JP2766189B2 - シリコン結晶の改良成長方法 - Google Patents
シリコン結晶の改良成長方法Info
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体結晶、特にシリ
コン結晶の成長方法、および半導体結晶の成長装置に関
する。
コン結晶の成長方法、および半導体結晶の成長装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】シリコン単結晶は、集積回路を製造する
出発材料として広く使用されている。シリコン単結晶を
製造する典型的な方法は、いわゆる「チョクラルスキー
法」であり、これにより、小さい種単結晶を溶融シリコ
ンに漬けて、溶融シリコンからゆっくりと引き上げる
が、典型的には、引き上げと同時に結晶を回転させる。
このようにして、単結晶を大きなシリコン結晶またはブ
ール（boule）に成長させる。
出発材料として広く使用されている。シリコン単結晶を
製造する典型的な方法は、いわゆる「チョクラルスキー
法」であり、これにより、小さい種単結晶を溶融シリコ
ンに漬けて、溶融シリコンからゆっくりと引き上げる
が、典型的には、引き上げと同時に結晶を回転させる。
このようにして、単結晶を大きなシリコン結晶またはブ
ール（boule）に成長させる。
【０００３】高品質のシリコン結晶を製造するために、
結晶成長に影響する条件（例えば、温度、圧力、不純物
および引き上げ速度）を注意深く制御する。加えて、不
純物を、「ドーパント」として溶融シリコン中に意図的
に導入して、生成結晶の電気的特性を変える。しかし、
時々、不純物が、偶然に溶融シリコンを汚染して、結晶
成長が阻害され、典型的には不純物が隙間位置または空
きの位置に沈殿することによって阻害され、結晶格子に
応力（ストレス）を与える。
結晶成長に影響する条件（例えば、温度、圧力、不純物
および引き上げ速度）を注意深く制御する。加えて、不
純物を、「ドーパント」として溶融シリコン中に意図的
に導入して、生成結晶の電気的特性を変える。しかし、
時々、不純物が、偶然に溶融シリコンを汚染して、結晶
成長が阻害され、典型的には不純物が隙間位置または空
きの位置に沈殿することによって阻害され、結晶格子に
応力（ストレス）を与える。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従って、不純物によっ
て生じる結晶成長の阻害を減少させることによって従来
のチョクラルスキー法を改良する必要がある。
て生じる結晶成長の阻害を減少させることによって従来
のチョクラルスキー法を改良する必要がある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、シリコン結晶
を成長させるチョクラルスキー法を改良すること、特に
予め酸化されたヒ素ドーパントを溶融シリコン源に添加
することによって改良することにある。ヒ素ドーパント
は、金属ヒ素、または金属ヒ素およびシリコンの化合物
のいずれかを含んでなり、酸化物表面膜を有する。表面
膜は１０μｍ〜１ｍｍの範囲の厚さを有することが好ま
しい。過剰な予備酸化ドーパントは、溶融シリコン源を
移動して成長結晶から離し、次いで適用温度を上昇する
ことによって、燃焼して消失させることができる。
を成長させるチョクラルスキー法を改良すること、特に
予め酸化されたヒ素ドーパントを溶融シリコン源に添加
することによって改良することにある。ヒ素ドーパント
は、金属ヒ素、または金属ヒ素およびシリコンの化合物
のいずれかを含んでなり、酸化物表面膜を有する。表面
膜は１０μｍ〜１ｍｍの範囲の厚さを有することが好ま
しい。過剰な予備酸化ドーパントは、溶融シリコン源を
移動して成長結晶から離し、次いで適用温度を上昇する
ことによって、燃焼して消失させることができる。
【０００６】図１は、従来のチョクラルスキー法を用い
てシリコン結晶を成長させドーピングするシステムの簡
略図である。図示するように、シリコン種単結晶２が、
加熱されており回転する石英製またはグラファイト製の
ルツボ８の中に収容されている溶融シリコン６の中に漬
けられている。溶融シリコン６から種２を回転させなが
らゆっくりと引き上げることによって、種２が大きな単
結晶シリコンのインゴットまたはブール４に成長する。
てシリコン結晶を成長させドーピングするシステムの簡
略図である。図示するように、シリコン種単結晶２が、
加熱されており回転する石英製またはグラファイト製の
ルツボ８の中に収容されている溶融シリコン６の中に漬
けられている。溶融シリコン６から種２を回転させなが
らゆっくりと引き上げることによって、種２が大きな単
結晶シリコンのインゴットまたはブール４に成長する。
【０００７】システムには、炉の圧力を制御するように
アルゴンなどの不活性ガスをそれぞれ受け入れるかおよ
び放出するインレット１２およびアウトレット１４を有
しており、かつ温度および圧力が制御できるエンクロー
ジャー（囲い）１０がある。供給チューブ１６がインレ
ット１２と組み合わせられており、ヒ素のような入って
くるドーパント１８を溶融シリコン６に導いており、成
長結晶４の電気的特性が変えられる。
アルゴンなどの不活性ガスをそれぞれ受け入れるかおよ
び放出するインレット１２およびアウトレット１４を有
しており、かつ温度および圧力が制御できるエンクロー
ジャー（囲い）１０がある。供給チューブ１６がインレ
ット１２と組み合わせられており、ヒ素のような入って
くるドーパント１８を溶融シリコン６に導いており、成
長結晶４の電気的特性が変えられる。
【０００８】ドーパント１８は、成長結晶４に、実質的
に１０15〜１０20ｃｍ-3の範囲の濃度を与えるヒ素物質
であることが好ましい。ヒ素の気化温度はかなり低いの
で、シリコン６が溶融した後にヒ素ドーパント１８を加
え、気化によるドーパント１８の損失を減少させ、これ
により、インゴット４の改良された抵抗率制御を促進す
る。
に１０15〜１０20ｃｍ-3の範囲の濃度を与えるヒ素物質
であることが好ましい。ヒ素の気化温度はかなり低いの
で、シリコン６が溶融した後にヒ素ドーパント１８を加
え、気化によるドーパント１８の損失を減少させ、これ
により、インゴット４の改良された抵抗率制御を促進す
る。
【０００９】図２は、改良されたチョクラルスキー法の
工程２０、２２、２４の簡略フローチャートを示す。本
発明に従えば、方法は、予め酸化されているかまたは表
面被覆されているドーパント１８を溶融シリコン６に添
加する（工程２２）ことによって変更されている。この
ようにして、ドーパント１８および溶融シリコン６に導
入することが望ましくない酸化物不純物または他の不純
物が排除される。
工程２０、２２、２４の簡略フローチャートを示す。本
発明に従えば、方法は、予め酸化されているかまたは表
面被覆されているドーパント１８を溶融シリコン６に添
加する（工程２２）ことによって変更されている。この
ようにして、ドーパント１８および溶融シリコン６に導
入することが望ましくない酸化物不純物または他の不純
物が排除される。
【００１０】特に、そのような表面酸化は、成長シリコ
ン結晶４における酸化物バブルの形成を減少するかまた
は無くすると考えられる。例えば、ヒ素ドーパント１８
の表面を予め酸化することによって、そのようなヒ素に
よる酸素との金属反応が減少されるかまたは無くなり、
ドーパント１８上の表面酸化物のような固形不純物の反
応が安定化される。
ン結晶４における酸化物バブルの形成を減少するかまた
は無くすると考えられる。例えば、ヒ素ドーパント１８
の表面を予め酸化することによって、そのようなヒ素に
よる酸素との金属反応が減少されるかまたは無くなり、
ドーパント１８上の表面酸化物のような固形不純物の反
応が安定化される。
【００１１】結晶４の固−液界面で、特にヒ素が高度に
濃縮されている場所で、化学的または物理的反応から形
成したＡｓ2Ｏ3またはＡｓＯガスとして、プロセス時に
酸化物バブルが生じることがある。そのような位置で、
溶融シリコンが固化するとともに（即ち、１.０未満の
分布係数の結果として）、酸化物バブルが生じ得る。加
えて、酸化物バブルは石英ルツボ８に含まれているＳｉ
Ｏ2から間接的にも生じ得て、ヒ素ドーパント１８は、
それから得られた酸素と反応して、溶融シリコン６にお
ける酸化ヒ素の種々の形態を形成する。
濃縮されている場所で、化学的または物理的反応から形
成したＡｓ2Ｏ3またはＡｓＯガスとして、プロセス時に
酸化物バブルが生じることがある。そのような位置で、
溶融シリコンが固化するとともに（即ち、１.０未満の
分布係数の結果として）、酸化物バブルが生じ得る。加
えて、酸化物バブルは石英ルツボ８に含まれているＳｉ
Ｏ2から間接的にも生じ得て、ヒ素ドーパント１８は、
それから得られた酸素と反応して、溶融シリコン６にお
ける酸化ヒ素の種々の形態を形成する。
【００１２】充分に大きい（例えば、１〜２ｍｍの直径
を有する）場合に、酸化物バブルは、ストレス地点にお
いて、特に固−液シリコン界面において、結晶格子成長
を阻害し、ここからすべりが生じ、これにより結晶成長
が損なわれることがある。ドーパント１８の表面を予め
酸化することによって、ヒ素と酸素との金属反応が減少
されるかまたは無くなり、ドーパント表面上の酸化物と
いずれかの固形酸化物不純物の反応が安定化される。
を有する）場合に、酸化物バブルは、ストレス地点にお
いて、特に固−液シリコン界面において、結晶格子成長
を阻害し、ここからすべりが生じ、これにより結晶成長
が損なわれることがある。ドーパント１８の表面を予め
酸化することによって、ヒ素と酸素との金属反応が減少
されるかまたは無くなり、ドーパント表面上の酸化物と
いずれかの固形酸化物不純物の反応が安定化される。
【００１３】本発明の態様において、ドーパントは、金
属ヒ素、または金属ヒ素とシリコンとの化合物であり、
直径１〜４ｍｍの粒子として供給されることが好まし
い。そのようなドーパントは、その外表面において、膜
厚さ１０μｍ〜１ｍｍであることが好ましい酸化ヒ素の
膜で被覆されている。ドーパント１８の予備酸化は、ド
ーパント１８を室温の大気条件に１日間〜２週間さらす
ことによって行うことができる。または、予備酸化は、
酸化物からなる所望の外膜厚さを与えるのに充分である
高い温度および／または圧力の条件にある酸素にドーパ
ント１８をさらすことによって行うこともできる。
属ヒ素、または金属ヒ素とシリコンとの化合物であり、
直径１〜４ｍｍの粒子として供給されることが好まし
い。そのようなドーパントは、その外表面において、膜
厚さ１０μｍ〜１ｍｍであることが好ましい酸化ヒ素の
膜で被覆されている。ドーパント１８の予備酸化は、ド
ーパント１８を室温の大気条件に１日間〜２週間さらす
ことによって行うことができる。または、予備酸化は、
酸化物からなる所望の外膜厚さを与えるのに充分である
高い温度および／または圧力の条件にある酸素にドーパ
ント１８をさらすことによって行うこともできる。
【００１４】図１および図２に示されるように、種単結
晶２を溶融シリコン６に浸し、回転させながら溶融シリ
コン６から引き上げる（工程２０）場合に、シリコンが
成長する。成長シリコンブール４の電気的性質、例えば
抵抗率を変えるために、予め酸化された金属ヒ素または
金属ヒ素−シリコン化合物の粒子の形態でドーパント１
８を、インレットチューブ１２、１６を通過して、加え
る。１つの態様において、１００ｇの予め酸化されたド
ーパントを直径１２インチのルツボ８中の約２０ｋｇの
溶融シリコン物質６に添加することによって、１１１の
配向を有する４インチのシリコン結晶を成長させる。他
の態様において、１３０ｇの予め酸化されたドーパント
を直径１６インチのルツボ８中の約３０ｋｇの溶融シリ
コン物質６に添加することによって、１００の配向を有
する６インチのシリコン結晶を成長させる。
晶２を溶融シリコン６に浸し、回転させながら溶融シリ
コン６から引き上げる（工程２０）場合に、シリコンが
成長する。成長シリコンブール４の電気的性質、例えば
抵抗率を変えるために、予め酸化された金属ヒ素または
金属ヒ素−シリコン化合物の粒子の形態でドーパント１
８を、インレットチューブ１２、１６を通過して、加え
る。１つの態様において、１００ｇの予め酸化されたド
ーパントを直径１２インチのルツボ８中の約２０ｋｇの
溶融シリコン物質６に添加することによって、１１１の
配向を有する４インチのシリコン結晶を成長させる。他
の態様において、１３０ｇの予め酸化されたドーパント
を直径１６インチのルツボ８中の約３０ｋｇの溶融シリ
コン物質６に添加することによって、１００の配向を有
する６インチのシリコン結晶を成長させる。
【００１５】溶融シリコン源６をドーピングさせた（工
程２２）後、ルツボ８を低下させて、溶融シリコン源６
を移動させ成長結晶４から（好ましくは、初期の成長位
置から１０〜１００ｍｍの距離で）離す（工程２４）こ
とによって、酸化物不純物を無くするかまたは減少させ
ることが望ましい。次いで、いずれかの過剰の予備酸化
ドーパントまたは酸化物不純物を燃焼させるのに充分な
程度に適用温度を増加させ、温度をシリコンの融点以上
で安定化させ、好ましくは結晶４を所望の成長位置で配
置させる。
程２２）後、ルツボ８を低下させて、溶融シリコン源６
を移動させ成長結晶４から（好ましくは、初期の成長位
置から１０〜１００ｍｍの距離で）離す（工程２４）こ
とによって、酸化物不純物を無くするかまたは減少させ
ることが望ましい。次いで、いずれかの過剰の予備酸化
ドーパントまたは酸化物不純物を燃焼させるのに充分な
程度に適用温度を増加させ、温度をシリコンの融点以上
で安定化させ、好ましくは結晶４を所望の成長位置で配
置させる。
【００１６】
【実施例】以下、実施例を示し、本発明を具体的に説明
する。なお、本発明は以下の実施例に限定されるもので
はない。実施例１ 本方法を４インチ１１１方位の結晶引き上げに用いた例
を示す。外径１２インチのルツボに２０キログラムのシ
リコンを溶かし、上部より１００グラムの事前に酸化処
理した金属ヒ素を添加した。酸化処理の方法は、金属ヒ
素は酸化防止のため密閉容器に納まってくるがこれを他
の容器に空け大気中に放置する簡単な方法を用いた。ヒ
素添加時の炉圧は２５トル、引き上げ時の炉圧は２０ト
ルを用いた。炉圧の調整は炉に流すアルゴン流量によっ
て行った。金属シリコンの粒度は１〜３ｍｍ程度、純度
は９９.９９９９％を用いた。添加は１度に行うと金属
ヒ素と融湯との反応が激しく融湯およびヒ素が飛散する
ので１００グラムの金属ヒ素の添加を数回に分けて行っ
た。添加後は融湯中に含まれる酸素との反応によりヒ素
の酸化物が融湯上に発生するが、この酸化物を分解させ
るためにルツボ位置を低下させ１時間ほど放置すること
により酸化物を分解した。表１には比較材として事前に
酸化処理をしない金属ヒ素を同様の方法で添加して引き
上げ歩留まりを比較した結果を示す。ＤＦＣ（Ｄisloca
tion Ｆree Ｃrystal ratio）とは結晶が結晶消失する
事無く引き上がった比率を示すが、表から分かるよう
に、本発明によれば大幅な歩留まりの上昇がみられる。
また表１には引き上がった結晶の先端部分の抵抗率と１
本の引き上げに要する操業時間を示すが、結晶消失によ
る引き上げなおしがないためヒ素の湯面からの蒸発が少
なく、先端部の抵抗率は低くまた短時間の操業時間にな
っている。
する。なお、本発明は以下の実施例に限定されるもので
はない。実施例１ 本方法を４インチ１１１方位の結晶引き上げに用いた例
を示す。外径１２インチのルツボに２０キログラムのシ
リコンを溶かし、上部より１００グラムの事前に酸化処
理した金属ヒ素を添加した。酸化処理の方法は、金属ヒ
素は酸化防止のため密閉容器に納まってくるがこれを他
の容器に空け大気中に放置する簡単な方法を用いた。ヒ
素添加時の炉圧は２５トル、引き上げ時の炉圧は２０ト
ルを用いた。炉圧の調整は炉に流すアルゴン流量によっ
て行った。金属シリコンの粒度は１〜３ｍｍ程度、純度
は９９.９９９９％を用いた。添加は１度に行うと金属
ヒ素と融湯との反応が激しく融湯およびヒ素が飛散する
ので１００グラムの金属ヒ素の添加を数回に分けて行っ
た。添加後は融湯中に含まれる酸素との反応によりヒ素
の酸化物が融湯上に発生するが、この酸化物を分解させ
るためにルツボ位置を低下させ１時間ほど放置すること
により酸化物を分解した。表１には比較材として事前に
酸化処理をしない金属ヒ素を同様の方法で添加して引き
上げ歩留まりを比較した結果を示す。ＤＦＣ（Ｄisloca
tion Ｆree Ｃrystal ratio）とは結晶が結晶消失する
事無く引き上がった比率を示すが、表から分かるよう
に、本発明によれば大幅な歩留まりの上昇がみられる。
また表１には引き上がった結晶の先端部分の抵抗率と１
本の引き上げに要する操業時間を示すが、結晶消失によ
る引き上げなおしがないためヒ素の湯面からの蒸発が少
なく、先端部の抵抗率は低くまた短時間の操業時間にな
っている。
【表１】 酸化処理無し 酸化処理有り 歩留まり（％） ４９.８ ６０.３ ＤＦＣ（％） ４５.３ ８１.８ 先端部の抵抗率（Ωcm） ０.００３５４ ０.００３２８ 操業時間（時間） ２７.６ ２０.９
【００１７】実施例２ 本方法を６インチ１００方位の結晶引き上げに用いた例
を示す。外径１６インチのルツボに３０キログラムのシ
リコンを溶かし、上部より１３０グラムの事前に酸化処
理した金属ヒ素を添加した。その他の条件は実施例１と
同様である。添加は１度に行うと金属ヒ素と融湯との反
応が激しく融湯およびヒ素が飛散するので１３０グラム
の金属ヒ素の添加を数回に分けて行った。添加後は融湯
中に含まれる酸素との反応によりヒ素の酸化物が融湯上
に発生するが、この酸化物を分解させるためにルツボ位
置を低下させ１時間ほど放置することにより酸化物を分
解した。表２には比較材として事前に酸化処理をしない
金属ヒ素を同様の方法で添加して引き上げ歩留まりを比
較した結果を示す。表２から分かるように、本発明によ
れば大幅な歩留まりの上昇がみられる。また表２には引
き上がった結晶の先端部分の抵抗率と１本の引き上げに
要する操業時間を示すが、結晶消失による引き上げなお
しがないためヒ素の湯面からの蒸発が少なく、先端部の
抵抗は低くまた短時間の操業時間になっている。
を示す。外径１６インチのルツボに３０キログラムのシ
リコンを溶かし、上部より１３０グラムの事前に酸化処
理した金属ヒ素を添加した。その他の条件は実施例１と
同様である。添加は１度に行うと金属ヒ素と融湯との反
応が激しく融湯およびヒ素が飛散するので１３０グラム
の金属ヒ素の添加を数回に分けて行った。添加後は融湯
中に含まれる酸素との反応によりヒ素の酸化物が融湯上
に発生するが、この酸化物を分解させるためにルツボ位
置を低下させ１時間ほど放置することにより酸化物を分
解した。表２には比較材として事前に酸化処理をしない
金属ヒ素を同様の方法で添加して引き上げ歩留まりを比
較した結果を示す。表２から分かるように、本発明によ
れば大幅な歩留まりの上昇がみられる。また表２には引
き上がった結晶の先端部分の抵抗率と１本の引き上げに
要する操業時間を示すが、結晶消失による引き上げなお
しがないためヒ素の湯面からの蒸発が少なく、先端部の
抵抗は低くまた短時間の操業時間になっている。
【表２】 酸化処理無し 酸化処理有り 歩留まり（％） ４４.６ ６４.９ ＤＦＣ（％） ４５.５ ９３.３ 種つけ回数（回） ２.４８ １.２７ 先端部の抵抗（Ωcm） ０.００５５６ ０.００４７４ 操業時間（時間） ３２.０ ２４.６ 表３には引き上がったインゴットをプロセスして得られ
るウエファー中の気泡の発生率を示すが、本方法により
気泡の発生率は大幅に減少していることが分かる。
るウエファー中の気泡の発生率を示すが、本方法により
気泡の発生率は大幅に減少していることが分かる。
【表３】 ウエファー工程での気泡欠陥発生率 実施例２ 実施例１ 発生ロット率 発生ウエファー Ｎ 発生ロット率 発生ウエファー Ｎ （％） (枚／ロット) （％） (枚／ロット) 酸化処理無し ４５.５ ２.７２ １１ ４１.０ ２.４６ ３９酸化処理有り ３.２ ０.２６ ３４ ５.５ ０.３５ ５４ 以上、その結晶方位、引き上げ径に関係なく、本方法の
適用により、大幅な引き上げ歩留まりの改善が図れるこ
とがわかった。
適用により、大幅な引き上げ歩留まりの改善が図れるこ
とがわかった。
【図１】 シリコン結晶を成長させドーピングするシス
テムの簡略図である。
テムの簡略図である。
【図２】 シリコン結晶を成長させドーピングする方法
の簡略フローチャートである。
の簡略フローチャートである。
２…種結晶、４…成長結晶、６…溶融シリコン源、８…
ルツボ。
ルツボ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C30B 1/00 - 35/00 H01L 21/208
Claims (12)
- 【請求項１】 半導体結晶を成長させる方法であって、 溶融半導体源から半導体結晶を引き上げ、半導体結晶を
成長させる工程；および予め酸化されたドーパントを半
導体源に加え、成長半導体結晶の性質を変える工程を特
徴とする方法。 - 【請求項２】 半導体結晶が、シリコンの種単結晶を含
んでなり、溶融半導体源が主としてシリコンを含んでな
る請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 予め酸化されたドーパントが、酸化物で
被覆された金属ヒ素を含んでなる請求項１に記載の方
法。 - 【請求項４】 予め酸化されたドーパントが、酸化物で
被覆された金属ヒ素およびシリコンの化合物を含んでな
る請求項１に記載の方法。 - 【請求項５】 予め酸化されたドーパントが、酸化ヒ素
の表面を有するヒ素の粒である請求項１に記載の方法。 - 【請求項６】 予め酸化されたドーパントが、１０μｍ
〜１ｍｍの厚さを有する酸化物膜で被覆されている請求
項１に記載の方法。 - 【請求項７】 ドーパントが、該ドーパントを大気条件
下で室温で少なくとも１日にわたって保持することによ
って予め酸化されている請求項１に記載の方法。 - 【請求項８】 半導体源を成長結晶から移動する工程；
および適用温度を上昇して過剰の予備酸化ドーパントを
燃焼させる工程をさらに有してなる請求項１記載の方
法。 - 【請求項９】 シリコン結晶を成長させるチョクラルス
キー法による改良された方法であって、 シリコン種単結晶を溶融シリコン源から引き上げ、結晶
を成長させる工程；および予め酸化されたヒ素ドーパン
トを溶融シリコン源に加え、成長結晶の電気的性質を変
える工程を有してなり、予め酸化されたヒ素ドーパント
が、酸化ヒ素の表面膜を有する金属ヒ素の粒子を有して
なり、表面膜が１０μｍ〜１ｍｍの厚さを有する成長方
法。 - 【請求項１０】 溶融シリコン源を成長結晶から移動す
る工程、および適用温度を上昇して過剰の予備酸化ドー
パントを燃焼させる工程をさらに有してなる請求項９に
記載の方法。 - 【請求項１１】 少なくとも１つの開口を有するエンク
ロージャー；およびエンクロージャー中に配置されるル
ツボを有してなるシリコン結晶を成長させるシステムで
あって、 溶融シリコン源がルツボの中に供給されて、溶融シリコ
ン源から引き上げられるシリコン種単結晶が成長し、予
め酸化されたヒ素ドーパントが溶融シリコン源に添加さ
れ、成長結晶の電気的性質を変えるシステム。 - 【請求項１２】 予め酸化されたヒ素ドーパントが、酸
化ヒ素の表面膜を有する金属ヒ素の粒子を有してなり、
表面膜は１０μｍ〜１ｍｍの厚さを有する請求項１１に
記載のシステム。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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