JP2774894B2 - 電解コンデンサ用アルミニウム箔の製造方法 - Google Patents
電解コンデンサ用アルミニウム箔の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は電解コンデンサ用アル
ミニウム箔の製造方法に関する。
ミニウム箔の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】アルミニウム電解コンデンサ用電極材と
して一般に用いられるＡｌ箔には、その実効面積を拡大
して単位面積当りの静電容量を増大するため、通常、電
気化学的あるいは化学的エッチング処理が施される。
して一般に用いられるＡｌ箔には、その実効面積を拡大
して単位面積当りの静電容量を増大するため、通常、電
気化学的あるいは化学的エッチング処理が施される。
【０００３】しかし、箔を単にエッチング処理するのみ
では十分な静電容量が得られない。このため、一般的に
は箔圧延後の最終焼鈍工程において、立方体方位を多く
有する集合組織にして箔のエッチング特性を向上させる
べく、４５０℃程度以上の高温加熱処理が施されている
が、昨今の電解コンデンサの高静電容量化の要求に対し
て十分な満足を得るものではなかった。
では十分な静電容量が得られない。このため、一般的に
は箔圧延後の最終焼鈍工程において、立方体方位を多く
有する集合組織にして箔のエッチング特性を向上させる
べく、４５０℃程度以上の高温加熱処理が施されている
が、昨今の電解コンデンサの高静電容量化の要求に対し
て十分な満足を得るものではなかった。
【０００４】そこで、最近では、箔圧延工程の前及び／
又は後に硝酸を主成分とする洗浄剤でアルミニウム箔地
を洗浄して電解コンデンサ用アルミニウム箔となすこと
が提案されている（特開昭６０−９２４８９号）。
又は後に硝酸を主成分とする洗浄剤でアルミニウム箔地
を洗浄して電解コンデンサ用アルミニウム箔となすこと
が提案されている（特開昭６０−９２４８９号）。
【０００５】この提案によれば、硝酸を主成分とする洗
浄剤で処理するため、アルミニウム素地の溶解を押さえ
つつ表面に付着している圧延油が溶解除去され、エッチ
ング処理後に大きな静電容量が得られるとされている。
浄剤で処理するため、アルミニウム素地の溶解を押さえ
つつ表面に付着している圧延油が溶解除去され、エッチ
ング処理後に大きな静電容量が得られるとされている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、かかる先行提
案によってもなお、静電容量の増大には限界があった。
この発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであっ
て、エッチング性能に優れ、ひいては高静電容量を得る
ことのできる電解コンデンサ用アルミニウム箔の製作提
供を目的とするものである。
案によってもなお、静電容量の増大には限界があった。
この発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであっ
て、エッチング性能に優れ、ひいては高静電容量を得る
ことのできる電解コンデンサ用アルミニウム箔の製作提
供を目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的において、発明
者は鋭意研究を重ねた結果、静電容量の増大化の阻害要
因は箔表面の付着圧延油ではなく、圧延工程において箔
の素地表面に形成される疵状の凹部や表面に埋込まれた
Ａｌ酸化物、カーボン等埋込物の存在に専ら起因してい
ることを知見した。つまり、アルミニウム箔表面に存在
する疵状の凹部や埋込物は、電解コンデンサ用アルミニ
ウム箔に一般に施すエッチング処理においてエッチング
ピットの開始点を形成する一要因となるが、かかる凹部
や埋込物が多すぎるとその周辺が局部的に粗大なエッチ
ングピットとなり、ピット発生の不均一性をもたらす結
果、却って十分な拡面率ひいては大きな静電容量が得ら
れないことがわかった。
者は鋭意研究を重ねた結果、静電容量の増大化の阻害要
因は箔表面の付着圧延油ではなく、圧延工程において箔
の素地表面に形成される疵状の凹部や表面に埋込まれた
Ａｌ酸化物、カーボン等埋込物の存在に専ら起因してい
ることを知見した。つまり、アルミニウム箔表面に存在
する疵状の凹部や埋込物は、電解コンデンサ用アルミニ
ウム箔に一般に施すエッチング処理においてエッチング
ピットの開始点を形成する一要因となるが、かかる凹部
や埋込物が多すぎるとその周辺が局部的に粗大なエッチ
ングピットとなり、ピット発生の不均一性をもたらす結
果、却って十分な拡面率ひいては大きな静電容量が得ら
れないことがわかった。
【０００８】この発明は、かかる知見に基いてなされた
ものであって、凹部の数や埋込物の面占有率を一定以下
に規制しようというものであり、そのための製造方法を
提供するものである。具体的には、純度９９．９％以上
のアルミニウムを用い、熱間圧延後に前記アルミニウム
の表面層を０．０１〜５μｍの厚さで除去したのち、除
去前の圧延工程における圧延ロールよりも粗さの細かい
圧延ロールを用いて圧延を行い、表面における長径２μ
ｍ以上の凹部の個数が平均値で１０5 個／mm2以下に規
定され、かつＡｌ酸化物、カーボン等の埋込物の面占有
率が平均値で２０％以下に規定されているアルミニウム
箔を得ることを特徴とする電解コンデンサ用アルミニウ
ム箔の製造方法を要旨とする。
ものであって、凹部の数や埋込物の面占有率を一定以下
に規制しようというものであり、そのための製造方法を
提供するものである。具体的には、純度９９．９％以上
のアルミニウムを用い、熱間圧延後に前記アルミニウム
の表面層を０．０１〜５μｍの厚さで除去したのち、除
去前の圧延工程における圧延ロールよりも粗さの細かい
圧延ロールを用いて圧延を行い、表面における長径２μ
ｍ以上の凹部の個数が平均値で１０5 個／mm2以下に規
定され、かつＡｌ酸化物、カーボン等の埋込物の面占有
率が平均値で２０％以下に規定されているアルミニウム
箔を得ることを特徴とする電解コンデンサ用アルミニウ
ム箔の製造方法を要旨とする。
【０００９】まず、アルミニウム箔の純度が９９．９％
以上に規定されるのは、９９．９％未満では静電容量の
増大効果が得られないからである。
以上に規定されるのは、９９．９％未満では静電容量の
増大効果が得られないからである。
【００１０】電解コンデンサ用アルミニウム箔は、一般
に、熱間圧延、冷間圧延、箔圧延の各圧延工程の実施に
より製作されるが、かかる圧延工程においては、アルミ
ニウム箔の表面に、圧延方向を長さ方向とする細長いあ
るいは長円形状の多数の疵状凹部が生じる。この主な原
因は、Ａｌ2 Ｏ3 等のアルミニウム酸化物や炭化した圧
延油のカーボンが圧延ロールによってアルミニウム箔表
面上を引きずられるためであると考えられる。しかも、
これら酸化物やカーボンは疵状凹部の原因となるのみな
らず、圧延によってアルミニウム箔表面に多数埋め込ま
れる。従って、一般に圧延後のアルミニウム箔表面に
は、前記疵状凹部とアルミニウム酸化物、カーボン等の
埋込物とが多数併存した状態となっている。
に、熱間圧延、冷間圧延、箔圧延の各圧延工程の実施に
より製作されるが、かかる圧延工程においては、アルミ
ニウム箔の表面に、圧延方向を長さ方向とする細長いあ
るいは長円形状の多数の疵状凹部が生じる。この主な原
因は、Ａｌ2 Ｏ3 等のアルミニウム酸化物や炭化した圧
延油のカーボンが圧延ロールによってアルミニウム箔表
面上を引きずられるためであると考えられる。しかも、
これら酸化物やカーボンは疵状凹部の原因となるのみな
らず、圧延によってアルミニウム箔表面に多数埋め込ま
れる。従って、一般に圧延後のアルミニウム箔表面に
は、前記疵状凹部とアルミニウム酸化物、カーボン等の
埋込物とが多数併存した状態となっている。
【００１１】而してこの発明では、アルミニウム箔表面
に存在する上記の凹部のうち、長径つまり圧延方向の長
さが２μｍ以上の凹部についてその存在個数は平均値で
１０5 個／mm2 以下に規定されなければならない。かつ
アルミニウム箔表面の埋込物の存在量もこれを面占有率
の平均値で２０％以下に規定されなければならない。こ
れら凹部や埋込物は、その後に実施される拡面率向上の
ためのエッチング処理において、エッチングピットの開
始点を形成する一要因となるものであるが、長径２μｍ
以上の凹部が平均値で１０5 個／mm2 を越えて存在し、
あるいは埋込物が面占有率の平均値で２０％を越えて存
在すると、存在過多となってエッチング時に隣接エッチ
ングピットの連通を招き、このため凹部や埋込物の周辺
に局部的に粗大なエッチングピットが形成されるものと
なる。そこで、凹部や埋込物を上記の値以下に規定する
ことによりエッチングピットの不均一発生を回避し、表
面全体にわたってエッチングピットを均一分散状態に存
在させることができ、ひいては拡面率を向上しえて静電
容量の増大を図り得るアルミニウム箔となしたものであ
る。
に存在する上記の凹部のうち、長径つまり圧延方向の長
さが２μｍ以上の凹部についてその存在個数は平均値で
１０5 個／mm2 以下に規定されなければならない。かつ
アルミニウム箔表面の埋込物の存在量もこれを面占有率
の平均値で２０％以下に規定されなければならない。こ
れら凹部や埋込物は、その後に実施される拡面率向上の
ためのエッチング処理において、エッチングピットの開
始点を形成する一要因となるものであるが、長径２μｍ
以上の凹部が平均値で１０5 個／mm2 を越えて存在し、
あるいは埋込物が面占有率の平均値で２０％を越えて存
在すると、存在過多となってエッチング時に隣接エッチ
ングピットの連通を招き、このため凹部や埋込物の周辺
に局部的に粗大なエッチングピットが形成されるものと
なる。そこで、凹部や埋込物を上記の値以下に規定する
ことによりエッチングピットの不均一発生を回避し、表
面全体にわたってエッチングピットを均一分散状態に存
在させることができ、ひいては拡面率を向上しえて静電
容量の増大を図り得るアルミニウム箔となしたものであ
る。
【００１２】なお、長径２μｍ未満の凹部は、長径２μ
ｍ以上の凹部が減少するとこれに伴いその数も減少する
ため敢えて規定する必要はない。また、凹部や埋込物が
少なすぎると、エッチングピットの開始点が過度に減少
して却って十分な拡面率が得られない恐れがある。この
ため、好ましくは長径２μｍ以上の凹部を平均値で１０
4 個／mm2 以上、埋込物の面占有率を平均値で５％以上
確保するのが良い。最も好適には、長径２μｍ以上の凹
部を平均値で３×１０4 〜７×１０4 個／mm2、埋込物
の面占有率を平均値で１０〜１５％に設定するのが良
い。
ｍ以上の凹部が減少するとこれに伴いその数も減少する
ため敢えて規定する必要はない。また、凹部や埋込物が
少なすぎると、エッチングピットの開始点が過度に減少
して却って十分な拡面率が得られない恐れがある。この
ため、好ましくは長径２μｍ以上の凹部を平均値で１０
4 個／mm2 以上、埋込物の面占有率を平均値で５％以上
確保するのが良い。最も好適には、長径２μｍ以上の凹
部を平均値で３×１０4 〜７×１０4 個／mm2、埋込物
の面占有率を平均値で１０〜１５％に設定するのが良
い。
【００１３】凹部及び埋込物の存在量を上記の上限値以
下に規定するために、熱間圧延終了後箔圧延終了までの
圧延工程の途中において、アルミニウム箔素地の表面層
を除去する。除去処理の具体例としては、アルカリや酸
による化学的溶解洗浄処理、イオンスパッタリングによ
る乾式洗浄処理等を挙げ得る。特に化学的溶解洗浄処理
が作業の簡便性の面から好ましい。この化学的溶解洗浄
処理の望ましい条件を挙げると、洗浄液としては濃度１
〜７％、液温４０〜７０℃の苛性ソーダや、濃度１０〜
３０％、液温７０〜９０℃の硫酸を用い、浸漬時間：１
０秒〜１０分程度に設定するのが良い。
下に規定するために、熱間圧延終了後箔圧延終了までの
圧延工程の途中において、アルミニウム箔素地の表面層
を除去する。除去処理の具体例としては、アルカリや酸
による化学的溶解洗浄処理、イオンスパッタリングによ
る乾式洗浄処理等を挙げ得る。特に化学的溶解洗浄処理
が作業の簡便性の面から好ましい。この化学的溶解洗浄
処理の望ましい条件を挙げると、洗浄液としては濃度１
〜７％、液温４０〜７０℃の苛性ソーダや、濃度１０〜
３０％、液温７０〜９０℃の硫酸を用い、浸漬時間：１
０秒〜１０分程度に設定するのが良い。
【００１４】かかる箔素地の表面層の除去処理は熱間圧
延後に行う。この理由は、前述の凹部や埋込物の多くが
熱間圧延によって生じるからである。また、最終圧延工
程である箔圧延の終了後には行わない。これは次の理由
による。即ち、エッチングピットの発生は凹部や埋込物
のみならず箔表面の転位密度とも関連しているが、最終
の箔圧延後に表面層の除去処理を行うと表面層の高転位
密度部が除去されてしまいエッチングピットが少なくな
る恐れがあるからである。このため、箔素地の表面層の
除去後にさらに圧延を行う。従って表面層の除去処理
は、熱間圧延後箔圧延工程終了までの間に行う。具体的
には熱間圧延と冷間圧延の間、冷間圧延の途中、冷間圧
延と箔圧延との間、箔圧延の途中のいずれでも良い。ま
た、除去処理の回数も１回でも良く、複数回行っても良
い。除去厚さは０．０１〜５μｍとする。０．０１μｍ
未満では除去不足により最終箔における凹部の個数や埋
込物の面占有率が本発明範囲を越える虞れがある。一
方、５μｍを越える厚さに亘って除去しても除去効果が
飽和し、凹部の個数や埋込物の面占有率に大幅な影響を
与えなくなるからである。また、この発明では、表面層
の除去処理後に行う圧延工程において粗さの細かい圧延
ロールを用いることにより、最終箔における凹部の数や
埋込物の面占有率を少なくする。
延後に行う。この理由は、前述の凹部や埋込物の多くが
熱間圧延によって生じるからである。また、最終圧延工
程である箔圧延の終了後には行わない。これは次の理由
による。即ち、エッチングピットの発生は凹部や埋込物
のみならず箔表面の転位密度とも関連しているが、最終
の箔圧延後に表面層の除去処理を行うと表面層の高転位
密度部が除去されてしまいエッチングピットが少なくな
る恐れがあるからである。このため、箔素地の表面層の
除去後にさらに圧延を行う。従って表面層の除去処理
は、熱間圧延後箔圧延工程終了までの間に行う。具体的
には熱間圧延と冷間圧延の間、冷間圧延の途中、冷間圧
延と箔圧延との間、箔圧延の途中のいずれでも良い。ま
た、除去処理の回数も１回でも良く、複数回行っても良
い。除去厚さは０．０１〜５μｍとする。０．０１μｍ
未満では除去不足により最終箔における凹部の個数や埋
込物の面占有率が本発明範囲を越える虞れがある。一
方、５μｍを越える厚さに亘って除去しても除去効果が
飽和し、凹部の個数や埋込物の面占有率に大幅な影響を
与えなくなるからである。また、この発明では、表面層
の除去処理後に行う圧延工程において粗さの細かい圧延
ロールを用いることにより、最終箔における凹部の数や
埋込物の面占有率を少なくする。
【００１５】なお、前述のとおり、最終圧延後にアルミ
ニウム箔素地の表面層除去処理は行わないが、最終圧延
で付着する油分や圧延時に生成する酸化膜の除去のため
の脱脂洗浄を行うことは、この発明の効果を増大させ得
る点で推奨される。かかる脱脂洗浄も例えば濃度：０．
０１〜１％、液温：３０〜６０℃の苛性ソーダを用い、
５〜２００秒浸漬することにより行えば良い。
ニウム箔素地の表面層除去処理は行わないが、最終圧延
で付着する油分や圧延時に生成する酸化膜の除去のため
の脱脂洗浄を行うことは、この発明の効果を増大させ得
る点で推奨される。かかる脱脂洗浄も例えば濃度：０．
０１〜１％、液温：３０〜６０℃の苛性ソーダを用い、
５〜２００秒浸漬することにより行えば良い。
【００１６】最終圧延後のアルミニウム箔は、一般には
結晶粒を（１００）面にそろえるための最終高温焼鈍を
施された後、化学的あるいは電気化学的なエッチング処
理を施される。このエッチング処理において、箔表面の
凹部や埋込物はエッチングピットの開始点となるが、凹
部の個数、埋込物の面占有率は一定値以下に規定されて
いるため、多数のエッチングピットの連通による局部的
な粗大ピットの形成を回避しつつ、エッチングピットを
箔表面全体にわたって均一に生じさせることができる。
結晶粒を（１００）面にそろえるための最終高温焼鈍を
施された後、化学的あるいは電気化学的なエッチング処
理を施される。このエッチング処理において、箔表面の
凹部や埋込物はエッチングピットの開始点となるが、凹
部の個数、埋込物の面占有率は一定値以下に規定されて
いるため、多数のエッチングピットの連通による局部的
な粗大ピットの形成を回避しつつ、エッチングピットを
箔表面全体にわたって均一に生じさせることができる。
【００１７】なお、製造されたアルミニウム箔は陽極
用、陰極用いずれに用いても良いが、Ａｌ純度を９９．
９％以上とする関係上、一般に高Ａｌ純度が要請される
陽極箔として用いるのが好ましい。
用、陰極用いずれに用いても良いが、Ａｌ純度を９９．
９％以上とする関係上、一般に高Ａｌ純度が要請される
陽極箔として用いるのが好ましい。
【００１８】
【実施例】次にこの発明の実施例を示す。
【００１９】（比較例１） 純度９９．９９％のアルミニウムスラブを常法に従い厚
さ５ｍｍまで熱間圧延したのち、さらに厚さ０．４ｍｍ
まで冷間圧延し、続いて＃１２０の圧延ロールを用いて
厚さ０．２ｍｍまで第１次箔圧延を行った。
さ５ｍｍまで熱間圧延したのち、さらに厚さ０．４ｍｍ
まで冷間圧延し、続いて＃１２０の圧延ロールを用いて
厚さ０．２ｍｍまで第１次箔圧延を行った。
【００２０】次に、得られたアルミニウム箔を濃度５
％、温度５０℃の苛性ソーダに１分間浸漬して、表面層
の除去処理を行った。この処理により除去された表面層
の厚さは１μｍであった。
％、温度５０℃の苛性ソーダに１分間浸漬して、表面層
の除去処理を行った。この処理により除去された表面層
の厚さは１μｍであった。
【００２１】次に、＃１２０の圧延ロールを用いて厚さ
０．１ｍｍまで仕上げ圧延としての第２次箔圧延を行っ
たのち、得られたアルミニウム箔を濃度０．１％、温度
５０℃の苛性ソーダに１０秒間浸漬して脱脂洗浄処理を
行った。このとき、除去されたアルミニウム箔の表面層
は１００オングストロームであった。
０．１ｍｍまで仕上げ圧延としての第２次箔圧延を行っ
たのち、得られたアルミニウム箔を濃度０．１％、温度
５０℃の苛性ソーダに１０秒間浸漬して脱脂洗浄処理を
行った。このとき、除去されたアルミニウム箔の表面層
は１００オングストロームであった。
【００２２】上記脱脂洗浄後、続いて１×１０-4Ｔｏｒ
ｒの真空中で５００℃×５時間の最終焼鈍処理を施して
最終箔を得た。
ｒの真空中で５００℃×５時間の最終焼鈍処理を施して
最終箔を得た。
【００２３】（実施例１） 実施例１において、＃１２０の圧延ロールを用いた第２
次箔圧延を、＃４００の圧延ロールに代えて行った以外
は、実施例１と同じ工程で最終箔を得た。
次箔圧延を、＃４００の圧延ロールに代えて行った以外
は、実施例１と同じ工程で最終箔を得た。
【００２４】（比較例２） 実施例１において、第１次箔圧延と第２次箔圧延との間
の表面除去処理を行わなかった以外は実施例１と同じ工
程で最終箔を得た。
の表面除去処理を行わなかった以外は実施例１と同じ工
程で最終箔を得た。
【００２５】上記により得た３種類のアルミニウム箔の
表面を走査型電子顕微鏡で観察し、長径２μｍ以上の凹
部の個数、埋込物の面占有率を調べその平均値を求め
た。その結果を表１に示す。尚、埋込物はＡｌの素地に
較べて黒く観察されることから、画像解析器にて黒い部
分の占有率を求め、これを埋込物の面占有率として評価
した。
表面を走査型電子顕微鏡で観察し、長径２μｍ以上の凹
部の個数、埋込物の面占有率を調べその平均値を求め
た。その結果を表１に示す。尚、埋込物はＡｌの素地に
較べて黒く観察されることから、画像解析器にて黒い部
分の占有率を求め、これを埋込物の面占有率として評価
した。
【００２６】次に、上記各アルミニウム箔を、５％塩
酸、８０℃中で電流密度を直流１０Ａ／ｄｍ2 として７
分間電解エッチング処理した。そして、その後硼酸浴中
で３８０℃に化成処理したのち、各電極箔の静電容量を
測定した。その結果を、比較例２を１００とした場合の
相対比較にて表１に示す。
酸、８０℃中で電流密度を直流１０Ａ／ｄｍ2 として７
分間電解エッチング処理した。そして、その後硼酸浴中
で３８０℃に化成処理したのち、各電極箔の静電容量を
測定した。その結果を、比較例２を１００とした場合の
相対比較にて表１に示す。
【００２７】
【表１】 表１の結果からわかるように、熱間圧延後箔圧延工程終
了までの間にアルミニウム箔素地の表面層を０．０１〜
５μｍの厚さで除去したのち、除去前の圧延工程におけ
る圧延ロールよりも粗さの細かい圧延ロールを用いて圧
延を行い、長径２μｍ以上の凹部の個数、埋込物の面占
有率が一定値以下に規定された本発明実施品は、比較品
に較べて静電容量が増大していることを確認し得た。
了までの間にアルミニウム箔素地の表面層を０．０１〜
５μｍの厚さで除去したのち、除去前の圧延工程におけ
る圧延ロールよりも粗さの細かい圧延ロールを用いて圧
延を行い、長径２μｍ以上の凹部の個数、埋込物の面占
有率が一定値以下に規定された本発明実施品は、比較品
に較べて静電容量が増大していることを確認し得た。
【００２８】
【発明の効果】この発明は、上述の次第で、純度９９．
９％以上のアルミニウム箔素地を用い、熱間圧延後箔圧
延工程終了までの間に前記アルミニウム箔素地の表面層
を０．０１〜５μｍの厚さで除去したのち、除去前の圧
延工程における圧延ロールよりも粗さの細かい圧延ロー
ルを用いて圧延を行い、表面における長径２μｍ以上の
凹部の個数が平均値で１０5 個／mm2 以下に規定され、
かつＡｌ酸化物、カーボン等の埋込物の面占有率が平均
値で２０％以下に規定されているアルミニウム箔を得る
ことを特徴とするものであるから、凹部や埋込物が多す
ぎるアルミニウム箔を用いた場合に発生していたエッチ
ング時のエッチングピットの連通粗大化を防止すること
ができ、本発明によって製造したアルミニウム箔を用い
ることにより、太くて深いエッチングピットを箔表面全
体に亘って均一高密度に形成することができる。その結
果、アルミニウム箔の拡面率を格段に増大でき、ひいて
は静電容量の増大を実現しうる。
９％以上のアルミニウム箔素地を用い、熱間圧延後箔圧
延工程終了までの間に前記アルミニウム箔素地の表面層
を０．０１〜５μｍの厚さで除去したのち、除去前の圧
延工程における圧延ロールよりも粗さの細かい圧延ロー
ルを用いて圧延を行い、表面における長径２μｍ以上の
凹部の個数が平均値で１０5 個／mm2 以下に規定され、
かつＡｌ酸化物、カーボン等の埋込物の面占有率が平均
値で２０％以下に規定されているアルミニウム箔を得る
ことを特徴とするものであるから、凹部や埋込物が多す
ぎるアルミニウム箔を用いた場合に発生していたエッチ
ング時のエッチングピットの連通粗大化を防止すること
ができ、本発明によって製造したアルミニウム箔を用い
ることにより、太くて深いエッチングピットを箔表面全
体に亘って均一高密度に形成することができる。その結
果、アルミニウム箔の拡面率を格段に増大でき、ひいて
は静電容量の増大を実現しうる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 御所名 健司 大阪府堺市海山町６丁224番地 昭和ア ルミニウム株式会社内 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01G 9/055 H01G 9/04 304
Claims (1)
- 【請求項１】 純度９９．９％以上のアルミニウム箔素
地を用い、熱間圧延後箔圧延工程終了までの間に前記ア
ルミニウム箔素地の表面層を０．０１〜５μｍの厚さで
除去したのち、除去前の圧延工程における圧延ロールよ
りも粗さの細かい圧延ロールを用いて圧延を行い、 表面における長径２μｍ以上の凹部の個数が平均値で１
０5 個／mm2 以下に規定され、かつＡｌ酸化物、カーボ
ン等の埋込物の面占有率が平均値で２０％以下に規定さ
れているアルミニウム箔を得ることを特徴とする電解コ
ンデンサ用アルミニウム箔の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4011898A JP2774894B2 (ja) | 1992-01-27 | 1992-01-27 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔の製造方法 |
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Families Citing this family (1)
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Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
| JPH02148711A (ja) * | 1988-11-29 | 1990-06-07 | Furukawa Alum Co Ltd | 電解コンデンサー電極用アルミニウム箔地の製造方法 |
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1992
- 1992-01-27 JP JP4011898A patent/JP2774894B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
| JPH02148711A (ja) * | 1988-11-29 | 1990-06-07 | Furukawa Alum Co Ltd | 電解コンデンサー電極用アルミニウム箔地の製造方法 |
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