JP3320467B2 - 電解コンデンサ電極用アルミニウム材料およびその製造方法 - Google Patents
電解コンデンサ電極用アルミニウム材料およびその製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電解コンデンサ電極用
アルミニウム材料およびその製造方法に関するものであ
る。
アルミニウム材料およびその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】アルミニウム電解コンデンサ用電極材と
して一般に用いられるアルミニウム箔には、その実効面
積を拡大して単位面積当りの静電容量を増大するため、
一般に電気化学的あるいは化学的エッチング処理が施さ
れる。しかし、箔を単にエッチング処理するのみでは十
分な静電容量を得られないため、エッチング適性を高め
るために種々の処理が施される。
して一般に用いられるアルミニウム箔には、その実効面
積を拡大して単位面積当りの静電容量を増大するため、
一般に電気化学的あるいは化学的エッチング処理が施さ
れる。しかし、箔を単にエッチング処理するのみでは十
分な静電容量を得られないため、エッチング適性を高め
るために種々の処理が施される。
【０００３】エッチング適性を高める方法の一例とし
て、アルミニウム箔の表面に付着した油分、圧延で形成
された不均質な酸化膜、圧延変質層等を洗浄除去した
後、アルミニウム箔の新たな表面にエッチング核を均一
に有する酸化皮膜を形成させるために酸化処理し、さら
にアルミニウム箔の（１００）結晶方位を整えることを
主目的として高温加熱する方法がある。このような方法
において、アルミニウム箔の長さ方向はもとより幅方向
に均一な酸化皮膜を形成するために、前記酸化処理を、
コイル状のアルミニウム箔を巻き解きながら連続的に行
う場合がある。この場合、短時間で所定厚さの酸化皮膜
を形成させて処理時間を短縮するため、通常、昇温速度
を高めて速やかに所定の高温度にまで上昇させている。
て、アルミニウム箔の表面に付着した油分、圧延で形成
された不均質な酸化膜、圧延変質層等を洗浄除去した
後、アルミニウム箔の新たな表面にエッチング核を均一
に有する酸化皮膜を形成させるために酸化処理し、さら
にアルミニウム箔の（１００）結晶方位を整えることを
主目的として高温加熱する方法がある。このような方法
において、アルミニウム箔の長さ方向はもとより幅方向
に均一な酸化皮膜を形成するために、前記酸化処理を、
コイル状のアルミニウム箔を巻き解きながら連続的に行
う場合がある。この場合、短時間で所定厚さの酸化皮膜
を形成させて処理時間を短縮するため、通常、昇温速度
を高めて速やかに所定の高温度にまで上昇させている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記方
法で連続酸化処理された電解コンデンサ電極用アルミニ
ウム材料は、酸化皮膜が所定厚さに形成されているにも
拘らず、必ずしもエッチング適性の良いものが得られな
い場合があり、エッチング処理後の拡面率、さらには静
電容量も満足できない場合があった。
法で連続酸化処理された電解コンデンサ電極用アルミニ
ウム材料は、酸化皮膜が所定厚さに形成されているにも
拘らず、必ずしもエッチング適性の良いものが得られな
い場合があり、エッチング処理後の拡面率、さらには静
電容量も満足できない場合があった。
【０００５】本発明はこのような問題点を解決すること
を目的として、エッチング適性に優れた電解コンデンサ
電極用アルミニウム材料および、そのようなアルミニウ
ム材料を短時間で効率良く製造できる電解コンデンサ電
極用アルミニウム材料の製造方法を提供しようとするも
のである。
を目的として、エッチング適性に優れた電解コンデンサ
電極用アルミニウム材料および、そのようなアルミニウ
ム材料を短時間で効率良く製造できる電解コンデンサ電
極用アルミニウム材料の製造方法を提供しようとするも
のである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】発明者らは、酸化処理に
おける温度条件と高温加熱工程後のアルミニウム箔の結
晶方位との関係に着目し、このような観点から研究を重
ねた。その結果、箔圧延によって生じた結晶構造の歪み
が酸化処理における急激な温度上昇によって緩和されな
いままに高温加熱工程に持ち越されるために、高温加熱
処理によっても結晶方位が十分に（１００）方位に整え
られていないことを解明し、この（１００）面積率の低
下がエッチング適性を向上を妨げているという結論に達
した。したがって、本発明の電解コンデンサ電極用アル
ミニウム材料は、純度９９．９９％以上のアルミニウム
箔の表面に厚さ３０〜７０オングストロームの酸化皮膜
が形成されているとともに、該アルミニウム箔の結晶組
織の（１００）面積率が９０％以上であることを特徴と
するものである。
おける温度条件と高温加熱工程後のアルミニウム箔の結
晶方位との関係に着目し、このような観点から研究を重
ねた。その結果、箔圧延によって生じた結晶構造の歪み
が酸化処理における急激な温度上昇によって緩和されな
いままに高温加熱工程に持ち越されるために、高温加熱
処理によっても結晶方位が十分に（１００）方位に整え
られていないことを解明し、この（１００）面積率の低
下がエッチング適性を向上を妨げているという結論に達
した。したがって、本発明の電解コンデンサ電極用アル
ミニウム材料は、純度９９．９９％以上のアルミニウム
箔の表面に厚さ３０〜７０オングストロームの酸化皮膜
が形成されているとともに、該アルミニウム箔の結晶組
織の（１００）面積率が９０％以上であることを特徴と
するものである。
【０００７】前記電解コンデンサ電極用アルミニウム材
料において、基材となるアルミニウム箔の純度を９９．
９９％以上としたのは、不純物の多いアルミニウム箔で
は（１００）面積率の高い電極材料を製作するのが困難
であるためである。
料において、基材となるアルミニウム箔の純度を９９．
９９％以上としたのは、不純物の多いアルミニウム箔で
は（１００）面積率の高い電極材料を製作するのが困難
であるためである。
【０００８】前記酸化皮膜はエッチング処理時のエッチ
ングピットとなるエッチング核を多数有し、エッチング
適性を向上させる作用がある。このような酸化皮膜の厚
さを３０〜７０オングストロームに規定するのは、３０
オングストローム未満ではエッチング核の生成数が不足
するために優れたエッチング適性が得られず、また７０
オングストロームを超えると一旦生成されたエッチング
核が消去される危険があり、やはり優れたエッチング適
性が得られないからである。好ましくは、３５〜５０オ
ングストロームである。また、アルミニウム箔の結晶方
位はエッチングピットの形成方向と深さに関係し、（１
００）面積率を９０％以上に規定したのは、９０％未満
では箔の面と直交方向に形成されるエッチングピットの
深さが不十分で拡面率の向上が望めないからである。好
ましい（１００）面積率は９５％以上である。
ングピットとなるエッチング核を多数有し、エッチング
適性を向上させる作用がある。このような酸化皮膜の厚
さを３０〜７０オングストロームに規定するのは、３０
オングストローム未満ではエッチング核の生成数が不足
するために優れたエッチング適性が得られず、また７０
オングストロームを超えると一旦生成されたエッチング
核が消去される危険があり、やはり優れたエッチング適
性が得られないからである。好ましくは、３５〜５０オ
ングストロームである。また、アルミニウム箔の結晶方
位はエッチングピットの形成方向と深さに関係し、（１
００）面積率を９０％以上に規定したのは、９０％未満
では箔の面と直交方向に形成されるエッチングピットの
深さが不十分で拡面率の向上が望めないからである。好
ましい（１００）面積率は９５％以上である。
【０００９】また、このような特徴を有する電解コンデ
ンサ電極用アルミニウム材料は、箔圧延工程後に、純度
９９．９９％以上のアルミニウム箔を１５０〜４００℃
になるまで５０〜０．２℃／分で昇温するとともに、昇
温完了後該温度に１０分〜２４時間保持する前熱処理工
程を行い、次いで、該アルミニウム箔の表面層を除去す
る洗浄工程、加熱によりそのアルミニウム箔の新たな表
面に厚さ１０〜６０オングストロームの酸化皮膜を形成
させる酸化工程、さらに前記酸化皮膜の合計厚さが３０
〜７０オングストロームとなる範囲でそのアルミニウム
箔を高温で加熱する高温加熱工程を順次に行うことによ
って製造され得る。
ンサ電極用アルミニウム材料は、箔圧延工程後に、純度
９９．９９％以上のアルミニウム箔を１５０〜４００℃
になるまで５０〜０．２℃／分で昇温するとともに、昇
温完了後該温度に１０分〜２４時間保持する前熱処理工
程を行い、次いで、該アルミニウム箔の表面層を除去す
る洗浄工程、加熱によりそのアルミニウム箔の新たな表
面に厚さ１０〜６０オングストロームの酸化皮膜を形成
させる酸化工程、さらに前記酸化皮膜の合計厚さが３０
〜７０オングストロームとなる範囲でそのアルミニウム
箔を高温で加熱する高温加熱工程を順次に行うことによ
って製造され得る。
【００１０】前記電解コンデンサ電極用アルミニウム材
料の製造方法において、前熱処理工程は、前工程の箔圧
延により生じたアルミニウム箔の結晶組織の歪みを解消
することを目的として実施され、該アルミニウム箔を緩
やかに昇温し該温度に所定時間保持することにより、前
記歪みによって生じた内部応力を緩和して歪みを解消さ
せる。本工程においては、昇温速度が５０℃／分を超え
て速くなると十分に歪みを解消することができず、（１
００）面積率が低下する。また、０．２℃／分未満の遅
い速度では所定温度まで上昇させるのに時間がかかり過
ぎて生産効率が低下する。また、保持温度が１５０℃未
満であれば歪み解消能力が不足し、４００℃を超えると
歪み解消能力が飽和するため無益である。また、所定温
度での保持時間は、１０分未満では歪みが十分解消され
ず、また２４時間を超えて歪み解消能力が飽和して無益
である。したがって、本工程における昇温速度は５０〜
０．２℃／分、保持温度は１５０〜４００℃、保持時間
は１０分〜２４時間に規定される。特に好ましいこれら
の前熱処理条件は、それぞれ昇温速度は４〜０．３℃／
分、保持温度は２５０〜３５０℃、保持時間は２〜１０
時間である。なお、前記保持温度は、最終的に（１０
０）面積率を高くするために、後の工程で行う酸化工程
における温度よりも高いことが望ましい。また、前熱処
理を保持温度と保持時間を変えた２段階あるいはそれ以
上の複数段階に分けて行っても良い。この場合、保持時
間の合計を上記範囲となす必要がある。
料の製造方法において、前熱処理工程は、前工程の箔圧
延により生じたアルミニウム箔の結晶組織の歪みを解消
することを目的として実施され、該アルミニウム箔を緩
やかに昇温し該温度に所定時間保持することにより、前
記歪みによって生じた内部応力を緩和して歪みを解消さ
せる。本工程においては、昇温速度が５０℃／分を超え
て速くなると十分に歪みを解消することができず、（１
００）面積率が低下する。また、０．２℃／分未満の遅
い速度では所定温度まで上昇させるのに時間がかかり過
ぎて生産効率が低下する。また、保持温度が１５０℃未
満であれば歪み解消能力が不足し、４００℃を超えると
歪み解消能力が飽和するため無益である。また、所定温
度での保持時間は、１０分未満では歪みが十分解消され
ず、また２４時間を超えて歪み解消能力が飽和して無益
である。したがって、本工程における昇温速度は５０〜
０．２℃／分、保持温度は１５０〜４００℃、保持時間
は１０分〜２４時間に規定される。特に好ましいこれら
の前熱処理条件は、それぞれ昇温速度は４〜０．３℃／
分、保持温度は２５０〜３５０℃、保持時間は２〜１０
時間である。なお、前記保持温度は、最終的に（１０
０）面積率を高くするために、後の工程で行う酸化工程
における温度よりも高いことが望ましい。また、前熱処
理を保持温度と保持時間を変えた２段階あるいはそれ以
上の複数段階に分けて行っても良い。この場合、保持時
間の合計を上記範囲となす必要がある。
【００１１】前記前熱処理工程に次いで行われる洗浄工
程は、アルミニウム箔表面の不均質層を除去することを
目的として実施される工程である。即ち、箔圧延後のア
ルミニウム箔表面には、油分、圧延で形成された不均質
な酸化膜が存在したり、またアルミニウム箔表面近傍に
は圧延変質層や圧延時のロールコーティング等による汚
染層が不均一に存在し、これらが酸化皮膜の不均一性を
もたらす原因となる。したがって、均一な酸化皮膜の形
成を促進すべく、前記不均質層の除去を行うものであ
る。しかし、必ずしもアルミニウム箔の表面を所定深さ
に除去しなければならないものではなく、脱脂レベル換
言すれば純水の接触角が３０°以下程度のレベル（純粋
スプレーＯＫレベル）に油を除去するものであっても良
い。もちろん、不均一層を完全に除去した方が望ましい
が、この場合は、除去厚さを５オングストローム以上に
亘って行うのが良く、特に好ましくは４０オングストロ
ーム以上とするのが良い。上限は特にないが５００オン
グストローム程度で表面層除去の効果が飽和するため、
それを超える除去は無益である。このような表面層除去
処理の具体的手段は特に限定するものではない。所定深
さに亘って除去する場合には、アルカリエッチング、酸
エッチング等の湿式法によっても良いし、またエキシマ
レーザー（ＫｒＦ、ＡｒＦ、ＸｅＣｌ）等のレーザー加
工、電子ビーム加工、イオンビーム加工、反応性ガスエ
ッチング、プラズマエッチング等の乾式法によっても良
い。
程は、アルミニウム箔表面の不均質層を除去することを
目的として実施される工程である。即ち、箔圧延後のア
ルミニウム箔表面には、油分、圧延で形成された不均質
な酸化膜が存在したり、またアルミニウム箔表面近傍に
は圧延変質層や圧延時のロールコーティング等による汚
染層が不均一に存在し、これらが酸化皮膜の不均一性を
もたらす原因となる。したがって、均一な酸化皮膜の形
成を促進すべく、前記不均質層の除去を行うものであ
る。しかし、必ずしもアルミニウム箔の表面を所定深さ
に除去しなければならないものではなく、脱脂レベル換
言すれば純水の接触角が３０°以下程度のレベル（純粋
スプレーＯＫレベル）に油を除去するものであっても良
い。もちろん、不均一層を完全に除去した方が望ましい
が、この場合は、除去厚さを５オングストローム以上に
亘って行うのが良く、特に好ましくは４０オングストロ
ーム以上とするのが良い。上限は特にないが５００オン
グストローム程度で表面層除去の効果が飽和するため、
それを超える除去は無益である。このような表面層除去
処理の具体的手段は特に限定するものではない。所定深
さに亘って除去する場合には、アルカリエッチング、酸
エッチング等の湿式法によっても良いし、またエキシマ
レーザー（ＫｒＦ、ＡｒＦ、ＸｅＣｌ）等のレーザー加
工、電子ビーム加工、イオンビーム加工、反応性ガスエ
ッチング、プラズマエッチング等の乾式法によっても良
い。
【００１２】前記洗浄工程に次いで行われる酸化工程
は、アルミニウム箔の新たな表面に、所定厚さで、エッ
チング核を均一に有する酸化皮膜を形成させることを目
的として実施される工程である。酸化皮膜形成方法は特
に限定されるものではないが、酸化雰囲気下でコイル状
のアルミニウム箔を巻き解きながら連続的に雰囲気加熱
するのが良い。この場合、酸化雰囲気の温度を３０〜４
００℃まで１０００〜５０℃／分の速度で急激に上昇さ
せ、０．５〜６０分間そのままの温度で加熱することに
より、厚さ１０〜６０オングストロームの酸化皮膜を形
成できる。
は、アルミニウム箔の新たな表面に、所定厚さで、エッ
チング核を均一に有する酸化皮膜を形成させることを目
的として実施される工程である。酸化皮膜形成方法は特
に限定されるものではないが、酸化雰囲気下でコイル状
のアルミニウム箔を巻き解きながら連続的に雰囲気加熱
するのが良い。この場合、酸化雰囲気の温度を３０〜４
００℃まで１０００〜５０℃／分の速度で急激に上昇さ
せ、０．５〜６０分間そのままの温度で加熱することに
より、厚さ１０〜６０オングストロームの酸化皮膜を形
成できる。
【００１３】前記酸化工程に次いで行われる高温加熱工
程は、アルミニウム箔の結晶組織の方位を（１００）方
位に整えてエッチング特性を向上させることを主目的と
するものであり、前工程で形成された酸化皮膜の厚さを
この工程で増大させ過ぎてエッチング核を消去させない
ように、酸化皮膜の合計厚さが３０〜７０オングストロ
ームとなるようにしなければならない。この高温加熱工
程における処理条件は特に限定されるものではないが、
酸化皮膜の厚さを増大させ過ぎないように、水分、酸素
を可及的除去した雰囲気中で加熱するのが望ましい。具
体的には、Ａｒガス等の不活性ガス中あるいは１０-3Ｔ
ｏｒｒ程度以下の真空中で加熱するのが良く、加熱温度
は３００〜６００℃、加熱時間は１０分〜２４時間程度
が望ましい。
程は、アルミニウム箔の結晶組織の方位を（１００）方
位に整えてエッチング特性を向上させることを主目的と
するものであり、前工程で形成された酸化皮膜の厚さを
この工程で増大させ過ぎてエッチング核を消去させない
ように、酸化皮膜の合計厚さが３０〜７０オングストロ
ームとなるようにしなければならない。この高温加熱工
程における処理条件は特に限定されるものではないが、
酸化皮膜の厚さを増大させ過ぎないように、水分、酸素
を可及的除去した雰囲気中で加熱するのが望ましい。具
体的には、Ａｒガス等の不活性ガス中あるいは１０-3Ｔ
ｏｒｒ程度以下の真空中で加熱するのが良く、加熱温度
は３００〜６００℃、加熱時間は１０分〜２４時間程度
が望ましい。
【００１４】
【作用】箔圧延されたアルミニウム箔は、洗浄工程前の
前熱処理工程において、１５０〜４００℃になるまで５
０〜０．２℃／分の速度で緩やかに昇温するとともに、
昇温完了後該温度に１０分〜２４時間保持することによ
って、圧延時に生じた結晶構造の歪みが十分に緩和され
る。したがって、この前熱処理がなされたアルミニウム
箔は既に歪みが解消されているため、洗浄工程後の酸化
工程において急激に酸化雰囲気温度を上昇させて短時間
で酸化皮膜を形成させても、高温加熱工程における結晶
面の調整効果が十分に作用し、高い（１００）面積率が
得られる。このようにして製造された電解コンデンサ電
極用アルミニウム材料は、（１００）面積率が９０％以
上となり、基材となるアルミニウム箔の純度が９９．９
９％以上と高いことおよび、表面に形成された酸化皮膜
の最終的な厚さが３０〜７０オングストロームであるこ
とと相俟って、エッチング適性が優れたものとなる。
前熱処理工程において、１５０〜４００℃になるまで５
０〜０．２℃／分の速度で緩やかに昇温するとともに、
昇温完了後該温度に１０分〜２４時間保持することによ
って、圧延時に生じた結晶構造の歪みが十分に緩和され
る。したがって、この前熱処理がなされたアルミニウム
箔は既に歪みが解消されているため、洗浄工程後の酸化
工程において急激に酸化雰囲気温度を上昇させて短時間
で酸化皮膜を形成させても、高温加熱工程における結晶
面の調整効果が十分に作用し、高い（１００）面積率が
得られる。このようにして製造された電解コンデンサ電
極用アルミニウム材料は、（１００）面積率が９０％以
上となり、基材となるアルミニウム箔の純度が９９．９
９％以上と高いことおよび、表面に形成された酸化皮膜
の最終的な厚さが３０〜７０オングストロームであるこ
とと相俟って、エッチング適性が優れたものとなる。
【００１５】
【実施例】次に、本発明の電解コンデンサ電極用アルミ
ニウム材料の製造方法の具体的一実施例について説明す
る。
ニウム材料の製造方法の具体的一実施例について説明す
る。
【００１６】（実施例）先ず、純度９９．９９％のアル
ミニウムを常法により冷間にて厚さ１００μｍに箔圧延
し、コイル状に巻き取った。次に、このコイル状のアル
ミニウム箔を、前熱処理として、バッチ式加熱炉内で１
０℃／分の速度で３００℃まで緩やかに昇温しそのまま
８時間加熱した。次に、このコイル状のアルミニウム箔
を、３０℃の０．１％苛性ソーダ浴に１分間浸漬して表
面層を深さ３００オングストロームまで溶解させて除去
する洗浄処理を行った。次に、このコイル状のアルミニ
ウム箔を連続酸化処理炉内で巻き解きながら、２００℃
まで１０００℃／分の速度で急激に昇温させそのままの
温度で１０分間加熱することにより、厚さ２５μｍの酸
化皮膜を形成させた。さらに、このコイル状のアルミニ
ウム箔を、１０-5Ｔｏｒｒの真空中で４００℃×５時間
の高温加熱を行い、電解コンデンサ電極用アルミニウム
材料とした。なお、前記酸化皮膜は高温加熱処理により
最終的に厚さ３５μｍとなった。
ミニウムを常法により冷間にて厚さ１００μｍに箔圧延
し、コイル状に巻き取った。次に、このコイル状のアル
ミニウム箔を、前熱処理として、バッチ式加熱炉内で１
０℃／分の速度で３００℃まで緩やかに昇温しそのまま
８時間加熱した。次に、このコイル状のアルミニウム箔
を、３０℃の０．１％苛性ソーダ浴に１分間浸漬して表
面層を深さ３００オングストロームまで溶解させて除去
する洗浄処理を行った。次に、このコイル状のアルミニ
ウム箔を連続酸化処理炉内で巻き解きながら、２００℃
まで１０００℃／分の速度で急激に昇温させそのままの
温度で１０分間加熱することにより、厚さ２５μｍの酸
化皮膜を形成させた。さらに、このコイル状のアルミニ
ウム箔を、１０-5Ｔｏｒｒの真空中で４００℃×５時間
の高温加熱を行い、電解コンデンサ電極用アルミニウム
材料とした。なお、前記酸化皮膜は高温加熱処理により
最終的に厚さ３５μｍとなった。
【００１７】（比較例）前熱処理を行わなかった以外は
前記実施例と同じ方法により、箔圧延、洗浄、連続酸
化、高温加熱の各処理を行った。その結果、得られた電
解コンデンサ電極用アルミニウム材料の酸化皮膜は、連
続酸化処理後、高温加熱処理後ともに実施例と同程度の
厚さであった。
前記実施例と同じ方法により、箔圧延、洗浄、連続酸
化、高温加熱の各処理を行った。その結果、得られた電
解コンデンサ電極用アルミニウム材料の酸化皮膜は、連
続酸化処理後、高温加熱処理後ともに実施例と同程度の
厚さであった。
【００１８】次いで、前述の方法により製作した実施例
および比較例の電解コンデンサ電極用アルミニウム材料
の（１００）面積率を調べたところ、表１に示すとおり
であった。さらに、これらの電解コンデンサ電極用アル
ミニウム材料を、３％塩酸（８５℃）中で電流密度を直
流１０Ａ／ｄｍ2 とし、３分間電解エッチング処理した
のち、さらに同じ液で１０分間化学エッチング処理し
た。そして、その後５％硼酸浴中で３５０Ｖに化成処理
したのち、各材料の静電容量を測定した。その結果を、
比較例の静電容量を１００とした相対比較にて併せて表
１に示す。
および比較例の電解コンデンサ電極用アルミニウム材料
の（１００）面積率を調べたところ、表１に示すとおり
であった。さらに、これらの電解コンデンサ電極用アル
ミニウム材料を、３％塩酸（８５℃）中で電流密度を直
流１０Ａ／ｄｍ2 とし、３分間電解エッチング処理した
のち、さらに同じ液で１０分間化学エッチング処理し
た。そして、その後５％硼酸浴中で３５０Ｖに化成処理
したのち、各材料の静電容量を測定した。その結果を、
比較例の静電容量を１００とした相対比較にて併せて表
１に示す。
【００１９】
【表１】 表１の結果から明らかなように、酸化工程における急激
な加熱以前に、アルミニウム箔を前熱処理において緩や
かに加熱することにより、高温加熱工程を経て製作され
る電解コンデンサ電極用アルミニウム材料の（１００）
面積率の低下を防ぐことができ、優れたエッチング適性
を付与することができる。その結果、短時間で所定厚さ
の酸化皮膜を形成するために、酸化工程における処理温
度を高い温度まで急激に上昇させても高い静電容量を維
持できることがわかった。
な加熱以前に、アルミニウム箔を前熱処理において緩や
かに加熱することにより、高温加熱工程を経て製作され
る電解コンデンサ電極用アルミニウム材料の（１００）
面積率の低下を防ぐことができ、優れたエッチング適性
を付与することができる。その結果、短時間で所定厚さ
の酸化皮膜を形成するために、酸化工程における処理温
度を高い温度まで急激に上昇させても高い静電容量を維
持できることがわかった。
【００２０】
【発明の効果】以上のように、本発明の方法によれば、
箔圧延されたアルミニウム箔を洗浄および酸化皮膜形成
処理を行う前に、１５０〜４００℃になるまで５０〜
０．２℃／分の速度で緩やかに昇温するとともに、昇温
完了後該温度に１０分〜２４時間保持する前熱処理工程
を行うことにより、圧延時に生じた結晶構造の歪みを解
消できる。その結果、この前熱処理がなされたアルミニ
ウム箔は既に歪みが解消されているため、洗浄工程後の
酸化工程において急激に酸化雰囲気温度を上昇させて短
時間で酸化皮膜を形成させても、高温加熱工程を経て
（１００）面積率の低下が起こらない。また、このよう
にして製造された本発明の電解コンデンサ電極用アルミ
ニウム材料は、（１００）面積率が９０％以上となり、
基材となるアルミニウム箔の純度が９９．９９％以上と
高いことおよび、表面に形成された最終的な酸化皮膜の
厚さが３０〜７０オングストロームであることも相俟っ
て、エッチング適性が優れたものとなる。したがって、
本発明によれば、エッチング適性に優れ、ひいては静電
容量の大きい電解コンデンサ電極用アルミニウム材料
を、効率良く製造できる。
箔圧延されたアルミニウム箔を洗浄および酸化皮膜形成
処理を行う前に、１５０〜４００℃になるまで５０〜
０．２℃／分の速度で緩やかに昇温するとともに、昇温
完了後該温度に１０分〜２４時間保持する前熱処理工程
を行うことにより、圧延時に生じた結晶構造の歪みを解
消できる。その結果、この前熱処理がなされたアルミニ
ウム箔は既に歪みが解消されているため、洗浄工程後の
酸化工程において急激に酸化雰囲気温度を上昇させて短
時間で酸化皮膜を形成させても、高温加熱工程を経て
（１００）面積率の低下が起こらない。また、このよう
にして製造された本発明の電解コンデンサ電極用アルミ
ニウム材料は、（１００）面積率が９０％以上となり、
基材となるアルミニウム箔の純度が９９．９９％以上と
高いことおよび、表面に形成された最終的な酸化皮膜の
厚さが３０〜７０オングストロームであることも相俟っ
て、エッチング適性が優れたものとなる。したがって、
本発明によれば、エッチング適性に優れ、ひいては静電
容量の大きい電解コンデンサ電極用アルミニウム材料
を、効率良く製造できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 礒山 永三 大阪府堺市海山町６丁224番地 昭和ア ルミニウム株式会社内 (56)参考文献 特開 昭55−108729（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−145925（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01G 9/04
Claims (2)
- 【請求項１】 純度９９．９９％以上のアルミニウム箔
の表面に厚さ３０〜７０オングストロームの酸化皮膜が
形成されているとともに、該アルミニウム箔の結晶組織
の（１００）面積率が９０％以上であることを特徴とす
る電解コンデンサ電極用アルミニウム材料。 - 【請求項２】 箔圧延工程後に、純度９９．９９％以上
のアルミニウム箔を１５０〜４００℃になるまで５０〜
０．２℃／分で昇温するとともに、昇温完了後該温度に
１０分〜２４時間保持する前熱処理工程を行い、次い
で、該アルミニウム箔の表面層を除去する洗浄工程、加
熱によりそのアルミニウム箔の新たな表面に厚さ１０〜
６０オングストロームの酸化皮膜を形成させる酸化工
程、さらに前記酸化皮膜の合計厚さが３０〜７０オング
ストロームとなる範囲でそのアルミニウム箔を高温で加
熱する高温加熱工程を順次に行うことを特徴とする電解
コンデンサ電極用アルミニウム材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31985292A JP3320467B2 (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材料およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31985292A JP3320467B2 (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材料およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06168853A JPH06168853A (ja) | 1994-06-14 |
| JP3320467B2 true JP3320467B2 (ja) | 2002-09-03 |
Family
ID=18114951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31985292A Expired - Lifetime JP3320467B2 (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材料およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3320467B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008166602A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Sachiko Ono | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材及びその製造方法、アルミニウム電解コンデンサ用電極材ならびにアルミニウム電解コンデンサ |
-
1992
- 1992-11-30 JP JP31985292A patent/JP3320467B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06168853A (ja) | 1994-06-14 |
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