KR100212704B1

KR100212704B1 - 오존발생장치

Info

Publication number: KR100212704B1
Application number: KR1019960046283A
Authority: KR
Inventors: 고광현; 이경섭
Original assignee: 윤종용; 삼성전자주식회사
Priority date: 1996-10-16
Filing date: 1996-10-16
Publication date: 1999-08-02
Also published as: JPH10125667A; US5817281A; KR19980027488A; TW377335B

Abstract

본 발명은 오존(O₃)-TEOS공정용 오존발생기의 방전셀을 냉각하기 위한 절연오일을 일정한 온도로 유지하여 방전셀의 손상을 방지하도록 한 오존발생장치에 관한 것이다.

본 발명의 목적은 절연오일을 원하는 온도로 정확하게 제어하여 방전셀의 손상을 방지하도록 한 오존발생장치를 제공하는데 있다.

이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 센서가 절연오일의 온도를 감지하고 제어부가 상기 감지된 온도에 압축기용 스위치를 제어하여 방전셀을 냉각하는 절연오일의 온도를 정확하게 유지시킴으로써 방전셀의 손상을 방지한다. 따라서, 본 발명은 오존을 연속적으로 발생시킬 수 있어 다층금속배선공정을 위한 층간 절연막의 질을 향상시킬 수 있다. 또한, 방전셀에 결로가 발생하는 것을 방지하고 방전셀의 손상을 방지하여 오존발생장치의 가동율은 물론 층간절연막을 위한 CVD장치의 가동율을 향상시키고 이에 따른 생산성을 향상시킬 수 있다.

Description

오존(O3)발생장치

본 발명은 오존(O₃)-TEOS공정용 오존발생장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 오존발생기의 방전셀을 냉각하기 위한 절연오일을 일정한 온도로 유지하여 방전셀의 손상을 방지하도록 한 오존발생장치에 관한 것이다.

일반적으로 절연층들은 반도체 표면에 보호를 제공하거나, 선택적 확산과 이온주입을 위한 마스크로서 작용하기 위해 반도체 상부면 위에 적층된다. 이들은 또한 마이크로회로(micro circuit)의 반도체 소자들 사이의 전기적 연결을 위한 베이스(base)로서 작용한다. 종종 이들은 2레벨의 금속배선(metallization)사이의 층간절연막(interlayer dielectric)의 역할을 제공한다. 이러한 모든 상황에서는 이들이 성장될 때 그리고 후속공정동안 열처리를 받게 되어도 핀홀(pinhole)과 균열(crack)이 없는 것이 매우 바람직하다. 따라서, 이들의 빌트인 내력(built-in stress), 또한 열 사이클링동안의 내력은 이들의 속성을 유지할 정도로 충분히 낮아야만 한다. 이러한 필수사항은 웨이퍼의 크기가 증가하고 소자가 더욱 치밀하게 채워짐(pack)에 따라 VLSI 기술에서 점차 중요해지고 있다.

마스킹 응용에 유용한 필름은 이들을 거쳐 도펀트 종(dopant species)의 전송을 방지함과 더불어 확산 온도에서 이들의 속성을 유지할 수 있어야 한다. 더욱이, 이들은 포토리소그래피 기술에 의해 미세 라인 패턴으로 식각될 수 있어야 한다. 종종 이들 필름은 마스킹 작용을 제공한 후의 장소에 남아 있게 된다. 따라서, 이들은 커버층으로 사용되면 매우 절연성이어야 하거나 다음의 금속배선 구조에 사용되면 매우 도전성이어야 한다.

증착된 필름은 제조동안 마이크로회로의 보호를 위해 또한 사용상의 이들의 신뢰성을 개선하기 위해 사용될 수 있다. 덧붙여, 이들은 소디움(sodium)과 같은 가벼운 알카리 이온의 이동을 차단하거나, 또는 그들을 비활동적이도록 하기 위해 붙잡는(getter)데 사용될 수 있다. 이들 필름은 핸들링동안 금속 배선의 손상을 방지하기 위해 금속배선 위에 일반적으로 놓여진다.

한편, 실리카 필름은 700-800℃ 온도범위에서 다양한 알콕시실렌(alkoxysilane)의 열분해 산화(pyroltyic oxidation)에 의해 성장될 수 있다. 가장 통상적으로 사용된 화합물은 상온(비등점: 167℃)에서 액체이고 버블러 장치(bubller arrangement)를 이용하여 반응챔버로 전달되어야 하는 테트라에틸오소실렌(tetraethylorthosilane: TEOS)이다. 산화반응은 800℃에 있는 냉벽(cold wall)CVD시스템내에서 통상적으로 이루어지고, 화학식 1과 같이 처리된다.

Si(C₂H₅O)₄+ 12O₂→ SiO₂+ 8CO₂+ 10H₂O

이 반응식으로부터 나타난 바와 같이, 많은 양의 물이 SiO₂의 각 분자에 대한 부산물로서 만들어진다. 따라서, 상기 필름은 물 함유 때문에 비교적 저질이다. 덧붙여, 일산화 실리콘, 탄소 그리고 유기 기(organic radical)와 같은 이차 반응 부산물 또한 이들 필름내에 존재한다.

TEOS로부터의 실리카 필름 성장은 실렌의 산화를 포함하는 증착에 의해 주로 대치되어 왔다. 실렌의 반응은 또한 600℃-1000℃에서 이루어질 때, 부산물로서 물의 형성을 가져온다. 하지만 수소 형성은 반응이 화학식 2와 같이 처리되는 저온(300-500℃)에서 촉진되어 양질의 실리카 필름을 가져온다.

SiH₄+ O₂→ SiO₂+ 2H₂O

전형적으로, 이 반응은 저온이므로 저항 가열형 냉벽 CVD시스템에서 대기압 상태로 이루어진다. 결과의 필름은 450℃성장온도에 대해 약 3 X 10⁹dyn/㎠의 빌트인 신장내력(built-in tensile stress)을 갖는다.

순수 실렌은 공기에 노출되는 즉시 불타는 매우 열분해적인 가스이다. 따라서, 실렌은 질소 또는 아르곤내에서 낮은 희석상태(전형적으로 5-10%)로 공급된다. 이러한 형태로 다루는 것이 보다 안전하고 이러한 희석상태에서 안정하다. 실렌으로부터의 실리카 필름 성장은 실리콘 표면상에서 산소의 강한 흡착(adsorption)과 그 다음의 이산화실리콘을 형성하는 실렌과의 반응에 의해 이루어진다. 이는 산소가 고농도로 존재할 때 성장률에서의 감속(retardation)을 가져올 수 있다. 전형적으로, O₂: SiH₄몰비(mole ratio)가 이러한 감속 효과를 피하기 위해 8-10을 초과해서는 안된다.

실렌 공정에 의한 필름의 성장률은 아주 높고, 전형적으로 500-1000Å/min이다. 따라서, 이들 필름은 급속, 저온 성장이 필수적인 응용에 사용될 수 있다. 이는 다음과 같은 응용을 포함하고 있다.

1. MOS마이크로회로 및 고압 소자를 위한 두꺼운 필드 옥사이드. 이는 실리콘 표면에서의 높은 트랩(trap)밀도를 피하기 위해 열적 성장된 옥사이드의 베이스층 위에 일반적으로 적층된다.

2. 기 성장된 층이 제거된 필름. 예를 들면, 매몰층(buried layer)과 절연벽(isolation wall)을 위해 사용된 타입의 깊은 확산.

3. 다음의 금속층을 위한 베이스층을 형성하는, 금속배선층 위의 절연층.

4. 실장 또는 패케이징 동안 마이크로회로의 물리적 손상을 방지하는 커버층.

5. 갈륨 아세나이드를 위한 확산 마스크. 자연산화막은 고온(700℃)에서 급속히 악화되고 이러한 응용에 사용될 수 없다.

6. 공정동안 노출되지 않아야만 하는 갈륨 아세나이드의 영역(예를 들면, 슬라이스의 후면)을 위한 캡층.

또한, 열벽(hot wall)타입의 저압 CVD시스템도 사용될 수 있고, 높은 스루풋(throughput)뿐만 아니라 슬라이스별로 양호한 필름 균일성을 가져온다.

덧붙여, 필름 품질은 대기압 시스템에서 얻어진 것보다 일반적으로 우수하며 낮은 핀홀 밀도를 가지고 있다. 하지만, 성장률은 상당히 느려(100-150Å/min) 상기 기술은 비교적 얇은 옥사이드의 성장에 적합하다.

실리콘디옥사이드는 또한 플라즈마 시스템(plasma-enhanced system)에서 저압(0.1-0.5torr)으로 성장될 수 있다. 여기서, 사용될 수 있는 기본적인 반응은 SiH₄-O₂, SiH₄-CO₂그리고 SiH₄-N₂O혼합물을 포함한다. SiH₄-N₂O시스템은 대기압에서 SiH₄-O₂시스템으로 얻어진 성장률에 비교할 수 없는 성장률(600Å/min)로 저온(250℃)에서 동작될 수 있다. 적은 양의 질소(3%)가 이 반응 결과인 필름에 포함되나 이들의 결과 성질에 악 영향을 갖지 않는다.

플라즈마 CVD기술은 증착된 실리카 필름에 빌트인 압축내력을 가져온다. 이는 다음의 열적 사이클링동안 균열하는 경향을 감소시킨다. 따라서, 이 방법에 의해 성장된 필름은 대기압에서 성장된 필름보다 훨씬 두꺼워질 수 있다. 마지막으로, 이 기술에 의해 성장된 필름은 거의 완전히 핀홀이 없어 VLSI응용의 캡층에 적합하다.

증착된 옥사이드 필름은 양질에도 불구하고 열적 성장된 옥사이드 필름 보다 훨씬 높은 오염 레벨(그리고 연합된 트랩 밀도)을 갖고 있다. 따라서, 이들은 MOS 마이크로회로에서 게이트 옥사이드로서 사용하는데 적합하지 않다. 일반적으로 이들은 실리콘 표면과의 직접 접촉을 방지하기 위해 초기의 얇는(100-200Å)자연산화막 위에 성장된다. 이는 저농도로 도핑된 실리콘 위에 또는 Si-SiO₂계면에서 접합(junction)이 노출되는 영역 위에 커버리지(coverage)가 필요할 때 특히 절실하다.

그런데, 산소(O₂)와 TEOS를 이용하여 형성되는 층간절연막으로서 SiO₂층은 양호한 스텝 커버리지를 갖지 못하였다. 그래서, 최근에는 오존(O₃)과 TEOS를 이용하여 스텝 커버리지가 양호한 층간 절연층으로서 SiO₂층을 형성하는 공정이 개발되었다. 이 공정에 대한 반응은 화학식 3과 같이 이루어진다.

Si(C₂H₅O)₄+ O₃→ SiO₂+ CO₂+ H₂O

이 공정을 적용한 플라즈마 CVD시스템에는 오존발생기가 필수적이다. 상기 오존 발생기가 오존을 발생하고 있는 동안 많은 열을 발생하므로 오존발생기를 일정한 온도로 유지하기 위한 냉각장치가 또한 필수적이다..

제1도는 종래의 오존발생장치의 구성을 나타낸 개략도이고, 제2도는 제1도의 온도조절기를 이용한 콤프레서의 제어회로를 나타낸 블록도이다.

도시된 바와 같이, 종래의 오존발생장치는 고농도의 오존을 발생시키는 오존발생기(10)와, 오존발생기(10)를 일정하나 온도로 유지시키기 위해 냉각용 절연오일(21)을 순환시키는 절연오일 순환시스템(20)과, 절연오일(21)을 냉각시키는 냉각시스템(30)으로 이루어져 있다.

오존발생기(10)는 6개의 방전셀들(11)과, 각각의 방전셀들(11)을 사이에 두고 위치하는 전극들(13)에 전원을 공급하는 3개의 전원부들(15)을 갖고 있다. 각각의 방전셀들(11)은 산소(O₂)가 순차적으로 거쳐 흐를 수 있도록 외부 연결관(도시안됨)에 의해 연결되어 있다. 방전셀들(11)의 냉각을 위해 전극들(13)의 내부로 절연오일(21)이 흐르도록 구성되어 있고, 각각의 전극들(13)은 절연오일(21)이 거쳐 흐를 수 있도록 외부연결관(도시안됨)에 의해 연결되어 있다.

절연오일순환시스템(20)은 저장고(23)에 저장된 절연오일(21)을 각각의 전극들(13)의 내부를 거쳐 순환시키는 오일순환펌프(25)와, 절연오일(21)의 온도를 감지하여 냉각시스템(30)의 작동을 제어하는 온도조절기(27)와, 절연오일(21)의 흐름 중단시 온되어 경보장치(도시안됨)를 구동시키는 오일플로우스위치(29)를 갖고 있다.

냉각시스템(30)은 압축기(31), 응축기(33), 건조기(35), 모세관(37) 그리고 증발기(39)를 갖는 통상적인 것이다. 증발기(35)는 저장고(23)의 절연오일(21)에 담겨져 있다.

또한, 스위치(32)는 전자개폐기의 일종인 TIC(temperature indication controller)로서 콤프레서(31)에 3상의 전원을 공급하거나 차단하도록 설치되어 있고, 온도조절기(27)는 유접점식 바이메탈로서 스위치(32)의 구동을 스위칭하도록 설치되어 있다. 그리고, 오일플로우스위치(29)는 절연오일(21)의 순환 불능을 감지하여 경보장치(도시안됨)를 구동시키도록 설치되어 있다.

이와 같이 구성되는 종래의 오존발생장치의 작용을 살펴보면 다음과 같다.

먼저, 오존발생기(10)의 6개의 방전셀들(11)중 제일 아래쪽의 방전셀들(11)에 산소(O₂)가 공급되면, 산소는 외부연결관(도시안됨)에 의해 각각의 방전셀들(11)을 거쳐 흐르게 된다. 또한, 200V의 고압 교류 전원이 3개의 전원부(15)로부터 해당하는 전극들(13)에 각각 공급된다.

이때, 방전셀들(11)은 방전하게 되고 산소는 이러한 상태의 방전셀들(11)을 통과하는 동안 오존으로 변화된다. 그런데, 산소가 하나의 방전셀(11)을 거치는 동안 일부 산소가 오존으로 변화하지 않을 수 있으므로 산소를 여러개의 방전셀을 거치도록 하는 것이 일반적이다.

이후, 제일 위쪽의 방전셀(11)을 거쳐 나온 오존은 층간절연막인 산화막을 형성하기 위한 플라즈마 CVD장치(도시안됨)로 공급된다.

한편, 전극들(13)에 1000W이상의 고전압 파워가 공급되는 동안 방전셀들(13)이 방전하여 많은 열을 발생시키므로 방전셀들(13)의 냉각을 위해 저장고(23)의 절연오일(21)이 절연오일순환펌프(25)에 의해 각각의 전극들(13)내부를 거쳐 계속하여 순환된다. 절연오일(21)이 전극들(13)을 거치는 동안 점차 가열되므로 방전셀들(13)이 충분히 냉각되지 않아 방전셀들(13)의 온도가 상승하게 된다.

이렇게 되면, 방전셀들(13)은 고농도의 오존을 발생시킬 수 없게 된다.

또한, 절연오일(21)의 절연성이 악화되고 전극들(13)이 서로 단락되어 방전셀들(11)이 타게 된다.

이를 방지하기 위해 절연오일(21)의 온도는 항상 15℃의 온도로 유지되어야 하므로 가열된 절연오일(21)은 냉각시스템(30)에 의해 냉각된다.

이를 좀 더 상세히 언급하면, 오존발생기(10)에 공급되는 절연오일(21)의 온도가 소정의 값으로 상승하면, 바이메탈식 온도조절기(27)는 제2도에 도시된 바와 같이, 접점(a), (b)을 기계적으로 접촉하여 온시킴으로써 압축기(31)용 스위치(32)인 전자개폐기를 온시킨다.

이에 따라, 압축기(31)가 가동하기 시작하면, 냉매가 압축기(31)에 의해 압축된 후 응축기(33)를 거치면서 방열되고 건조기(35)와 모세관(capillary tube)(37)을 거치면서 냉각된다. 그리고나서, 상기 냉매가 증발기(39)를 거치는 동안 저장고(23)의 절연오일(21)의 열을 흡열한다. 따라서, 상기 절연오일의 냉각이 이루어져 절연오일의 온도가 하강하게 된다.

이러한 순환과정이 계속되어 상기 절연오일의 온도가 15℃로 하강하게 되면, 온도조절기(27)는 스위치(32)의 접점(a), (b)을 이탈하여 오프시킨다. 따라서, 압축기(31)의 가동이 중단되고 저장고(23)의 절연오일(21)의 냉각이 중지되어 절연오일(21)의 온도가 더 이상 하강하지 않고 유지된다,

이와 같은 방법에 의해 온도조절기가 절연오일의 온도에 따라 압축기용 스위치를 스위칭하면, 압축기가 가동하거나 가동중단하고 절연오일이 오존발생에 적합한 온도로 일정하게 유지되어 방전셀을 고농도의 오존을 연속적으로 발생하게 된다.

그러나, 종래의 온도조절기는 바이메탈로서 정밀하게 작동하지 못하여 절연오일의 온도를 오존 발생에 적합한 온도인 15℃로 정확하게 제어할 수 없다.

또한 온도조절기의 오동작으로 인하여 압축기용 스위치가 계속 온 상태로 되어 압축기가 계속 작동하는 경우가 자주 발생하게 되는데, 이때 압축기 주위에 결빙이 발생하고, 절연오일의 온도가 너무 낮아지고 이로 인해 방전셀의 온도가 매우 낮아져 방전셀 주위에 결로가 발생하게 된다. 이렇게 되면, 상기 전극들이 상기 결로에 의해 서로 단락되고 방전셀이 타버리게 된다.

결국, 고가의 방전셀이 손상되어 오존발생기의 가동 중단이 불가피하므로 새로운 방전셀의 교체에 따른 원가부담이 증가하고, 또한 O₃-TEOS공정용 CVD장치의 가동중단 또한 불가피하게 되어 생산성이 떨어지는 문제점이 있었다.

따라서, 본 발명의 목적은 절연오일을 원하는 온도로 정확하게 제어하여 방전셀의 손상을 방지하도록 한 오존발생장치를 제공하는데 있다.

제1도는 종래 기술에 의한 오존(O₃)-TEOS(tetraethylorthosilane)공정용 오존 발생기를 나타낸 구성도.

제2도는 제1도의 온도조절기를 이용한 콤프레서의 제어회로를 나타낸 블록도.

제3도는 본 발명에 의한 오존 발생장치의 온도조절기를 이용한 콤프레서의 제어회로를 나타낸 블록도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

10 : 오존발생기 11 : 방전셀

13 : 전극 15 : 전원부

20 : 절연오일순환시스템 21 : 절연오일

23 : 저장고 25 : 오일순환펌프

27 : 온도조절기 29 : 오일플로우스위치

30 : 냉각시스템 31 : 압축기

32 : 스위치 33 : 응축기

35 : 건조기 37 : 모세관

39 : 증발기 40 : 온도조절기

41 : 센서 43 : 제어부

45 : 경보부

이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 센서가 절연오일의 온도를 감지하고 제어부가 상기 감지된 온도에 압축기용 스위치를 제어하여 방전셀을 냉각하는 절연오일의 온도를 정확하게 유지시킴으로써 방전셀의 손상을 방지하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명은 상기 감지된 절연오일의 온도가 상, 하한 온도를 벗어나는 경우, 제어부가 경보수단을 구동시켜 작업자로 하여금 적절한 조치를 신속히 취할 수 있도록 하여 방전셀의 손상을 방지하는 것을 특징으로 한다.

이하, 본 발명의 실시예에 의한 오존발생장치를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다. 종래의 부분과 동일한 부분에는 동일한 부호를 부여하도록 한다.

제3도는 본 발명에 의한 오존발생장치의 온도조절기를 이용한 콤프레서의 제어회로를 나타낸 블록도이다.

도시된 바와 같이, 온도조절기(40)는 센서(41)와, 센서(41)로부터 감지된 온도에 따라 압축기(31)의 스위치(32)를 제어하는 제어부(43)와, 제어부(43)의 제어에 따라 경보신호를 출력하는 경보수단(45)을 갖고 있다.

이와 같이 구성되는 오존발생장치의 작용을 제1도를 참조하여 살펴보면 다음과 같다.

먼저, 종래와 동일한 방법으로 오존발생기(10)의 제일 아래쪽의 방전셀(11)에 산소(O₂)가 공급되면, 산소는 외부연결관(도시안됨)에 의해 아래쪽의 방전셀(11)부터 위쪽의 방전셀(11)로 거쳐 흐르게 된다. 또한, 고압 교류 전원이 3개의 전원부들(15)로부터 해당하는 전극들(13)에 각각 공급된다.

이때, 방전셀들(11)은 방전하게 되고 산소는 이러한 상태의 방전셀들(11)을 통과하는 동안 완전히 오존으로 변화된다.

이를 좀더 상세히 언급하면, 오존발생기(10)에 공급되는 절연오일(21)의 온도가 소정의 값으로 상승하면, 온도조절기(40)의 센서(41)가 이를 감지하고 이에 해당하는 전기적 신호를 제어부(43), 예를 들어 상품화된 TIC(temperature indication controller)에 전달한다. 이때, 제어부(43)는 압축기(31)의 가동을 위한 신호를 압축기(31)용 스위치(32)인 전자개폐기에 출력하여 스위치(32)를 온시킨다.

이에 따라, 3상 220V의 구동전원이 스위치(32)를 거쳐 압축기(31)에 공급되어 압축기(31)가 가동하기 시작하고 또한 절연오일(21)이 냉각되기 시작하여 절연오일의 온도가 낮아진다.

이후, 절연오일(21)의 온도가 오존발생에 적합한 온도인 15℃로 되면, 센서(41)가 이를 감지하고 이에 해당하는 전기적 신호를 제어부(43)에 전달한다. 이때, 제어부(43)는 압축기(31)의 가동 중지를 위한 신호를 스위치(32)에 출력하여 스위치(32)를 오프시킨다.

이에 따라, 3상 220V의 구동전원이 스위치(32)에 의해 압축기(31)에 공급되지 않아 압축기(31)의 가동이 중단되고 절연오일(21)의 냉각이 중지되어 절연오일(21)의 온도가 더 이상 하강하지 않고 유지된다.

이와 같은 방법에 의해 절연오일이 원하는 온도, 예를 들어 15℃에서 일정하게 유지되므로 방전셀들(11)은 고농도의 오존을 연속적으로 발생시킬 수 있는 것이다.

그런데, 절연오일(21)의 온도가 하한 온도로 하강하였는데도 압축기(31)가 계속 가동중이거나 절연오일(21)의 온도가 상한 온도로 상승하였는데도 압축기(31)가 계속 가동 중단중인 이상 현상이 발생하는 경우가 있을 수 있다.

이러한 경우, 센서(41)는 이를 감지하여 이에 해당하는 전기적 신호를 제어부(43)에 출력하고, 제어부(43)는 경보부(45)를 작동시켜 작업자로 하여금 적절한 조치를 신속히 취할 수 있도록 한다. 여기서, 경보부(45)는 경보음 또는 경보광만을 출력하거나 또는 경보음과 경보광을 모두 출력하는 것이다.

또한, 제어부(43)는 절연오일(21)의 온도를 자체의 디스플레이부(도시안됨)에 디스플레이시켜 작업자로 하여금 수시로 절연오일의 온도를 육안으로 확인할 수 있도록 상기 이상 현상에 대한 적절한 조치를 신속히 취할 수 있게 한다.

따라서, 절연오일(21)이 오존발생에 적합한 온도로 항상 유지되어 방전셀들(11)에 결로가 발생하는 것이 방지되고 결로로 인한 전극들(13)사이의 단락이 방지되어 방전셀의 전극이 불타게 되는 것이 방지된다.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 의한 오존발생장치는 절연오일을 냉각하는 냉각시스템의 압축기의 가동 여부를 정확하게 제어하여 절연오일을 원하는 온도로 일정하게 유지시킨다. 따라서, 본 발명은 오존을 연속적으로 발생시킬 수 있어 다층금속배선공정을 위한 층간절연막의 질을 향상시킬 수 있다.

또한, 방전셀에 결로가 발생하는 것을 방지하고 방전셀의 손상을 방지하여 오존발생장치의 가동율은 물론 층간절연막을 위한 CVD장치의 가동율을 향상시키고 이에 따른 생산성을 향상시킬 수 있다.

Claims

오존을 발생시키는 복수개의 방전셀들과 상기 방전셀들을 각각 사이에 두고 위치하는 전극들을 갖는 오존발생기; 상기 방전셀들을 냉각시키기 위해 저장고의 절연오일을 상기 전극들 내부를 거쳐 순환시키는 오일순환펌프를 갖는 절연오일순환시스템; 상기 절연오일순환시스템의 순환되는 상기 절연오일을 냉각시키는 냉각시스템; 그리고 상기 절연오일의 온도를 감지하는 센서와 상기 센서에서 감지된 온도가 미리 설정된 소정 범위에 해당되는지 여부에 따라 상기 냉각시스템의 가동 또는 중지를 제어하여 상기 절연오일의 온도를 조절하는 제어부를 가지며, 상기 제어부로부터 제어되어서 상기 센서에서 감지된 온도가 상기 소정 범위를 벗어난 상태에서 상기 냉각시스템이 가동되지 않거나 상기 센서에서 감지된 온도가 상기 소정 범위를 충족시키는 상태에서 상기 냉각시스템이 가동되면 그에 따른 제어신호를 출력하는 경보부를 갖는 온도조절기를 구비함을 특징으로 하는 오존발생장치.
제1항에 있어서, 상기 제어부가 온도표시제어기(TIC)인 것을 특징으로 하는 오존발생장치.