JP2782692B2 - シリコーンウェハー用研磨組成物 - Google Patents

シリコーンウェハー用研磨組成物

Info

Publication number
JP2782692B2
JP2782692B2 JP1506188A JP50618889A JP2782692B2 JP 2782692 B2 JP2782692 B2 JP 2782692B2 JP 1506188 A JP1506188 A JP 1506188A JP 50618889 A JP50618889 A JP 50618889A JP 2782692 B2 JP2782692 B2 JP 2782692B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
silica sol
colloidal silica
composition
silicon wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP1506188A
Other languages
English (en)
Inventor
茂男 佐々木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
EIDP Inc
Original Assignee
EI Du Pont de Nemours and Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by EI Du Pont de Nemours and Co filed Critical EI Du Pont de Nemours and Co
Application granted granted Critical
Publication of JP2782692B2 publication Critical patent/JP2782692B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14Anti-slip materials; Abrasives
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1409Abrasive particles per se

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、電気集積回路の支持板に供されるシリコー
ンウェハー用研磨組成物に関し、特にシリコーンウェハ
ーの表面に研磨ダメージの残ることが大幅に軽減された
シリコーンウェハー用研磨組成物に関する。
技術背景 電気集積回路の支持板として利用されているシリコー
ンウェハーは、表面を研磨して回路形成に供されてい
る。
シリコ−ンウェハ−の表面を研磨するために、従来か
ら種々の研磨剤が提案されている。例えば、米国特許第
3,170,273号明細書には、シリカ濃度2〜50重量%を有
するシリカゾル、及びシリカ濃度2〜100%のシリカゲ
ルが研磨剤として開示され、また、米国特許第3,328,14
1号明細書には、これら研磨剤にアルカリ性化合物を加
えてpHを10.5〜12.5に調整すると、研磨速度が増大する
ことが開示されている。
シリコ−ンウェハ−の研磨には、コロイダルシリカゾ
ルが、その粒子が小さいために、シリカゲル微粉より多
く使われている。
しかし、コロイダルシリカゾルは、化学的に活性なシ
ラノール基をシリカ粒子表面に密度高く持つために、乾
燥時にゲル化しやすく、また、ゾル中でも巨大シリカ粒
子凝集化物ができやすい。そして、研磨用スラリー中に
スラリー送液からゲル化物が混入したり、或は巨大シリ
カ粒子凝集化物が存在すると、これらを用いてシリコー
ンウェハーを研磨する際にスクラッチや潜傷を発生させ
る要因になる。
これらシリコーンウェハー上のスクラッチや潜傷は、
シリコーンウェハー表面上に酸化膜形成、エッチング、
ドーピング技術を用いて回路パターンを形成させるとき
に、回路の電気特性に不均一性をもたらすので好ましく
ない。
従って、研磨用スラリー中に乾燥ゲル化物や巨大シリ
カ粒子凝集物が混入しないように、厳重に管理されなけ
ればならないが、乾燥ゲル化物や巨大シリカ粒子凝集物
が研磨用スラリーに混入しているかどうかを検査する方
法はなく、研磨されたシリコーンウェハーからその有無
を判断しているのが現状である。
本発明は、コロイダルシリカゾル中のシリカ粒子を変
性して、コロイダルシリカゾルが、たとえ乾燥ゲル化し
ても、弱い力学的作用で簡単に微粉にすることができ、
又、巨大シリカ粒子凝集物の生じにくい変性コロイダル
シリカゾルとし、これを含むシリコーンウェハー用研磨
剤とし、ウェハーの研磨において、スクラッチや潜傷を
発生させ難いシリコーンウェハー用研磨剤を提供しよう
とするものである。
発明の開示 本発明の要旨とするところは、シリカ粒子表面のシラ
ノール基の一部を、トリアルキルシリル化させた変性コ
ロイダルシリカゾルを含むことを特徴とするシリコーン
ウェハー研磨用組成物である。
発明を実施するための最良の形態 本発明における変性コロイダルシリカゾルは、コロイ
ダルシリカゾル中のシリカ粒子表面のシラノール基の一
部を、トリアルキルシリル化させたものをいう。この変
性コロイダルシリカゾルは、変性されていることによっ
て、これを含むシリコ−ンウェハ−研磨組成物の粒子同
士を凝集しにくくし、凝集したとしても凝集粒子の機械
的強度を小さくし、弱い力で微粒子にしやすくする機能
を果す。
本発明に係るシリコ−ンウェハ−研磨用組成物は、変
性コロイダルシリカゾル、変性されないコロイダルシリ
カゾル(併せて「シリカ粒子」という。)を水に分散さ
せたスラリーの状態で使用されるが、この際、スラリー
中に占めるシリカ粒子の濃度は、通常1〜5重量%が好
ましい。
そして、スラリーに含まれるシリカ粒子の平均粒径
は、5ミリミクロンより大きく、1ミクロンより小さい
ものが使用される。平均粒径が5ミリミクロン以下で
は、粒子中に含まれるケイ酸のモノマーやオリゴマーの
割合が多くなり、これらを多く含むコロイダルシリカゾ
ルを変性したもので研磨すると、シリコ−ンウェハ−表
面にシリカとなって付着するので好ましくなく、平均粒
径が1ミクロン以上では、シリコ−ンウェハ−表面に引
っ掻き傷が生じやすくなるので好ましくない。
本発明における変性コロイダルシリカは、シリカ粒子
表面のシラノール基をトリアルキルシリル化することに
よって得られる。
シリカ粒子表面のシラノール基をトリアルキルシリル
化する手段としては、シリカ粒子表面のシラノール基に
トリアルキルハロシラン、或いは、ヘキサアルキルジシ
ラザンを反応させることによって達成できる。
すなわち、シリカ粒子表面のシラノール基とトリアル
キルクロロシラン、トリアルキルブロモシラン、トリア
ルキルフルオロシラン、トリアルキルイオダイドシラン
のようなトリアルキルハロシランとを反応させることに
よって得られる。
また、シリカ粒子表面のシラノール基とヘキサアルキ
ルジシラザンとを反応させることによっても達成でき
る。
ヘキサアルキルジシラザンは、一般式 R3−Si−NH−Si−R3 (式中、Rはアルキル基
を表わす)を有する化合物である。
そして、本発明におけるトリアルキルシリル化のアル
キル基としては、直鎖状アルキル基でも、又、分枝を有
するアルキル基でも、何れでも良い。炭素数てしては、
10以下のアルキル基、好ましくは、炭素数5以下のアル
キル基である。炭素数10以上のアルキル基では、反応性
に問題があって、工業的に実用性がない。最も好ましい
アルキル基としては、メチル基である。したがって、ト
リメチルハロシラン、或いはヘキサメチルジシラザンが
適している。
シリカ粒子表面のシラノール基をトリアルキルシリル
化するのに、シリカ粒子に対して添加するトリアルキル
ハロシラン、或いはヘキサメチルジシラザンの量は、該
シリカ粒子表面のシラノール基のモル数に対して、0.1
〜10%となるモル数とするのが好ましい。0.1%以下だ
とシリカ粒子表面のシラノール基被覆率が、まだ充分に
高いのでシリカ粒子間のシロキサン結合を作りやすくな
っており、ゾル中での凝集物形成を抑制するまでには至
らず、又、乾燥ゲル化物も硬く、本発明の目的のために
は好ましくない。又、10%以上だとシリカ粒子の疎水的
性質が強すぎ、研磨能率が低下するので好ましくない。
シラノール基とトリアルキルハロシランの反応収率
は、条件によって異なるが、酸性溶液にして行なうと30
%以上となる。塩基性溶液で反応させると、トリアルキ
ルハロシランがシリカ粒子表面のシラノール基と反応す
る前にトリアルキルハロシラン同士で反応してジトリア
ルキルシロキサンを作るので、シラノール基とトリアル
キルハロシランの反応収率は悪くなる。
シラノール基をトリアルキルハロシランとの反応によ
って、シリル化する際、ハロゲン化合物が発生する。こ
のハロゲン化合物が、不都合をもたらす場合には、ヘキ
サアルキルジシラザンを使用することが好ましい。
シラノール基とヘキサアルキルジシラザンの反応は、
1分子のヘキサアルキルジシラザンが、加水分解によ
り、2分子のトリアルキルシラノ−ルとなり、このトリ
アルキルシラノ−ルが、シリカ粒子表面のシラノ−ル基
と反応してトリアルキルシリル化する。
シラノール基とヘキサアルキルジシラザンとの反応収
率は、条件によって異なるが、酸性溶液にして行なうと
30%以上となる。塩基性溶液で反応させると、ヘキサア
ルキルジシラザンの加水分解反応が、充分進行せず、従
って、トリアルキルシラノ−ルの生成が不充分であるの
で、シラノール基とヘキサアルキルジシラザンの反応収
率は悪くなる。
コロイダルシリカ中のシリカ粒子表面のシラノール基
の定量方法はいろいろあるが、メチレンブルーのベンゼ
ン溶液とコロイダルシリカゾルとを混合し、激しく撹拌
した後のベンゼン溶液中のメチルレッドの濃度が減少す
ることより求めるのが好適である。メチルレッドのベン
ゼン中の濃度は、分光学的方法によって精度よく求める
ことができる。この定量法の詳細は、J.Am.Chem.Soc.77
6,72(1950)に載っている。或は、シラノール基のトリ
アルキルシリル化された量は、シラノール基とトリアル
キルハロシランとの反応によるトリアルキルハロシラン
の減少量から求めることができる。ただ、この方法で
は、シラノール基を0.1%以上の精度で定量することは
困難であるが、本発明におけるシラノール基のトリアル
キルシリル化は0.1%以上なので、この定量法で充分で
ある。
なお、上記のシリカ粒子表面のシラノール基をトリア
ルキルシリル化するための反応は、不均質反応であるた
めに、全てのシリカ粒子の表面がトリアルキルシリル化
されるわけではなく、未変性の粒子が残る。
本発明に係るシリコーンウェハー用研磨組成物中に含
まれる変性シリカ粒子の含有量は、余り少ないとその効
果が充分でないので、通常0.1%以上の割合で使用され
る。
スラリー状の研磨組成物のpHを調整するのにアルカリ
メタル、アンモニウム、又は塩基性アミンを用いること
ができる。pHは、8〜12に調整するのが好ましいが、通
常10〜11にしたものが研磨に用いられる。pHが12より高
いと研磨面荒れを引き起こしやすく、pHが8より低いと
研磨能率が低下するので好ましくない。
研磨速度を上げるためには、研磨組成物にエチレンジ
アミンを添加するとよい。エチレンジアミンのような多
価アミンは、通常のコロイダルシリカゾルでは、シリカ
粒子を凝集させる作用があるので、研磨組成物に加える
には好ましくないが、本発明に係るシリカ粒子表面を部
分的にトリアルキルシリル化された変性コロイダルシリ
カゾルを含む研磨組成物では、この凝集作用が大幅に抑
制されるので、添加することができる。
本発明は次のように特別に顕著な効果を発揮するので
その産業上の利用価値は極めて大である。
(1)本発明に係る研磨組成物を用いてシリコ−ンウ
ェハ−を研磨するときには、スラリー状の上記組成物中
のシリカ粒子表面のシラノール基の密度が低いので、粒
子間のシロキサン結合の形成が抑制され、シリカ粒子凝
集物も発生せず、従って、研磨によるシリコ−ンウェハ
−の結晶欠陥が生じにくい。
(2)この研磨組成物の乾燥物の粒子間シロキサン結
合も弱いので、乾燥固形物も弱い力で簡単に微粒子にす
ることができる。このことは、通常のコロイダルシリカ
ゾルの乾燥固形物がガラスのように硬いことを考える
と、驚異的である。
実 施 例 次に、本発明を実施例及び比較例によって、更に具体
的に説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以
下の例に制限されるものではない。
実施例1 コロイダルシリカゾルとして、“サイトンHT−50"
(登録商標、三菱モンサント化成(株)が再販中、シリ
カ粒子の平均粒径60ミリミクロン、固形分濃度50重量
%)1kgを準備し、これをよく撹拌しながら、トリメチ
ルクロロシラン1gを添加した。シリカゾル中のシリカ粒
子表面のシラノール基をトリメチルクロロシランと反応
させて、トリメチルシリル化した。この反応では塩酸が
生成し、これによって、水素イオン濃度が上昇するの
で、ゾルのpHは低下する。
コロイダルシリカゾルは、アルカリ性にして安定化さ
れているが、中性では不安定なので、反応系中にアニオ
ン交換樹脂を共存させて、生成する塩素イオンを除きな
がら反応させた。使用したアニオン交換樹脂として、
“ダイアイオンSA10A"(登録商標、日本練水(株)製)
を使った。添加樹脂量は、10mlとした。反応は室温で1
時間以上行なった。反応終了後、イオン交換樹脂を濾過
法で除いて変性コロイダルシリカゾルを得た。
実施例2 コロイダルシリカゾルとして、“サイトンHT−50(実
施例1で使用したものと同種)を、予めカチオン交換樹
脂によって水相にあるアルカリ金属イオンを除き酸性に
した。
この酸性化したコロイダルシリカゾル1kgに撹拌下、
トリメチルクロロシラン1gを添加した。シリカゾル中の
シリカ粒子表面のシラノール基をトリメチルクロロシラ
ンと反応させて、トリメチルシリル化した。
反応系にはアニオン交換樹脂を共存させて、生成する
塩基イオンを除去させながら反応させた。アニオン交換
樹脂としては、”ダイアイオンSA10A"(実施例1で使用
したものと同種)を使った。添加樹脂量は、10mlであっ
た。反応は室温で1時間以上行なった。反応終了後、イ
オン交換樹脂を濾過法で除いて、変性コロイダルシリカ
ゾルを得た。
その後、研磨速度を上げるためにエチレンジアミンを
30g加えた。
実施例3 コロイダルシリカゾルとして、“サイトンHT−50"
(実施例1で使用したものと同種)を、予めカチオン交
換樹脂によって水相にあるアルカリ金属イオンを除き、
酸性にしたもの1kgに撹拌下、トリメチルクロロシラン5
0gを添加した。シリカゾルのシリカ粒子表面のシラノー
ルをトリメチルクロロシランと反応させて、トリメチル
シリル化した。反応系にはアニオン交換樹脂を共存させ
て、生成する塩素イオンを除去させながら反応させた。
アニオン交換樹脂としては、“ダイアイオンSA10A"(実
施例1で使用したものと同種)を使った。添加樹脂量は
10mlであった。反応は室温で1時間以上行なった。反応
終了後、イオン交換樹脂を濾過法で除いて変性コロイダ
ルシリカゾルを得た。
その後、研磨速度を上げるためにエチレンジアミンを
30g加えた。
実施例4 実施例1において使用したトリメチルクロロシラン1g
のかわりに、トリプロピルクロロシラン2gを使用した以
外は、実施例1と同様の方法によって、シリカゾル中の
シリカ粒子表面のシラノール基をトリプロピルクロロシ
ランと反応させた。この反応は、実施例1の場合と同様
に、塩酸が生成し、これによって、水素イオン濃度が上
昇するので、ゾルのpHは低下する。
コロイダルシリカゾルは、アルカリ性にして安定化さ
れているが、中性では不安定なので、反応系中にアニオ
ン交換樹脂を共存させて、生成する塩素イオンを除きな
がら反応させた。使用したアニオン交換樹脂として、
“ダイアイオンSA10A"(登録商標、日本練水(株)製)
を使った。添加樹脂量は、10mlとした。反応は室温で少
なくとも2時間以上行なった。反応終了後、イオン交換
樹脂を濾過法で除いて変性コロイダルシリカゾルを得
た。
実施例5 コロイダルシリカゾルとして、“サイトンHT−50"
(実施例1で使用したものと同種)1kgを準備し、これ
をよく撹拌しながら、ヘキサメチルジシラザン1gを添加
した。シリカゾル中のシリカ粒子表面のシラノール基を
へキサメチルジシラザンと反応させて、トリメチルシリ
ル化した。この反応ではアンモニアが生成し、これによ
って、水素イオン濃度が低下するので、ゾルのpHは上昇
する。
反応は室温で2時間以上行なって、変性コロイダルシ
リカゾルを得た。
実施例6 コロイダルシリカゾルとして、“サイトンHT−50"
(実施例1で使用したものと同種)を、予めカチオン交
換樹脂によって水相にあるアルカリ金属イオンを除き酸
性にした。
この酸性化したコロイダルシリカゾル1kgに撹拌下、
ヘキサメチルジシラザン1gを添加した。シリカゾル中の
シリカ粒子表面のシラノール基をヘキサメチルジシラザ
ンと反応させて、トリメチルシリル化した。
その後、研磨速度を上げるためにエチレンジアミンを
30g加えた。
実施例7 コロイダルシリカゾルとして、“サイトンHT−50"
(実施例1で使用したものと同種)を、予めカチオン交
換樹脂によって水相にあるアルカリ金属イオンを除き、
酸性にしたもの1kgに撹拌下、ヘキサメチルジシラザン5
0gを添加した。シリカゾル中のシリカ粒子表面のシラノ
ール基をヘキサメチルジシラザンと反応させて、トリメ
チルシリル化した。反応は、室温で1時間以上行なっ
た。
その後、研磨速度を上げるためにエチレンジアミンを
30g加えた。
比較例 コロイダルシリカゾルとして、“サイトンHT−50"
(実施例1で使用したものと同種)1kgにエチレンジア
ミン30gを加えたシリカゾルを用意した。
実施例1及至7と、比較例に記載した方法で調整した
シリカゾルの一部5mlを、温度40℃で、1昼夜放置し
て、乾燥固形物を作った。乾燥固形物を指先で潰してみ
た。その結果は第1表に示す通りである。
実施例1及至7と、と比較例に記載した方法で調節し
たシリカゾルを、水で20倍に希釈してスラリ−状の研磨
組成物とし、これを15用意し、研磨液として使用し
た。この研磨液を1.5/分の流量でリサイクルして流
しながら研磨した。研磨圧350g/cm2、研磨布とシリコ−
ンウェハ−の相対速度1m/秒、研磨液温度35℃にしなが
ら、結晶方位100のリンドープN型シリコーンウェハー
を20分間研磨した。研磨機は、スピードファーム製SPAW
36を用い、研磨布は不織布タイプのものを用いた。
第1表に研磨速度及びOSF(Oxidation Stacking Faul
tの略、酸化積層欠陥の意味)の発生状況を示した。OSF
は、熱酸化膜をシリコ−ンウェハ−上に形成したとき、
結晶欠陥部分の酸化速度が高いために出現するもので、
その発生状況がデウァイスに供されるシリコ−ンウェハ
−の結晶欠陥数の評価に用いられている。数値が大きい
程、好ましくない。
産業上の利用可能分野 以上の結果は、本発明に係るシリカ粒子表面のシラノ
ール基を部分的にトリアルキルシリル化させた変性コロ
イダルシリカゾルを含む研磨組成物が、その乾燥ゲル化
物の硬度を通常のコロイダルシリカゾルに比べて格段に
低くなり、スラリー状においてもシリカ粒子凝集物の生
成が抑制され、エチレンジアミンを添加しての高速度研
磨において、OSFの発生を大いに抑制していることを明
白に示している。

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】コロイダルシリカゾルのシリカ粒子表面の
    シラノール基の一部を、トリアルキルシリル化させた変
    性コロイダルシリカゾルを含むことを特徴とするシリコ
    ーンウェハー研磨用組成物。
  2. 【請求項2】コロイダルシリカゾルのシリカ粒子の平均
    粒径が、5ミリミクロンから1ミクロンの範囲のもので
    あることを特徴とする、請求項第1項に記載のシリコ−
    ンウェハ−研磨用組成物。
  3. 【請求項3】トリアルキルシリル化させた変性コロイダ
    ルシリカゾルが、トリメチルシリル化させた変性コロイ
    ダルシリカゾルである、請求項第1項に記載のシリコ−
    ンウェハ−研磨用組成物。
  4. 【請求項4】変性コロイダルシリカゾルのシリカ粒子の
    表面に分布するシラノール基の0.1%から10%がトリア
    ルキルシリル化されていることを特徴とする、請求項第
    1項に記載のシリコーンウェハー研磨用組成物。
  5. 【請求項5】トリアルキルシリル化をトリアルキルハロ
    シランで行なわれたものであることを特徴とする、請求
    項第1項に記載のシリコ−ンウェハ−研磨用組成物。
  6. 【請求項6】トリアルキルシリル化をヘキサアルキルジ
    シラザンで行なわれたものであることを特徴とする、請
    求項第1項に記載のシリコ−ンウェハ−研磨用組成物。
  7. 【請求項7】シリコ−ンウェハ−研磨用組成物中のシリ
    カ粒子の含有量が、0.1重量%以上であることを特徴と
    する、請求項第1項に記載のシリコ−ンウェハ−研磨用
    組成物。
  8. 【請求項8】シリコ−ンウェハ−研磨用組成物のpHが、
    8〜12に調整されていることを特徴とする、請求項第1
    項に記載のシリコーンウェハ−研磨用組成物。
JP1506188A 1988-06-03 1989-06-02 シリコーンウェハー用研磨組成物 Expired - Fee Related JP2782692B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13545188 1988-06-03
JP6988189 1989-03-22
JP1-69881 1989-03-22
JP63-135451 1989-03-22
PCT/JP1989/000558 WO1989012082A1 (en) 1988-06-03 1989-06-02 Abrasive composition for silicon wafer

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2782692B2 true JP2782692B2 (ja) 1998-08-06

Family

ID=26411060

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1506188A Expired - Fee Related JP2782692B2 (ja) 1988-06-03 1989-06-02 シリコーンウェハー用研磨組成物

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP0371147B1 (ja)
JP (1) JP2782692B2 (ja)
KR (1) KR930002764B1 (ja)
WO (1) WO1989012082A1 (ja)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2862073B2 (ja) * 1995-12-08 1999-02-24 日本電気株式会社 ウェハー研磨方法
US6646348B1 (en) * 2000-07-05 2003-11-11 Cabot Microelectronics Corporation Silane containing polishing composition for CMP
KR20030013146A (ko) * 2001-08-07 2003-02-14 에이스하이텍 주식회사 실리콘 웨이퍼 연마제 조성물과 그 제조방법
CN101058713B (zh) 2001-10-31 2011-02-09 日立化成工业株式会社 研磨液及研磨方法
DE10164262A1 (de) * 2001-12-27 2003-07-17 Bayer Ag Zusammensetzung für das chemisch-mechanische Polieren von Metall- und Metall/Dielektrikastrukturen
JP2003277731A (ja) * 2002-03-26 2003-10-02 Catalysts & Chem Ind Co Ltd 研磨用粒子および研磨材
JP4554142B2 (ja) * 2002-04-30 2010-09-29 日揮触媒化成株式会社 基板洗浄用粒子および該基板洗浄用粒子を含む洗浄材、基材の洗浄方法
US8202502B2 (en) 2006-09-15 2012-06-19 Cabot Corporation Method of preparing hydrophobic silica
US8455165B2 (en) 2006-09-15 2013-06-04 Cabot Corporation Cyclic-treated metal oxide
US8435474B2 (en) 2006-09-15 2013-05-07 Cabot Corporation Surface-treated metal oxide particles
US20080070146A1 (en) 2006-09-15 2008-03-20 Cabot Corporation Hydrophobic-treated metal oxide
JP2008288398A (ja) 2007-05-18 2008-11-27 Nippon Chem Ind Co Ltd 半導体ウェハーの研磨用組成物、その製造方法、及び研磨加工方法
CN101338082A (zh) * 2007-07-06 2009-01-07 安集微电子(上海)有限公司 改性二氧化硅溶胶及其制备方法和应用
JP5385619B2 (ja) * 2009-01-15 2014-01-08 株式会社アドマテックス 研磨用組成物、研磨用部材、及び研磨方法
CN104371552B (zh) * 2013-08-14 2017-09-15 安集微电子(上海)有限公司 含硅有机化合物在延长化学机械抛光液中研磨颗粒稳定性中的应用
CN104371553B (zh) * 2013-08-14 2017-10-13 安集微电子(上海)有限公司 一种化学机械抛光液以及应用
CN104371550B (zh) * 2013-08-14 2018-02-09 安集微电子(上海)有限公司 一种用于抛光硅材料的化学机械抛光液

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3170273A (en) * 1963-01-10 1965-02-23 Monsanto Co Process for polishing semiconductor materials
US3485608A (en) * 1968-01-02 1969-12-23 Texas Instruments Inc Slurry for polishing silicon slices
US4260396A (en) * 1978-01-16 1981-04-07 W. R. Grace & Co. Compositions for polishing silicon and germanium
JP3146395B2 (ja) * 1993-01-29 2001-03-12 ローム株式会社 液晶セルの位置決め装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP0371147B1 (en) 1993-05-19
EP0371147A1 (en) 1990-06-06
EP0371147A4 (en) 1990-09-19
KR930002764B1 (ko) 1993-04-10
KR900700556A (ko) 1990-08-16
WO1989012082A1 (en) 1989-12-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2782692B2 (ja) シリコーンウェハー用研磨組成物
US5226930A (en) Method for preventing agglomeration of colloidal silica and silicon wafer polishing composition using the same
TWI257419B (en) Polishing compositions and methods for chemical-mechanical planarization
JPH05338B2 (ja)
JPWO2007018069A1 (ja) 異形シリカゾルおよびその製造方法
JP5155185B2 (ja) コロイダルシリカの製造方法
JPH0465006B2 (ja)
JP2003109921A (ja) 研磨用シリカ粒子分散液、その製造方法および研磨材
TW201230182A (en) Polishing composition
JP6284443B2 (ja) コアシェル型シリカ粒子を含有するコロイダルシリカの製造方法
JPS6114655B2 (ja)
JP2001523394A (ja) 化学的機械的研摩に用いられる懸濁液用の緩衝液
WO2014179419A1 (en) Chemical mechanical planarization slurry composition comprising composite particles, process for removing material using said composition, cmp polishing pad and process for preparing said composition
JP2015086102A (ja) シリカ粒子の製造方法および該シリカ粒子を含む研磨剤
JPH07500379A (ja) 微細化された銀金属粒子の製造方法
JP4190198B2 (ja) 研磨用粒子および研磨材
JP2002246341A (ja) シリカ膜の化学機械研磨用の研磨スラリー
CN1437643A (zh) 研磨无机氧化物颗粒的浆液以及含铜表面的抛光方法
KR20110014486A (ko) 화학적, 기계적 연마용 콜로이달 실리카졸의 제조방법
JP5464834B2 (ja) 研磨用シリカゾル、研磨用組成物および研磨用シリカゾルの製造方法
JP3950691B2 (ja) セリウムiiiを含有するセリウム化合物のコロイド分散液、その製造法及びその使用
CN107686703A (zh) 一种化学机械抛光液
JP2001072409A (ja) 高純度シリカの製造方法および利用方法
CN104371551B (zh) 一种碱性阻挡层化学机械抛光液
JP5421006B2 (ja) 粒子連結型シリカゾルおよびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080522

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090522

Year of fee payment: 11

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees