JP2773675B2 - 光結合モジュールの製造方法 - Google Patents
光結合モジュールの製造方法Info
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- JP2773675B2 JP2773675B2 JP7075129A JP7512995A JP2773675B2 JP 2773675 B2 JP2773675 B2 JP 2773675B2 JP 7075129 A JP7075129 A JP 7075129A JP 7512995 A JP7512995 A JP 7512995A JP 2773675 B2 JP2773675 B2 JP 2773675B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光結合モジュールの製造
方法に関する。
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光通信システムの発展に伴い、より広い
温度で安定した出力特性を有する半導体光装置が求めら
れている。光通信用の光源としては、比較的短距離の通
信用には発光ダイオード（以下ＬＥＤと記す）が用いら
れるが、通常はレーザダイオード（以下ＬＤと記す）が
用いられている。しかしながら、ＬＤ素子そのものの出
力特性は周囲の温度による変化が大きく、図８（ａ）お
よび図８（ｂ）に示すように高温ほど閾値電流が増加
し、微分効率ηd が低下する。また、ＬＤからの出力光
と光ファイバーを結合する光結合モジュールにおいても
ＬＤ，レンズ及びファイバを支持する材料の熱膨張によ
りその結合効率ηc に温度依存性が存在し、室温で結合
系の位置調節を行い、結合効率ηc を図８（ｃ）に示す
ように室温付近で最大になるようにしている。このため
実際通信に使用される際に問題となるファイバ出力Ｐf
の微分効率ηf の温度上昇による低下は図８（ｄ）に示
すように一層大きなものとなる。
温度で安定した出力特性を有する半導体光装置が求めら
れている。光通信用の光源としては、比較的短距離の通
信用には発光ダイオード（以下ＬＥＤと記す）が用いら
れるが、通常はレーザダイオード（以下ＬＤと記す）が
用いられている。しかしながら、ＬＤ素子そのものの出
力特性は周囲の温度による変化が大きく、図８（ａ）お
よび図８（ｂ）に示すように高温ほど閾値電流が増加
し、微分効率ηd が低下する。また、ＬＤからの出力光
と光ファイバーを結合する光結合モジュールにおいても
ＬＤ，レンズ及びファイバを支持する材料の熱膨張によ
りその結合効率ηc に温度依存性が存在し、室温で結合
系の位置調節を行い、結合効率ηc を図８（ｃ）に示す
ように室温付近で最大になるようにしている。このため
実際通信に使用される際に問題となるファイバ出力Ｐf
の微分効率ηf の温度上昇による低下は図８（ｄ）に示
すように一層大きなものとなる。
【０００３】ＬＤを通信用の発光源として使用する場合
には、通常閾値電流に近いバイアス電流Ｉb を流し、Ｉ
b にパルス電流Ｉp を加えることにより信号となる光パ
ルスを発生させているが、受信素子のダイナミックレン
ジの問題からファイバに入力される光パルスの波高値は
出来るだけ一定にする必要がある。しかしながら、ＬＤ
においては上述のごとく、その出力特性に温度依存性が
あるため、ＬＤを一定の温度に保つための温度制御装置
が利用されるが、この温度制御装置は高価なだけでな
く、半導体光装置の大きさ及び消費電力を大きくしてし
まう。また、このような温度制御装置を用いない場合
は、温度Ｔに伴い微分効率が大きく低下するため、直流
バイアス電流Ｉb を制御すると共に、これに重畳するパ
ルス電流Ｉpの大きさにも補正を加えることにより光パ
ルス出力の波高値を一定にしなければならないが、変調
回路の構成と制御が複雑となる。
には、通常閾値電流に近いバイアス電流Ｉb を流し、Ｉ
b にパルス電流Ｉp を加えることにより信号となる光パ
ルスを発生させているが、受信素子のダイナミックレン
ジの問題からファイバに入力される光パルスの波高値は
出来るだけ一定にする必要がある。しかしながら、ＬＤ
においては上述のごとく、その出力特性に温度依存性が
あるため、ＬＤを一定の温度に保つための温度制御装置
が利用されるが、この温度制御装置は高価なだけでな
く、半導体光装置の大きさ及び消費電力を大きくしてし
まう。また、このような温度制御装置を用いない場合
は、温度Ｔに伴い微分効率が大きく低下するため、直流
バイアス電流Ｉb を制御すると共に、これに重畳するパ
ルス電流Ｉpの大きさにも補正を加えることにより光パ
ルス出力の波高値を一定にしなければならないが、変調
回路の構成と制御が複雑となる。
【０００４】このように、半導体光装置はＬＤの温度を
一定に保つ装置や、光出力を一定に保つための複雑な入
力信号制御回路を必要とし、小型化及び低価格化の点か
ら半導体光装置そのものの温度特性の改善が求められて
いる。
一定に保つ装置や、光出力を一定に保つための複雑な入
力信号制御回路を必要とし、小型化及び低価格化の点か
ら半導体光装置そのものの温度特性の改善が求められて
いる。
【０００５】そこで、特開昭６２−２１１９７９号公報
に記載されているように、光ファイバとＬＤを支持する
部品にそれぞれ膨張係数の異なる材質を使用することに
より、温度変化によって相対位置に変位を生じさせ、Ｌ
Ｄの微分効率が最も低下する条件でその相対位置が最適
位置となる支持機構を構成したり、光ファイバーとＬＤ
との間に、微分効率を保証する光透過特性を有するフィ
ルターを挿入することにより、光ファイバ出力の微分効
率の変化を小さくする方法も知られている。
に記載されているように、光ファイバとＬＤを支持する
部品にそれぞれ膨張係数の異なる材質を使用することに
より、温度変化によって相対位置に変位を生じさせ、Ｌ
Ｄの微分効率が最も低下する条件でその相対位置が最適
位置となる支持機構を構成したり、光ファイバーとＬＤ
との間に、微分効率を保証する光透過特性を有するフィ
ルターを挿入することにより、光ファイバ出力の微分効
率の変化を小さくする方法も知られている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】この従来の光結合モジ
ュールは、半導体光素子の出力特性の温度変化を補償す
るために、上述のごとく半導体光素子の温度を一定に保
つ装置や、光出力を一定に保つための複雑な入力信号制
御回路を必要とし、装置の小型化及び低価格化の大きな
障害となっている。
ュールは、半導体光素子の出力特性の温度変化を補償す
るために、上述のごとく半導体光素子の温度を一定に保
つ装置や、光出力を一定に保つための複雑な入力信号制
御回路を必要とし、装置の小型化及び低価格化の大きな
障害となっている。
【０００７】また、ＬＤの微分効率の温度特性を補償し
て結合効率を高める機構として、熱膨張係数の異なる支
持体や微分効率を補償する光透過特性を有する光フィル
ターを設ける方法では、部品点数の増加による部材およ
び組立コストの増加を伴い、また膨張係数の異なる材料
を用いる場合にはその接合部の歪によるモジュールの信
頼性を低下させるという問題がある。
て結合効率を高める機構として、熱膨張係数の異なる支
持体や微分効率を補償する光透過特性を有する光フィル
ターを設ける方法では、部品点数の増加による部材およ
び組立コストの増加を伴い、また膨張係数の異なる材料
を用いる場合にはその接合部の歪によるモジュールの信
頼性を低下させるという問題がある。
【０００８】本発明の目的は、モジュールに新たな機構
を追加することなく、結合系に半導体光素子の出力特性
の温度依存性を補償する特性を有せしめ、広い温度範囲
で使用可能な光結合モジュールの製造方法を提供するこ
とにある。
を追加することなく、結合系に半導体光素子の出力特性
の温度依存性を補償する特性を有せしめ、広い温度範囲
で使用可能な光結合モジュールの製造方法を提供するこ
とにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の光結合モジュー
ルの製造方法は、レーザダイオードと、前記レーザダイ
オードの放射光を集束させるレンズと、前記レンズで集
束されたレーザ光を入射して伝送する光ファイバとを備
え且つ前記レーザダイオードおよび前記レンズおよび前
記光ファイバのそれぞれが同一材料の支持体で支持され
た光結合モジュールの製造方法において、前記光結合モ
ジュールの動作保証温度範囲の最高値に設定した温度で
前記レーザダイオードと前記光ファイバとの光結合効率
が最大になるように前記レーザダイオードと前記レンズ
との間の距離および前記レンズと前記光ファイバとの間
の距離を調整して固定することを含んで構成される。
ルの製造方法は、レーザダイオードと、前記レーザダイ
オードの放射光を集束させるレンズと、前記レンズで集
束されたレーザ光を入射して伝送する光ファイバとを備
え且つ前記レーザダイオードおよび前記レンズおよび前
記光ファイバのそれぞれが同一材料の支持体で支持され
た光結合モジュールの製造方法において、前記光結合モ
ジュールの動作保証温度範囲の最高値に設定した温度で
前記レーザダイオードと前記光ファイバとの光結合効率
が最大になるように前記レーザダイオードと前記レンズ
との間の距離および前記レンズと前記光ファイバとの間
の距離を調整して固定することを含んで構成される。
【００１０】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１１】図１は本発明の第１の実施例を説明するた
めの光結合モジュールの断面図である。
めの光結合モジュールの断面図である。
【００１２】図１に示すように、ステム（又はヘッダ）
に設けた支持体４ａにマウントされたＬＤ１から放射さ
れたレーザ光は、支持体４ｂによりＬＤ１の前方に支持
されたレンズ２により集束され、支持体４ｃにより支持
された光ファイバ３の先端に入射され光ファイバ３中を
伝播する。
に設けた支持体４ａにマウントされたＬＤ１から放射さ
れたレーザ光は、支持体４ｂによりＬＤ１の前方に支持
されたレンズ２により集束され、支持体４ｃにより支持
された光ファイバ３の先端に入射され光ファイバ３中を
伝播する。
【００１３】ここで、ＬＤ１，レンズ２，及び光ファイ
バ３のそれぞれを支持している支持体４ａ，４ｂ，４ｃ
の主要構成材料は銅で、その熱膨張係数は１．６８×１
０-5／℃であるため、例えば室温２５℃から光結合モジ
ュールの動作補償温度の最高値８５℃への６０℃の温度
上昇による長さＬの銅の熱膨張ΔＬはΔＬ＝Ｌ×１．６
８×１０-5×６０＝１．０×１０-3Ｌとなる。すなわ
ち、１ｍｍの銅は熱膨張により約１μｍ伸びることにな
り、図１に示したモジュールにおいてはＬＤ１とレンズ
２の距離Ｌ1 ＝１ｍｍおよびレンズ２と光ファイバ３の
距離Ｌ2 ＝５ｍｍはそれぞれ約１μｍ，約５μｍ長くな
る。
バ３のそれぞれを支持している支持体４ａ，４ｂ，４ｃ
の主要構成材料は銅で、その熱膨張係数は１．６８×１
０-5／℃であるため、例えば室温２５℃から光結合モジ
ュールの動作補償温度の最高値８５℃への６０℃の温度
上昇による長さＬの銅の熱膨張ΔＬはΔＬ＝Ｌ×１．６
８×１０-5×６０＝１．０×１０-3Ｌとなる。すなわ
ち、１ｍｍの銅は熱膨張により約１μｍ伸びることにな
り、図１に示したモジュールにおいてはＬＤ１とレンズ
２の距離Ｌ1 ＝１ｍｍおよびレンズ２と光ファイバ３の
距離Ｌ2 ＝５ｍｍはそれぞれ約１μｍ，約５μｍ長くな
る。
【００１４】このＬＤ１とレンズ２の距離Ｌ1 およびレ
ンズ２と光ファイバ３の距離Ｌ2 の変化により、室温２
５℃で結合効率が最大になるように位置調節されたモジ
ュールにおける結合効率ηc は図８（ｃ）に示すように
８５℃で約１．０ｄＢ低下する。
ンズ２と光ファイバ３の距離Ｌ2 の変化により、室温２
５℃で結合効率が最大になるように位置調節されたモジ
ュールにおける結合効率ηc は図８（ｃ）に示すように
８５℃で約１．０ｄＢ低下する。
【００１５】一方、ＬＤの微分効率ηは図８（ｂ）のよ
うに２５℃から８５℃の温度上昇によって約２ｄＢ低下
するため、このように室温で結合効率が最大になるよう
に位置調節されたモジュールに組み立てると、ファイバ
出力Ｐf の微分効率ηf の温度変化は図８（ｄ）のよう
になり、２５℃から８５℃の温度上昇による微分効率η
f の低下は約３ｄＢにも及ぶ。
うに２５℃から８５℃の温度上昇によって約２ｄＢ低下
するため、このように室温で結合効率が最大になるよう
に位置調節されたモジュールに組み立てると、ファイバ
出力Ｐf の微分効率ηf の温度変化は図８（ｄ）のよう
になり、２５℃から８５℃の温度上昇による微分効率η
f の低下は約３ｄＢにも及ぶ。
【００１６】そこで、周囲温度８５℃のもとで結合系の
位置調節を行い、図２（ａ）に示すように、結合効率が
８５℃付近で最大となるようにして固定すると動作温度
による光ファイバ出力Ｐf は図２（ｂ）に示すようにな
り、ファイバ出力の微分効率ηf の温度変化は図２
（ｃ）に示すように、２５℃から８５℃の温度上昇によ
る低下が約１ｄＢと、ＬＤ素子そのものと比べて１ｄ
Ｂ、通常の方法で位置調節を行ったモジュールと比べて
２ｄＢも効率の低下を改善することができる。
位置調節を行い、図２（ａ）に示すように、結合効率が
８５℃付近で最大となるようにして固定すると動作温度
による光ファイバ出力Ｐf は図２（ｂ）に示すようにな
り、ファイバ出力の微分効率ηf の温度変化は図２
（ｃ）に示すように、２５℃から８５℃の温度上昇によ
る低下が約１ｄＢと、ＬＤ素子そのものと比べて１ｄ
Ｂ、通常の方法で位置調節を行ったモジュールと比べて
２ｄＢも効率の低下を改善することができる。
【００１７】また、室温２５℃で位置調節を行い、結合
効率が最大になる位置を検出した後、ＬＤ１とレンズ２
の距離Ｌ1 およびレンズ２と光ファイバ３の距離Ｌ2 を
室温２５℃から８５℃まで加熱したときの熱膨張に相当
する長さ約１μｍ，約５μｍずつ短くして固定すること
により、結合効率が８５℃付近で最大となるようにする
こともでき、その結果ＬＤの高温での微分効率の低下及
び出力の低下を改善することができる。
効率が最大になる位置を検出した後、ＬＤ１とレンズ２
の距離Ｌ1 およびレンズ２と光ファイバ３の距離Ｌ2 を
室温２５℃から８５℃まで加熱したときの熱膨張に相当
する長さ約１μｍ，約５μｍずつ短くして固定すること
により、結合効率が８５℃付近で最大となるようにする
こともでき、その結果ＬＤの高温での微分効率の低下及
び出力の低下を改善することができる。
【００１８】図３（ａ），（ｂ），（ｃ）は本発明の第
２の実施例を適用しようとする他の光結合モジュールの
従来の組立法によるＬＤの出力特性の温度依存性、光出
力の温度依存性、モジュールの結合効率の温度依存性を
それぞれ示す図である。
２の実施例を適用しようとする他の光結合モジュールの
従来の組立法によるＬＤの出力特性の温度依存性、光出
力の温度依存性、モジュールの結合効率の温度依存性を
それぞれ示す図である。
【００１９】図３（ａ）に示した出力特性を有するＬＤ
は閾値電流が２５℃で２ｍＡ，８５℃で４ｍＡと十分に
小さく、無バイアスで使用することができるが、例えば
駆動電流２０ｍＡでの光出力は、図３（ｂ）に示すよう
に、０℃から８５℃で３ｄＢ低下する。一方、モジュー
ルには結合系の位置変化に対するトレランスの小さなレ
ンズ系を用いており、図３（ｃ）に示すように、結合効
率の温度変化がＬＤの微分効率の温度変化より大きくな
るようにしている。このようなモジュールに第１の実施
例と同様に８５℃での結合効率が最大になるように位置
調節を行った場合、光ファイバ出力の駆動電流依存性
は、図４（ａ）に示すように、高温ほど微分効率が大き
くなり、また、駆動電流２０ｍＡでの光出力の温度変化
は、図４（ｂ）に示すように、０℃から８５℃の温度範
囲で０．５ｄＢ以下となる。
は閾値電流が２５℃で２ｍＡ，８５℃で４ｍＡと十分に
小さく、無バイアスで使用することができるが、例えば
駆動電流２０ｍＡでの光出力は、図３（ｂ）に示すよう
に、０℃から８５℃で３ｄＢ低下する。一方、モジュー
ルには結合系の位置変化に対するトレランスの小さなレ
ンズ系を用いており、図３（ｃ）に示すように、結合効
率の温度変化がＬＤの微分効率の温度変化より大きくな
るようにしている。このようなモジュールに第１の実施
例と同様に８５℃での結合効率が最大になるように位置
調節を行った場合、光ファイバ出力の駆動電流依存性
は、図４（ａ）に示すように、高温ほど微分効率が大き
くなり、また、駆動電流２０ｍＡでの光出力の温度変化
は、図４（ｂ）に示すように、０℃から８５℃の温度範
囲で０．５ｄＢ以下となる。
【００２０】このように閾電流値が十分小さく、かつフ
ァイバ出力の温度変化が十分に小さいモジュールはバイ
アス電流及びパルス電流を調節する回路が全く不要とな
り、従って光出力モニター用のフォトダイオードもモジ
ュール内に必要としない。
ァイバ出力の温度変化が十分に小さいモジュールはバイ
アス電流及びパルス電流を調節する回路が全く不要とな
り、従って光出力モニター用のフォトダイオードもモジ
ュール内に必要としない。
【００２１】このように、ある一定の駆動電流に対して
ファイバ出力が変化しないモジュールは、所望のファイ
バ出力値及びＬＤの出力特性の温度依存性に合わせて、
結合系に使用するレンズやＬＤ−レンズ−光ファイバの
距離を最適化することによって容易に実現することが可
能である。
ファイバ出力が変化しないモジュールは、所望のファイ
バ出力値及びＬＤの出力特性の温度依存性に合わせて、
結合系に使用するレンズやＬＤ−レンズ−光ファイバの
距離を最適化することによって容易に実現することが可
能である。
【００２２】図５は本発明の第３の実施例を説明するた
めの光結合モジュールの断面図である。
めの光結合モジュールの断面図である。
【００２３】図５に示すように、シリコンからなる支持
台６の上にマウントしたＬＤ１と、先端が球状に整形さ
れた光ファイバ５とをＬ3 の距離に近接して対向させた
構造を有し、ＬＤ１から放射されたレーザ光を光ファイ
バ５の球状先端で集光し光ファイバ５内に導入する構成
を有しており、ＬＤ１と光ファイバ５との距離Ｌ3 は数
μｍから数十μｍと非常に小さいため、支持台（シリコ
ン）６の熱膨張による結合系の変位は小さいが、レンズ
を用いないため位置変化に対する結合効率の変化が非常
に大きく、温度変化に対する結合効率の変化は図６に示
すようにレンズを用いた場合と同等もしくはそれ以上に
大きい。
台６の上にマウントしたＬＤ１と、先端が球状に整形さ
れた光ファイバ５とをＬ3 の距離に近接して対向させた
構造を有し、ＬＤ１から放射されたレーザ光を光ファイ
バ５の球状先端で集光し光ファイバ５内に導入する構成
を有しており、ＬＤ１と光ファイバ５との距離Ｌ3 は数
μｍから数十μｍと非常に小さいため、支持台（シリコ
ン）６の熱膨張による結合系の変位は小さいが、レンズ
を用いないため位置変化に対する結合効率の変化が非常
に大きく、温度変化に対する結合効率の変化は図６に示
すようにレンズを用いた場合と同等もしくはそれ以上に
大きい。
【００２４】従って、第１の実施例と同様に８５℃での
結合効率が最大になるように位置調節を行うことによ
り、図７に示すように、ファイバ出力の微分効率の温度
変化が非常に小さいモジュールや、ファイバ出力の温度
変化が非常に小さいモジュールを実現することができ
る。
結合効率が最大になるように位置調節を行うことによ
り、図７に示すように、ファイバ出力の微分効率の温度
変化が非常に小さいモジュールや、ファイバ出力の温度
変化が非常に小さいモジュールを実現することができ
る。
【００２５】なお、発光素子，レンズ，光ファイバの支
持部の材料は銅やシリコンのみに限定されず、同一材料
を用いていれば鉄やその他の合金材料でも良い。
持部の材料は銅やシリコンのみに限定されず、同一材料
を用いていれば鉄やその他の合金材料でも良い。
【００２６】なお、本発明にかかる発光素子としては単
体のＬＤやＬＥＤ，面発光素子の他、アレイ状のＬＤ，
ＬＥＤ，面発光素子を用いても良い。
体のＬＤやＬＥＤ，面発光素子の他、アレイ状のＬＤ，
ＬＥＤ，面発光素子を用いても良い。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、結合系の
支持体に何等特殊な材料を用いることなく、周囲温度が
変化した場合における光ファイバ出力の微分効率もしく
は一定駆動電流値における光ファイバ出力の変化を極め
て小さくすることが可能となり、これにより変調回路を
著しく簡略化し、半導体光装置のコストダウンを実現で
きるという効果を有する。
支持体に何等特殊な材料を用いることなく、周囲温度が
変化した場合における光ファイバ出力の微分効率もしく
は一定駆動電流値における光ファイバ出力の変化を極め
て小さくすることが可能となり、これにより変調回路を
著しく簡略化し、半導体光装置のコストダウンを実現で
きるという効果を有する。
【図１】本発明の第１の実施例を説明するための光結合
モジュールの断面図。
モジュールの断面図。
【図２】本発明の第１の実施例による光結合モジュール
の結合効率の温度依存性を示す図および光ファイバ出力
特性を示す図および光ファイバ出力効率の温度特性を示
す図。
の結合効率の温度依存性を示す図および光ファイバ出力
特性を示す図および光ファイバ出力効率の温度特性を示
す図。
【図３】本発明の第２の実施例を適用しようとする他の
光結合モジュールの従来方法によるＬＤの出力特性の温
度依存性を示す図および光出力の温度依存性を示す図お
よびモジュールの結合効率の温度依存性を示す図。
光結合モジュールの従来方法によるＬＤの出力特性の温
度依存性を示す図および光出力の温度依存性を示す図お
よびモジュールの結合効率の温度依存性を示す図。
【図４】本発明の第２の実施例による他の光結合モジュ
ールの光ファイバ出力の駆動電流依存性を示す図および
光出力の温度変化を示す図。
ールの光ファイバ出力の駆動電流依存性を示す図および
光出力の温度変化を示す図。
【図５】本発明の第３の実施例を説明するための光結合
モジュールの断面図。
モジュールの断面図。
【図６】本発明の第３の実施例を適用しようとする光結
合モジュールの従来方法による結合効率の温度依存性を
示す図。
合モジュールの従来方法による結合効率の温度依存性を
示す図。
【図７】本発明の第３の実施例による光結合モジュール
の光ファイバ出力効率の温度依存性を従来例に比較して
示す図。
の光ファイバ出力効率の温度依存性を従来例に比較して
示す図。
【図８】従来の光結合モジュールの光出力特性、微分効
率、結合効率、光ファイバ出力効率の各温度依存性を示
す図。
率、結合効率、光ファイバ出力効率の各温度依存性を示
す図。
１ レーザダイオード ２ レンズ ３，５ 光ファイバ ４ａ，４ｂ，４ｃ 支持体 ６ 支持台
Claims (2)
- 【請求項１】 レーザダイオードと、前記レーザダイオ
ードの放射光を集束させるレンズと、前記レンズで集束
されたレーザ光を入射して伝送する光ファイバとを備え
且つ前記レーザダイオードおよび前記レンズおよび前記
光ファイバのそれぞれが同一材料の支持体で支持された
光結合モジュールの製造方法において、前記レーザダイ
オードと前記光ファイバとの光結合効率が前記光結合モ
ジュールの動作保証温度範囲の最高値で最大になるよう
に前記レーザダイオードと前記レンズとの間の距離およ
び前記レンズと前記光ファイバとの間の距離を調整して
固定する工程を、前記光結合モジュールの動作保証温度
範囲の最高値に設定した周囲温度の下で行うことを特徴
とする光結合モジュールの製造方法。 - 【請求項２】 Ｓｉから成る支持台上にレーザダイオー
ドをマウントし、先端が球状に整形された光ファイバを
前記レーザダイオードに近接対向して前記Ｓｉ支持台上
に設置する光結合モジュールの製造方法において、前記
レーザダイオードと前記光ファイバとの光結合効率が前
記光結合モジュールの動作保証温度範囲の最高値で最大
になるように前記レーザダイオードと前記光ファイバと
の距離を調整して固定する工程を、前記光結合モジュー
ルの動作保証温度範囲の最高値に設定した周囲温度の下
で行うことを特徴とする光結合モジュールの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7075129A JP2773675B2 (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | 光結合モジュールの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7075129A JP2773675B2 (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | 光結合モジュールの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08271766A JPH08271766A (ja) | 1996-10-18 |
| JP2773675B2 true JP2773675B2 (ja) | 1998-07-09 |
Family
ID=13567286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7075129A Expired - Fee Related JP2773675B2 (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | 光結合モジュールの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2773675B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007025433A (ja) * | 2005-07-20 | 2007-02-01 | Opnext Japan Inc | 光素子モジュールおよび光送信器 |
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