JP2783712B2 - 高出力放射装置 - Google Patents
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- JP2783712B2 JP2783712B2 JP3317789A JP31778991A JP2783712B2 JP 2783712 B2 JP2783712 B2 JP 2783712B2 JP 3317789 A JP3317789 A JP 3317789A JP 31778991 A JP31778991 A JP 31778991A JP 2783712 B2 JP2783712 B2 JP 2783712B2
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J65/00—Lamps without any electrode inside the vessel; Lamps with at least one main electrode outside the vessel
- H01J65/04—Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels
- H01J65/042—Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels by an external electromagnetic field
- H01J65/046—Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels by an external electromagnetic field the field being produced by using capacitive means around the vessel
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、特に紫外線用の高出力
放射装置であって、放電室が設けられていて、該放電室
に、放電条件下に放射線を放射する封入ガスが充てんさ
れており、前記放電室が、形成される放射線に対して透
過性の材料から成る冷却された中空体の内室によって形
成されており、前記中空体の内壁に対して間隔をおいて
配置されていて冷却通路を備えている誘電体管が設けら
れていて、該誘電体管に内部電極が埋め込まれている
か、または嵌め込まれており、さらに、放電に対する給
電のための高電圧源が設けられている形式のものに関す
る。
放射装置であって、放電室が設けられていて、該放電室
に、放電条件下に放射線を放射する封入ガスが充てんさ
れており、前記放電室が、形成される放射線に対して透
過性の材料から成る冷却された中空体の内室によって形
成されており、前記中空体の内壁に対して間隔をおいて
配置されていて冷却通路を備えている誘電体管が設けら
れていて、該誘電体管に内部電極が埋め込まれている
か、または嵌め込まれており、さらに、放電に対する給
電のための高電圧源が設けられている形式のものに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】光化学法の工業的な使用は有効性の点で
適当なＵＶ源に大きく依存している。従来のＵＶ放射装
置は、いくつかの不連続の波長において、たとえば水銀
低圧ランプでは１８５ｎｍ、特に２５４ｎｍにおいて低
程度から中程度までのＵＶ強度を供給する。実際に高い
ＵＶ出力は高圧ランプ（Ｘｅ、Ｈｇ）からしか得られな
い。しかし、このような高圧ランプはその放射線を比較
的大きな波長範囲にわたって分配する。最近のエキシマ
レーザは光化学的な基礎実験のためのいくつかの新しい
波長を提供した。このエキシマレーザは現在ではコスト
の理由から工業的なプロセスに対してはあまり適してい
ない。
適当なＵＶ源に大きく依存している。従来のＵＶ放射装
置は、いくつかの不連続の波長において、たとえば水銀
低圧ランプでは１８５ｎｍ、特に２５４ｎｍにおいて低
程度から中程度までのＵＶ強度を供給する。実際に高い
ＵＶ出力は高圧ランプ（Ｘｅ、Ｈｇ）からしか得られな
い。しかし、このような高圧ランプはその放射線を比較
的大きな波長範囲にわたって分配する。最近のエキシマ
レーザは光化学的な基礎実験のためのいくつかの新しい
波長を提供した。このエキシマレーザは現在ではコスト
の理由から工業的なプロセスに対してはあまり適してい
ない。
【０００３】欧州特許出願公開第０３６３８３２号明細
書または１９８７年１１月１８〜２０日、ビュリュツブ
ルク（Ｗｕｅｒｚｂｕｒｇ）で開催された学会「ディー
・１０．フォアトラークスターグング・デア・ゲゼルシ
ャフト・ドイッチャ・ヒェーミカ、ファッハグルッペ・
フォートヒェミー」（ｄｉｅ １０．Ｖｏｒｔｒａｇｓ
ｔａｇｕｎｇ ｄｅｒ Ｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ Ｄ
ｅｕｔｓｈｅｒ Ｃｈｅｍｉｋｅｒ，Ｆａｃｈｇｒｕｐ
ｐｅ Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｅ）において配布されたコ
ーゲルシャッツ（Ｕ．Ｋｏｇｅｌｓｃｈａｔｚ）および
エリアソン（Ｂ．Ｅｌｉａｓｓｏｎ）著の学会誌「ノイ
エ・ＵＶ−・ウント・ＶＵＶ−エキシマシュトラーラ
（Ｎｅｕｅ ＵＶ−ｕｎｄ ＶＵＶ−Ｅｘｃｉｍｅｒｓ
ｔｒａｈｌｅｒ）」には、新しいエキシマ放射装置が記
載されている。この新しいタイプの放射装置の主眼は、
無声放電、つまりオゾン発生において工業的に汎用され
ているようなタイプの放電においてもエキシマ放射線を
発生させることができることに置かれている。この放電
の短時間でのみ（数ナノ秒）存在する火花において、電
子衝突によって希ガス原子が励起され、この希ガス原子
は引き続き反応して励起された分子複合体（エキシマ）
を形成する。このエキシマはほんの数ナノ秒の寿命しか
有しておらず、解離時にその結合エネルギを放射線の形
で放射する。この放射線の波長範囲は封入ガスの組成に
応じてＵＶＡ、ＵＶＢ、ＮＵＶＣおよびＶＵＶの範囲に
位置しているか、または可視スペクトル範囲に位置して
いている場合もある。
書または１９８７年１１月１８〜２０日、ビュリュツブ
ルク（Ｗｕｅｒｚｂｕｒｇ）で開催された学会「ディー
・１０．フォアトラークスターグング・デア・ゲゼルシ
ャフト・ドイッチャ・ヒェーミカ、ファッハグルッペ・
フォートヒェミー」（ｄｉｅ １０．Ｖｏｒｔｒａｇｓ
ｔａｇｕｎｇ ｄｅｒ Ｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ Ｄ
ｅｕｔｓｈｅｒ Ｃｈｅｍｉｋｅｒ，Ｆａｃｈｇｒｕｐ
ｐｅ Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｅ）において配布されたコ
ーゲルシャッツ（Ｕ．Ｋｏｇｅｌｓｃｈａｔｚ）および
エリアソン（Ｂ．Ｅｌｉａｓｓｏｎ）著の学会誌「ノイ
エ・ＵＶ−・ウント・ＶＵＶ−エキシマシュトラーラ
（Ｎｅｕｅ ＵＶ−ｕｎｄ ＶＵＶ−Ｅｘｃｉｍｅｒｓ
ｔｒａｈｌｅｒ）」には、新しいエキシマ放射装置が記
載されている。この新しいタイプの放射装置の主眼は、
無声放電、つまりオゾン発生において工業的に汎用され
ているようなタイプの放電においてもエキシマ放射線を
発生させることができることに置かれている。この放電
の短時間でのみ（数ナノ秒）存在する火花において、電
子衝突によって希ガス原子が励起され、この希ガス原子
は引き続き反応して励起された分子複合体（エキシマ）
を形成する。このエキシマはほんの数ナノ秒の寿命しか
有しておらず、解離時にその結合エネルギを放射線の形
で放射する。この放射線の波長範囲は封入ガスの組成に
応じてＵＶＡ、ＵＶＢ、ＮＵＶＣおよびＶＵＶの範囲に
位置しているか、または可視スペクトル範囲に位置して
いている場合もある。
【０００４】最近では、このような高出力放射装置に対
する需要が増大している。それというのは、この放射装
置の特別な特性が化学方法技術および物理方法技術、グ
ラフィック工業、被覆技術等において多くの新しい使用
領域を実現したからである。
する需要が増大している。それというのは、この放射装
置の特別な特性が化学方法技術および物理方法技術、グ
ラフィック工業、被覆技術等において多くの新しい使用
領域を実現したからである。
【０００５】この放射装置の経済的な使用を得るために
は、誘電体材料、ギャップ幅、圧力、温度および使用ガ
スの組成に関する放射装置の最適な設定と共に、この放
射装置の有効な冷却も極めて重要となる。公知の放射装
置では、一般にアース電位に接続された外部電極が冷却
される。付加的に、（高電圧電位に接続された）内部電
極の冷却も行なわれるようになっており、この場合、た
んに中空の内部電極に液状またはガス状の冷却媒体が通
されるようになっているだけである。電位特性に基づき
液体冷却の場合には、極めて小さな導電値を有する冷却
媒体、つまりほぼ絶縁性の性質を有する冷却媒体、たと
えば完全脱塩水またはオイルが使用されなければならな
い。さらに、経済的な理由から内部電極の冷却は閉じら
れた循環路で行なわれなければならない。
は、誘電体材料、ギャップ幅、圧力、温度および使用ガ
スの組成に関する放射装置の最適な設定と共に、この放
射装置の有効な冷却も極めて重要となる。公知の放射装
置では、一般にアース電位に接続された外部電極が冷却
される。付加的に、（高電圧電位に接続された）内部電
極の冷却も行なわれるようになっており、この場合、た
んに中空の内部電極に液状またはガス状の冷却媒体が通
されるようになっているだけである。電位特性に基づき
液体冷却の場合には、極めて小さな導電値を有する冷却
媒体、つまりほぼ絶縁性の性質を有する冷却媒体、たと
えば完全脱塩水またはオイルが使用されなければならな
い。さらに、経済的な理由から内部電極の冷却は閉じら
れた循環路で行なわれなければならない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、冒頭
で述べた形式の特にＵＶ光線またはＶＵＶ光線のための
高出力放射装置を改良して、技術的に簡単でかつ経済的
に冷却することのできるような放射装置を提供すること
である。
で述べた形式の特にＵＶ光線またはＶＵＶ光線のための
高出力放射装置を改良して、技術的に簡単でかつ経済的
に冷却することのできるような放射装置を提供すること
である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明の構成では、前記中空体が冷却体、つまりヒー
トシンクと熱接触状態にあり、該ヒートシンクに冷却通
路が設けられており、該冷却通路が、前記誘電体管に設
けられた冷却通路に接続されていて、閉じられた冷却媒
体循環路を形成しており、両冷却通路を通って、ほぼ絶
縁性の性質を有する冷却液が通流可能であるようにし
た。
に本発明の構成では、前記中空体が冷却体、つまりヒー
トシンクと熱接触状態にあり、該ヒートシンクに冷却通
路が設けられており、該冷却通路が、前記誘電体管に設
けられた冷却通路に接続されていて、閉じられた冷却媒
体循環路を形成しており、両冷却通路を通って、ほぼ絶
縁性の性質を有する冷却液が通流可能であるようにし
た。
【０００８】
【発明の効果】本発明によれば、いずれにせよ（外側
の）中空体のために必要となる冷却装置が、誘電体管の
冷却循環路のための熱交換器を形成している。この中空
体は汎用の水道水を用いて冷却することができる。した
がって、大量の高価な完全脱塩水または蒸留水が節約さ
れるか、または誘電体管のための付加的な循環冷却ユニ
ットが節約される訳である。
の）中空体のために必要となる冷却装置が、誘電体管の
冷却循環路のための熱交換器を形成している。この中空
体は汎用の水道水を用いて冷却することができる。した
がって、大量の高価な完全脱塩水または蒸留水が節約さ
れるか、または誘電体管のための付加的な循環冷却ユニ
ットが節約される訳である。
【０００９】
【実施例】以下に、本発明の実施例を図面につき詳しく
説明する。
説明する。
【００１０】図１および図２に示した高出力放射装置は
この実施例では円筒状の４つの個別放射器１から成って
おり、これらの個別放射器の構造は公知である。外側の
石英管２内には、この石英管から距離をおいて誘電体管
３が配置されている。両管の間に形成された環状室は放
射器の放電室４を形成している。誘電体管３の内壁は金
属層５（図２に拡大して示す）を備えており、この金属
層は放射器の内部電極を形成している。択一的に金属層
５の代わりに、たとえばセラミックスを主体とする誘電
層を被覆された金属管を使用することもできる。放射器
の外部電極は線材網状体６から成っており、この線材網
状体は全長にわたって、かつ外側の石英管２の外周の大
部分にわたって延びている。この外部電極と前記内部電
極とには、放電を生ぜしめるための高電圧源７が接続さ
れている（図１）。
この実施例では円筒状の４つの個別放射器１から成って
おり、これらの個別放射器の構造は公知である。外側の
石英管２内には、この石英管から距離をおいて誘電体管
３が配置されている。両管の間に形成された環状室は放
射器の放電室４を形成している。誘電体管３の内壁は金
属層５（図２に拡大して示す）を備えており、この金属
層は放射器の内部電極を形成している。択一的に金属層
５の代わりに、たとえばセラミックスを主体とする誘電
層を被覆された金属管を使用することもできる。放射器
の外部電極は線材網状体６から成っており、この線材網
状体は全長にわたって、かつ外側の石英管２の外周の大
部分にわたって延びている。この外部電極と前記内部電
極とには、放電を生ぜしめるための高電圧源７が接続さ
れている（図１）。
【００１１】石英管２の内部は、放電条件下で放射線を
放射する封入ガスを充てんされており、この場合、封入
ガスとしてはたとえば水銀、希ガス、希ガス金属蒸気混
合物、希ガスハロゲン化物混合物が使用され、さらに場
合によっては干渉ガスとして別の付加的なガス、有利に
はＡｒ，Ｈｅ，Ｎｅが使用される。
放射する封入ガスを充てんされており、この場合、封入
ガスとしてはたとえば水銀、希ガス、希ガス金属蒸気混
合物、希ガスハロゲン化物混合物が使用され、さらに場
合によっては干渉ガスとして別の付加的なガス、有利に
はＡｒ，Ｈｅ，Ｎｅが使用される。
【００１２】図２に示した断面図から認められるよう
に、４つの個別放射器１は熱伝導性の材料から成るヒー
トシンク９の広幅側に設けられた溝８に位置している。
これらの溝８の横断面は外側の石英管２の外輪郭に合わ
せられている。ヒートシンク９は冷却通路１０，１１の
２つのグループを備えており、前記冷却通路は溝長手方
向に延びている。第１のグループの冷却通路１０は外側
の冷却回路（図示しない）に通じている。冷却通路１０
は最も単純な場合では、汎用の水道水によって矢印方向
で通流される。第２のグループの冷却通路１１は接続導
管１２と、適当な接続器具（図示しない）とを介して誘
電体管３の内室１３に接続されている。ポンプ１４はこ
の冷却回路において、ほぼ絶縁性の性質を有する冷却
液、たとえば脱イオン水またはオイルの循環を生ぜしめ
る。こうして、ヒートシンク９は一次冷却システム（冷
却通路１０）と二次冷却システム（冷却通路１１，接続
導管１２，誘電体管３の内室１３，ポンプ１４）との間
の熱交換器として働く。二次冷却システムにおける、ほ
ぼ絶縁性の性質を有する冷却液によって、電位分離が保
証されている。
に、４つの個別放射器１は熱伝導性の材料から成るヒー
トシンク９の広幅側に設けられた溝８に位置している。
これらの溝８の横断面は外側の石英管２の外輪郭に合わ
せられている。ヒートシンク９は冷却通路１０，１１の
２つのグループを備えており、前記冷却通路は溝長手方
向に延びている。第１のグループの冷却通路１０は外側
の冷却回路（図示しない）に通じている。冷却通路１０
は最も単純な場合では、汎用の水道水によって矢印方向
で通流される。第２のグループの冷却通路１１は接続導
管１２と、適当な接続器具（図示しない）とを介して誘
電体管３の内室１３に接続されている。ポンプ１４はこ
の冷却回路において、ほぼ絶縁性の性質を有する冷却
液、たとえば脱イオン水またはオイルの循環を生ぜしめ
る。こうして、ヒートシンク９は一次冷却システム（冷
却通路１０）と二次冷却システム（冷却通路１１，接続
導管１２，誘電体管３の内室１３，ポンプ１４）との間
の熱交換器として働く。二次冷却システムにおける、ほ
ぼ絶縁性の性質を有する冷却液によって、電位分離が保
証されている。
【００１３】高電圧源７は原則的に、オゾン発生器への
給電のために使用されるような高電圧源に相当してい
る。この高電圧源は典型的には、電極ジオメトリや放電
室内の圧力や封入ガスの組成に関連して、数ＭＨｚまで
の工業的な交流電流の範囲における周波数において数１
００Ｖ〜２００００Ｖのオーダの調節可能な交流電圧を
生ぜしめる。ここで使用されるＵＶ高出力放射装置にお
いては、給電電圧の周波数が、一般に工業的な交流電圧
よりもかなり上に位置している。すなわち、前記周波数
は数１００ＫＨｚに達する場合もある。この目的に適し
た高電圧源７は一般に回路網部分の原理に基づいて構成
されていて、したがって電気構成素子および電子構成素
子を有している。このような構成素子は冷却されなけれ
ばならず、したがって冷却成形体に組み付けられてい
る。本発明の１改良形では、本来は放射器を冷却するた
めに必要であるヒートシンク９が高電圧源７の構成素子
を冷却するためにも利用される。このことは図２に示さ
れており、この場合、高電圧源７の冷却成形体１５が放
射器のヒートシンク９の下面に直接に固定されている。
こうして、高電圧源７のブロワを不要にすることができ
る。高電圧源と消費器との空間的な接近に基づき、電磁
遮蔽にかかる手間が小さくなる。放射装置全体の構造も
極めてコンパクトに構成することができる。
給電のために使用されるような高電圧源に相当してい
る。この高電圧源は典型的には、電極ジオメトリや放電
室内の圧力や封入ガスの組成に関連して、数ＭＨｚまで
の工業的な交流電流の範囲における周波数において数１
００Ｖ〜２００００Ｖのオーダの調節可能な交流電圧を
生ぜしめる。ここで使用されるＵＶ高出力放射装置にお
いては、給電電圧の周波数が、一般に工業的な交流電圧
よりもかなり上に位置している。すなわち、前記周波数
は数１００ＫＨｚに達する場合もある。この目的に適し
た高電圧源７は一般に回路網部分の原理に基づいて構成
されていて、したがって電気構成素子および電子構成素
子を有している。このような構成素子は冷却されなけれ
ばならず、したがって冷却成形体に組み付けられてい
る。本発明の１改良形では、本来は放射器を冷却するた
めに必要であるヒートシンク９が高電圧源７の構成素子
を冷却するためにも利用される。このことは図２に示さ
れており、この場合、高電圧源７の冷却成形体１５が放
射器のヒートシンク９の下面に直接に固定されている。
こうして、高電圧源７のブロワを不要にすることができ
る。高電圧源と消費器との空間的な接近に基づき、電磁
遮蔽にかかる手間が小さくなる。放射装置全体の構造も
極めてコンパクトに構成することができる。
【００１４】円筒状の横断面を備えた前記個別放射器の
他に、当然ながらたとえば欧州特許出願公開第０２５４
１１１号明細書に記載の面放射器にも一次冷却回路と二
次冷却回路とを装備させることができる。また、完全に
異なるジオメトリを有するＵＶ高出力放射装置にも、本
発明による冷却コンセプトを装備させることができる。
このことは以下に図３につき詳しく説明する。
他に、当然ながらたとえば欧州特許出願公開第０２５４
１１１号明細書に記載の面放射器にも一次冷却回路と二
次冷却回路とを装備させることができる。また、完全に
異なるジオメトリを有するＵＶ高出力放射装置にも、本
発明による冷却コンセプトを装備させることができる。
このことは以下に図３につき詳しく説明する。
【００１５】このＵＶ高出力放射装置では、広幅側２
２，２３と小幅側２４，２５とを有する方形横断面を備
えた石英管２１に、中空の内部電極２７を備えた５つの
誘電体管２６が配置されている。これらの誘電体管２６
は相互にかつ石英管２６の内壁に対しても間隔をおいて
配置されている。誘電体管２６はたとえば石英管であ
り、内部電極２７は金属管である。その代りに、誘電材
料によって被覆された金属管を使用することもできる。
２，２３と小幅側２４，２５とを有する方形横断面を備
えた石英管２１に、中空の内部電極２７を備えた５つの
誘電体管２６が配置されている。これらの誘電体管２６
は相互にかつ石英管２６の内壁に対しても間隔をおいて
配置されている。誘電体管２６はたとえば石英管であ
り、内部電極２７は金属管である。その代りに、誘電材
料によって被覆された金属管を使用することもできる。
【００１６】石英管２１の両小幅側２４，２５と、一方
の広幅側２３とは外部に各１つのアルミニウム層２８を
備えている。しかし、これら３つの被覆体は電気的に互
いに絶縁されている必要はない。アルミニウム層２８は
蒸着、火炎溶射、プラズマ溶射またはスパッタリングに
よって形成されていて、反射体として働くようになって
いると有利である。石英管２１の小幅側２４，２５に設
けられたアルミニウム層２８はさらに、アース対称的な
出力側を備えた高電圧源７による給電のための付加的な
外部電極として働くことができる。
の広幅側２３とは外部に各１つのアルミニウム層２８を
備えている。しかし、これら３つの被覆体は電気的に互
いに絶縁されている必要はない。アルミニウム層２８は
蒸着、火炎溶射、プラズマ溶射またはスパッタリングに
よって形成されていて、反射体として働くようになって
いると有利である。石英管２１の小幅側２４，２５に設
けられたアルミニウム層２８はさらに、アース対称的な
出力側を備えた高電圧源７による給電のための付加的な
外部電極として働くことができる。
【００１７】図４から判るように、石英管２１はその両
端面で、絶縁性材料から成るプレート３０，３１によっ
て閉鎖されている。このプレートはたとえば前記端面に
接着されているか、または石英またはガラスプレートの
場合では前記端面と溶着されている。プレート３０，３
１は貫通孔３２を備えており、この貫通孔には、誘電体
管２６が差し込まれて、固定され、かつシールされてい
る。充てん管片３４を介して、石英管２１の内室は排気
され、次いで封入ガスを充てんされる。
端面で、絶縁性材料から成るプレート３０，３１によっ
て閉鎖されている。このプレートはたとえば前記端面に
接着されているか、または石英またはガラスプレートの
場合では前記端面と溶着されている。プレート３０，３
１は貫通孔３２を備えており、この貫通孔には、誘電体
管２６が差し込まれて、固定され、かつシールされてい
る。充てん管片３４を介して、石英管２１の内室は排気
され、次いで封入ガスを充てんされる。
【００１８】図４から認められるように、放射器に対す
る給電は高圧電源７から行なわれ、この場合、交互に隣
接した内部電極（金属管２７）が高電圧源７に接続され
ている。電圧の印加時には、互いに隣接した誘電体管２
６の間に多数の放電通路１９が生ぜしめられ、これらの
放電通路がＵＶ光線を放射する。このＵＶ光線は次いで
透過性の広幅側２２を通って外方に射出する。このよう
な給電はアース対称的な出力側を備えた高電圧源７の使
用を可能にする。この場合、ヒートシンク９ａをアース
電位に接続することができる。
る給電は高圧電源７から行なわれ、この場合、交互に隣
接した内部電極（金属管２７）が高電圧源７に接続され
ている。電圧の印加時には、互いに隣接した誘電体管２
６の間に多数の放電通路１９が生ぜしめられ、これらの
放電通路がＵＶ光線を放射する。このＵＶ光線は次いで
透過性の広幅側２２を通って外方に射出する。このよう
な給電はアース対称的な出力側を備えた高電圧源７の使
用を可能にする。この場合、ヒートシンク９ａをアース
電位に接続することができる。
【００１９】放射器を外部冷却するために、石英管２１
はＵ字形の横断面を備えたヒートシンク９ａに嵌め込ま
れている。側方の撚り線バンド１８はアルミニウム層２
８とヒートシンク９ａの脚部との間の電気的な接触のた
めの働く。石英管２１の下側の広幅側２３とヒートシン
ク９ａとの間の付加的な熱伝導性のペースト２９は熱伝
達を改善するために働く。ヒートシンク９ａの底区分に
は、ヒートシンク長手方向に延びる多数の冷却通路１
０，１１が設けられている。符号１０で示した冷却通路
のグループは図１および図２に示した実施例と同様に一
次冷却回路として働き、たとえば汎用の水道水によって
貫流される。符号１１で示した他方の冷却通路のグルー
プは適当な接続導管１２ａと接続器具（図示しない）と
を介して、ハイドロリック式に直列または並列に接続さ
れた全ての内部電極２７、つまり金属管に接続されてい
る。ポンプ１４はこの二次冷却回路における、ほぼ絶縁
性の性質を有する冷却液の循環を生ぜしめる。この場合
に、ヒートシンク９ａは両冷却媒体回路の間の熱交換器
として働く。
はＵ字形の横断面を備えたヒートシンク９ａに嵌め込ま
れている。側方の撚り線バンド１８はアルミニウム層２
８とヒートシンク９ａの脚部との間の電気的な接触のた
めの働く。石英管２１の下側の広幅側２３とヒートシン
ク９ａとの間の付加的な熱伝導性のペースト２９は熱伝
達を改善するために働く。ヒートシンク９ａの底区分に
は、ヒートシンク長手方向に延びる多数の冷却通路１
０，１１が設けられている。符号１０で示した冷却通路
のグループは図１および図２に示した実施例と同様に一
次冷却回路として働き、たとえば汎用の水道水によって
貫流される。符号１１で示した他方の冷却通路のグルー
プは適当な接続導管１２ａと接続器具（図示しない）と
を介して、ハイドロリック式に直列または並列に接続さ
れた全ての内部電極２７、つまり金属管に接続されてい
る。ポンプ１４はこの二次冷却回路における、ほぼ絶縁
性の性質を有する冷却液の循環を生ぜしめる。この場合
に、ヒートシンク９ａは両冷却媒体回路の間の熱交換器
として働く。
【００２０】上記２つの実施例においては、それぞれ放
射装置のヒートシンクに冷却通路１０，１１の２つのグ
ループが設けられている。一次冷却回路を別の形式で構
成することも当然ながら本発明の枠内にある。すなわ
ち、たとえばヒートシンクが部分的に冷却媒体に浸漬し
ているか、または大面積の冷却リブを備えていて空気に
よっても強制的に冷却されるようになっている。このよ
うな変化形において、放射器のための二次冷却回路の変
更は必要でない。
射装置のヒートシンクに冷却通路１０，１１の２つのグ
ループが設けられている。一次冷却回路を別の形式で構
成することも当然ながら本発明の枠内にある。すなわ
ち、たとえばヒートシンクが部分的に冷却媒体に浸漬し
ているか、または大面積の冷却リブを備えていて空気に
よっても強制的に冷却されるようになっている。このよ
うな変化形において、放射器のための二次冷却回路の変
更は必要でない。
【００２１】図５には、別の変化形が示されている。ヒ
ートシンク９は放射器の内部冷却のための熱交換器とし
ても、高電圧源７を冷却するための別の冷却回路のため
の熱交換器としても働く。この目的のためには、ヒート
シンク９に付加的な冷却通路１１ａが設けられており、
この冷却通路は接続導管１２ｂと別のポンプ１４ａとを
介して、高電圧源７に設けられた冷却通路３３に接続さ
れている。
ートシンク９は放射器の内部冷却のための熱交換器とし
ても、高電圧源７を冷却するための別の冷却回路のため
の熱交換器としても働く。この目的のためには、ヒート
シンク９に付加的な冷却通路１１ａが設けられており、
この冷却通路は接続導管１２ｂと別のポンプ１４ａとを
介して、高電圧源７に設けられた冷却通路３３に接続さ
れている。
【図１】本発明の第１実施例を示す縦断面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図３】本発明の第２実施例を示す縦断面図である。
【図４】図３のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
【図５】本発明の第３実施例を示す縦断面図である。
１ 個別放射器、 ２ 石英管、 ３ 誘電体管、 ４
放電室、 ５ 金属層、 ６ 線材網状体、 ７ 高
電圧源、 ８ 溝、 ９，９ａ ヒートシンク、 １
０，１１，１１ａ 冷却通路、 １２，１２ａ，１２ｂ
接続導管、 １３ 内室、 １４，１４ａ ポンプ、
１５ 冷却成形体、 １８ 撚り線バンド、 １９
放電通路、 ２１ 石英管、 ２２，２３ 広幅側、
２４，２５小幅側、 ２６ 誘電体管、 ２７ 内部電
極、 ２８ アルミニウム層、２９ ペースト、 ３
０，３１ プレート、 ３２ 貫通孔、 ３３ 冷却通
路、 ３４ 充てん管片
放電室、 ５ 金属層、 ６ 線材網状体、 ７ 高
電圧源、 ８ 溝、 ９，９ａ ヒートシンク、 １
０，１１，１１ａ 冷却通路、 １２，１２ａ，１２ｂ
接続導管、 １３ 内室、 １４，１４ａ ポンプ、
１５ 冷却成形体、 １８ 撚り線バンド、 １９
放電通路、 ２１ 石英管、 ２２，２３ 広幅側、
２４，２５小幅側、 ２６ 誘電体管、 ２７ 内部電
極、 ２８ アルミニウム層、２９ ペースト、 ３
０，３１ プレート、 ３２ 貫通孔、 ３３ 冷却通
路、 ３４ 充てん管片
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−158049（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−288061（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−201358（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01J 65/00 H01J 61/52
Claims (3)
- 【請求項１】 高出力放射装置であって、放電室（４）
が設けられていて、該放電室に、放電条件下に放射線を
放射する封入ガスが充てんされており、前記放電室が、
形成された放射線に対して透過性の材料から成る冷却さ
れた中空体（２；２１）の内室によって形成されてお
り、前記中空体の内壁に対して間隔をおいて配置されて
いて冷却通路（１３）を備えている誘電体管（３；２
６）が設けられていて、該誘電体管に内部電極（５；２
７）が埋め込まれているか、または嵌め込まれており、
さらに、放電に対する給電のための高電圧源（７）が設
けられている形式のものにおいて、前記中空体（２；２
１）がヒートシンク（９；９ａ）と熱接触状態にあり、
該ヒートシンクに冷却通路（１１）が設けられており、
該冷却通路が、前記誘電体管（３；２６）に設けられた
冷却通路（１３）に接続されていて、閉じられた冷却媒
体循環路を形成しており、両冷却通路を通って、ほぼ絶
縁性の性質を有する冷却液が通流可能であることを特徴
とする高出力放射装置。 - 【請求項２】 高電圧源（７）に設けられた電気構成素
子または電子構成素子の少なくともいくつかが、前記ヒ
ートシンク（９；９ａ）に配置されていて、該ヒートシ
ンクと良熱伝導接続状態にある、請求項１記載の高出力
放射装置。 - 【請求項３】 高電圧源（７）が、固有の冷却装置を備
えており、該冷却装置が、前記ヒートシンク（９）に設
けられた冷却通路（１１ａ）に接続されている、請求項
１記載の高出力放射装置。
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|---|---|---|---|
| EP90123090A EP0489184B1 (de) | 1990-12-03 | 1990-12-03 | Hochleistungsstrahler |
| DE90123090.4 | 1990-12-03 |
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|---|---|
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| JP2783712B2 true JP2783712B2 (ja) | 1998-08-06 |
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| EP (1) | EP0489184B1 (ja) |
| JP (1) | JP2783712B2 (ja) |
| CA (1) | CA2055709A1 (ja) |
| DE (1) | DE59010169D1 (ja) |
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| KR100212704B1 (ko) * | 1996-10-16 | 1999-08-02 | 윤종용 | 오존발생장치 |
| JP3282798B2 (ja) * | 1998-05-11 | 2002-05-20 | クォークシステムズ株式会社 | エキシマランプおよびエキシマ発光装置 |
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| US6049086A (en) * | 1998-02-12 | 2000-04-11 | Quester Technology, Inc. | Large area silent discharge excitation radiator |
| JP2003167100A (ja) * | 2001-12-03 | 2003-06-13 | Ushio Inc | 紫外線照射装置 |
| JP2003224117A (ja) * | 2002-01-31 | 2003-08-08 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd | 絶縁膜の製造装置 |
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| DE102010043215A1 (de) * | 2010-11-02 | 2012-05-03 | Osram Ag | Strahler mit Sockel für die Bestrahlung von Oberflächen |
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| RU2557013C1 (ru) * | 2014-04-15 | 2015-07-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Иркутский государственный технический университет" (ФГБОУ ВПО "ИрГТУ") | Рентгеновская трубка электрического газового барьерного разряда для контроля металлических и газовых включений в полимерной кабельной изоляции |
| RU2559806C1 (ru) * | 2014-04-21 | 2015-08-10 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сильноточной электроники Сибирского отделения Российской академии наук (ИСЭ СО РАН) | Источник излучения |
| US9722550B2 (en) | 2014-04-22 | 2017-08-01 | Hoon Ahn | Power amplifying radiator (PAR) |
| CN118565225B (zh) * | 2024-07-30 | 2024-10-01 | 山西绿源碳索科技有限公司 | 一种节能加热炉的烟气余热回收系统及方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2342412A (en) * | 1941-08-28 | 1944-02-22 | Bell Telephone Labor Inc | Electron discharge device |
| CH670171A5 (ja) * | 1986-07-22 | 1989-05-12 | Bbc Brown Boveri & Cie | |
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| CH676168A5 (ja) * | 1988-10-10 | 1990-12-14 | Asea Brown Boveri | |
| CH677292A5 (ja) * | 1989-02-27 | 1991-04-30 | Asea Brown Boveri |
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- 1990-12-03 DE DE59010169T patent/DE59010169D1/de not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-11-15 CA CA002055709A patent/CA2055709A1/en not_active Abandoned
- 1991-11-25 US US07/797,058 patent/US5198717A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-12-02 JP JP3317789A patent/JP2783712B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5198717A (en) | 1993-03-30 |
| EP0489184A1 (de) | 1992-06-10 |
| CA2055709A1 (en) | 1992-06-04 |
| JPH04301357A (ja) | 1992-10-23 |
| EP0489184B1 (de) | 1996-02-28 |
| DE59010169D1 (de) | 1996-04-04 |
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