す図である。
【図２】プラズマエッチング装置の模式図である。
１０ 成形用型母材 １２ 炭素系膜 １４ 炭素系膜を形成した成形用型 ２１ プラズマエッチング後の残留物 ３０ ブラズマエッチング後に微小粒径の砥粒で擦り
作用を受け、その後に洗浄した成形用型 ４０ 炭素系膜を再生した成形用型 ５０ 高周波励起方式のプラズマエッチング装置のチ
ャンバー ５１ 基板ホルダー ５２ 反応ガス供給口 ５３ 高周波電源 ５４ マッチング・ボックス
作用を受け、その後に洗浄した成形用型 ４０ 炭素系膜を再生した成形用型 ５０ 高周波励起方式のプラズマエッチング装置のチ
ャンバー ５１ 基板ホルダー ５２ 反応ガス供給口 ５３ 高周波電源 ５４ マッチング・ボックス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 谷口 靖 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 中居 靖行 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 平６−40729（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−16431（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−234336（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−119534（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−93429（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−32424（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−38330（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−9822（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−3026（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C03B 11/00
Claims (3)
- 【請求項１】 成形面に炭素系被覆を施した成形用型を
用いて光学素子の成形を行なうことで、その成形用型の
被覆層が劣化した場合、該被覆層を除去し、再生する方
法において、上記被覆層に対して反応性の減圧プラズマ
エッチングを施す工程と、その後に、微小粒径の砥粒を
用いた擦り作用により、エッチング後の残留物を除去す
る工程とを有することを特徴とする光学素子成形用型の
再生方法。 - 【請求項２】 減圧プラズマエッチングの雰囲気ガスと
して、弗素系ガスあるいは弗素系ガスと酸素との混合ガ
スを用いることを特徴とする請求項１に記載の光学素子
成形用型の再生方法。 - 【請求項３】 砥粒の平均粒径を１μｍ以下とすること
を特徴とする請求項１に記載の光学素子成形用型の再生
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5156402A JP2783749B2 (ja) | 1993-06-03 | 1993-06-03 | 光学素子成形用型の再生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5156402A JP2783749B2 (ja) | 1993-06-03 | 1993-06-03 | 光学素子成形用型の再生方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06345447A JPH06345447A (ja) | 1994-12-20 |
| JP2783749B2 true JP2783749B2 (ja) | 1998-08-06 |
Family
ID=15626960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5156402A Expired - Fee Related JP2783749B2 (ja) | 1993-06-03 | 1993-06-03 | 光学素子成形用型の再生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2783749B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7059335B2 (en) * | 2002-01-31 | 2006-06-13 | Novartis Ag | Process for treating moulds or mould halves for the production of ophthalmic lenses |
| JP5495518B2 (ja) * | 2007-08-31 | 2014-05-21 | 日立マクセル株式会社 | ガラス光学素子の製造方法 |
| JP2009167020A (ja) * | 2008-01-10 | 2009-07-30 | Hitachi Maxell Ltd | 被洗浄部材の洗浄方法および光学素子の製造方法 |
| CN101945828A (zh) * | 2008-02-21 | 2011-01-12 | 柯尼卡美能达精密光学株式会社 | 成型模具再生方法 |
-
1993
- 1993-06-03 JP JP5156402A patent/JP2783749B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06345447A (ja) | 1994-12-20 |
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