JPH05174792A - 高出力ビーム発生器 - Google Patents
高出力ビーム発生器Info
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- JPH05174792A JPH05174792A JP13484092A JP13484092A JPH05174792A JP H05174792 A JPH05174792 A JP H05174792A JP 13484092 A JP13484092 A JP 13484092A JP 13484092 A JP13484092 A JP 13484092A JP H05174792 A JPH05174792 A JP H05174792A
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- electrode
- beam generator
- electrodes
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J65/00—Lamps without any electrode inside the vessel; Lamps with at least one main electrode outside the vessel
- H01J65/04—Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels
- H01J65/042—Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels by an external electromagnetic field
- H01J65/046—Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels by an external electromagnetic field the field being produced by using capacitive means around the vessel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J65/00—Lamps without any electrode inside the vessel; Lamps with at least one main electrode outside the vessel
- H01J65/04—Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels
- H01J65/042—Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels by an external electromagnetic field
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- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Discharge Lamps And Accessories Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電極がＵＶ高透過性である他に、周囲の影響
に対して最適に保護されたＵＶビームまたはＶＵＶビー
ム用の高出力ビーム発生器を提供する。 【構成】 少なくとも第１電極（５）には保護層（８；
８ａ；８ｂ；８ｃ）が設けられているか、または保護層
に埋め込まれているように構成する。
に対して最適に保護されたＵＶビームまたはＶＵＶビー
ム用の高出力ビーム発生器を提供する。 【構成】 少なくとも第１電極（５）には保護層（８；
８ａ；８ｂ；８ｃ）が設けられているか、または保護層
に埋め込まれているように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、放電条件下でビームを
発射する充填ガスの充填された放電室と、放電の給電の
ための交流電源とを有する、例えば紫外線用の高出力ビ
ーム発生器であって、前記交流電源は第１および第２の
電極に接続されており、前記放電室の壁部は第１および
第２の誘電体により形成され、放電室とは反対側の該誘
電体の表面には格子状または網状の金属第１電極と第２
電極が設けられている高出力ビーム発生器に関する。
発射する充填ガスの充填された放電室と、放電の給電の
ための交流電源とを有する、例えば紫外線用の高出力ビ
ーム発生器であって、前記交流電源は第１および第２の
電極に接続されており、前記放電室の壁部は第１および
第２の誘電体により形成され、放電室とは反対側の該誘
電体の表面には格子状または網状の金属第１電極と第２
電極が設けられている高出力ビーム発生器に関する。
【０００２】本発明はＥＰ−Ａ０２５４１１１に示され
た基礎的技術から出発するものである。
た基礎的技術から出発するものである。
【０００３】
【従来の技術】光化学的手法の工業的使用は適切なＵＶ
源の使用性に強く依存している。古典的なＵＶビーム発
生器は固有の離散的な波長において低中強度のＵＶビー
ムを送出する。例えば水銀低圧ランプは１８５ｎｍおよ
び特に２５４ｎｍにおいてビームを放射する。実際に高
いＵＶ出力は高圧ランプ（Ｘｅ、Ｈｇ）からのみ得られ
る。しかし高圧ランプのビームは大きな波長領域にわた
って分布されている。新しいエキシマレーザはいくつか
の新しい波長を光化学的基礎実験に提供した。しかし現
在のところエキシマレーザはコスト的理由から工業プロ
セスには例外的にしか適しない。
源の使用性に強く依存している。古典的なＵＶビーム発
生器は固有の離散的な波長において低中強度のＵＶビー
ムを送出する。例えば水銀低圧ランプは１８５ｎｍおよ
び特に２５４ｎｍにおいてビームを放射する。実際に高
いＵＶ出力は高圧ランプ（Ｘｅ、Ｈｇ）からのみ得られ
る。しかし高圧ランプのビームは大きな波長領域にわた
って分布されている。新しいエキシマレーザはいくつか
の新しい波長を光化学的基礎実験に提供した。しかし現
在のところエキシマレーザはコスト的理由から工業プロ
セスには例外的にしか適しない。
【０００４】冒頭に述べたＥＰ特許出願または“Ｎｅｕ
ｅ ＵＶ−ａｎｄ ＶＵＶ Ｅｘｉｃｉｍｅｒｓｔｒａ
ｈｌｅｒ”,Ｖ．Ｋｏｇｅｌｓｃｈａｔｚ、Ｂ．Ｅｌｉ
ａｓｓｏｎ著、第１０回ドイツ化学者協会講演大会、専
門群、光化学、ヴュルツブルグ（旧西ドイツ）、１９８
７年１１月には、新しいエキシマビーム発生器が記載さ
れている。この新しいビーム発生器形式は、エキシマビ
ームをサイレント放電においても形成し得ることと、オ
ゾン発生のために工業的に使用される放電形式に基づい
ている。この放電の短時間（＜１ｍｓ）でのみ存在する
電流フィラメントにおいて、希ガス原子が電子衝突によ
って励起され、希ガス原子は励起された分子群（エキシ
マ）に対してさらに反応する。このエキシマの寿命は僅
か数１００ｎｓであり、崩壊の際にその結合エネルギを
ＵＶビームの形で放出する。
ｅ ＵＶ−ａｎｄ ＶＵＶ Ｅｘｉｃｉｍｅｒｓｔｒａ
ｈｌｅｒ”,Ｖ．Ｋｏｇｅｌｓｃｈａｔｚ、Ｂ．Ｅｌｉ
ａｓｓｏｎ著、第１０回ドイツ化学者協会講演大会、専
門群、光化学、ヴュルツブルグ（旧西ドイツ）、１９８
７年１１月には、新しいエキシマビーム発生器が記載さ
れている。この新しいビーム発生器形式は、エキシマビ
ームをサイレント放電においても形成し得ることと、オ
ゾン発生のために工業的に使用される放電形式に基づい
ている。この放電の短時間（＜１ｍｓ）でのみ存在する
電流フィラメントにおいて、希ガス原子が電子衝突によ
って励起され、希ガス原子は励起された分子群（エキシ
マ）に対してさらに反応する。このエキシマの寿命は僅
か数１００ｎｓであり、崩壊の際にその結合エネルギを
ＵＶビームの形で放出する。
【０００５】この種のエキシマビーム発生器の構成は電
流供給部まではほぼ古典的オゾン発生器に相応する。大
きな相違は、放電室を画定する電極および／または誘電
層の少なくとも１つが、形成されたビームのために透明
であることである。この電極はＵＶ高透過性である他に
次の特性を有していなければならない。電流の良好な伝
導性、可及的に密な誘電体との接触を得るための良好な
可とう性そして長寿命である。長寿命のためには特にビ
ーム発生器の雰囲気の化学的反応性の低いことが要求さ
れる。ビーム発生器を光源として化学反応に使用したい
ならば、多くの適用のために多数の物質に対する化学的
不活性さえ絶対必要である。
流供給部まではほぼ古典的オゾン発生器に相応する。大
きな相違は、放電室を画定する電極および／または誘電
層の少なくとも１つが、形成されたビームのために透明
であることである。この電極はＵＶ高透過性である他に
次の特性を有していなければならない。電流の良好な伝
導性、可及的に密な誘電体との接触を得るための良好な
可とう性そして長寿命である。長寿命のためには特にビ
ーム発生器の雰囲気の化学的反応性の低いことが要求さ
れる。ビーム発生器を光源として化学反応に使用したい
ならば、多くの適用のために多数の物質に対する化学的
不活性さえ絶対必要である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、電極
がＵＶ高透過性である他に、周囲の影響に対して最適に
保護されたＵＶビームまたはＶＵＶビーム用の高出力ビ
ーム発生器を提供することである。
がＵＶ高透過性である他に、周囲の影響に対して最適に
保護されたＵＶビームまたはＶＵＶビーム用の高出力ビ
ーム発生器を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題は本発明によ
り、少なくとも第１電極には保護層が設けられている
か、または保護層に埋め込まれているように構成して解
決される。
り、少なくとも第１電極には保護層が設けられている
か、または保護層に埋め込まれているように構成して解
決される。
【０００８】このように構成されたビーム発生器は実際
上のすべての要求を満たす。
上のすべての要求を満たす。
【０００９】−雰囲気に曝された電極は化学的侵害作用
から保護される（寿命の延長）。
から保護される（寿命の延長）。
【００１０】−電極はさらに物理的崩壊作用に対して保
護される。放電は浸食を引き起こす。浸食は電極材料を
剥離し、その電極材料は誘電体の透明個所に沈着してそ
の個所の透明度を低減させる。
護される。放電は浸食を引き起こす。浸食は電極材料を
剥離し、その電極材料は誘電体の透明個所に沈着してそ
の個所の透明度を低減させる。
【００１１】−雰囲気自体がＵＶビームを処理すべきガ
スまたは液体ならば、この物質の金属接触が、金属の関
与する付加的化学反応を引き起こさないために回避され
る（化学的不活性）。
スまたは液体ならば、この物質の金属接触が、金属の関
与する付加的化学反応を引き起こさないために回避され
る（化学的不活性）。
【００１２】−雰囲気中に場合により発生する、電極か
ら誘電体への放電（例えばコロナ）、または近傍に存在
する誘電部材への放電、または誘電体に沿った表面放電
が、誘電体への良好な接触により回避される。電極の電
気絶縁性の改善によりさらにエネルギを消費する不所望
な放電が阻止される。
ら誘電体への放電（例えばコロナ）、または近傍に存在
する誘電部材への放電、または誘電体に沿った表面放電
が、誘電体への良好な接触により回避される。電極の電
気絶縁性の改善によりさらにエネルギを消費する不所望
な放電が阻止される。
【００１３】本発明の実際の実現は種々の仕方で行われ
る。金属ワイヤを、例えば電極を相応の浴に液浸させる
ことによって単に被覆する他に有利には、完全に組み立
てたビーム発生器を浴に液浸することもできる。さらに
被覆をいわゆる厚膜鋳込物質により行うこともできる。
これにはビーム発生器の外表面を容易に清浄できる利点
がある。
る。金属ワイヤを、例えば電極を相応の浴に液浸させる
ことによって単に被覆する他に有利には、完全に組み立
てたビーム発生器を浴に液浸することもできる。さらに
被覆をいわゆる厚膜鋳込物質により行うこともできる。
これにはビーム発生器の外表面を容易に清浄できる利点
がある。
【００１４】被覆材料ないし埋込材料として特に誘電材
料が適する。この誘電材料はビーム発生器の誘電体と良
好に接触し、同時に簡単に被覆することができる。その
際紫外線硬化性の材料を使用すればこれはビーム発生器
自体により非常に迅速に硬化することができる。
料が適する。この誘電材料はビーム発生器の誘電体と良
好に接触し、同時に簡単に被覆することができる。その
際紫外線硬化性の材料を使用すればこれはビーム発生器
自体により非常に迅速に硬化することができる。
【００１５】
【実施例】図１に模式的に示されたＵＶ高出力ビーム発
生器は、外部の誘電管１（例えば石英ガラス製）および
それに同心配置された内部の誘電管２からなる。内部誘
電管の内壁には内部電極３が設けられている。２つの管
１と２の間のリング状空間はビーム発生器の放電室４を
形成する。内部管２はガス気密に外部管１へ差し込まれ
ており、外部管には前もってガスまたはガス混合体が充
填されている。このガスはサイレント放電の影響の下で
ＵＶビームまたはＶＵＶビームを放射する。
生器は、外部の誘電管１（例えば石英ガラス製）および
それに同心配置された内部の誘電管２からなる。内部誘
電管の内壁には内部電極３が設けられている。２つの管
１と２の間のリング状空間はビーム発生器の放電室４を
形成する。内部管２はガス気密に外部管１へ差し込まれ
ており、外部管には前もってガスまたはガス混合体が充
填されている。このガスはサイレント放電の影響の下で
ＵＶビームまたはＶＵＶビームを放射する。
【００１６】外部電極５として、外部管１の全周囲にわ
たって延在している金属網または金属格子を用いる。外
部電極５と外部誘電管１は共に形成されるＵＶビームに
対して透明である。
たって延在している金属網または金属格子を用いる。外
部電極５と外部誘電管１は共に形成されるＵＶビームに
対して透明である。
【００１７】電極３と５は交流電源６の各極に接続され
ている。交流電源は基本的に、この電流源がオゾン形成
の給電に使用されるのと基本的に相応する。典型的には
交流電流源は数１００Ｖから２００００Ｖまでのオーダ
の大きさで調整可能な交流電圧を送出する。この交流電
圧の周波数は数１０００ｋＨｚまでの技術的交流電流の
領域において、電極の幾何学的形状、放電空管４の圧力
および充填ガスの組成に依存する。
ている。交流電源は基本的に、この電流源がオゾン形成
の給電に使用されるのと基本的に相応する。典型的には
交流電流源は数１００Ｖから２００００Ｖまでのオーダ
の大きさで調整可能な交流電圧を送出する。この交流電
圧の周波数は数１０００ｋＨｚまでの技術的交流電流の
領域において、電極の幾何学的形状、放電空管４の圧力
および充填ガスの組成に依存する。
【００１８】充填ガスは例えば、水銀、希ガス、希ガス
金属蒸気混合気、希ガスハロゲン混合気であり、場合に
より付加的に別の希ガス、有利にはＡｒ、Ｈｅ、Ｎｅが
緩衝ガスとして使用される。
金属蒸気混合気、希ガスハロゲン混合気であり、場合に
より付加的に別の希ガス、有利にはＡｒ、Ｈｅ、Ｎｅが
緩衝ガスとして使用される。
【００１９】ビームの所望のスペクトル組成に応じて、
物質／物質混合気が以下の表に従い使用される。
物質／物質混合気が以下の表に従い使用される。
【００２０】 充填ガス ビーム ヘリウム ６０〜１００ ｎｍ ネオン ８０〜９０ ｎｍ アルゴン １０７〜１６５ｎｍ アルゴン＋フッ素 １８０〜２００ｎｍ アルゴン＋塩素 １６５〜１９０ｎｍ アルゴン＋クリプトン＋塩素 １６５〜１９０、２００〜２４０ｎｍ クセノン １６５〜１９ｎｍ 窒素 ３３７〜４１５ｎｍ クリプトン １２４、１４０〜１６０ｎｍ クリプトン＋フッ素 ２４０〜２５５ｎｍ クリプトン＋塩素 ２００〜２４０ｎｍ 水銀 185,254,320〜370nm,390〜420nm セレン １９６、２０４、２０６ｎｍ ジューテリウム １５０〜２５０ｎｍ クセノン＋フッ素 ３４０〜３６０、４００〜５５０ｎｍ クセノン＋塩素 ３００〜３２０ｎｍ その他、次の一連の充填ガスが考えられる。
【００２１】−希ガス（Ａｒ、Ｈｅ、Ｋｒ、Ｎｅ、Ｘ
ｅ）または水銀とＦ2、Ｊ2、Ｂｒ2、Ｃｌ2のガスないし
蒸気、または放電中に１つまたは複数のＦ、Ｊ、Ｂｒま
たはＣｌの原子を分離する化合物； −希ガス（Ａｒ、Ｈｅ、Ｋｒ、Ｎｅ、Ｘｅ）または水銀
と酸素または放電中に１つまたは複数の原子を分離する
結合物； −希ガス（Ａｒ、Ｈｅ、Ｋｒ、Ｎｅ、Ｘｅ）と水銀。
ｅ）または水銀とＦ2、Ｊ2、Ｂｒ2、Ｃｌ2のガスないし
蒸気、または放電中に１つまたは複数のＦ、Ｊ、Ｂｒま
たはＣｌの原子を分離する化合物； −希ガス（Ａｒ、Ｈｅ、Ｋｒ、Ｎｅ、Ｘｅ）または水銀
と酸素または放電中に１つまたは複数の原子を分離する
結合物； −希ガス（Ａｒ、Ｈｅ、Ｋｒ、Ｎｅ、Ｘｅ）と水銀。
【００２２】形成されるサイレント放電（サイレントデ
ィスチャージ）では、電子エネルギ分布を誘電体の厚さ
およびその特性、放電室中の圧力および／または温度に
より最適に調整することができる。
ィスチャージ）では、電子エネルギ分布を誘電体の厚さ
およびその特性、放電室中の圧力および／または温度に
より最適に調整することができる。
【００２３】電極３と５の間に交流電圧が印加される際
に、多数の放電チャネル（部分放電）が放電室４に生じ
る。この放電チャネルは充填ガスの原子／分子と交互作
用する。これも最終的にＵＶビームまたはＶＵＶビーム
につながる。
に、多数の放電チャネル（部分放電）が放電室４に生じ
る。この放電チャネルは充填ガスの原子／分子と交互作
用する。これも最終的にＵＶビームまたはＶＵＶビーム
につながる。
【００２４】図２の断面図では、外部電極の個々のワイ
ヤ７に被覆８が施されている。この被覆は最も簡単には
ワイヤラッカーからなる。このような焼き付けられたラ
ッカーを有する絶縁ワイヤはトランス製造技術では通常
のものである。ラッカーの厚さおよびラッカーの品質に
応じて、付加的な電圧上昇はラッカーにより放電電圧の
ため最適化することができる。
ヤ７に被覆８が施されている。この被覆は最も簡単には
ワイヤラッカーからなる。このような焼き付けられたラ
ッカーを有する絶縁ワイヤはトランス製造技術では通常
のものである。ラッカーの厚さおよびラッカーの品質に
応じて、付加的な電圧上昇はラッカーにより放電電圧の
ため最適化することができる。
【００２５】図３の断面図では、ワイヤだけでなく全ビ
ーム発生器表面にクリアラッカー製の被覆８ａが設けら
れている。この構成では多数の波長に対してＵＶビーム
出力が低減される。しかし完全に組み立てられたビーム
発生器を、ラッカー浴に液浸するかまたはラッカーを吹
き付けるかまたは塗布し引続き硬化させることにより非
常に簡単に製造される。３０８ｎｍビームと１〜２μｍ
の典型的厚さでは、透過度は８０％以上である。有利に
はＵＶ硬化性のクリアラッカーを使用する。このクリア
ラッカーはビーム発生器自体により非常に急速に硬化し
得る。またこのクリアラッカーでは化学変化により透過
度が硬化後に改善される。
ーム発生器表面にクリアラッカー製の被覆８ａが設けら
れている。この構成では多数の波長に対してＵＶビーム
出力が低減される。しかし完全に組み立てられたビーム
発生器を、ラッカー浴に液浸するかまたはラッカーを吹
き付けるかまたは塗布し引続き硬化させることにより非
常に簡単に製造される。３０８ｎｍビームと１〜２μｍ
の典型的厚さでは、透過度は８０％以上である。有利に
はＵＶ硬化性のクリアラッカーを使用する。このクリア
ラッカーはビーム発生器自体により非常に急速に硬化し
得る。またこのクリアラッカーでは化学変化により透過
度が硬化後に改善される。
【００２６】図４に示した構成では、外部電極５の個々
のワイヤ７が外部誘電管１の凹部にあり、被覆部８ｂ、
例えばクリアラッカーに完全に埋め込まれている。従
い、ラッカー層８ｂはビーム発生器表面に沿って交互に
異なる厚さを有する。薄いラッカー層は形成されたＵＶ
ビームを厚いラッカー層よりも良好に透過するから相応
の強度パターンが生じる。これはＵＶビームの照射さる
べき対象物が表面に沿って運動され、良好に定められた
照射休止が発生すべき場合の適用において利点となる。
のワイヤ７が外部誘電管１の凹部にあり、被覆部８ｂ、
例えばクリアラッカーに完全に埋め込まれている。従
い、ラッカー層８ｂはビーム発生器表面に沿って交互に
異なる厚さを有する。薄いラッカー層は形成されたＵＶ
ビームを厚いラッカー層よりも良好に透過するから相応
の強度パターンが生じる。これはＵＶビームの照射さる
べき対象物が表面に沿って運動され、良好に定められた
照射休止が発生すべき場合の適用において利点となる。
【００２７】図５には、ＵＶ透過性の厚膜層鋳込物質に
ワイヤが完全に埋め込まれて、平坦な外部誘電管１上に
配置されている様子が示されている。ＵＶ硬化性製品の
近代の発展により、この種の鋳込物質をクリアラッカー
または着色した組織からでも製造することが可能になっ
た。例えば、ＵＶ硬化性エポキシ樹脂およびＵＶ硬化性
アクリル樹脂はＰａｎａｃｏｌーＥｌｏｓｏｌ Ｇｍｂ
Ｈ社の“ＵＶ−ＥＰＯＸＩＥＳ−Ｎｅｕｅ Ｍｏｅｇｌ
ｉｃｈｋｅｉｔ ｍｉｔ ｓｔｒａｈｌｕｎｇｓｈａｅ
ｒｔｅｎｄｅｎ Ｋｌｅｂｓｔｏｆｆ ｕｎｄ Ｖｅｒ
ｇｕｓｓｍａｓｓｅｎ”、１９９０年１１月２０日に記
載されている。この種の構成では鋳込物質８ｃの“支持
体”は薄い外部誘電管１とすることができ、また鋳込物
質の誘電特性が放電プロセスに適合するならば省略する
こともできる。
ワイヤが完全に埋め込まれて、平坦な外部誘電管１上に
配置されている様子が示されている。ＵＶ硬化性製品の
近代の発展により、この種の鋳込物質をクリアラッカー
または着色した組織からでも製造することが可能になっ
た。例えば、ＵＶ硬化性エポキシ樹脂およびＵＶ硬化性
アクリル樹脂はＰａｎａｃｏｌーＥｌｏｓｏｌ Ｇｍｂ
Ｈ社の“ＵＶ−ＥＰＯＸＩＥＳ−Ｎｅｕｅ Ｍｏｅｇｌ
ｉｃｈｋｅｉｔ ｍｉｔ ｓｔｒａｈｌｕｎｇｓｈａｅ
ｒｔｅｎｄｅｎ Ｋｌｅｂｓｔｏｆｆ ｕｎｄ Ｖｅｒ
ｇｕｓｓｍａｓｓｅｎ”、１９９０年１１月２０日に記
載されている。この種の構成では鋳込物質８ｃの“支持
体”は薄い外部誘電管１とすることができ、また鋳込物
質の誘電特性が放電プロセスに適合するならば省略する
こともできる。
【００２８】円筒状のビーム発生器の他に、本発明の電
極は平型ビーム発生器においても使用することができ
る。また外部電極自体は例えば網状または格子状の他
に、平行なテープからのみ構成することもできる。これ
は特に図３の構成においてそうである。別個のまたは離
散的な電極構成の他に、テープ状または格子網状の金属
化部を誘電管１の外表面に被着し、図３に関連して示し
た方法により被覆部を設けることができる。
極は平型ビーム発生器においても使用することができ
る。また外部電極自体は例えば網状または格子状の他
に、平行なテープからのみ構成することもできる。これ
は特に図３の構成においてそうである。別個のまたは離
散的な電極構成の他に、テープ状または格子網状の金属
化部を誘電管１の外表面に被着し、図３に関連して示し
た方法により被覆部を設けることができる。
【００２９】実施例に基づき前に説明した本発明はいわ
ゆる外部ビーム発生器に関連するものである。その際に
示した電極保護手段は勿論、いわゆる内部ビーム発生器
に対してもあてはまる。透明電極５の位置を別にすれ
ば、このような内部ビーム発生器は図１に示した外部ビ
ーム発生器に相応する。
ゆる外部ビーム発生器に関連するものである。その際に
示した電極保護手段は勿論、いわゆる内部ビーム発生器
に対してもあてはまる。透明電極５の位置を別にすれ
ば、このような内部ビーム発生器は図１に示した外部ビ
ーム発生器に相応する。
【００３０】さらにＵＶビームが外部と内部に照射され
るビーム発生器構成も可能である。図６はこのようなビ
ーム発生器の断面を示す。このような構成では、２つの
誘電管１、２およびそれぞれの電極３、５は形成される
ビームに対して透明でなければならない。この場合、第
１電極５も第２電極３も上に述べたようにして化学的お
よび物理的侵食作用から最適に保護することができる。
るビーム発生器構成も可能である。図６はこのようなビ
ーム発生器の断面を示す。このような構成では、２つの
誘電管１、２およびそれぞれの電極３、５は形成される
ビームに対して透明でなければならない。この場合、第
１電極５も第２電極３も上に述べたようにして化学的お
よび物理的侵食作用から最適に保護することができる。
【００３１】外部および内部ビーム発生器は規則的に流
動する冷却剤によって冷却される。この冷却剤は、外部
ビーム発生器の場合、内部誘電管２を通って案内され
る。内部ビーム発生器の場合、冷却剤は外部誘電管１の
回りを流れる。この場合も前記の材料からなる保護層
は、冷却剤による浸食作用を阻止するか、少なくとも軽
減するのに寄与する。この場合、ＵＶビームを透過させ
る必要のない電極を取り扱う限り、別の保護層（例えば
陽極酸化処理、エナメル塗布による）を被覆することが
できる。このようにすると、誘電体にアルミニウム電極
を蒸着またはスパッタリングする際に自由表面を陽極酸
化できる。ＵＶビームを透過させる必要のない電極が網
状または格子状の場合、（外部）放電が電極と誘電体表
面との間で発生しないように注意しなければならない。
このことは中間空間にラッカーまたは接着剤のような他
の充填材または非導電ペーストまたは導電ペーストを充
填することによって行うことができる。
動する冷却剤によって冷却される。この冷却剤は、外部
ビーム発生器の場合、内部誘電管２を通って案内され
る。内部ビーム発生器の場合、冷却剤は外部誘電管１の
回りを流れる。この場合も前記の材料からなる保護層
は、冷却剤による浸食作用を阻止するか、少なくとも軽
減するのに寄与する。この場合、ＵＶビームを透過させ
る必要のない電極を取り扱う限り、別の保護層（例えば
陽極酸化処理、エナメル塗布による）を被覆することが
できる。このようにすると、誘電体にアルミニウム電極
を蒸着またはスパッタリングする際に自由表面を陽極酸
化できる。ＵＶビームを透過させる必要のない電極が網
状または格子状の場合、（外部）放電が電極と誘電体表
面との間で発生しないように注意しなければならない。
このことは中間空間にラッカーまたは接着剤のような他
の充填材または非導電ペーストまたは導電ペーストを充
填することによって行うことができる。
【００３２】
【発明の効果】本発明により、電極がＵＶ高透過性であ
る他に、周囲の影響に対して最適に保護されたＵＶビー
ムまたはＶＵＶビーム用の高出力ビーム発生器が得られ
る。
る他に、周囲の影響に対して最適に保護されたＵＶビー
ムまたはＶＵＶビーム用の高出力ビーム発生器が得られ
る。
【図１】公知のＵＶビーム発生器の構造を示す模式図で
ある。
ある。
【図２】誘電材料の被覆された丸ワイヤからなる外部電
極がその上部に配置されたＵＶビーム発生器の外部誘電
管の断面図である。
極がその上部に配置されたＵＶビーム発生器の外部誘電
管の断面図である。
【図３】丸ワイヤからなる外部電極がその上部に配置さ
れたＵＶビーム発生器の外部誘電体の断面図である。こ
こでは全外部面には被覆物質が設けられている。
れたＵＶビーム発生器の外部誘電体の断面図である。こ
こでは全外部面には被覆物質が設けられている。
【図４】外部誘電管の凹部に配置された丸ワイヤからな
る外部電極がその上部に配置されたＵＶビーム発生器の
外部誘電管の断面図である。ここで凹部には被覆物質が
充填されている。
る外部電極がその上部に配置されたＵＶビーム発生器の
外部誘電管の断面図である。ここで凹部には被覆物質が
充填されている。
【図５】平坦な外部誘電管と厚膜鋳込物質を有する丸ワ
イヤからなる外部電極がその上部に配置されたＵＶビー
ム発生器の外部誘電管の断面図である。ここで厚膜鋳込
物質に電極が埋め込まれている。
イヤからなる外部電極がその上部に配置されたＵＶビー
ム発生器の外部誘電管の断面図である。ここで厚膜鋳込
物質に電極が埋め込まれている。
【図６】ビームが外部にも内部にも照射されるＵＶビー
ム発生器の断面図である。
ム発生器の断面図である。
１ 外部誘電管 ２ 内部誘電管 ３ 内部電極 ４ 放電室 ５ 外部電極 ６ 交流電源 ７ 電極ワイヤ ８ 保護層
Claims (6)
- 【請求項１】 放電条件下でビームを発射する充填ガス
の充填された放電室（４）と、 放電の給電のための交流電源（６）とを有する、例えば
紫外線用の高出力ビーム発生器であって、 前記交流電源は第１および第２の電極に接続されてお
り、 前記放電室の壁部は第１および第２の誘電体（１、２）
により形成され、放電室（４）とは反対側の該誘電体の
表面には格子状または網状の金属第１電極（５）と第２
電極（３）が設けられている高出力ビーム発生器におい
て、 少なくとも第１電極（５）には保護層（８；８ａ；８
ｂ；８ｃ）が設けられているか、または上記第１電極は
保護層に埋め込まれていることを特徴とする高出力ビー
ム発生器。 - 【請求項２】 電極（３、５）の形成される材料にのみ
保護層（８）、有利にはワイヤラッカーからなる保護層
が設けられている請求項１記載の高出力ビーム発生器。 - 【請求項３】 少なくとも第１の電極（５）と第１の誘
電体（１）の少なくとも表面とに、当該電極の領域にお
いてＵＶ透過性の保護層（８ａ）が設けられている請求
項１記載の高出力ビーム発生器。 - 【請求項４】 第１の誘電体（１）の外部面および／ま
たは第２の誘電体（２）の内部面に規則的な凹部が設け
られており、 当該凹部内に電極（５、３）が少なくとも部分的に埋め
込まれており、かつＵＶ透過性の物質（８ｂ）が充填さ
れており、該物質は電極（５、３）を完全に覆っている
請求項１または３記載の高出力ビーム発生器。 - 【請求項５】 少なくとも第１の電極（５）は、ＵＶ透
過性の鋳込物質からなる保護層（８ｃ）に埋め込まれて
いる請求項１または３記載の高出力ビーム発生器。 - 【請求項６】 保護層は、ＵＶ硬化性ラッカー、接着剤
またはビーム発生器自体により硬化される鋳込物質であ
る請求項１から５までのいずれか１記載の高出力ビーム
発生器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP91108604A EP0515711A1 (de) | 1991-05-27 | 1991-05-27 | Hochleistungsstrahler |
| DE91108604.9 | 1991-05-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05174792A true JPH05174792A (ja) | 1993-07-13 |
Family
ID=8206776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13484092A Pending JPH05174792A (ja) | 1991-05-27 | 1992-05-27 | 高出力ビーム発生器 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0515711A1 (ja) |
| JP (1) | JPH05174792A (ja) |
| CA (1) | CA2068588A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001035445A1 (fr) * | 1999-11-10 | 2001-05-17 | Harison Toshiba Lighting Corporation | Tube fluorescent, lampe a decharge et dispositif a eclairage par l'arriere a cristaux liquides comprenant ce systeme |
| WO2005098903A1 (ja) * | 2004-04-08 | 2005-10-20 | Sen Engineering Co., Ltd. | 誘電体バリア放電エキシマ光源 |
| WO2009153872A1 (ja) * | 2008-06-19 | 2009-12-23 | 大研化学工業株式会社 | コイル電極蛍光放電灯管 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE9405142U1 (de) * | 1994-03-25 | 1994-06-23 | Brand Erbisdorfer Lichtquellen | Transmitter zum Einbringen elektrischer Energie in Gasentladungslampen |
| DE19843419A1 (de) * | 1998-09-22 | 2000-03-23 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Entladungslampe mit dielektrisch behinderten Elektroden |
| ES2893247B2 (es) * | 2020-07-28 | 2023-07-28 | Oozbein Biohigiene Sl | Bombilla generadora de ozono |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62262361A (ja) * | 1986-05-07 | 1987-11-14 | Canon Inc | 平面型光源装置 |
| JPH01144560A (ja) * | 1987-10-23 | 1989-06-06 | Asea Brown Boveri Ag | 高出力放射器 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1128880A (en) * | 1966-09-16 | 1968-10-02 | Gen Electric | Improvements in metal bonding |
| US4279590A (en) * | 1976-06-23 | 1981-07-21 | Gte Products Corporation | Lamp with protective coating and method of applying same |
| US4427923A (en) * | 1981-10-01 | 1984-01-24 | Gte Laboratories Inc. | Electrodeless fluorescent light source |
| NL8205025A (nl) * | 1982-12-29 | 1984-07-16 | Philips Nv | Gasontladingslamp. |
| CH670171A5 (ja) * | 1986-07-22 | 1989-05-12 | Bbc Brown Boveri & Cie | |
| JPH079796B2 (ja) * | 1987-03-28 | 1995-02-01 | 東芝ライテック株式会社 | 放電ランプ |
| CH676168A5 (ja) * | 1988-10-10 | 1990-12-14 | Asea Brown Boveri |
-
1991
- 1991-05-27 EP EP91108604A patent/EP0515711A1/de not_active Withdrawn
-
1992
- 1992-05-13 CA CA 2068588 patent/CA2068588A1/en not_active Abandoned
- 1992-05-27 JP JP13484092A patent/JPH05174792A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62262361A (ja) * | 1986-05-07 | 1987-11-14 | Canon Inc | 平面型光源装置 |
| JPH01144560A (ja) * | 1987-10-23 | 1989-06-06 | Asea Brown Boveri Ag | 高出力放射器 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001035445A1 (fr) * | 1999-11-10 | 2001-05-17 | Harison Toshiba Lighting Corporation | Tube fluorescent, lampe a decharge et dispositif a eclairage par l'arriere a cristaux liquides comprenant ce systeme |
| US6727649B1 (en) | 1999-11-10 | 2004-04-27 | Harison Toshiba Lighting Corporation | Fluorescent lamp, discharge lamp and liquid crystal backlight device incorporating this |
| WO2005098903A1 (ja) * | 2004-04-08 | 2005-10-20 | Sen Engineering Co., Ltd. | 誘電体バリア放電エキシマ光源 |
| WO2009153872A1 (ja) * | 2008-06-19 | 2009-12-23 | 大研化学工業株式会社 | コイル電極蛍光放電灯管 |
| JP5600590B2 (ja) * | 2008-06-19 | 2014-10-01 | ベイジン ティアンヤン プタイ インベストメント アンド コンサルティング カンパニー リミテッド | 省電高輝度集積型蛍光灯 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0515711A1 (de) | 1992-12-02 |
| CA2068588A1 (en) | 1992-11-28 |
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