JP2767536B2

JP2767536B2 - プラズマ・アドレス指定装置用電極構体

Info

Publication number: JP2767536B2
Application number: JP5234142A
Authority: JP
Inventors: ポール・シー・マーティン; トーマス・エス・ブザック
Original assignee: Tektronix Inc
Current assignee: Tektronix Inc
Priority date: 1992-08-26
Filing date: 1993-08-26
Publication date: 1998-06-18
Anticipated expiration: 2013-06-18
Also published as: TW228592B; US5453660A; EP0588486B1; EP0588486A2; JPH06222346A; DE69322040D1; EP0588486A3; DE69322040T2; KR940004689A; CA2104193C; CA2104193A1

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、データ蓄積素子のアレ
イをアドレス指定するためにイオン化可能なガスを使用
するアドレス指定装置用電極構体に関する。

【０００２】

【従来の技術】米国特許第４８９６１４９号（特開平１
−２１７３９６号に対応、以下「１４９特許」という）
は、イオン化可能なガスを使用したアドレス指定構体を
開示している。このアドレス指定構体は、イオン化可能
なガスを使用してデータ蓄積素子をアドレス指定する装
置内に使用される。この様な装置の例は、フラット・パ
ネル表示器、ビデオ・カメラ又は記憶装置である。

【０００３】１４９特許に記載された装置は、各々がイ
オン化可能なガスにより満たされる溝の行を形成した電
極構体を有する。各溝の底面には、行電極及び基準電極
が延びている。行電極はカソードとして電気的に駆動さ
れ、基準電極は接地電位に接続され、行電極が駆動され
るときにアノードとして駆動される。特定の行電極がカ
ソードとして駆動されるとき、その行を含む特定の溝内
のイオン化可能なガスはイオン化され、装置は１４９特
許の明細書に記載したように動作する。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】１４９特許に記載され
た電極構体を製造する場合、その歩留まりは販売を目的
とするには不十分である。電極構体の各溝の底面は、底
面の幅に比較して比較的に幅の狭い行電極及び基準電極
を有する。これは、電極構体が、溝の底面を通る光の透
過に依存し、各溝内の行電極及び基準電極が光の経路を
過度に遮断できないからである。

【０００５】幅の狭い電極を形成するよりは、幅の広い
電極を形成するほうが容易である。しかし、多くのアプ
リケーションで、電極の幅を増加させて視界を悪化させ
ることは好ましくない。その様なアプリケーションで
は、幅の狭い電極を使用すると、歩留まりが低下し、電
極構体の製造原価が増加する。この問題は、各々が１対
の電極を有する多数の溝を形成する必要があるアプリケ
ーションでは特に重要である。

【０００６】そこで、１４９特許に記載された形式の装
置への使用に適した電極構体の製造歩留まりを高める方
法を見つける必要がある。

【０００７】したがって、本発明の目的は、高い歩留ま
りで製造可能であると共に、透過光の減少を抑制できる
電極構体の提供にある。

【０００８】

【課題を解決するための手段及び作用】本発明は、イオ
ン化可能なガスを使用するアドレス指定装置用の電極構
体の改良である。本発明の電極構体は、１４９特許に記
載した電極構体より高い製造歩留まりで標準の製造技術
で製造できる。

【０００９】本発明による電極構体は、電気絶縁性基板
及び誘電体カバーを有する。交差しない多くの溝形成部
は、基板及びカバー間に延びる。隣合う溝形成部の各対
は、基板、各対の一方の溝形成部の一方側、カバー及び
各対の溝形成部の他方側により範囲が定まるプラズマ放
電溝を形成する。

【００１０】各溝形成部は、その一方側の一部を形成す
る一面及びその他方側の一部を形成する他面を含む。各
溝形成部は、更に、電極及びカバー間に壁部を含む。各
プラズマ放電溝内に含まれるイオン化可能なガスをイオ
ン化させるための電流を伝える電極は、（１）溝を形成
する各対の隣合う溝形成部の一方に含まれる電極と、
（２）他方に含まれる電極とを有する。これら複数の電
極は、透明材料の電極及び不透明材料の電極が交互に配
置されている。

【００１１】本発明のこの特徴は、電極の数を半減し、
電極と隣合うプラズマ放電溝を分離する壁部とを一体に
結合することにより、上述した技術的目的を満足する。

【００１２】本発明による電極構体には、多様な実施例
があり、比較的に広い電極及び狭い壁部を有する。

【００１３】本発明は、（１）例えば金属である光透過
性は低いが導電性が高い材料で形成された比較的細い導
電バスと、（２）導電バスに電気的に結合され、例えば
導電率は金属に比較して低いが光透過率は高い材料で形
成された比較的に広い分配バスとを含む電極を有する。
この実施例は、電極構体を多くの光に通過できるように
し、表示器により形成される画像のコントラストを改善
する。

【００１４】本発明は、壁部の真下に配置された狭い電
極領域を有する。

【００１５】本発明は、壁部を構成するオプティカル・
ファイバの様なファイバと接触してもよい電極を有す
る。この実施例でも、電極は比較的に細い。

【００１６】本発明は、壁部を構成するオプティカル・
ファイバの様なファイバの表面の一部に付着してもよい
電極を有する。

【００１７】本発明では、電極は十分な導電性を有し、
基板及び壁部に固着する材料で形成される。例えば、溶
解されたニッケル・ペースト・フリットは十分な導電性
を有し、グラスファイバをガラス基板に接着する。

【００１８】本発明は、交互に幅が広く及び狭くなる電
極を有する。壁部は、各電極をカバーに結合する。幅の
広い電極は、酸化インジウム錫の様な光透過性の材料で
形成される。

【００１９】本発明は、交互に幅が広く及び狭くなる電
極を有する。この実施例では、広い電極は、酸化インジ
ウム錫の様な導電率は低いが光透過率は高い材料で形成
された分配バスを有する。この分配バスは、導電バスに
電気的に結合される。この実施例では、幅の狭い電極
は、好適には金属で形成される。

【００２０】本発明は、化学エッチングの様な減法処理
により形成される。素材は、絶縁性下層、導電性中間層
及び絶縁性上層から成る積層構造を有する。これら３つ
の層の各々から材料を除去し、交差しないプラズマ放電
溝を形成する溝形成部の行を残す。中間層は、電極構体
の電極を形成する。

【００２１】駆動機構は、共通の電極を有する隣合う溝
について電極構体を駆動する。この動作は、選択された
溝及びそれに隣接する電極に十分な電位差の一連の駆動
信号を供給し、行走査期間に選択された溝内にはプラズ
マ放電を生じさせるが、隣りの溝内には電位差が不十分
であるためにプラズマ放電が開始又は維持されないよう
に行われる。選択された溝用の駆動信号は、行走査期間
の終わりに向かって、供給電位差を変化させてプラズマ
減衰時間を減少させ、これにより、クロストークが最小
限になる。

【００２２】電極を駆動する回路は、基板上に形成して
もよい。例えば、基板部分がガラスであれば、駆動回路
はガラス上にポリシリコンで形成される。

【００２３】

【実施例】１４９特許明細書から抜粋した図１１〜図１
６を参照して、本発明の背景を説明する。図１１は、１
４０特許のアドレス指定装置を実現する第１実施例を示
す。図１１において、フラット・パネル表示装置１０
は、表示面１４を有する表示パネル１２を含む。この表
示面１４は、垂直及び水平方向に所定間隔だけ相互に離
間された公称同一のデータ蓄積素子又は表示素子１６の
矩形平面配列に形成されたパターンを含む。この配列の
各表示素子１６は、垂直の列に沿って配列された薄くて
幅の狭い電極１８と、水平の行に配列された細長い溝２
０との重畳部分となる。（以下、電極１８を列電極１８
と呼ぶ。）行にあたる溝２０内の表示素子１６は、１行
分のデータを表す。

【００２４】列電極１８の幅及び溝２０の幅により、略
矩形である表示素子１６の寸法が決まる。列電極１８
は、非導電性で光透過性の第１基板の主面上に配置さ
れ、溝２０は、非導電性で光透過性の第２基板の主面上
に刻まれている。このことは、詳細に後述する。直視型
又は投射型の反射型表示装置の様なシステムでは、いず
れか一方の基板が光透過性であればよいことは、当業者
には理解されるであろう。

【００２５】列電極１８は、データ・ドライバ即ち駆動
回路２４の出力増幅器２２（図１２〜１６を参照）の各
々によって、平行な出力導体２２’上に発生するアナロ
グ電圧のデータ駆動信号を受け取る。溝２０は、データ
・ストローブ手段即ちストローブ回路２８の出力増幅器
２６（図１２〜１６を参照）の各々によって、平行な出
力導体２６’上に発生する電圧パルスのデータ・ストロ
ーブ信号を受け取る。溝２０の各々は、各電極に共通の
基準電位及びデータ・ストローブ２８が供給される基準
電極３０を含む。

【００２６】表示面１４の全体にわたり画像を形成する
ために、表示装置１０は走査制御回路３２を備えてい
る。これは、データ駆動回路２４及びデータ・ストロー
ブ回路２８の動作を調整し、表示パネル１２の表示素子
１６の全ての列を行から行へ順次アドレス指定する。表
示パネル１２には、異なる種類の電気光学材料を用いて
もよい。例えば、この材料として入力光３３の偏光状態
を変化させる材料を用いるのなら、表示パネル１２は、
偏光フィルタ３４及び３６の間に置かれる（図１２参
照）このフィルタ３４及び３６は、表示パネル１２と協
動して、これらを通過する光の輝度を変化させる。電気
光学材料として光を散乱させる液晶セルを用いれば、偏
光フィルタ３４及び３６を必要としない。図示しない
が、カラー・フィルタを表示パネル１２内に配置し、色
の強度を制御可能な多色画像を形成してもよい。投射表
示のために、３個の個別の単色パネルを用いることによ
って形成してもよい。各パネルは、１つの原色を制御す
ることになる。

【００２７】図１２〜図１５において、表示パネル１２
は、ネマチック液晶の様な電気光学材料層４４と、ガラ
ス、雲母、又はプラスチックの様な薄い誘電体材料層４
６とによって隔てられた通常は平行な１対の電極構体４
０、４２を含むアドレス指定構体を有する。電極構体４
０は、光透過性の酸化インジウム錫の列電極１８を内面
に縞状パターンに被着形成したガラス製の誘電体基板を
有する。隣接する列電極１８は、間隔５２だけ離間され
ており、この間隔で行上の隣接する表示素子１６間の水
平間隔が決まる。

【００２８】電極構体４２は、ガラス製の誘電体基板５
４を有し、その内面には、断面が台形の複数の溝２０が
設けられている。溝２０は、内面５６から底部６０まで
測定した深さ５８を有する。溝２０の各々には、底部６
０に沿って延びる１対の薄く幅の狭いニッケル電極３
０、６２及び底部６０から内側面５６に向かって末広が
りに延びる１対の側壁部６４がある。溝２０の基準電極
３０は、図示する様に、接地電位に固定された共通の基
準電圧に接続されている。溝２０の電極６２は、データ
・ストローブ回路２８の出力増幅器２６（これらのうち
３個及び５個が、図１２図及び図１３に夫々示されてい
る。）の夫々異なる１個に接続されている。（電極６２
は、行電極６２と呼ぶ。）アドレス指定構体が確実に動
作するように、基準電極３０及び行電極６２は、表示パ
ネル１２の対向する側部で、基準電位及びデータ・スト
ローブ回路２８の出力２６’に夫々接続される。

【００２９】隣合う溝２０の隣合う側壁部６４は、上面
５６が誘電体材料層４６を支持する支持構体６６とな
る。その隣の溝２０は、各支持構体６６の上部の幅６８
だけ相互に離間されている。この幅６８は、列中の隣接
する蓄積素子１６間の垂直距離を決定する。列電極１８
及び溝２０の重畳部分７０で、図１２及び図１３で示す
様に、蓄積素子１６の大きさが決まる。図１３は、表示
素子１６の配列とこれらの水平距離及び垂直距離を明瞭
に示す。

【００３０】列電極１８に供給される電圧の大きさに応
じて、隣合う列電極１８の絶縁を行うための間隔５２が
決まる。間隔５２は、列電極１８の幅よりも通常は大幅
に小さい。隣合う溝２０の隣合う側壁部６４の傾きに応
じて、幅６８が決まる。幅６８は、溝２０の幅よりも通
常は大幅に小さい。列電極１８の幅及び溝２０の幅は、
通常は等しく、表示用途で特定される所望の画像解像度
に応じて決められる。間隔５２及び幅６８は、できるだ
け小さくしたほうがよい。表示パネル１２の現在のモデ
ルでは、溝の深さ５８は溝の幅の半分である。

【００３１】溝２０の各々は、後述の理由で、ヘリウム
が１つの好適例であるイオン化可能なガスで満たされて
いる。誘電体材料層４６は、溝２０に含まれるイオン化
可能なガス及び液晶材料層４４の間で、絶縁遮断層とし
て機能する。誘電体材料層４６がない場合は、液晶材料
が溝に流れ込んでしまったり、イオン化可能なガスが液
晶材料を汚染することが起きる。誘電体材料層４６は、
固体材料又はカプセルで封入された電気光学材料を採用
した表示装置では除外してもよい。

【００３２】表示パネル１２の動作の基本となる原理
は、１）各表示素子１６は、表示素子の一部を構成する
列電極１８に供給されるアナログ・データ電圧のための
サンプリング・キャパシタとして機能する。２）イオン
化可能なガスは、サンプリング・スイッチとして機能す
る。ということである。図１６は、表示装置１０の動作
を説明するための等価回路である。図１６において、表
示パネル１２の表示素子１６の各々は、上側板８２が列
電極１８の一方を表し、下側板８６が誘電体材料層４６
の自由表面８８を表すキャパシタ８０の（以下、キャパ
シタ・モデル８０と呼ぶ。）としてモデル化される。キ
ャパシタ・モデル８０は、列電極１８及び溝２０の重畳
部分で形成される容量性液晶セルを表している。ここで
は、表示装置１０の動作方法の説明は、キャパシタ・モ
デルを用いて行う。

【００３３】基本的なアドレス指定手順に従うと、デー
タ・ドライバ２４は、最初の線のデータを捕捉する。捕
捉されたデータは、時間と共に変化するアナログ・デー
タ信号の電圧を所定時間間隔でサンプルした個々の値を
表す。この時間間隔内の特定の事象におけるデータ信号
の強度のサンプリングは、ストローブ・パルスを受ける
行電極６２の対応する列位置のキャパシタ・モデル８０
に供給されるアナログ電圧の強度を表している。データ
・ドライバ２４は、その出力増幅器２２にアナログ電圧
を発生し、列電極１８に供給する。図１６において、デ
ータ・ドライバ２４の４つの代表的な出力増幅器２２
は、基準電極３０に対して正極性のアナログ電圧を接続
されている列電極１８の各々に供給する。列電極１８に
正電圧を供給することにより、誘電体材料層４６の自由
表面８８（図１２）に供給電圧に略等しい電圧を発生さ
せる。このため、キャパシタ・モデル８０にかかる電位
差に関係なく、図１６中では、上側板８２及び下側板８
６とは、白い表面で描いてある。

【００３４】この場合、溝２０の中にあるガスはイオン
化していない状態であり、キャパシタ・モデル８０の板
８２及び８６に発生している電圧は、溝の中の基準電極
３０の電位に対して正である。データ・ストローブ回路
２８が溝２０内の行電極６２に負方向電圧パルスを発生
すると、溝２０内にあるガスは、イオン状態になる。そ
の行電極がストローブ・パルスを受けている溝２０は、
図１６中では太い線で示してある。この様な条件下で
は、接地された基準電極３０と、ストローブされている
行電極６２は、溝内のプラズマにとって夫々アノード及
びカソードとして機能する。

【００３５】プラズマ内の電子は、キャパシタ・モデル
８０の下側板８６に誘導された正の電荷を中和する。ス
トローブされている行のキャパシタ・モデル８０は、そ
の両側板に供給される電圧により充電される。この状態
では、図１６中で、上側板８２は白い表面で、下側板８
６は斜線を付して示している。キャパシタ・モデル８０
にかかるデータ電圧のストアが完了すると、データ・ス
トローブ回路２８は、溝２０の行電極６２の負方向電圧
パルスを終了する。これによって、ストローブ・パルス
が終了し、プラズマも消失する。

【００３６】行電極６２の夫々は、表示面１４の全体の
アドレス指定が完了し、データの画像フィールドが蓄積
されるまで、同様の方法でストローブされる。電圧は、
少なくとも画像フィールド期間中、ストローブされてい
る行のキャパシタ・モデル８０の夫々に蓄積されたまま
である。そして、キャパシタ・モデル８０の上側面８２
に供給されるデータ電圧における後続する変化の影響を
受けない。キャパシタ・モデルの夫々に蓄積された電圧
は、後続の画像フィールドの表示データを表すアナログ
・データ電圧に応じて変化する。

【００３７】表示システム１０では、画像フィールドが
ノンインタレース方式である場合は、その次の画像フィ
ールドにおいて列電極１８に印加されるアナログ・デー
タ電圧は、逆極性になる。ひとつの画像フィールドから
次の画像のフィールドへと移行するときに、極性が正及
び負の間を往復することによって、長期的に直流電圧成
分は正味ゼロとなる。これは、液晶材料の長期間の使用
には特に要求されることである。この液晶材料は、供給
されたアナログ・データ電圧の実効値に応じてグレイス
ケール（中間調）を生じる。このため、作成された画像
は、アナログ・データ電圧は極性交番変化によって影響
は受けない。表示装置１０では、画像フィールドがイン
ターレス方式である場合は、連続する画像フレームの列
電極１８に供給するアナログ・データ電圧は、長期的に
みて直流電圧成分がゼロになるように、極性が反対にな
る。各画像フレームは、２つの画像フィールドから成
り、各画像フィールドは、アドレス指定可能なラインの
半分で構成される。

【００３８】上述の説明で明かなように、各溝２０を満
たすイオン化可能なガスは、データ・ストローブ回路２
８によって供給された電圧に応じて、２つの切替状態の
間を接点位置が変化する電気スイッチ９０として機能す
る。図１６において、開放位置にあるスイッチ９０は、
基準電極３０に接続されており、行電極６２に供給され
るストローブ・パルスによって駆動される。ストローブ
・パルスが無いと、溝２０内のガスは、イオン化してい
ない状態となり、このため、非導通状態となる。図１６
に示すスイッチ９０が閉じた状態では、基準電極３０と
接続しており、行電極６２に供給されると共に、溝２０
内のガスをイオン化するに足りるだけの強さのストロー
ブ・パルスによって駆動され、これによって導通状態と
なる。図１６では、データ・ストローブ回路２８の３個
の出力増幅器のうちの中央のものが、キャパシタ・モデ
ル８０の行をストローブし、ここに表示データ電圧を供
給して蓄積する。

【００３９】スイッチとして機能するためには、ガラス
製の電極構体４０の下の溝２０内に入っているイオン化
可能なガスは、誘電体材料層４６と協動し、誘電体材料
層４６から基準電極３０へと導電路を形成する。ストロ
ーブ・パルスを受ける行電極６２を有する溝２０の中の
プラズマは、このプラズマに隣合わせて位置する液晶材
料の部分を表すキャパシタ・モデル８０への接地通路を
形成する。このことにより、列電極１８に供給されたア
ナログ・データ電圧を、キャパシタ・モデル８０がサン
プルできるようになる。プラズマが消失すると、導電路
がなくなる。このため、表示素子にサンプルされたデー
タが保持される。後続する画像フィールドの新しいライ
ンのデータを表す電圧が電気光学材料層に生じるまで、
電圧は電気光学材料層４４に蓄積されたままである。上
述のアドレス指定装置及びその技術は、表示素子１６の
毎に１００％のデューティ・サイクルの信号を与える。

【００４０】電極構体４２は、製造及び動作の考慮する
点により制限を受ける。行電極３０及び基準電極６２
は、それらの導電性を干渉する欠陥があってはならな
い。電極構体に関しては、単位面積当たりの表示素子の
数により、（プラズマ・アドレス指定液晶表示システム
又はビデオ・カメラの場合は、）解像度が決まり、単位
面積当たりのメモリ位置の数により、（蓄積システムの
場合は、）メモリ密度が決まる。多くのアプリケーショ
ンで望まれるように、解像度又はメモリ密度を高くする
と、溝２０が狭く且つ間隔が近接することになる。溝２
０が狭くなるほど、底面部６０が狭くなる。底面部６０
の幅は、行電極３０及び基準電極６２の幅を制限する。
電極３０及び６２の両方又は一方が薄いとき、製造上の
欠陥により適切な導電性が得られないおそれがある。

【００４１】１４９特許に記載された装置の応用分野で
は、高い解像度又はデータ密度が要求されるので、上述
の問題は、電極構体の経済的な製造を抑制する。この抑
制は、高解像度カラー表示器では、特に重要である。

【００４２】図１は１４９特許に記載されるシステムで
使用される本発明の原理の電極構体１００を示す断面図
である。図１に示す様に、電極構体１００は、ガラスの
様な誘電体基板を有する。交差しない電極１０４、１０
６、１０８、１１０及び１１２は、基板１０２の主面１
１４上に導電性材料により形成される。各電極１０４、
１０６、１０８、１１０及び１１２は、幅ｄを有し、基
準電極３０及び行電極６２に関して図１２に示す様に、
同じ方向に主面１１４に沿って延びる。

【００４３】絶縁性の交差しない、公称上高さの等しい
壁部１１６、１１８、１２０、１２２及び１２４は、夫
々電極１０４、１０６、１０８、１１０及び１１２の基
板と反対側の面の中央に配置され、電極の長手方向に沿
って延びる。壁部１１６、１１８、１２０、１２２及び
１２４の上面は、好適にはガラス、プラスチック又はマ
イカである誘電体層即ちカバー１２６を支持する。壁部
１１６、１１８、１２０、１２２及び１２４は、夫々電
極１０４、１０６、１０８、１１０及び１１２と共に電
極構体１００の溝形成部１２８、１３０、１３２、１３
４及び１３６を形成する。隣接する溝形成部は、カバー
１２６及び基板１０２の主面と共に、イオン化可能なガ
ス媒体を含む溝を形成する。特に、溝形成部１２８及び
１３０、１３０及び１３２、１３２及び１３４、１３４
及び１３６の対は、図１に示す４個の完成された溝１２
９、１３１、１３３及び１３５を夫々形成する。当然の
ことながら、電極構造１００は、溝形成部１２８及び１
３６の夫々により部分的に表された溝１２７及び１３７
の様に他に多数の溝を有する。各電極１０４、１０６、
１０８、１１０及び１１２は、２つの隣接する溝の各々
内に表面を有する。

【００４４】電極構体１００は、当業者には周知の種々
の処理により製造可能である。例えば、電極１００は、
シルクスクリーン又は、後でフォトパターニングを行う
蒸着若しくはパターニングにより形成できる。

【００４５】図１は、相互に直角なＸ、Ｙ及びＺの３つ
の軸を示す。Ｘ軸は基板１０２の主面１１４に平行であ
り、Ｙ軸は主面１１４に直角であり、Ｘ軸は図１の紙面
に直角である。電極構体１００は、Ｘ軸及びＹ軸に沿っ
て左右に延び、Ｚ軸に沿って図１の紙面の外に延びる。

【００４６】各溝は、Ｘ軸に沿って測定した幅ｘ及びＹ
軸に沿って測定した高さｙを有する。電極の幅ｄは、壁
部１１６の様な壁部の幅よりも十分に広い。よって、各
電極は、溝の幅ｘの一部分で各溝に延びる。

【００４７】電極構体１００の利点は、最小電極外形サ
イズは、各電極の幅ｄであることでる。許容可能な電極
構体の高い歩留まりは、最小電極外形サイズを大きくす
ることにより得られる。その理由は、電極外形サイズが
大きくなると、それが小さいよりも電極の長手方向に沿
った導電性が維持されるので、パターニングの欠陥、粉
塵及び製造上の変化の影響が減少するからである。図１
を図１２及び図１３と比較すると、特定の幅ｘの溝に関
して、図１２及び図１３の電極構体４２の最小電極外形
サイズ（図１２及び図１３に示す基準電極３０又は行電
極６２の夫々の幅より小さい）は、図１に示す電極構体
１００の最小電極外形サイズｄよりもかなり小さい。

【００４８】電極構体１００には、その電気的構造及び
動作による更なる利点がある。特定の溝幅ｘでは、図１
の電極の幅は、図１２及び図１３の基準電極３０又は行
電極６２の幅よりも広い。よって、図１に電極１０４、
１０６、１０８、１１０及び１１２の様な電極に沿った
電圧降下は、図１２及び図１３の基準電極３０又は行電
極６２に沿った電圧降下よりも小さくなる。電圧降下が
小さくなる程、長い溝を形成することができる。その理
由は、必要な長さの電極は、それらの長い溝の中間でガ
スのイオン化を行い且つ維持することができるからであ
る。

【００４９】更に、電極構体１００は、図１２及び図１
３の電極構体の電極の半分の電極を有する。電極構体１
００は、電極１０４、１０６、１０８、１１０及び１１
２の様な電極に接続される電気接点（図示せず）が形成
される基板上に通常は形成される。電気的接続は、電極
及び電極を駆動する電気回路（図示せず）間の接点で行
われる。電気回路は、通常は基板の外にある。電極構体
１００が必要とする電極数は、図１２及び図１３の電極
構体４２の半分であるので、電極構体１００が必要とす
る接点も半分である。よって、電極構体１００では、各
電気接点の表面領域は、図１２及び図１３の電極構体４
２で可能な表面領域より大きな表面領域にできる。これ
により、上述した理由で電極構体１００の製造歩留まり
を増加させるばかりでなく、各電気接点及び外部電気回
路間の接続の信頼性を増加させる。

【００５０】基板１０２は、電極に関連する電子回路を
基板１０２上又は内に製造できる材料から成る。例え
ば、基板１０２がシリコンであれば、ある電子回路は、
ポリシリコンで形成してもよい。

【００５１】電極構体１００は、１４９特許に記載され
たように、表示又はメモリ・システムでシステム内の下
側の電極として使用される。溝１２７、１２９、１３
１、１３３、１３５及び１３７の様な電極構体の１００
の溝は、イオン化可能なガスで満たされ、表示器又はメ
モリ・システムは、１４９特許に記載されたように、特
定の溝内のガスを選択的にイオン化することにより動作
する。

【００５２】しかし、図１の電極構体１００は、電気的
構造及び動作の上で、図１２及び図１３の電極構体と異
なる。

【００５３】電極構体１００では、特定の溝（例えば、
溝１２９）に含まれるガスは、溝を形成する溝形成部
（例えば、溝形成部１２８、１３０）内の隣合う１対の
電極（例えば、電極１０４、１０６）間に電圧を供給し
た際に、イオン化される。よって、電極構体１００の２
つの隣合う電極は、それらの間の溝（例えば、溝１２
９）内のイオン化可能なガスをイオン化するために電圧
が供給されるとき、電圧が供給された２つの電極の一方
が内部に延びる他の２つの溝（例えば、溝１２７、１３
１）内のイオン化可能なガスもイオン化される。例え
ば、カソードとして駆動される電極は、各溝の他方側の
電極が接地電位に接続されていれば、その電極が露出さ
れた各溝内のイオン化可能なガス媒体をイオン化する。
表示素子又は蓄積素子が確実に適切に動作するように、
不要なイオン化状態が溝内に含まれるガスに確実に生じ
ないようにすることが重要である。

【００５４】電極構体１００で選択されない溝内に含ま
れるガスの不要なイオン化を防止するためには、満足す
べき３つの条件がある。

【００５５】第１に、いずれの溝内のガスも、走査シー
ケンスの適切な瞬間のみにイオン化することである。こ
の条件は、溝電極に非適切な電圧が存在による選択され
ない溝内のガスの誤ったイオン化を防止するだけでな
く、選択されない溝内に蓄積された電荷による疑似的な
誤ったイオン化も防止する。

【００５６】第２に、各溝電極に供給される電極駆動信
号のデューティ・サイクルは、小さく且つ駆動される全
ての電極に対して略一定である必要があり、電極駆動信
号は溝内のガスのイオン化を完了した時点で接地電位に
戻る必要がある。デューティ・サイクルを小さく且つ略
一定にする理由は、溝電極に供給される駆動信号電圧
は、液晶材料に容量的に結合され、それに蓄積される電
圧に影響を与えるので、デューティ・サイクルの大きい
信号は、蓄積される電圧にクロストークの形で大いに影
響を与える。接地電位に戻すことが望ましい理由は、そ
うでなければ、クロストークを最小限にするために、非
接地電位にデータ駆動電圧を重畳する即ち「フローティ
ング」することが必要となるからである。

【００５７】第３に、溝電極駆動信号電圧は、図２及び
図３に示す電極構体４２の構造の様な単一溝構造の駆動
電極構体に使用される電圧と同じ又は低いことが望まし
い。この条件は、現在使用される駆動回路の電圧を抑制
する。

【００５８】図２は、図１の共通の溝電極に駆動信号を
供給する溝電極出力増幅器を示す。図３は、溝に含まれ
るガスが、電極構体１００の１行走査動作を次々に行
い、選択的にイオン化するための駆動信号のタイミング
及び電圧レベルの関係を示す。説明を明瞭にするため
に、出力増幅器Ｅ3、Ｅ4、Ｅ5、Ｅ6及びＥ7は共通溝電
極１０４、１０６、１０８、１１０及び１１２の夫々を
駆動するように示されおり、溝１２９、１３１、１３３
及び１３５は、電極構体１００の特定されない４個の溝
を表す。

【００５９】図２及び図３を参照すると、溝電極は、次
の方法で駆動される。通常は、各駆動器は、２個の隣合
う溝に共通な電極に順番に駆動信号電圧パルスを供給す
る。垂直同期パルスは、Ｎ個のチャンネルのフレーム走
査又は選択動作を開始させ、Ｎ個の水平同期パルスの各
々は、各溝の選択を終了させる。

【００６０】溝１２９の選択の初めには、電極１０４及
び１０６に供給される信号Ｅ3及びＥ4間の電位差は３０
０ボルトであり、この電圧は、溝１２９内の電極１０４
及び１０６間のガスをイオン化させるには十分である。
電極１０６及び１０８の夫々に供給される信号Ｅ4及び
Ｅ5間、電極１０８及び１１０の夫々に供給される信号
Ｅ5及びＥ6間の電位差は１５０ボルトであり、この電位
差は、溝１３１及び１３３内のガスのイオン化を維持又
は開始するには不十分である。出力増幅器Ｅ4は、次に
選択される溝（溝１３１）に中間電位差１５０ボルトを
供給し、最大３００ボルト電位差から次の選択される溝
のためにバッファとして働く。１行の選択の終了近く
で、電極１０６に供給されるアドレス指定信号は−１５
０ボルト・レベルに増加し、イオン化減衰時間を短縮す
る。

【００６１】溝１３１の選択の開始の際、電極１０６に
供給される信号Ｅ4は接地電位に増加し、電極１０８に
供給される信号Ｅ5は−３００ボルトに減少し、よっ
て、溝１３１内の電極１０６及び１０８間に３００ボル
トの電位差が生じ、ガスをイオン化する。電極１１０に
供給される駆動信号Ｅ6は、この時点で−１５０ボルト
に減少し、次に選択される溝（溝１３３）がイオン化さ
れないようにする。選択された溝に供給される信号は、
次に選択されるべき溝を選択した時に接地電位に戻り、
これにより、直前に選択された溝内に蓄積された電圧に
よるイオン化を防止する。

【００６２】図３は、この処理がＮ個の溝が選択される
まで各溝に対して続けられることを示している。処理
は、次の垂直同期パルスを受け取ったときに再開する。
図３は、走査動作の開始後に駆動される最初の２個の電
極に供給されるＥ1及びＥ2は、残りの電極に順番に供給
される信号とは異なることを示している。その理由は、
これの電極には、選択される最初の溝に共通であり、こ
れにより、直前にイオン化された隣の溝に続いてイオン
化されることがない。

【００６３】図４〜１０は、本発明に関連した電極構体
の他の例を１００Ａ〜１００Ｇを夫々示すが、その内、
特に、図６が、本発明の好適な実施例を示す。図４〜図
１０は図１と同様の断面図であるが、簡略のためにＸ、
Ｙ及びＺ軸が省かれている。図４〜図１０では、図１の
構成要素に対応するものは、図４〜図１０に関する添字
Ａ〜Ｇが付けられた同一の参照番号が付されている。図
４〜図１０の他の実施例１００Ａ〜１００Ｇは、上述の
様に構成され、駆動される。

【００６４】図１を参照すると、電極構造１００では、
電極の幾つか又は全部が透明な材料で形成されている。
この様な材料で電極を形成することで、表示システムを
通過できる光の量が増加するので、表示システムの性能
が改善できる。このことは、表示の明るい及び暗い領域
間のコントラストを改善する。例えば、電極構体１００
を目に光が見えるように動作する表示器内で使用するの
であれば、電極１０４、１０６、１０８、１１０及び１
１２の幾つか又は全部を酸化インジウム錫で形成しても
よい。

【００６５】電極構体では、電極の腐食に対する抵抗性
を高めるために、金属のカソードとして働く電極を形成
することが望ましい。金属は、通常は不透明である。図
１に示す電極構体１００が、第１直流構造（即ち、カソ
ード及びアノードが交互になった構造）で構成され、駆
動される場合、カソードとして構成される電極が金属で
形成されるとき、アノードとして構成される電極は、例
えば酸化インジウム錫である透明材料で形成できる。ア
ノードの光透過性は、非光透過性の材料で形成されてい
る交互の電極による通過光の減少をある程度抑制する。

【００６６】酸化インジウム錫の様な光透過性材料は、
金属ほどには導電性が良くない。図１に示す金属の幾つ
か又は全てを、酸化インジウム錫の様な透明材料で形成
すると、この様な電極は、溝の長手方向に沿ったイオン
化を開始又は維持するには、導電性が不十分であるかも
しれない。

【００６７】図４は、直前に述べた問題を解決する本発
明による電極構体に関連した第２の例１００Ａを示す。
図４において、各電極１０４Ａ、１０６Ａ、１０８Ａ、
１１０Ａ及び１１２Ａ）は、導電性（好適には金属の）
電流バス１０４Ａ’、１０６Ａ’、１０８Ａ’、１１０
Ａ’及び１１２Ａ’を含む。各電流バス１０４Ａ’、１
０６Ａ’、１０８Ａ’、１１０Ａ’及び１１２Ａ’は、
導電性（好適には透明の）分配バス１０４Ａ’’、１０
６Ａ’’、１０８Ａ’’、１１０Ａ’’及び１１２
Ａ’’に夫々電気的に接続される。各電流バス１０４
Ａ’、１０６Ａ’、１０８Ａ’、１１０Ａ’及び１１２
Ａ’は、夫々の分配バス１０４Ａ’’、１０６Ａ’’、
１０８Ａ’’、１１０Ａ’’及び１１２Ａ’’と、夫々
の壁部１１６、１１８、１２０、１２２及び１２４と共
に、溝形成部１０４Ａ、１０６Ａ、１０８Ａ、１１０Ａ
及び１１２Ａを夫々構成する。分配バスの幅ｇは、分配
バスが、それが一部を形成する溝の中央でイオン化を開
始及び維持できるように選択される。

【００６８】図４は、基板１０２と接触する各電流バス
１０４Ａ’、１０６Ａ’、１０８Ａ’、１１０Ａ’及び
１１２Ａ’を示す。図４は、更に、関連する壁部１１
６、１１８、１２０、１２２及び１２４と夫々接触する
分配バス１０４Ａ’’、１０６Ａ’’、１０８Ａ’’、
１１０Ａ’’及び１１２Ａ’’を示す。更に別の例とし
て、（１）各電流バスは、その対応する壁部と接触し、
各分配バスは、基板１１４と接触するようにしてもよい
し、又は（２）壁部１１６、１１８、１２０、１２２及
び１２４の各々と、対応する各電流バス１０４Ａ’、１
０６Ａ’、１０８Ａ’、１１０Ａ’及び１１２Ａ’との
間に存在する分配バス１０４Ａ’’、１０６Ａ’’、１
０８Ａ’’、１１０Ａ’’及び１１２Ａ’’の層を除外
することができる。

【００６９】図４に示す構体では、各電流バス部分は、
溝の長手方向に沿ったイオン化を開始し、維持するのに
十分な電流を効率良く伝達するように、各電流バス部分
は適切な材料で構成され、サイズが決められ、形成され
る。各電流バスは、その対応する壁部の下にあるので、
電流バスは、電極構体１１０Ａを介した光の通過に悪影
響を与えない。

【００７０】図５は、本発明に関連した電極構体の第３
の例である。図１０において、基板１０２は、導電性電
極１０４Ｂ、１０６Ｂ、１０８Ｂ、１１０Ｂ及び１１２
Ｂを支持する。これらの電極は、非導電性壁部１１６、
１１８、１２０、１２２及び１２４に夫々対応する。各
電極及びその対応する壁部と共に、溝形成部１２８Ｂ、
１３０Ｂ、１３２Ｂ、１３４Ｂ及び１３６Ｂの対応する
１つの形成する。基板１０２、溝形成部及びカバー１２
６は、動作上、イオン化可能なガスで満たされる溝１２
７Ｂ、１２９Ｂ、１３１Ｂ、１３３Ｂ、１３５Ｂ及び１
３７Ｂを形成する。各表面１３８は主面上の高さがｈで
あり、各電極の幅はｉである。

【００７１】図５では、各電極は対応する壁部の真下に
あり、壁部からはみ出さない。電極構体１００Ｂ内の電
極の高さ及び幅は十分に大きく、適切な電流が電極の各
側部１３８へ又は各側部１３８から流れて、電極により
一部が形成される溝の各々の中央でイオン化を開始し又
は維持する。必要であれば、図５に示す電極は、その対
応する壁部の下から外に延び、電極の幅ｉは図１の電極
構体１００の幅ｄ又は図４の電極構体１００Ａの幅ｇと
は同じにはならない。

【００７２】電極構体１００Ｂには、その電極の各々が
その対応する壁部の下に隠れて存在するという利点があ
る。この構造では、電極（たとえ、これらが金属の様な
不透明の材料で形成されたとしても）は、電極構体１０
０Ｂの光透過性に実質的に悪影響を与えない。たとえ、
電極が不透明であっても、それらが対応する各壁部の下
から外に出る距離が小さいければ、電極構体１００Ｂの
光透過性に実質的に悪影響を与えない。

【００７３】電極構体１００Ｂは、図１と関係して説明
したと同じ処理で製造される。

【００７４】図６は、本発明に関連した電極構体の第３
の例１００Ｃを示す。図６では、基板１０２は、導電性
電極１０４Ｃ、１０６Ｃ、１０８Ｃ、１１０Ｃ及び１１
２Ｃを支持する。各電極は、上面１４２及び側面１４４
を有する。これらの電極の上には、ファイバを含む非導
電性壁部１１６Ｃ、１１８Ｃ、１２０Ｃ、１２２Ｃ及び
１２４Ｃが夫々存在する。例えば、壁部１１６Ｃ、１１
８Ｃ、１２０Ｃ、１２２Ｃ及び１２４Ｃ内に含まれるフ
ァイバは、ガラス・ファイバ又はオプティカル・ファイ
バでよい。各電極１０４Ｃ、１０６Ｃ、１０８Ｃ、１１
０Ｃ及び１１２Ｃと、その対応する壁部１１６Ｃ、１１
８Ｃ、１２０Ｃ、１２２Ｃ及び１２４Ｃとは、溝形成部
１２８Ｃ、１３０Ｃ、１３２Ｃ、１３４Ｃ及び１３６Ｃ
の１つを含む。基板１０２と、溝形成部１２８Ｃ、１３
０Ｃ、１３２Ｃ、１３４Ｃ及び１３６Ｃと、カバー１２
６は、溝１２７Ｃ、１２９Ｃ、１３１Ｃ、１３３Ｃ、１
３５Ｃ及び１３７Ｃを形成する。

【００７５】図６において、電極１０４Ｃの様な電極
は、高さｊ及び幅ｋを有する。壁部１１６Ｃの様な壁部
は、電極１０４Ｃの上面１４２全体を覆わない。よっ
て、電極構体１００Ｃでは、電極は、プラズマ放電に関
係する電流を伝送するために各溝に対して露出された付
加的表面を有する。図６では、高さｊ及び幅ｋは十分大
きく選択され、適切な電流が各電極の側面１４４及び露
出された上面１４２に対して流れ、その電極により一部
が構成される各溝の中央でイオン化を開始し、維持す
る。

【００７６】図６の電極構体１００Ｃは、電極１０４Ｃ
の様な電極上に壁部１１６Ｃの様なファイバを配置する
ことにより形成される。図６の電極１０４Ｃの様な電極
は、図１を参照して説明した処理により形成される。

【００７７】図６の電極１０４Ｃの様な電極は、壁部１
１６Ｃの様な壁部及び基板１０２の主面１１４に効果的
に結合する基板で形成される。基板１０２は、ガラスで
形成してもよい。壁部１１６Ｃの様な壁部はガラス・フ
ァイバで形成されると、電極１０４Ｃの様な各電極は、
ニッケル・ペースト・フリットで形成してもよい。壁部
１１６Ｃの様な壁部が電極１０４Ｃの様な対応する電極
上に配置された後、基板１０２、電極１０４Ｃの様な電
極、及び壁部１１６Ｃの様な壁部は、ニッケル・ペース
ト・フリットを同時に溶かすために加熱される。溶解し
たニッケル・ペースト・フリットは、導電性であり、ガ
ラス面に接着する。この方法では、電極１０４Ｃの様な
電極は接着剤として働き、壁部１１６Ｃの様な壁部を基
板１０２と一体構造に保持する。

【００７８】図７は、本発明に関連した第５の例１００
Ｄを示す。図７では、基板１０２は、導電性電極１０４
Ｄ、１０６Ｄ、１０８Ｄ、１１０Ｄ及び１１２Ｄを支持
する。各電極は、その電極が一部を形成する２つの溝の
各々に露出された表面１４６を有する。各電極１０４
Ｄ、１０６Ｄ、１０８Ｄ、１１０Ｄ及び１１２Ｄは、非
導電性の壁部１１６Ｄ、１１８Ｄ、１２０Ｄ、１２２Ｄ
及び１２４Ｄに夫々接触する。各壁部は、ファイバを含
む。壁部１１６Ｄ、１１８Ｄ、１２０Ｄ、１２２Ｄ及び
１２４Ｄ内に含まれるファイバは、ガラス・ファイバ及
びオプティカル・ファイバの両方又は一方でよい。各電
極１０４Ｄ、１０６Ｄ、１０８Ｄ、１１０Ｄ及び１１２
Ｄと、対応する壁部とは、溝形成部１２８Ｄ、１３０
Ｄ、１３２Ｄ、１３４Ｄ及び１３６Ｄの１つの含む。カ
バー１２６は、溝形成部上にある。基板１０２と、溝形
成部１２８Ｄ、１３０Ｄ、１３２Ｄ、１３４Ｄ及び１３
６Ｄと、カバー１２６とは、溝１２７、１２９、１３
１、１３３、１３５及び１３７を形成する。

【００７９】図７の電極構体１００Ｄは、各壁部上にそ
の壁部に関係する電極として働く材料層を被着すること
により形成される。電極材料から成る付着された層を有
する各壁部は、基板１０２上に配置及び付着される。

【００８０】各壁部（例えば、壁部１１６Ｄ）及びその
電極（例えば、１０４Ｄ）に関して、壁部の直径ｍ及び
壁部上の電極の厚さｌが決められる。この決められた直
径ｍ及び厚さｌにより、電極が付着された壁部が基板１
０２に付着された後に、電極の面１４６が十分に露出さ
れて、電極により一部が形成される各溝内でイオン化が
行われ、維持されるようなり、且つ十分な厚さｌにより
適切な動作寿命を有する。

【００８１】図８は、本発明による電極構体の好適な実
施例１００Ｅを示す。図８の電極１００Ｅは、図１に示
す電極構体１００と略同一であるが、図８では、電極１
０６Ｅ及び１１０Ｅの幅ｎが、電極１０４Ｅ、１０８Ｅ
及び１１２Ｅの幅ｏよりも広い。

【００８２】更に、図８の電極構体１００Ｅでは、幅が
広い方の各電極１０６Ｅ及び１１０Ｅは、その電極と関
係する対応する壁部の各側で溝内に距離ｎ’だけ延び、
幅が狭い方の各電極は、１０４Ｅ、１０８Ｅ及び１１２
Ｅは、各電極の各側で溝内に距離ｏ’だけ延びる。これ
らの電極を結合した幅ｎ’＋ｏ’は、各溝１２７Ｅ、１
２９Ｅ、１３１Ｅ、１３３Ｅ及び１３５Ｅの幅ＸEの大
部分を占める。各溝は、基板１０２の主面１１４上に高
さＹEを有する。

【００８３】図８の電極構体１００Ｅでは、幅の広い方
の電極（例えば、１０６Ｅ及び１１０Ｅ）は、好適に
は、透明な材料で形成される。例えば、電極構体１００
Ｅが光の見えるように動作する場合、幅の広い方の電極
１０６Ｅ及び１０Ｅは酸化インジウム錫で形成されもよ
い。幅の狭い方の電極１２８Ｅ、１３２Ｅ及び１３６Ｅ
は、不透明材料（例えば、金属）で形成してもよい。電
極構体１００Ｅは、光に対して十分に透明な溝のＸEの
大部分を占めるといる長所がある。上述の様に、このこ
とは、電極構体１００Ｅを表示システムに使用した場合
に、コントラストが向上する。

【００８４】光に関して十分に透明な酸化インジウムの
様な材料は、導体としては不透明な金属ほど良好ではな
い。よって、幅の広い電極１０６Ｅ及び１１０Ｅは、ア
ノードとして電気的に形成されることが最もよい。各溝
内で露出された幅の広い方の電極の幅ｎ’は、露出表面
積を広くするので、その性能が改善される。

【００８５】図９は、本発明の好適な他の実施例１００
Ｆを示す。図９は、図８と略等しい。しかし、図９にお
いては、導電性電流バス１０６’Ｆ及び１０８’Ｆと、
導電性分配バス１０６’’Ｆ及び１０８’’Ｆとが、図
８の電極１０６Ｅ及び１０８Ｅと置換されている。図４
の電極構体１００Ａが図１の電極構体１１０に対し有す
る利点と同様の利点を、図９の電極構体１００Ｆは図８
の電極構体１００Ｅに対し有する。更に、本発明と同時
に出願された他の米国特許出願は、トム・Ｓ・ブザック
等による「Anode and Cathodes Arrangement for Plasm
a Addressing Structure」には、図８の電極構体１００
Ｅ及び図９の電極構体１００Ｆが有益な結果をもたらす
他の方法を開示している。特に図８を参照すると、幅の
広い電極１０６Ｅ及び１１０Ｅがそれらが一部を形成す
る溝内に延びる距離ｎ’は、幅ＸEに対する溝の高さＹE
の比を、１４９特許に記載された電極構造の高さに比較
して減少させる。上述の他の特許出願で詳述するよう
に、種々の有益な結果が比の減少に起因している。それ
らの有益な結果は、本発明の（図８の電極構体１００Ｅ
及び図９の電極構体１００Ｆの様な）電極構造で得られ
る。これらの利点が、図１、図４、図６、図７及び図９
の夫々電極構体１００、１００Ａ、１００Ｃ、１００Ｄ
及び１００Ｆでもたらされる。

【００８６】図１０は、本発明に関連した他の例１００
Ｇを示す。図１０では、電極構体１００Ｇは、減法処理
により積層された半加工品から形成される。積層された
半加工品は、基板１０２、基板１０２と接触した導電性
材料の略平坦な層、及び導電性材料の層と接触する絶縁
材料の層を有する。減法処理（好適にはエッチング）
は、絶縁材料層、導電性材料層及び基板１０２の一部を
部分的に除去する。その結果、電極構体１００Ｇが出来
上がる。

【００８７】電極構体１００Ｇは、減法処理により材料
を除去して溝１２７Ｇ、１２９Ｇ、１３１Ｇ、１３３
Ｇ、１３５Ｇ及び１３７Ｇを形成する領域間に残った溝
形成部１２８Ｇ、１３０Ｇ、１３２Ｇ、１３４Ｇ及び１
３６Ｇを有する。溝形成部は、交差しない。

【００８８】各溝形成部は、導電性材料の略平坦な層の
残りの部分を有する。この残りの部分は、溝形成部１２
８Ｇ、１３０Ｇ、１３２Ｇ、１３４Ｇ及び１３６Ｇのた
めの夫々電極１０４Ｇ、１０６Ｇ、１０８Ｇ、１１０Ｇ
及び１１２Ｇを構成する。各電極は、溝形成部の一方側
に露出された一面及び溝形成部の他方側に露出された他
面を有する。この様に、各電極は、２つの隣接する溝の
各々に露出された面を有する。

【００８９】各溝形成部は、導電性材料層と接触する絶
縁材料の層の残りの部分を含む。この残りの部分は、夫
々溝形成部１２８Ｇ、１３０Ｇ、１３２Ｇ、１３４Ｇ及
び１３６Ｇの壁部１１６Ｇ、１１８Ｇ、１２０Ｇ、１２
２Ｇ及び１２４Ｇを形成する。各壁部は、カバー１２６
から対応する電極を分離する。

【００９０】本発明の好適実施例及び関連例による図
１、図４〜図１０の電極構体１００〜１００Ｇの様な電
極構体を使用する装置の最適の動作パラメータは、電極
の材料及び溝の外形に応じて変化することは、当業者に
は周知である。この様な動作パラメータには、溝を満た
すために使用されるイオン化可能なガスと、ガス状態を
維持するための圧力と、溝内でイオン化を開始し、維持
するための使用される電圧及び電流とがある。当業者に
は、最適な動作パラメータを決定することは容易であ
る。

【００９１】例えば、本発明による電極構体の図１に示
す第１の実施例は、１５０ミリバールの圧力で、イオン
化可能なガス媒体ヘリウムを有する。溝は、Ｚ軸方向に
測定した長さが約３４.３ｃｍであり、間隔（溝上の対
応する点間のＺ軸に沿って測定した間隔）が約０.５ｃ
ｍである。各溝の幅ｘは、約０.４３ｍｍである。各溝
は、Ｙ軸に平行に基板１０２及びカバー１２６間の長さ
は約０.１５ｍｍである。電極はアルミニウムから成
り、距離ｄは約０.１８ｍｍであり、電極はＹ軸の方向
に測定した厚さが約２μｍである。電極間の最大電位
は、約４００ボルトであり、電極間の最大電流は約１５
０ミリアンペアである。

【００９２】

【発明の効果】基板上に形成した複数の電極の各々を隣
合う溝に共通に使用できるので、形成する電極の数が半
減し、且つ各電極の幅を広くすることができるので、電
極構体の製造歩留まりが向上する。また、複数の電極
は、透明材料の電極及び不透明材料の電極が交互に配置
されているので、通過光の減少を抑制できる。この際、
透明材料の電極は導電性が良くないが、電気的特性を良
くするために幅を広くしても通過光に影響を与えないで
すむ。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による電極構体に関連した例を示す部分
断面図である。

【図２】図１に駆動信号供給用の出力増幅器を追加した
部分断面図である。

【図３】本発明による電極構体の行走査動作を実現する
ための駆動信号を示すタイミング図である。

【図４】本発明による電極構体に関連した他の例を示す
部分断面図である。

【図５】本発明による電極構体に関連した別の例を示す
部分断面図である。

【図６】本発明による電極構体に関連した更に他の例を
示す部分断面図である。

【図７】本発明による電極構体に関連した更に別の例を
示す部分断面図である。

【図８】本発明による電極構体の第１実施例を示す部分
断面図である。

【図９】本発明による電極構体の第２実施例を示す部分
断面図である。

【図１０】本発明による電極構体に関連した他の例を示
す部分断面図である。

【図１１】従来の表示システムを示す簡略図である。

【図１２】表示パネルを形成する従来の電極構体を示す
拡大部分斜視図である。

【図１３】図１２の表示パネルの部分正面図である。

【図１４】図１３の線４−４に沿った断面図である。

【図１５】図１３の線５−５に沿った断面図である。

【図１６】図１２の電極構体のスイッチ動作を説明する
ための図。

【符号の説明】

１０２絶縁性基板１２６誘電体カバー１０４〜１１２電極１１６〜１２４絶縁性壁部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者トーマス・エス・ブザックアメリカ合衆国オレゴン州97007 アロハサウス・ウェストワンハンドレッド・シックスティース 7130 (56)参考文献特開平４−265930（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) G02F 1/1333 G02F 1/1343 H01J 1/00 H01J 17/00

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の溝内に満たしたイオン化可能なガ
スを選択的にイオン化してアドレス指定するプラズマ・
アドレス指定装置用電極構体であって、該電極構体は、絶縁性基板と、誘電体カバーと、上記絶縁性基板上に略平行に形成された複数の電極と、該複数の電極上に各々が形成され、上記誘電体カバーを
支持すると共に上記複数の溝を形成する複数の絶縁性壁
部とを具え、上記複数の電極の各々は、隣接する１対の上記溝内に露
出し、上記複数の電極は、透明材料の電極及び不透明材料の電
極が交互に配置されていることを特徴とするプラズマ・
アドレス指定装置用電極構体。